4_高分辨电子显微学

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高分辨透射电子显微分析技术

高分辨透射电子显微分析技术

(a)反映了晶体中 重原子或轻原子 列沿电子束方向 的势分布;(b) 是电子显微像上 强度的分 布,可 知 ( x, y) 具有比1小得多的 值。 由于重原子列具 有较大的势((a) 中心峰高),像 强度弱(负峰)。 可见(a)(b) 反映了由试样中 轻重原子的差异 所带来的像上衬 度的差异。
左上插图是结构原子 位置模型示意图。照 片上相应于重原子Tl 和Ba的位置出现大黑 点,而环绕它们的周 围则呈现亮的衬度。 插图中从最上一个Ba 原子到最下一个Ba原 子之间的4个Cu原子 和3个Ca原子和它们 的周围通道也呈亮衬 度。
Tl 系超导氧化物的高分辨电子显微像 TlBa2Ca3Cu4O11粉碎法制备,400kV电 子显微镜,沿[010]入射
7高分辨电子显微学
主要内容

7.1引言 7.2高分辨电子显微成像原理 7.3高分辨电子显微观察和拍摄图形的程序 7.4高分辨电子显微方法的实践和应用
7.1引言


概念:高分辨电子显微术是运用相位衬度成像 的一种直接观测晶体结构和缺陷的技术。 历史:1956年门特用分辨率为0.8nm的透射电 子显微镜直接观察到酞箐铜晶体的相位衬度像 这是高分辨电子显微学的萌芽;在20世纪70年 代,解释高分辨像成像理论和分析技术的研究 取得了重要进展;实验技术的进一步完善,以 及以J.M.Cowley的多片层计算分析方法为标志 的理论进展,宣布了高分辨电子显微学的成熟.

像模拟方法:此法先假设一种原子排列模型, 然后根据电子波成像的物理过程进行模拟计算, 以获得模拟的高分辨像。如果模拟像与实验像 相匹配,便得到了正确的原子排列结构像。
7.2高分辨电子显微成像原理
下面介绍几个基本概念 衬度传递函数T(H):是一个反映透射电子显微 像成像过程中物镜所起作用的函数,它是一个 与物镜球差、色差、离焦量和入射电子束发散 度有关的函数。一般来说,它是一个随着空间 频率的变化在+1与-1间来回震荡的函数。 相位体(phase object):电子波与物体作用后 如果只改变波的相位而波振幅不变,这种物体 成为相位体,反之称振幅体。

材料分析高分辨电子显微学

材料分析高分辨电子显微学





(2)经物镜作用在后焦面处形成衍射谱 Q(u,v)=F[q(x,y)] (3)像平面上形成高分辨电子显微像 当物平面与像平面严格地为一对共轭面时,像面波Ψ(r) 真实地放大了物面波q(r),而当物镜有像差时,像平面不严 格与物平面共轭,此时像面波不再真实地复现物面波。像面 波与物面波之间的这种偏差可用在物镜后焦面上给衍射波加 上一个乘子,就是衬度传递函数exp(iⅹ (u,v)) 。 同时考虑物镜光阑的作用C(U,V).因而像平面的电子散射 振幅为: Ψ(u,v)=F[C(U,V) Q(u,v) exp(iⅹ (u,v)) ] 像平面上像的强度为像平面上电子散射振幅的平方,即 振幅及其共轭的乘积: I(x,y)= Ψ*(u,v) · Ψ(u,v) =│1 +iF{C(U,V)F[σφ(x,y) Δz ] exp(iⅹ (u,v))} │2
(4)样品厚度对像衬度的影响 高分辨像实际上是所有参加成像的衍射束与透 射束之间因相位差而形成的干涉图像。因此,试样 厚度非直观地影响高分辨像的衬度。 图3-3所示为Nb2O5单晶在同一欠焦量下不同试 样厚度区域的高分辨照片。在照片上能看到由于试 样厚度不均匀等因素引起的图像衬度区域性变化, 即图像从试样边缘的非晶衬度过渡到合适厚度下的 晶胞单元结构像。
高分辨电子显微学
林鹏 081820022
目录
1.绪论
2.高分辨电子显微相位衬度像的成像原理 3.高分辨电子显微像衬度的影响因素 4.高分辨电子显微像的计算机模拟 5.高分辨电子显微观察和拍摄图像的程序 6.高分辨电子显微图像的类型和应用实例
1.绪论
不同材料有不同的使用性能;材料的性能 决定于材料的结构,特别是它的微观结构。 为了获得能满足人类生活和生产需要的材料, 必须研究材料的结构,首先要直接观察到结 构的细节。 1956年,门特用分辨率为0.8nm的透射 电子显微镜直接观察到酞菁铜晶体的相位衬 度像,这是高分辨电子显微学诞生的萌芽。

