模电数电复习考试题(已整理)
模电数电复习题
模电、数电复习题一、 填空题1、在本征半导体中掺入 价元素后称为P 型半导体，其少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 价元素后称为N 型半导体，其多数载流子为 。
3、PN 结加正向电压时，阻挡层将变 。
4、 晶体三极管的三种工作状态分别是 、 、 。
5、三极管工作在放大区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
6、三极管工作在截止区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
7、三极管工作在饱和区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
8、放大电路的静态工作点是指静态时的 、 、 值。
9、放大电路的静态工作点越低，越容易出现 __________ 失真。
10、 出现饱和失真时，应当将基极电阻R B 调 。
11、 出现截止失真时，应当将基极电流I B 调 。
12、 射极输出器的输入与输出在大小上 ；在相位上 。
射极输出器的输入电阻比较 ，输出电阻比较 。
13、 差动放大电路两个输入端的输入信号 时为共模输入， 时为差模输入。
14、 差动放大电路的输入、输出连接方式有 、 、、 。
15、 理想运算放大器的条件是：放大倍数 、输入电阻 、输出电阻 、共模抑制比 。
16、 理想运算放大器工作在线性区时分析的依据是：同相输入端和反相输入端即可以看成 又可以看成 。
17、逻辑电路中，正逻辑规定 表示高电平， 表示低电平。
18、函数式B A AB Y ++=Y= 。
19、函数式C AB B A ABC Y ++=化简后的最简与或表达式为：Y= 。
20、寄存器、计数器及分频器属于 逻辑电路，译码器、加法器、数据选择器属于逻辑电路。
21、逻辑函数D C B D A C B A F +++=的对偶函数为 。
22、三态门输出的三种状态分别为 、 、 。
二、 今测得两个工作在放大状态的晶体三极管管脚的电位分别如下表所列，按要求填空。
晶体管1的管脚1为 极，管脚2为 极，管脚3为 极，该晶体管为 材 料， 型。
晶体管2的管脚1为 极，管脚2为 极，管脚3为 极，该晶体管为 材料， 型。
模电数电复习题(已整理)
第1章 常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∴45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω习题1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
第2章 基本放大电路2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q点、uA 、iR 和oR。
图P2.6 图P2.7解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： 6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308cu beR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R V R R =-≈+(//)115c L u beR R A r β=-≈- 34.7beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
数电模电笔试题及答案
数电模电笔试题及答案# 数字电子技术基础题及答案## 一、选择题1. 在数字电路中，以下哪个不是基本的逻辑门？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：D2. 一个触发器的输出状态取决于：A. 当前输入B. 过去输入C. 外部控制信号D. 电源电压答案：B3. 下列哪个不是数字电路的特点？A. 抗干扰能力强B. 功耗低C. 运算速度慢D. 逻辑功能明确答案：C## 二、填空题1. 在数字电路中，高电平通常表示为______，低电平表示为______。
答案：1，02. 一个4位二进制计数器可以计数的数值范围是______到______。
答案：0000，11113. 一个8位的寄存器可以存储的最大十进制数是______。
答案：255## 三、简答题1. 简述D触发器的功能。
答案：D触发器是一种具有两个稳定状态的双稳态电路，它的输出状态取决于时钟信号的上升沿或下降沿。
在时钟脉冲的控制下，D触发器能够将输入端的数据锁存并输出。
2. 什么是模数转换器（ADC）？答案：模数转换器是一种将模拟信号转换为数字信号的设备。
它通过量化和编码模拟信号的幅度来实现转换，广泛应用于各种电子系统中，如音频处理、图像处理等。
## 四、计算题1. 给定一个逻辑表达式：Y = A'B + AB'，求当A=0，B=1时，Y的值。
答案：当A=0，B=1时，A'=1，B'=0，代入表达式得Y = 1*1 + 0*0 = 1。
2. 一个3位二进制计数器的当前状态为010，下一个状态是什么？答案：下一个状态是011。
## 五、分析题1. 分析一个简单的数字电路设计，该电路由一个与门、一个或门和一个非门组成，输入信号为A和B。
请描述电路的逻辑功能。
答案：该电路的逻辑功能是输出信号C，其中C = (A AND B) OR (NOT A)。
这意味着当A和B都为高电平时，输出为高电平；当A为低电平时，无论B的状态如何，输出也为高电平。
数电与模电试题及答案
数电与模电试题及答案一、选择题1. 数字电路中，最基本的逻辑关系是：A. 与逻辑B. 或逻辑C. 非逻辑D. 异或逻辑答案：A2. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D二、填空题1. 数字电路中，一个基本的逻辑门至少需要________个输入端。
答案：22. 模拟电路中，放大器的基本功能是________信号。
答案：放大三、简答题1. 请简述数字电路与模拟电路的主要区别。
答案：数字电路主要处理离散的数字信号，使用二进制逻辑进行运算和处理，而模拟电路处理的是连续变化的模拟信号，通常用于信号的放大、滤波等。
2. 列举至少三种常用的数字逻辑门，并说明它们的功能。
答案：与门（AND）：只有所有输入都为高电平时，输出才为高电平；或门（OR）：只要有一个输入为高电平，输出就为高电平；非门（NOT）：输出是输入的反相。
四、计算题1. 给定一个数字逻辑电路，输入A=0，B=1，C=0，D=1，电路包含两个逻辑门：一个与门和一个或门。
与门的输入是A和B，或门的输入是与门的输出和C。
求最终输出。
答案：首先，与门的输出是A AND B，即0 AND 1 = 0。
然后，或门的输入是与门的输出和C，即0 OR 0 = 0。
所以最终输出是0。
五、分析题1. 假设有一个模拟电路，其中包含一个串联的电阻和电容。
如果输入信号的频率增加，电路的阻抗将如何变化？答案：当输入信号的频率增加时，电容的阻抗会降低，因为电容对高频信号的阻碍作用减小。
由于电阻的阻抗不随频率变化，整个电路的总阻抗会降低。
六、设计题1. 设计一个简单的数字电路，实现2位二进制数的加法运算。
答案：可以使用两个全加器（Full Adder）来实现2位二进制数的加法运算。
每个全加器负责一位的加法，并且可以处理进位。
将两个全加器的进位输入分别连接到前一位的输出，即可实现2位二进制数的加法。
