模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
电子技术基础(模拟部分)第五版
2V2 sin td (t)
IL= VL /RL ≈ 0.45 V2 / RL
7
二极管上的平均电流及承受的最高反向电压：
vD
Ta
D
iL vD
v1
v2
RL vL
0
2
t
b
VDRM
二极管上的平均电流： ID = IL 承受的最高反向电压: VDRM= 2V2
8
*二、全波整流电路
Ta
D1
+ – + –
I2 ＝1.5 IL ＝1.5×200＝300 mA 这样就对电源变压器的绕制提出了依据。
43
10.2 串联式稳压电路
引起输出电压变化的原因是负载电流的变化和输入电压的变化
稳压电路的作用:
交流 整流
脉动
滤波 有波纹的 稳压 直流
电压
直流电压
直流电压
电压
44
稳压电源类型:
常用稳压电路 (小功率设备)
对谐波分量: f 越高，XL 越大,电压大部分降在XL上。 因此，在输出端得到比较平滑的直流电压。
当忽略电感线圈的直流电阻时，输出平均电压 约为： VL=0.9V2
34
特点：
VL
（1）电感滤波电路的外特性是很平坦 0.9V2
的，UL随IL增大而略有下降的原因是 输出电流增大时，整流电路的内阻和 电感的整流电阻压降也略有增加的缘 故。
S定义：整流输出电压的基波峰值VL1M与VL平均值之比。 S越小越好。
用傅里叶级数对全波整流的输出 vo 展开:
vL =
2V2
2
4
3
cos 2t
4
15
cos 4t
4
35
高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第2章课件2(2.2-2.3)
【特别提示】
输出电 阻不应包含负载电阻RL，输入电阻不应包含信号源
的内阻RS。 、
求输出电阻时，应将交流电压信号源短路，但要保留其内
阻。
、
输入电阻Ri和输出电阻Ro均指放大电路在中频段内的交流 （动态）等效电阻。
在中频范围内，电压放大倍数、电流放大倍数、输入电阻 。 和输出电阻也可以分别表示为
Au
放大电路只有有合适的静 态工作点，才能保证晶体管在 输入信号的整个周期内始终工 作在放大状态，输出电压波形 才不会产生非线性失真。
三、 直流通路与交流通路
1、直流通路
用于确定静态工作点
①何谓直流通路
直流电源单独作用下直流电流流经的通路称为直流通路。
②如何画直流通路 ⒈电容视为开路；
⒉电感视为短路； ⒊信号源视为短路，但保留其内阻。
复习
1、晶体管结构、类型、内部结构特点； 2、放大的外部条件； 3、电流分配关系、电流放大系数；
4、共射输入特性曲线、输出特性曲线（三个工作区）；
5、晶体管主要参数； 6、晶体管的选择及工作状态的判断；放大状态下三极管
电极及类型的判断。
2.2 晶体管放大电路组成及其重要性能指标 放大的概念
以扩音机 为例
二、输入电阻
思考：如何求 输出电阻RO？
从放大电路的输入端看进去的等效电阻，用Ri表示。
Ri
uI iI
Ri
Ui Ii
衡量放大电路获取信号的能力：P37
三、输出电阻
从放大电路的输出端看进去的等效电阻，用Ro表示。
Uo R o
Io US 0,RL
衡量放大电路带负载的能力： Ro越小，带负载能力越强
出变化量与输入变化量的比值。
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版)
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版) 前几天模电总结了这本书，希望大家都能在这个学期继续坚持下去，有时间一定要看看。
希望大家看完之后可以收获很多经验与知识。
有一句话叫：“把时间浪费在不该花的地方，是一件最愚蠢的事。
”今天为大家分享的是模电总结资料之一：模拟电子基础（第五版),本书共分三册，共36章、120多页，是电子技术专业学生学习、复习和备考中不可缺少的重要资料。
在本教材中对基本概念和基本理论作了进一步的阐述，对所学知识进行了梳理，同时结合模拟电路实际设计方法对测试题型作了相应介绍，并给出了实验原理与应用方法。
一、基本概念电路的构成过程是：(1)产生信号的电源：由电路产生的电压和电流组成的电流源及谐波。
(2)信号的基本特性：由输入信号和输出信号组成的一组数字信号或一组模拟信号。
(3)信息形式：用来表示信号形式的一组信息和表达信息的符号。
电路所能实现的全部物理过程，以及所对应的控制策略对电路系统产生的影响和变化过程。
例如，电路图对逻辑关系的影响、电阻、电压互感和通信方法等。
电信号是通过测量在电路中被处理过的信号来描述和再现物理状态的。
有：时间步长、频率）时钟钟、电压基准；时间继电器式电路板(SOSD)等。
(4)模拟信号是在单片机或集成电路上按一定原理经过处理，以实现某种特定功能和性能而制造出来的数据符号。
1、模拟电路的结构电路是由输入信号、输出信号构成的。
模拟电子电路由输入输出端组成。
A.输入端的输出信号包括：频率和电压；谐波分量和电源谐波分量。
B.输出端是处理后的数字信号的一种输出方法或器件，主要是对信号进行采样和运算的部件。
C.时间继电器式电路板，也称为功率继电器。
D.控制输出的一种电路，包括：时间基准和电流基准。
2、模电信号的组成及与数字信号的关系电感在电路中起到传递电压的作用。
电流在经过电感后，在通过电感的电流场作用下转换为数字信号，其特性曲线称为数字信号。
电感在数字信号中起着很重要的作用。
(完整word版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
2023年模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体旳基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间旳物质（如硅Ｓｉ、锗Ge)。
2.特性-－-光敏、热敏和掺杂特性。
３.本征半导体-－--纯净旳具有单晶体构造旳半导体。
4.两种载流子---－带有正、负电荷旳可移动旳空穴和电子统称为载流子。
５.杂质半导体---－在本征半导体中掺入微量杂质形成旳半导体。
体现旳是半导体旳掺杂特性。
＊P型半导体:在本征半导体中掺入微量旳三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
＊N型半导体: 在本征半导体中掺入微量旳五价元素（多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体旳特性*载流子旳浓度－--多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
＊体电阻---一般把杂质半导体自身旳电阻称为体电阻。
*转型－--通过变化掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为此外一种杂质半导体。
7. PＮ结* PＮ结旳接触电位差---硅材料约为０.6~0.8Ｖ,锗材料约为０．2~0．3V。
* PN结旳单向导电性－－-正偏导通,反偏截止。
