模电数电复习题(已整理)
模电数电期末复习
四、简答题1.试说明模拟调制中线性调制与非线性调制的区别。
解：按已调信号频谱和基带信号频谱之间的关系，模拟调制分为线性调制和非线性调制。
线性调制指的是已调信号频谱是基带信号频谱的线性搬移，非线性调制指的是已调信号频谱不是基带信号频谱的线性搬移。
（3分）线性调制实现的方法简单，已调信号带宽不超过基带信号带宽的两倍，抗噪声性能较差。
而非线性调制方法比较复杂，其中宽带角调制信号的带宽超过基带信号带宽的2倍，抗噪声性能较强。
（3分）2.简要说明数字通信相比模拟通信的最主要的优点。
解：数字通信相比模拟通信最主要的优点是抗干扰能力强。
模拟信号在传输的过程中会叠加噪声，噪声无法去掉。
随着传输的距离的增加，噪声不断积累，导致信噪比下降，影响接收信号的质量。
（3分）数字信号在传输的过程中会叠加噪声，对叠加噪声的数字信号经过判决再生后可以去掉噪声，得到和原始发送信号相同的数字信号。
只要噪声不引起错误判决，每传输一段距离就进行一次判决再生，正确的判决可以保障数字信号的质量。
（3分）3.举例数字通信系统的三种重要同步方式和两种复用方式。
解：三种重要同步方式：载波同步、帧同步、位同步两种复用方式：频分复用、时分复用4.说明随参信道的传输媒介一般具有的三点共同特性。
解：(1)对信号的衰耗随时间的变化而变化； (2)传输时延随时间变化而变化；(3)具有多径传播 (多径效应)。
5. 设二进制数字基带信号的(近似)带宽为W，写出相应此基带信号的2ASK, 2PSK, 2DPSK,2FSK等4种数字调制传输信号的带宽公式 (注:2FSK的2个载波频率分别为f1,f2)解：2ASK: W= 2fs 2PSK, 2DPSK: W= 2fs 2FSK: W= 2fs + | f2－f1|6.已知待传送二元序列{a }=1011011100k ，试画出ASK ，FSK ，PSK 的信号波形图。
（每种波形为2分，共6分）五、计算题1. 某消息以4Mbit/s 的信息速率通过有噪声的信道，在接收机输出端平均每小时出现144bit 差错，试求误比特率。
模电数电复习题
模电、数电复习题一、 填空题1、在本征半导体中掺入 价元素后称为P 型半导体，其少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 价元素后称为N 型半导体，其多数载流子为 。
3、PN 结加正向电压时，阻挡层将变 。
4、 晶体三极管的三种工作状态分别是 、 、 。
5、三极管工作在放大区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
6、三极管工作在截止区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
7、三极管工作在饱和区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
8、放大电路的静态工作点是指静态时的 、 、 值。
9、放大电路的静态工作点越低，越容易出现 __________ 失真。
10、 出现饱和失真时，应当将基极电阻R B 调 。
11、 出现截止失真时，应当将基极电流I B 调 。
12、 射极输出器的输入与输出在大小上 ；在相位上 。
射极输出器的输入电阻比较 ，输出电阻比较 。
13、 差动放大电路两个输入端的输入信号 时为共模输入， 时为差模输入。
14、 差动放大电路的输入、输出连接方式有 、 、、 。
15、 理想运算放大器的条件是：放大倍数 、输入电阻 、输出电阻 、共模抑制比 。
16、 理想运算放大器工作在线性区时分析的依据是：同相输入端和反相输入端即可以看成 又可以看成 。
17、逻辑电路中，正逻辑规定 表示高电平， 表示低电平。
18、函数式B A AB Y ++=Y= 。
19、函数式C AB B A ABC Y ++=化简后的最简与或表达式为：Y= 。
20、寄存器、计数器及分频器属于 逻辑电路，译码器、加法器、数据选择器属于逻辑电路。
21、逻辑函数D C B D A C B A F +++=的对偶函数为 。
22、三态门输出的三种状态分别为 、 、 。
二、 今测得两个工作在放大状态的晶体三极管管脚的电位分别如下表所列，按要求填空。
晶体管1的管脚1为 极，管脚2为 极，管脚3为 极，该晶体管为 材 料， 型。
晶体管2的管脚1为 极，管脚2为 极，管脚3为 极，该晶体管为 材料， 型。
数电与模电试题及答案
数电与模电试题及答案一、选择题1. 数字电路中，最基本的逻辑关系是：A. 与逻辑B. 或逻辑C. 非逻辑D. 异或逻辑答案：A2. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D二、填空题1. 数字电路中，一个基本的逻辑门至少需要________个输入端。
答案：22. 模拟电路中，放大器的基本功能是________信号。
答案：放大三、简答题1. 请简述数字电路与模拟电路的主要区别。
答案：数字电路主要处理离散的数字信号，使用二进制逻辑进行运算和处理，而模拟电路处理的是连续变化的模拟信号，通常用于信号的放大、滤波等。
2. 列举至少三种常用的数字逻辑门，并说明它们的功能。
答案：与门（AND）：只有所有输入都为高电平时，输出才为高电平；或门（OR）：只要有一个输入为高电平，输出就为高电平；非门（NOT）：输出是输入的反相。
四、计算题1. 给定一个数字逻辑电路，输入A=0，B=1，C=0，D=1，电路包含两个逻辑门：一个与门和一个或门。
与门的输入是A和B，或门的输入是与门的输出和C。
求最终输出。
答案：首先，与门的输出是A AND B，即0 AND 1 = 0。
然后，或门的输入是与门的输出和C，即0 OR 0 = 0。
所以最终输出是0。
五、分析题1. 假设有一个模拟电路，其中包含一个串联的电阻和电容。
如果输入信号的频率增加，电路的阻抗将如何变化？答案：当输入信号的频率增加时，电容的阻抗会降低，因为电容对高频信号的阻碍作用减小。
由于电阻的阻抗不随频率变化，整个电路的总阻抗会降低。
六、设计题1. 设计一个简单的数字电路，实现2位二进制数的加法运算。
答案：可以使用两个全加器（Full Adder）来实现2位二进制数的加法运算。
每个全加器负责一位的加法，并且可以处理进位。
将两个全加器的进位输入分别连接到前一位的输出，即可实现2位二进制数的加法。
自学考试数电模电各章节历年真题考点汇总(完整版)
各章节考点没有列出的章节几乎不考，希望同学们抓住重点，有的放矢，祝同学们考个好成绩！第一章考点1.对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.无法确定2.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ ） A.硅PNP 型 B.硅NPN 型 C.锗PNP 型 D.锗NPN 型3. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V 、3V 、6V ，则该管属于【 】A .锗NPN 型 B.锗PNP 型 C. 硅NPN 型 D. 硅PNP 型 4. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V ，11.3V ，0V ，则该管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型5. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为6V 、11.8V 、12V ，则这只三极管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型6. 测得NPN 型三极管三个电极的电位分别为U C =3.3V ，U B =3.7V ，U E =3V ，则该管工作在【 】A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 击穿区 7．PNP 型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 【 】 A ．U C <U E <U B B. U B <U C <U E C. U C <U B <U E D. U B <U E <U C13.带电容滤波的整流电路适用于负载电流__较小___的场合；带电感滤波的整流电路适用于负载电流__较大____的场合。