高分辨电子显微学进展及其在材料科学中的应用

高分辨电子显微学进展及其在材料科学中的应用

显 微 学 ;2 原 子 分 辨 率 的 扫 描 透 射 电 子 显 微 学 ( 原 子 序 数 衬 度 成 像 ) () 或 。两 种 成 像 技 术 均 可 达 到 亚 埃 的 分 辨 率 。介 绍 了这 两 种 技 术 的各 自特 点 及 其 在 功 能 材 料 的 微 观 结 构 缺 陷 表 征 、 电 薄 膜 的极 性 确 定 等 方 面 的 应 铁 用 。随 着 亚 埃 分 辨 率 的 电子 显 微 学 的 发 展 , 它必 将 对 材 料 科 学 、 理 学 、 米 科 学 、 学 及 生 命 科 学 等 产 生 重 物 纳 化
Vo . 7 NO 3 M a . 2 0 12 . r O1
实验 技 术 与方 法
高分辨 电子显微学进展及其在材料科学 中的应用
王 乙潜 ,梁 文 双
( 岛大 学 国家 重 点 实验 室 培 育 基 地 ,山 东 青 岛 2 6 7 ) 青 60 1

要 :简 要介 绍 了 高分 辨 电 子显 微学 的最 新 进 展 。 主要 表 现 在 两 个 方 面 : 1 球 差 校 正 的 高 分 辨 透 射 电 子 ()
a o i r s l t n s a n n r n miso lc r n mi r s o y ( TEM r Z c n r s ma ig t m c e o u i c n i g ta s s in ee to c o c p o S o - o ta ti g n ),c n r a h a s b a e c u —
( liain Baef rS aeKe a o ao y Cut t s o tt yL b rt r ,Qig a ie st ,Qig a 6 0 l,Chn ) v o n d o Unv riy n do2 6 7 ia

电子显微分析

电子显微分析

8、场发射枪扫描透射电子显微镜 场发射扫描透射电镜STEM是由美国芝加哥大学的A.V.Crewe教授 在70年代初期发展起来的。试样后方的两个探测器分别逐点接收未散 射的透射电子和全部散射电子。弹性和非弹性散射电子信息都随原子 序数而变。环状探测器接收散射角大的弹性散射电子。重原子的弹性 散射电子多,如果入射电子束直径小于0.5nm,且试样足够薄,便可 得到单个原子像。实际上STEM也已看到了γ-alumina支持膜上的单个 Pt和Rh原子。透射电子通过环状探测器中心的小孔,由中心探测器接 收,再用能量分析器测出其损失的特征能量,便可进行成分分析。为 此,Crewe发展了亮度比一般电子枪高约5个量级的场发射电子枪FEG: 曲率半径仅为100nm左右的钨单晶针尖在电场强度高达100MV/cm的作 用下,在室温时即可产生场发射电子,把电子束聚焦到0.2—1.0nm而 仍有足够大的亮度。英国VG公司在80年代开始生产这种STEM。最近在 VGHB5 FEGSTEM上增加了一个电磁四极—八极球差校正器,球差系数 由原来的3.5mm减少到0.1mm以下。进一步排除各种不稳定因素后,可 望把100kV STEM的暗场像的分辨本领提高到0.1nm。利用加速电压为 300kV的VG-HB603U型获得了Cu†112‡的电子显微像:0.208nm的基本 间距和0.127nm200kV,300kV电镜的穿透能力分别为100kV的1.6和2.2倍, 成本较低、效益/投入比高,因而得到了很大的发展。场发射透射电 镜已日益成熟。TEM上常配有锂漂移硅Si(Li)X射线能谱仪(EDS),有 的还配有电子能量选择成像谱仪,可以分析试样的化学成分和结构。 原来的高分辨和分析型两类电镜也有合并的趋势:用计算机控制甚至 完全通过计算机软件操作,采用球差系数更小的物镜和场发射电子枪, 既可以获得高分辨像又可进行纳米尺度的微区化学成分和结构分析, 发展成多功能高分辨分析电镜。JEOL的200kV JEM-2010F和300kV JEM-3000F,日立公司的200kV HF-2000以及荷兰 飞利浦公司的200kV CM200 FEG和300kV CM300 FEG型都属于这种产品。 目前,国际上常规200kVTEM的点分辨本领为0.2nm左右,放大倍数约 为50倍—150万倍。 7、120kV,100kV分析电子显微镜 生物、医学以及农业、药物和食品工业等领域往往要求把电镜和 光学显微镜得到的信息联系起来。因此,一种在获得高分辨像的同时 还可以得到大视场高反差的低倍显微像、操作方便、结构紧凑,装有 EDS的计算机控制分析电镜也就应运而生。例如,飞利浦公司的CM120 Biotwin电镜配有冷冻试样台和EDS,可以观察分析反差低以及对电子 束敏感的生物试样。日本的JEM-1200电镜在中、低放大倍数时都具有 良好的反差,适用于材料科学和生命科学研究。目前,这种多用途 120kV透射电镜的点分辨本领达0.35nm左右。

