《电子技术基础》复习要点
电子技术基础 复习资料
电子技术基础复习资料电子技术基础复习资料电子技术是现代社会发展的重要支撑，涉及到电路、信号处理、通信等多个领域。
对于电子技术的学习者来说，掌握基础知识是非常重要的。
本文将为大家提供一些电子技术基础的复习资料，帮助大家更好地理解和掌握这一领域的知识。
一、电子元器件1. 电阻：电子电路中最基本的元器件之一，用于限制电流流动。
2. 电容：用于储存电荷，具有储存和释放电能的能力。
3. 电感：用于储存磁能，具有阻碍电流变化的特性。
4. 二极管：具有单向导电性质，常用于整流和信号检测。
5. 三极管：是一种控制电流的元件，常用于放大和开关电路。
6. MOSFET：是一种场效应管，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，广泛应用于数字电路和功率放大电路。
7. 集成电路：将多个电子元件集成在一块芯片上，可实现复杂的功能。
二、基本电路1. 电流与电压关系：欧姆定律描述了电流、电压和电阻之间的关系，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
2. 串联电路与并联电路：在串联电路中，电流只有一条路径可流动，而在并联电路中，电流可以选择多个路径流动。
3. 电压分压器：通过串联电阻将输入电压分成不同比例的输出电压，常用于电压调节和信号处理。
4. 电流源与电压源：电流源提供恒定的电流输出，而电压源提供恒定的电压输出，常用于电路模拟和实验。
三、信号处理1. 模拟信号与数字信号：模拟信号是连续变化的信号，而数字信号是离散的信号。
2. 采样与量化：采样是将连续的模拟信号转换为离散的数字信号，量化是将连续的信号幅度转换为离散的数值。
3. 滤波器：用于改变信号频率特性的电路，常用于信号去噪和频率选择。
4. 放大器：用于放大信号幅度的电路，常用于信号增益和放大。
四、通信技术1. 调制与解调：调制是将低频信号转换为高频信号以便传输，解调是将接收到的高频信号转换为原始信号。
2. 调频与调幅：调频是通过改变载波频率来调制信号，调幅是通过改变载波幅度来调制信号。
电工电子技术基础 重点内容
电工电子技术基础重点内容电工电子技术基础重点内容一、电路基础理论1．电路的概念与基本定律1) 理解电路模型及抱负电路元件伏安特性, 抱负电路元件分有无源〔R L C〕和有源(电压源电流源)两大类。
2) 理解电压、电流参考方向的意义并能正确运用。
3) 理解电功率和额定值的意义。
4) 理解基尔霍夫定律。
2．电路的基本分析方法,深刻理解电路中电位的概念并能娴熟计算电路中各点的电位。
1) 理解电路等效变换的概念、掌控电阻和电源的'等效变换。
2) 掌控支路电流法。
3) 掌控结点电压法，能娴熟应用弥尔曼定理。
4) 掌控并能娴熟应用叠加定理和戴维宁定理。
三相异步电动机1.基本知识点三相异步电动机的基本结构及工作原理；三相异步电动机的转速、极数、转差率；三相异步电动机的电磁转矩与机械特性；三相异步电动机的起动、调速、制动、铭牌数据和选择。
第三部分电子技术一、半导体二极管半导体的的基础知识； PN结的形成及其特性；半导体二极管的伏安特性、主要参数及主要应用非常二极管；整流电路；滤波电路；硅稳压管稳压电路。
二、半导体三极管与基本放大电路三极管的伏安特性及主要参数；共射极放大电路的组成及工作原理；放大电路的分析―估算法和图解法；静态工作点的稳定和典型偏置电路的分析；三、集成运算放大电路集成运放的基本知识；抱负运算放大器的两个重要结论；集成运放中的反馈；四、门电路与时序电路基本门电路〔与门、或门和非门〕；常用门电路；规律代数及其化简；五、触发器与时序电路 R-S、JK、D触发器的符号和规律功能；集成计数器功能、分类及运用方法。
时序电路与时序电路的区分组合规律电路的输出仅与输入的状态有关。
时序规律电路的特点是：输出不仅取决于当时输入的状态还与电路原来的状态有关描述时序规律电路功能的两个重要方程式。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
电子技术基础
电子技术基础电子技术基础是现代科技的基础之一，是指电子学的基本理论和电子元器件的基本知识。
电子技术基础的主要内容包括电路分析、数字电路、模拟电路、通信电路、微处理器、数字信号处理、电磁场和波导、量子力学等。
本文将对电子技术基础的主要知识点进行详细的介绍。
一、电路分析电路分析是电子技术基础中的一个重要知识点。
电路分析的主要内容包括基本电路定律、戴维南等效电路、史密斯图和电感等。
在电路分析中，需要掌握基本电路定律，包括欧姆定律、基尔霍夫定律和电压-电流特性等。
戴维南等效电路的内容比较复杂，主要是用一个定电源替换一个电路的一部分，从而简化电路分析。
史密斯图是通信工程中常用的一个图形工具，它可以表示阻抗匹配电路和传输线中的反射现象。