自学考试数电模电各章节历年真题考点汇总(完整版)
各章节考点没有列出的章节几乎不考，希望同学们抓住重点，有的放矢，祝同学们考个好成绩！第一章考点1.对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.无法确定2.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ ） A.硅PNP 型 B.硅NPN 型 C.锗PNP 型 D.锗NPN 型3. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V 、3V 、6V ，则该管属于【 】A .锗NPN 型 B.锗PNP 型 C. 硅NPN 型 D. 硅PNP 型 4. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V ，11.3V ，0V ，则该管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型5. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为6V 、11.8V 、12V ，则这只三极管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型6. 测得NPN 型三极管三个电极的电位分别为U C =3.3V ，U B =3.7V ，U E =3V ，则该管工作在【 】A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 击穿区 7．PNP 型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 【 】 A ．U C <U E <U B B. U B <U C <U E C. U C <U B <U E D. U B <U E <U C13.带电容滤波的整流电路适用于负载电流__较小___的场合；带电感滤波的整流电路适用于负载电流__较大____的场合。
8.选择稳压管稳压电路中限流电阻的一个条件是流过稳压管的最小电流应___大于等于___稳定电流I z ，另一个条件是流过稳压管的最大电流应__小于____最大稳定电流I ZM 。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
数电模电测试题
第一部分：模电数电基础知识技术测试题姓名：安江涛得分：1.电阻的特性有（A），电容的特性有（B），电感的特性有（C）二极管的特性有(D)A、分压、限流B、通交隔直C、通直阻交D、单向导通2. 电阻越大，说明（A）A、阻碍电流的能力越大B、同一时间内消耗的能量越多C、功率越大D、电压越大3 回忆总结：尽可能多的写出你接触到的电阻阻值（从小到大）18Ω,1K,4.7K,10K4.回忆总结：尽可能多的写出你所知道的电阻的作用(每种作用要联想实际电路画出最好)：1.分压限流（稳压二极管电路） 2.上下拉 3. RC震荡电路5. 关于上拉电阻，正确的有( AC)A、上拉，就是通过一个电阻将信号接电源，一般用于时钟信号数据信号等。
B、TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值C、加大输出的驱动能力D、提高抗电磁能力,空脚易受电磁干扰6. 关于下拉电阻正确的有（ AD）A、下拉，就是通过一个电阻将信号接地，一般用于保护信号。
B、TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值C、加大输出的驱动能力D、提高抗电磁能力,空脚易受电磁干扰7. 关于上下拉电阻的选择，结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定，要考虑的因素以下正确的有（AB）A、驱动能力与功耗的平衡。
以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，但功耗越大，设计是应注意两者之间的均衡。
B、下级电路的驱动需求。
同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。
C、高低电平的设定。
不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。
以上拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通，上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。
D、频率特性:：以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电路之间的输入电容会形成RC延迟，电阻越大，延迟越大。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
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第1章 常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∴45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω习题1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
第2章 基本放大电路2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q点、uA 、iR 和oR 。
图P2.6 图P2.7解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： 6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308cu beR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R V R R =-≈+(//)115c L u beR R A r β=-≈- 34.7beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ，估算R b ；(2)若测得i U 和oU 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少？解：(1)mA R U V I c CECC C 2=-=，A I I C B μβ20/==, ∴Ω=-=k I U V R BBECC b 565。
(2)由(//)100o c L u i beU R R A U r β=-=-=-, 可得: 2.625L R k =Ω。