第四章 电子显微镜分析基础

第四章  电子显微镜分析基础

极靴小孔隙中。如图19.6(a)、(b)、(c)所示,(c)是一种强
磁透镜。由于透镜焦距与所采用的磁场相关 磁场越强 焦 距越短 放大倍数也就越大 电子显微镜的成像物镜大多采 用短焦距的强磁透镜
强磁透镜
2.3 电磁透镜的像差、分辨本领、景深和焦长
ro

2
理论上 电子显微镜的分辨率很高 但事实上 其分辨率远
2.4 电子显微镜与光学显微镜的对比 电子显微镜在分辨本领、放大倍数、景深、焦长等 许多方面有着明显的优点 它能把微区(几个微米)、
甚至超微区(10nm以下)把形貌、成分、结构三个主
要测试方面的内容密切结合起来进行研究
电子显微镜的发明及发展开拓了许多新的研究领
域 但电子显微镜也有一些局限性 需要光学显微镜和
第4章
电子显微镜分析基础
一、光学显微镜的分辨率
人眼分辨极限只有0.2mm 光学显微镜的分辨极限是
0.1μm 电子显微镜的分辨率普遍达到0.3nm 最好的电
子显微镜的分辨率已经达到0.07nm 一般原子、离子半
径大约在0.1nm左右
在电子显微镜下可以直接观察到分子 甚至原子的世界 这
个分辨能力比人眼高出了近100万倍 比最好的光学显微
2.3.2电磁透镜的分辨本领 分辨本领取决于透镜的像差和衍射效应所产生的 散焦斑(或称埃利斑)尺寸的大小 光学显微镜在最佳 情况下 分辨本领可以达到照明光波波长的二分之一 电子束波长比可见光波长小五个数量级 如果电磁透镜 像差(特别是球差)能得到较好的矫正 那么它的分辨 本领理应达到照明波的半波长0.002nm极限值(按加速
1 eV m 2 2
式中 e为电子电荷绝对值 V为加速电压(kV) ν为电子运动速 度 m为电子的质量 从上式可以得到电子运动的速率为:

高分辨电子显微技术与材料表征

高分辨电子显微技术与材料表征

高分辨电子显微技术与材料表征随着科学技术的不断发展,高分辨电子显微技术在材料表征领域取得了重大进展。

这种技术通过利用电子束对材料进行成像,能够突破传统光学显微镜的分辨率限制,实现对微观结构的高清观察和表征。

本文将从原理、应用和发展趋势三个方面来探讨这一技术。

首先,我们来看一下高分辨电子显微技术的原理。

所谓电子显微技术,就是利用电子束与样品相互作用的过程来获取样品的信息。

相比于光学显微镜,电子显微镜使用的是电子束而非光束,其波长要小于光的波长,从而能够达到更高的分辨率。

而高分辨电子显微技术在原理上又有所突破,它主要利用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)来对样品进行分析。