学习电路分析还需要了解电感的性质。
电感是指导体中储存磁能量的物理量，具有阻抗变化、滤波、放大和相移等作用。
通过电路分析的知识，可以更好地了解电子电路设计的基本原理和方法。
二、数字电路数字电路是电子技术基础中的另一个重要知识点。
数字电路的主要内容包括布尔代数、逻辑门、触发器和计数器等。
布尔代数是一种基本数学方法，以一种抽象方式描述逻辑表达式的运算。
逻辑门是实现布尔代数运算的电路元件。
常见的逻辑门包括与门、或门、非门、异或门和与或非门等。
触发器是一种逻辑电路元件，由多个逻辑门构成，可以存储和输出1或0的二进制数字信号。
计数器是能够记录电子数据的设备，可以用来计算时间、频率和速度等信息。
数字电路在电子技术中的应用非常广泛，包括数字信号处理、数字逻辑设计、计算机电路和数字通信系统等。
通过数字电路的知识，可以更好地理解和设计数字电子系统。
三、模拟电路模拟电路是电子技术基础中的另一个重要知识点。
模拟电路的主要内容包括放大器、滤波器、振荡器和功率放大器等。
放大器是模拟电路中最常见的元件，有增益、放大和滤波等作用。
滤波器是对信号进行滤波和去噪的电路，可以减少杂音和干扰等。
振荡器是一种元件，可以产生稳定的交流电信号。
《电子技术基础》复习资料
《电子技术基础》复习资料一：选择题1：以下哪个是半导体________。
A：铜B：铁C：铝D：硅2：在下面由理想二极管组成的电路中，两个电路的输出电压分别是________。
(如图P31) A．Vr1=0, Vr2=0B．Vr1=0, Vr2=6vC．Vr1=6v, Vr2=0D．Vr1=6v, Vr2=6v3：某二极管的击穿电压为300V，当直接对220V正弦交流电进行半波整流时，该二极管________。
A：会击穿B：不会击穿C：不一定击穿D：完全截止4：放大器电压放大倍数A V= -40,其中负号代表________。
A．放大倍数小于0 B：衰减C：同相放大D：反相放大5：若某电路的电压增益为-20Db,该电路是_______。
A．同相放大器 B. 衰减器C．跟随器 D. 反相放大器6：NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为________。
A：V BE>0 V BE>V CE B：V BE<0 V BE<V CEC：V BE>0 V BE<V CE D：V BE<0 V CE.>07：要使输出电压稳定又具有较高输入电阻，放大器应引入_______负反馈。
A：电压并联B：电流串联C：电压串联D：电流并联8：直流负反馈对电路的作用是_______。
A：稳定直流信号，不能稳定静态工作点B：稳定直流信号，也能稳交流信号C：稳定直流信号，也能稳定静态工作点D：不能稳定直流信号，但能稳定交流信号9：交流负反馈对电路的作用是________。
A：稳定交流信号，改善电路性能B：稳定交流信号，也稳定直流偏置C：稳定交流信号，但不能改善电路性能D：不能稳定交流信号，但不能改善电路性能10：OCL电路中，为保证功放管的安全工作，P CM应大于________A：P OM B：0.2 P OM C：0.1 P OM D：2 P OM11：OTL功放电路中，输出端中点静态电位为________。
电子技术基础重点(部分)
电子技术基础重点概念（大部分）1、将模拟信号转化成数字信号的电路称为模数转化器，简称ADC。
将数字信号转化成模拟信号的电路，称为数模转换器，简称DAC。
ADC和DAC转换电路已成为信息系统中不可缺少的接口电路。
2、弱电一般是用来进行信号处理的，电压和电流都很小，而强电则是用来驱动大功率电力设备的。
3、MPEG：活动图像专家组，此处指活动语音压缩标准。
4、ASI：专用集成电路。
5、无线充电系统主要采用电磁感应原理。
6、1906年，LEE DE FOREST发明了电子三极管，里程碑。
7、片上系统：SOC。
SYSTEM ON CHIP。
把整个系统制作在一个集成电路芯片上，完整的系统功能可以集成在一起，满足系统功能和技术指标的要求。
8、所谓集成电路，就是把半导体和电阻电容做在同一块硅片上，封装为一个具有多个引出端的电子器件，他能够独立的或者与少数其他元件配合起来，共同完成某种或某些功能，实现了材料元件和电路的三合一。
9、MEMS：微机电系统。
与片上系统，真空微电子技术，神经网络芯片和生物芯片和量子集成电路是研究热点。
10、导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，称之为半导体，在电子器械中常用的半导体材料有硅和锗。
半导体有如下特点，一，导电能力介于绝缘体和导体之间。
二受到外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。
三在纯净半导体中加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