8. ＰN结旳伏安特性二. 半导体二极管＊单向导电性--－---正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性-－－-同ＰN结。
*正向导通压降--－---硅管0．6~0.7Ｖ,锗管0.２～0．3V。
*死区电压－-----硅管0．５V,锗管0.1V。
3.分析措施-－－－－-将二极管断开,分析二极管两端电位旳高下:若V阳＞V阴（正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线旳交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总旳解题手段－---将二极管断开,分析二极管两端电位旳高下: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止（开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管旳特性---正常工作时处在PN结旳反向击穿区，因此稳压二极管在电路中要反向连接。
高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第4章教案3(4.3.3-4.3.4)
iE1 I
iE2
VT3
E I
RE
RB2
－VEE
思考：恒流源的恒定电流I如何求取？对差模输入信号， E点电位=？分析电路时，调零电位器RP如何处理？
讨论一
若uI1=10mV，uI2=5mV，则uId=？ uIc=？
uId uI1 uI2
uIc
uI1
2
uI2
uId=5mV ， uIc=7.5mV
⑤共模抑制比
注意：只要是单出电 路，不管输入方式如 何，如果有共模输入 信号，Ac的分析方法
KCMR
Ad Ac
Rb rbe 2(1 )Re
2 Rb rbe
完全相同。 总结四种
Re
Ac
KCMR
性能越好 电路特点
4.3.4 改进型差分放大电路
一、 问题的提出
如何提高共模抑
若电路参数理想对称，则对于双出电路
2 Rb rbe
②输入电阻
Ri=2(Rb+rbe)
③输出电阻
Ro=Rc
④共模放大倍数
因为双入电路无共模输入信号， 所以一般不必求Ac。
双端输入单端输出问题讨论：
Ad
1 2
(Rc∥RL ) Rb rbe
Ri 2(Rb rbe )，Ro Rc
（1）T2的Rc可以短路吗？ （2）什么情况下Ad为“＋”？ （3）双端输出时的Ad是单端输出时的2倍吗？
制比？
Ac=0，KCMR=∞
对于单出电路
Ac
uOc uIc
Rb
(Rc // RL ) rbe 2(1 )Re
若Re=∞，则 Ac=0， KCMR=∞
调零电位器 实现0入0出
二、 恒流源差分放大电路的实现
模电总结复习资料 模拟电子技术基础
第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1。
半导体—--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge)。
2.特性———光敏、热敏和掺杂特性。
3。
本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子—--—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体————在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性.＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子,少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性＊载流子的浓度--—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.＊体电阻-——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7。
PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0。
6~0.8V,锗材料约为0。
2～0。
3V。
＊ PN结的单向导电性——-正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二。
半导体二极管＊单向导电性--——-—正向导通，反向截止.＊二极管伏安特性-———同ＰＮ结。
*正向导通压降---——-硅管0.6～0。
7V，锗管0。
2～0。
3V.＊死区电压——--—-硅管0.5V，锗管0。
1V。
3.分析方法-——-——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴（正偏），二极管导通（短路）;若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段————将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴( 正偏），二极管导通（短路);若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止（开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路＊稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其根本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种根本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (说明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降，用U CES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
三. 低频小信号等效模型〔简化〕h ie---输出端交流短路时的输入电阻，常用r be表示；h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四. 根本放大电路组成及其原那么1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原那么----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1〕改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
2〕改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3〕改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真〔1〕截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小R b，提高Q。