TEM通过电子束的透射来观察样品的内部结构,分辨率可以达到纳米级别。

而SEM通过电子束的扫描来观察样品的表面形貌,分辨率也可以达到纳米级别。

通过这两种技术,可以获取到材料在微观尺度上的结构和特性信息。

接下来,我们将来探讨高分辨电子显微技术在材料表征中的应用。

高分辨电子显微技术在材料科学、生物学、化学等领域都有广泛的应用。

在材料科学中,它可以对金属、陶瓷、聚合物等各类材料的晶体结构、晶体缺陷、表面形貌等进行观察和分析,为新材料的研发和制备提供重要的支持。

在生物学中,电子显微技术可以对生物细胞、组织等进行高清观察,揭示生物体内部结构和功能的微观细节。

在化学中,电子显微技术可以用于观察化合物的晶体结构、原子排列等,有助于解决一些化学反应机理等问题。

可以说,高分辨电子显微技术在各个学科领域都有重要的应用,对于科学研究和工程实践都具有重要的意义。

最后,我们来看一下高分辨电子显微技术在未来的发展趋势。

随着材料科学和纳米技术的发展,人们对于高分辨电子显微技术的要求也越来越高。

一方面,人们要求更高的分辨率,以便观察和研究更细致的结构和性质。

另一方面,人们也要求更高的空间分辨率,以便观察和分析更大范围的样品。

因此,未来的高分辨电子显微技术将会朝着更高分辨率、更高空间分辨率和更高样品适应能力的方向发展。

高分辨衬度原理与像计算

高分辨衬度原理与像计算
近似。
采用后文介绍的Cowley-Moodie多层法,将赝弱相位物分割,每层都可以 看做弱相位物。最终计算所得像强度为:
与弱相位物近似下的强度分布比较,赝弱相位物下峰被展宽,重轻 原子强度比下降,但峰的位置不变,用 代替晶 体的投影势函数。
可直接解释的高分辨晶体结构像
投影电荷密度近似
(忽略球差和光阑) (泰勒展开要求Δf很小) (相位物近似) 数学处理
位错的HREM像
Ni3(Al,Ti)中[100]带轴 倾侧晶界HREM像
高强Al-Mg-Mn合金中(Mg,Mn)3Al10 相的微孪晶HREM像
Mg15.4Gd1.6Nd 合金 β1相与 β 相接的高分辨像
Mg97Zn1Y2 合金中 14H 型 LPS 的高分辨像
可直接解释的高分辨晶体结构像
Cowley-Moodie多层法与高分辨像计算
Cowley-Moodie多层法
第一薄层内物质对入射波的作用:
1 ( x, y) 透射函数* 传播函数
q(x, y)* P(x,y)
以此迭代下去得到最终出射波函数为:
q( x, y) exp(i ( x, y)z )
其中,
Cowley-Moodie多层法计算物出射波振幅的程序框图
高分辨计算像模拟
计算出了物透函数
还要考虑成像系统衬度传递函 数对对后焦面上电子波的调制 作用。包括球差、离焦、色差、 束发散、照明孔径角等。
可直接解释的高分辨晶体结构像
相位物近似、相位栅近似及高压近似关系
相位栅近似是一种投影近似,物理上等价于将爱瓦尔德球用平面代替。 判据是对参与成像的所有衍射,爱瓦尔德球都能与形状函数的傅里叶变换 平方的分布的主极大相交。 对一二维无穷大的薄晶体,电子入射后获 得形状函数的傅里叶平方分布的主极大范围是 -1/t到1/t,倒易点被拉长成长为2/t的倒易棒。 满足近似的厚度要求与相位栅近似要求的 一致。