8.选择稳压管稳压电路中限流电阻的一个条件是流过稳压管的最小电流应___大于等于___稳定电流I z ，另一个条件是流过稳压管的最大电流应__小于____最大稳定电流I ZM 。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
数电与模电试题及答案
数电与模电试题及答案以下是数电与模电试题及答案：试题一：数字电路设计1. 设计一个4位二进制加法器，使用全加器实现。
给出电路原理图和真值表。
答案：电路原理图：```A[3] ──➤ ┌───────┐A[2] ──➤ │ │A[1] ──➤ │ Full │A[0] ──➤ │adder │B[3] ──➤ │ │B[2] ──➤ └───────┘B[1] ──➤ │B[0] ──➤ │└───────┐ │ ┌───────┐│ ──➤ │ XOR ││ ┌───────┐ ├─────┤300 ├─➤ │ XOR │ │ XOR ││ ├─────┬─┤ ├─────┤│ ──➤ AND │ 500 ├─➤ AND ││ ├─────┼─┤ ├─────┤700 ├─➤ │ OR │ │ XOR ││ ├─────┴─┤ ├─────┤│ ──➤ AND │ 100 ├─➤ OR ││ ├─────┬─┤ ├─────┤900 ├─➤ │ OR │ │ OR ││ └───────┘ └───────┘Sum[3] ─────➤ ┌───────┐Sum[2] ─────➤ │ │Sum[1] ─────➤ │ XOR │Sum[0] ─────➤ │ │└───────┘```真值表：```Inputs OutputsA[3] A[2] A[1] A[0] B[3] B[2] B[1] B[0] Sum[3] Sum[2] Sum[1] Sum[0] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 10 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 00 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 10 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 00 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 10 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 00 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 11 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 01 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 11 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 01 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 11 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 01 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 11 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1```试题二：模拟电路设计2. 设计一个放大器电路，将输入信号电压放大10倍。
模电复习题和答案
模电复习题和答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。
是从射极输出，所以简称射极跟随器。
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。
3、在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时的IC是穿透电流ICEO。
4、某同学用万用表测量一电子线路中三极管的管脚电压，得VE=3V，VC=8V，VB=3.7V，则该管是NPN 、处于放大状态。
5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。
6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。
7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。
8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流ICEO将增加。
9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。
10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。
11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。
集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。
12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。
13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数AVO为_无穷大，共模抑制比KCMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。
14、单相半波整流电路输出电压的有效值UO=0.45 U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值UO=0.9 U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。
滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。
15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。
模电总复习题
一、判断选择题（1）(×)P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（2）(√)半导体中的空穴带正电。
（3）(×)负反馈越深，电路的性能越稳定。
（4）(√)零点漂移就是静态工作点的漂移。
（5）(√)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（6）(√)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（7）(√)引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（8）(×)凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
(9) ( ×)实现运算电路不一定非引入负反馈。