11、纯净的半导体称为本征半导体。
12、半导体中存在两种两种载流子。
电子和空穴。
13、利用本征半导体的特性，可以制成热敏器件和光敏器件，例如热敏电阻和光敏电阻等，其阻值可以随温度的高低和光照射的强弱而变化。
14、在本征半导体硅中，掺入微量五价杂质元素如磷锑砷等。
形成N型半导体。
这种半导体以电子导电为主。
在本征半导体硅中插入微量的三价元素，如硼镓铟等元素。
形成P型半导体。
这种半导体已空穴导电为主。
15、多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。
而少数载流子的浓度受温度影响较大。
2024年电子技术基础知识
2、功能细分(模块化)，先干什么，再干什么，最后干什么
3、画初步流程图，(把几个模块画出即可)
4、模块之间的分析：一个模块到另一个模块之间，怎么变换，怎么连接(优化流程图)
5、单个模块分析：每个模块要做什么(流程图细化)
6、所有模块结合连接，细化所有流程图
7、分析单个模块每步要用到的方法或者指令
33：lm3886.gif看电子图里的文件，说明：左上22u电容，是使电路的直流工作状态采用100%的负反馈。即直流增益为1，工作点十分稳定，而且可以跟踪电源电压的变化。 直流信号相当于电压跟随器一样跟过去了。
47p电容 18k，电阻，起相位调节作用（pid 比例 积分 微分控制）。这里信号的频率的改变就改变增益的大小，频率越低，47p电容阻抗就越大，增益仍为18倍，但对高频信号就要有一个计算了，对高频信号有衰减作用。
共集放大器是同相放大器，输入电阻大，电流增益为1，号称电压跟随器。
共发放大器是反相放大器，输入出电阻是上两个之间，电压 增益大，电流增益也大。
所以共发，共基放大器，知道共基在后，就知道输出电阻大，将输入电流不衰减的送到输出电阻大的那端。 共集共发，明显是输入电阻大，将输入电阻不衰减的送到输出电阻小的那端
19：波形叠加只要掌握 Uac=Uab=Ubc的道理就可以了。
20 ：扼流圈的理解：电感是阻交流，通直流信号的，这点基本和电容相反的。
低频扼流圈 是抑制交流通肿瘤的
高频俄流圈是 抑制高频通低频和直流的。
21：放大电路有直流耦合和交流耦合 ，区别自知！
22：变压器砸数的基本公式 N=V的4次方/4.44fBmS ，公式推导都在学习资料里。
16、 卡诺图法化简逻辑函数选取化简后的乘积项的选取原则是：
电子技术基本知识点（新手必备）
电子技术基本知识点（新手必备）电子技术基础学的是什么？有哪些知识点需要记忆？下面是小编为大家收集整理的电子技术基础相关内容，欢迎阅读。
电子技术基础知识点(一)电源是一个能够维持两个测试点之间电压的装置，它可以是市电，可以是电池，可以是线圈，可以是电容等。
电池提供电能的电压极性是长期固定不变的，我们称为直流电。
常用的干电池的额定电压每节是1.5V。
市电供应的电能是交流电，正极和负极在时刻交替的变换着。
那是因为发电机线圈是在周而复始的和磁场做相对运动，如果安装电流换向器，就能够发出直流电。
交流电是没正负极之分的，市电中的零线和火线在正负极性、电压高低等各地方的表现是一样的，是完全对称的。
市电的电压是220V50Hz，意思是说有效电压为220V，每秒中正负极要变换50次。
留意：多少Hz就会变换多少次。
建议初学者多采用12V以下的直流电进行电子制作，这样成本比较低，电压比较低，万一有插接错电子元件，烧坏元件的可能性也要小。
电压越低越安全(少损坏电子元件)。
电子技术基础知识点(二)电容的作用用三个字来说：“充放电。
”不要小看这三个字，就因为这三个字，电容能够通过交流电，隔断直流电;通高频交流电，阻碍低频交流电。
电容的作用如果用八个字来说那就：“隔直通交，通高阻低。
”这八个字是根据“充放电”三个字得出来的，不理解没关系，先死记硬背住。
能够根据直流电源输出电流的大小和后级(电路或产品)对电源的要求来先择滤波电容，通常情况下，每1安培电流对应1000UF-4700UF 是比较合适的。
电子技术基础知识点(三)电感的作用用四个字来说：“电磁转换。
”不要小看这四个字，就因为这四个字，电感能够隔断交流电，通过直流电;通低频交流电，阻碍高频交流电。
电感的作用再用八个字来说那就：“隔交通直，通低阻高。
”这八个字是根据“电磁转换”三个字得出来的。
电感是电容的死对头。
另外，电感还有这样一个特点：电流和磁场必需同时存在。
电流要消失，磁场会消失;磁场要消失，电流会消失;磁场南北极变化，电流正负极也会变化。
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《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