图P2.92.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u A 、i R 和oR ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：(1)静态分析： 1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+101EQ BQ I I A μβ==+e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V =-++= 图P2.11动态分析：'26(1)2.73be bb EQmVr r k I β=++≈Ω (//)7.7(1)c L u be fR R A r R ββ=-=-++12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω 5o c R R k ==Ω (2) β=200时，1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+（不变）；1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+（不变）；51EQ BQ I I A μβ==+（减小）； e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=（不变）。
(3) C e 开路时，(//)// 1.92(1)()c L c Lu be e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++（减小）； 12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）； 5o c R R k ==Ω（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点； (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A 、i R 和o R 。
解：(1)求解Q 点： 32.3(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈ 7.17CEQ CC EQ e U V I R V =-≈(2)求解放大倍数和输入、输出电阻： R L =∞时；(1)0.996(1)eu be eR A r R ββ+=≈++ 图P2.12//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈ΩR L =3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L u be e L R R A r R R ββ+=≈++//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω输出电阻：////371s b beo e R R r R R β+=≈Ω+第3章 多级放大电路3.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示，图(a)虚线框内为电路Ⅰ，图(b)虚线框内为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示，它们均正常工作。
试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻较大； (2)哪些电路的输出电阻较小； (3)哪个电路的电压放大倍数最大。
(a) (b)(c) (d)(e)图P3.3解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大； (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小； (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，'100bb r =Ω，0.7BEQ U V ≈。
试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。
图P3.6 图P3.7解：R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下：∵22WBEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅+= ∴0.51722EE BEQ EQWe V U I mA R R -=≈+ 动态参数A d 和R i 分析如下： '26(1)5.18be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 98(1)/2cd be W R A r R ββ=-≈-++2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω3.7电路如图P3.7所示，T 1和T 2两管的β均为140，be r 均为4kΩ。
试问：若输入直流信号mV u I 201=，mV u I 102=，则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?=∆o u解：电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆ 分别为：12152I I IC u u u mV +==； 1210Id I I u u u mV =-= 1752cd beR A r β=-≈-； 1.75O d Id u A u V∆==-第6章 放大电路中的反馈6.7分别判断图P6.5 (a) 、(b) 、(e) 、(f) 所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈。
解：(a)电压并联负反馈；(b) 电压串联负反馈；(e)电流并联负反馈；(f)电流串联负反馈。
6.8 分别估算图6.4 (d)~(h)所示各电路在理想运放条件下的电压放大倍数。
解：各电路在理想运放条件下的电压放大倍数如下：(d) 电流并联负反馈: 111o o L o L Luf i i f U I R I R R A U I R I R R =≈≈=(e) 电压串联负反馈: 311o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (f) 电压串联负反馈: 1o ouf i fU U A U U =≈= (g) 电压串联负反馈: 211o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (h) 电压串联负反馈: 311o o uf i f U U R A U U R =≈=+6.9分别估算图6.5 (a)、 (b) 、(e) 、(f)所示各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
解：各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下：(a)电压并联负反馈：f ff o usf s i s s I R R U A U I R R -==≈- (b)电压串联负反馈：41(1)o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (e)电流并联负反馈：4142(//)//(1)o o L Lusf s f s sU I R R R R R A U I R R R =≈=+⋅ (f)电流串联负反馈：∵29292200249249f R R R R U R I R I I R R R R R R =⋅=⋅⋅=⋅++++∴0782497829(////)()(////)o L L uf i f U I R R R R R R R R R A U U R R ++=≈=-第7章 信号的运算和处理7.2电路如图P7.2所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。