〔2〕饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围〔1〕U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
〔2〕范围*当〔U CEQ－U CES〕＞〔V CC’ － U CEQ〕时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当〔U CEQ－U CES〕＜〔V CC’ － U CEQ〕时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2 〔U CEQ－U CES〕。
*当〔U CEQ－U CES〕＝〔V CC’ － U CEQ〕，放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析〔1〕静态工作点的近似估算〔2〕Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足R B＞βRc。
2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极根本放大电路1．静态分析2．动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* 输入电阻高，输出电阻低。
第三章场效应管及其根本放大电路一. 结型场效应管〔 JFET〕1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线〔可变电阻区、放大区、截止区、击穿区〕转移特性曲线U P ----- 截止电压二. 绝缘栅型场效应管〔MOSFET〕分为增强型〔EMOS〕和耗尽型〔DMOS〕两种。
结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中，I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。
* N-DMOS的输出特性曲线实用文档注意：u GS可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流I DSS2.夹断电压U p3.开启电压U T4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (说明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导g m ---五. 共源极根本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析假设带有C s，那么2.分压式偏置放大电路实用文档* 静态分析* 动态分析假设源极带有C s，那么六.共漏极根本放大电路* 静态分析或* 动态分析第四章多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，本钱低。
但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。
体积大，本钱高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。
各级静态工作点不独立，互相有影响。
存在“零点漂移〞现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o偏离初始值“零点〞而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应1．中频段(f L≤f≤f H)波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是φ=-180o。
2．低频段(f ≤f L)‘3．高频段(f ≥f H)4．完整的根本共射放大电路的频率特性三. 分压式稳定工作点电路的频率响应1．下限频率的估算2．上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，I CQ大，管耗大，效率低。
2.乙类工作状态I CQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。
3.甲乙类工作状态导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态➢任意状态：U om≈U im➢尽限状态：U om=V CC-U CES➢理想状态：U om≈V CC2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P c1m=0.2P om5.效率理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决方法➢甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
➢甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2，并且取代了OCL 功放中的负电源-V CC。
动态指标按乙类状态估算，只是用V CC/2代替。
四. 复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的根本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供适宜的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反应电阻〞。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0，那么U E=－0.7V，得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1：实用文档对于VT2：3. 动态分析1〕差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：2〕差模输入电阻3〕差模输出电阻•双端输出：•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞；* 差模输入电阻R id→∞；* 输出电阻R o→0；* 共模抑制比K CMR→∞；2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反应* 电路特点——“虚短〞和“虚断〞:“虚短〞---“虚断〞 ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反应* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om当u+<u-时，u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反应一. 反应概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反应深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反应称为负反应。