第六章-高分辨电子显微技术-2

第六章-高分辨电子显微技术-2

(3)一维结构像实例
3、二晶格像
(1)成像原因:在衍射花样中,套取原点和单胞晶面的衍射束,使之干涉 成像,就可以获得显示单胞二维晶格的像,因为该像不包含原子尺度(单 胞内原子排列的信息),因此,称为二维晶格像。
(2)成像特点: i、为离散的或明、或暗的像点构成二维网格; ii、像点不能说明原子是否存在; iii、当试样中存在缺陷时,要使用薄试样和最佳的聚焦条件,否则缺陷 像发生错乱,很难解释。
5、特殊像
2、一维结构像
(3) 晶 格 条 纹 像 的 实 例
(1)成像原因:当入射束平行于某一晶带轴时,在最佳聚焦条件下,可以 获得包含晶体结构的一维条纹像,即像的衬度与原子排列存在对应关系。
(2)成像特点: i、由明暗相间的条纹组成,每条条纹对应于一个堆垛层面; ii、适于多层结构材料的分析,一般附带衍射花样。
(3)二维晶格像的实例
4、二维结构像
(1)成像原因:保证分辨率的前提下,在衍射花样中,套取原点和尽可能 多的单胞晶面的衍射束,使之干涉成像,就可以获得含有单胞内原子排列 信息的单胞二维结构像。
(2)成像特点: i、由明暗相间的图样周期排列组成; ii、像点对应于单胞内的原子; iii、对于原子序数高的试样,结构像只在薄区可以观察到。
位 错 线 必 须 是 直 的 !
可以观察到:位错分解、位错宽度
(2)电子束垂直于位错线 (沿b轴入射) (3)电子束垂直位错线 (沿c轴入射)
可以观察到:不全位错间层错的宽度或者不全位错线上的扭折。
可以观察:位错割阶和相关晶格缺陷的形态和特征。
2、晶界和相界 (1)晶界 (2)孪晶界
3、表面 (3)相界
(3)二维结构像的实例
5、特殊像
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G(u) = FT[g(x)] H (u) = FT[h(x)]
FT[g(x) ⊗ h(x)] = G(u)H (u)
二个函数的卷积的傅氏变换等于它们各自傅氏变换的乘积
Fourier Transform of δ(t)

∫ δ (t) exp(−iωt) dt = exp(−iω[0]) =1
−∞δ (t) FFourier Transform and Structure Analysis
In structure analysis a crystal can be seen as a kind of wave of matter, which is a sum of sine waves with different spatial frequencies.
惠更斯-费涅耳原理
Huygens‐Fresnel Principal
(Christian Huygens 1629-1695)
/history/person/psn048.html
• 1690年,惠更斯提出惠更斯原理,认为波前上的每一点都可以 看作是发出球面子波的新的波源,这些子波的包络面就是下一时 刻的波前。
• 1971,S.Iijima(ASU),Ti2Nb10O29 1977年美国晶体学会奖
• 70年代,Hashimoto, Crewe
观察单个原子、原子跳动
• 80年代末,实验观察和模拟基本成熟普及
• 90年代: QHREM 提高分辨率 @ 降低Cs
球差校正器
图像处理
氯化铜-酞花青燃料分子中原子像
δ函数
电子波的传播
Kirchhoff 衍射:波的球面波传播 — Fresnel 衍射:光源和观察点距障碍物有限远的衍射
近场传播 q(x,y) ⊗ p(x,y) Fresnel 传播因子:p(x,y)=exp{-ik(x+y)/2R}
(二次曲面代替球面)
— Fraunhofer衍射:光源和观察点距障碍物无限远
3、微分
FT
[
d
ng(x) dxn
]
=
(iu)n
FT
[
g
(
x)]
Fourier transform and convolution
• Fourier Transform 傅立叶变换 • Convolution 卷积
δ function
J.W. Goodman, “Introduction to Fourier Optics”, 2nd Ed. 1996.
振幅项 相位项
衬度传递函数
物镜衬度传递函数
Propagation of the scattered electron wave
I(r)= 1- 2σϕ (x,y) ∗F (Sin χ(u,v))
d,(nm) 1
1.000
0.500
0.33 3
0.2 50
0.200
0.167
0 .143 0.125
Es
The reverse FT of G(u) is defined as:
∫ FT−1(G(u)) = ∞ G(u)exp(2πiux)du = g(x) −∞
Operation Law
1、Linear
FT [c1g1 + c2 g2 ] = c1FT [g1] + c2 FT[g2 ]
2、相移
FT [g(x − x0)] = exp{−iux0}FT [g( x)]
高分辨电子显微学
1、理论 2、应用 3、模拟 4、实验
Fourier Transform
The FT of g(x) is defined as:
plane wave 平面波
∫ FT (g(x)) = ∞ g( x) exp( −2πiux )dx = G(u) −∞
g(x): complex function, x: independent variable G(u): complex function, u: independent variable x: spatial coordinates, u: spatial frequency
• 定义:

δ( x

x0
)
=
⎧∞
⎨ ⎩
0
x = x0 x ≠ x0

∫ δ ( x − x0)dx = 1
−∞
Convolution and δ function
The identity operation is the convolution with the Dirac delta function:
1. g(x) = f(x) ⊗ δ(x) = f(x)
f(x) convolutes with δ(x), remains the same.
2. g(x) = f(x) ⊗ δ (x-a) = f(x-a)
f(x) convolutes with δ(x-a), then the independent variable x in f(x) shifts a.
• 1818年,费涅耳以波的干涉的思想,赋予了惠更斯原理中各元 波包络面以物理意义,即各元波的相互干涉,在包络面上合成波 具有显著的强度。他认为从同一波面上各点发出的子波,在传播 到空间某一点时,各个子波之间也可以相互叠加而产生干涉现象。 这就是惠更斯-菲涅耳原理。
Augustin-Jean Fresnel, 1788-1827
Crystal sample
Diffraction pattern
卷积 Convolution

g(x) = ∫ f (t)ϕ(x − t)dt = f (x) ⊗ϕ(x) −∞
Image
Object Point spread function
f(x)
g(x)

Blurring
Convolution theorem 卷积定理
电子波函数
电子波函数
Ψ(r) = A(r)e−iϕ (r)
平面波 球面波
Ψ(r) = e−ik⋅r Ψ(r) = e−ik⋅r
r
电子运动规律具有波动性
• 电子波是一种几率波(德布罗意波) 电子波波长:
λ=
h
2meeV
(1
+
eV mec
2
)
电子波的物理光学
• 惠更斯-费涅尔(Huygens-Fresnel)原理 • 远场衍射(Fraunhofer Diffraction) • 近场衍射(Fresnel Diffraction) • 电子显微镜中的远场和近场衍射 • Abbe成像原理
Parallel Beam and image plane is at a distance, R, much larger compared to the size of the diffracting object (X,Y).
R >>(X2+Y2)max/λ, the observed wave is Fraunhofer Diffraction
0.111
0.10 0
0.0 91
0.083
0.077
0 .071
0.0 67 1
( ) ∫∫ ( ) Qexit k
= 1 eik⋅r u,v r
qexit x, y
eiϕ (x, y)dxdy

∫ Convolution g (x) = f (t )ϕ(x − t)dt = f (x) ⊗ϕ (x) −∞
Abbe theory of image formation
• Abbe 成像原理
1
t And the Fourier Transform of 1 is:
1
F
w

∫ 1 exp(−iωt) dt = 2π δ (ω)
−∞
2π δ (ω)
t
w
高分辨电子显微学发展历史
实验高分辨电子显微学
• 1956,Menter,1.2nm酞箐铜和钛菁铂的条纹像
• 1957,Menter,0.69nm的条纹像(MoO3)
• 样品出射波:
qexit (x, y)
• 第一次傅里叶变化(样品出射波远场衍射, 物镜会聚衍射在后
焦面)
( ) Q(u, v) =
∫∫ 1

qSexit( x, y)(eφxpk−x2,πkiy( xu + yv))dxdy
• 第二次傅里叶变化(后焦面波的远场衍射)
qimage (x',
y')
=
0.0 83 0.077 0.071
0.0 67 1
Es
Et
dInfo
0
0
sin χ (r)
dSch
-1
k,(nm-1)
1
2
3
4
5
-1
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
Contrast Transfer Function (CTF)
V = 300 kV CS = 0.002 mm CC = 1.5 mm ΔE = 0.8 eV HT Ripple = 0.25 ppm OL Instability = 0.5 ppm Δ = 2.14 nm α = 0.1 mrad
In electron microscope the sample transforms to diffraction by objective lens, namely, the wave of matter is transformed to spatial frequency spectrum at back focal plane of objective lens.
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