◆PN结的伏安（曲线）方程：4.半导体二极管❑普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。
◆单向导电性：正向导通，反向截止。
◆正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
◆死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。
❑分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:◆若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);◆若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
❑方法1：图解分析法◆该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
❑方法2：等效电路法◆直流等效电路法（低频大信号模型）◆微变等效电路法（低频小信号模型）交流动态电阻：5.稳压二极管❑二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象称为反向击穿。
❑反向击穿的主要原因是有价电子碰撞电离而发生的“雪崩击穿”。
❑稳压二极管的特性：常工作时处在PN结的反向击穿区。
❑稳压管的参数：稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻、温度系数。
❑稳压管的应用：限幅电路，稳压电路。
第二章晶体三极管及基本放大电路2.1晶体三极管1.三极管的结构、类型及特点❑类型：分为NPN和PNP两种。
❑形成两个结：发射结和集电结；三个区域：发射区、集电区和基区。
❑结构特点：◆基区很薄，且掺杂浓度最低；◆发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；◆集电区结面积大，掺杂浓度较高。
2.三极管的工作原理❑电流控制性器件，具有电流放大作用❑电流放大的外部条件：◆发射结正向偏置，集电结反向偏置。
❑所谓的放大：实质上是一种能量控制作用，通过晶体管这种有源元件对直流电源的能量进行控制，使负载从电源中获得的输出信号的能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。
放大的特征是功率放大。
3.晶体管的三个工作区❑放大区，饱和区，截止区◆判断晶体管处于哪一个工作区的方法。
◆放大区的电流分配关系。
❑温度对晶体管特性及参数的影响：◆温度升高，输入特性曲线向左移动。
◆温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
❑晶体管的主要参数◆电流放大倍数：交流和直流◆极限参数：最大集电极耗散功率、最大集电极电流、极间反向击穿电压2.2 放大电路的组成原则❑晶体管放大电路的原则◆确保合适的工作点（处于放大区）；◆确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路；◆确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
❑理解静态工作点的必要性！❑三极管的三种基本组态2.3 放大电路的基本分析方法❑共射极电路的分析方法◆理解个元件的作用；◆直流通路与静态分析：★直流通路：电容视为开路；★图解法与解析法，，◆电路参数对静态工作点的影响；★直流负载线：由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
★改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
★改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
★改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
◆静态工作点与非线性失真★截止失真➢产生原因---Q点设置过低➢消除方法---减小R b，提高Q。
★饱和失真➢产生原因---Q点设置过高➢消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC。
★放大器的动态范围：失真输出电压的峰峰值U opp。
➢当（U CEQ－U CES）＞（V CC－U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
➢当（U CEQ－U CES）＜（V CC－U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2（U CEQ－U CES）。
➢当（U CEQ－U CES）＝（V CC－U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
◆交流通路和动态分析：（分析信号被放大的过程）★交流通路：电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
★图解法★微变等效电路法➢放大倍数➢输入电阻➢输出电阻❑分压式稳定工作点共射电路◆静态分析：◆动态分析无旁路电容：在R e两端并一电解电容C e后：；❑共集电极基本放大电路◆静态分析◆动态分析◆电路特点➢电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
➢输入电阻高，输出电阻低。
➢应用：多级放大器的输入级、输出级、或作为两个共射极电路的中间级。
❑三种组态放大电路比较第六章负反馈技术放大器的输出电压（或电流）经反馈网络在放大器输入端产生反馈信号，该反馈信号与放大器原来输入信号共同控制放大器的输入，即构成反馈放大器。
一、单环负反馈理想模型1．基本定义：❑开环放大倍数－－－A❑闭环放大倍数－－－A f❑反馈系数－－－F❑反馈深度－－－1+AF◆1．当AF＞0时，A f下降，这种反馈称为负反馈。
◆2．当AF＝0时，表明反馈效果为零。
◆3．当AF＜0时，A f升高，这种反馈称为正反馈。
◆4．当AF＝-1时，A f →∞ 。
放大器处于“ 自激振荡”状态。
2．深度负反馈❑当AF＞＞1时称深负反馈❑深负反馈的特征是：反馈信号X f接近原输入信号X i，使净输入X id很小；此时，闭环增益A f只由反馈网络决定。
二．反馈的形式和判断1. 反馈的范围----本级或级间。
2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
R s越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
R s越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+ 表示，降低用－表示）。
（3）确定反馈信号的极性。
（4）根据X i与X f的极性，确定净输入信号的大小。
X id 减小为负反馈；X id增大为正反馈。
6．反馈类型及用双口网路表示的理想模型·由于基本放大器与反馈网络在输出口的接法不同，取样信号可能是输出电压或输出电流；由于基本放大器与反馈网络在输入口的接法不同，求和信号也可能为电压或电流。
因此有四种不同的反馈类型，表7-1给出了这四种类型的总结。
表7-1 四种反馈类型各物理量的含义*表中的互阻又称为传输阻抗，互导又称为传输导纳。
反馈网络可以看成是一个受控源。
实现各类反馈的规律是：A、F两网络与负载在输出口并联实现电压取样；串联则实现电流取样。
A、F两网络与源电流is在输入口并联形成电流求和；A、F两网络与源电压Vs在输入口串联形成电压求和。
三、负反馈对放大器性能的影响1．负反馈环具有自动调节功能任何因素使输出端取样信号X o发生变化，负反馈可以减小这种变化，使X o稳定。
利用负反馈的稳定X o的功能可以解释为什么负反馈能使A f稳定，展宽通频带和减小非线性失真。
2．可以提高闭环增益的稳定性。
3．可以扩展闭环增益的通频带4．可以减小非线性失真及抑制环内干扰和噪声。
5．直流负反馈可以稳定放大器工作点。
6．改变输出电阻与取样方式有关。
电压取样负反馈使输出电阻减小；电流取样负反馈使输出电阻增大。
7．改变输入电阻与求和方式有关。
电流求和负反馈使输入电阻减小；电压求和负反馈使输入电阻增大。
四、深负反馈条件下电压增益的估算两种出发点:基于反馈网络的放大;基于理想运放的方法.第七章集成运放及其应用❑放大电路模型❑集成运放的电压传输特性⏹当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：❑理想集成运放的参数⏹开环电压放大倍数Aod→∞；⏹差模输入电阻Rid→∞；⏹输出电阻Ro→0；⏹共模抑制比KCMR→∞；❑理想集成运放的分析方法⏹运放工作在线性区:★电路特征——引入负反馈★电路特点——“虚短”和“虚断”:⏹运放工作在非线性区★电路特征——开环或引入正反馈★电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om ，当u+<u-时，u o=-U om ❑基本运算电路⏹反相比例运算电路R2 =R1//R f⏹同相比例运算电路R2=R1//R f⏹反相求和运算电路R4=R1//R2//R3//R f⏹同相求和运算电路R1//R2//R3//R4=R f//R5⏹加减运算电路R1//R2//R f=R3//R4//R5 ⏹积分运算⏹微分运算教学方式与考核方式：教学方式：面授辅导、平时作业、小论文写作，考核方式：考勤、作业和开卷考试 18级《电子技术基础》复习资料一．概念填空：1．电路由电源负载中间环节三部分组成。