（10）(×)只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
二、选择题1. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的(A) 。
（A）大（B）小（C）相等2．稳压二极管稳压时，工作在( C)，发光二极管发光时，工作在( A)。
A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区3. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C）它的稳压值U z才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止4. 当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B , u B B u E。
（A）>（B）<（C）=（D）≤5. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（ E ）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小6.共集电极放大电路的负反馈组态是（A）。
A、压串负B、流串负C、压并负7. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（ D ）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）8．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。
A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管9. 对功率放大器的要求主要是（B）、（C）、（E）。
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第1章 常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CCBECScV UI mAR-==，/28.6BS CSI I Aβμ==∴45.5BB BEbBSV UR kI-==Ω习题1.2电路如图P1.2所示，已知10siniu tω=(V)，试画出iu与ou的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：iu与ou的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知tuiωsin5=(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出iu与ou的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
第2章基本放大电路2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bbr=Ω。
分别计算LR=∞和3LR k=Ω时的Q点、uA、iR和oR。
图P2.6 图P2.7解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、ber均相等，它们分别为：22CC BEQ BEQBQb sV U UI AR Rμ-=-≈1.76CQ BQI I mAβ=≈'26(1) 1.3be bbEQmVr r kIβ=++≈Ω空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ cU V I R V=-≈；308cubeRArβ=-≈-// 1.3i b be beR R r r k=≈≈Ω；93beus ube srA Ar R≈⋅≈-+5o cR R k==Ω3LR k=Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c LL cRU V I R R VR R=-≈+(//)115c L u beR R A r β=-≈- 34.7beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ，估算R b ；(2)若测得i U 和oU 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少？解：(1)mA R U V I cCECC C 2=-=，A I I C B μβ20/==, ∴Ω=-=k I U V R BBECC b 565。
(2)由(//)100o c L u i beU R R A U r β=-=-=-, 可得: 2.625L R k =Ω。
图P2.92.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u A 、i R 和oR ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：(1)静态分析： 1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+101EQ BQ I I A μβ==+e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V =-++= 图P2.11动态分析：'26(1)2.73be bb EQmVr r k I β=++≈Ω (//)7.7(1)c L u be fR R A r R ββ=-=-++12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω 5o c R R k ==Ω (2) β=200时，1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+（不变）；1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+（不变）；51EQ BQ I I A μβ==+（减小）； e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=（不变）。
(3) C e 开路时，(//)// 1.92(1)()c L c Lu be e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++（减小）；12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）； 5o c R R k ==Ω（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点； (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A 、i R 和o R 。
解：(1)求解Q 点： 32.3(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈ 7.17CEQ CC EQ e U V I R V =-≈(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：R L =∞时；(1)0.996(1)eu be eR A r R ββ+=≈++ 图P2.12//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈ΩR L =3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L u be e L R R A r R R ββ+=≈++//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω输出电阻：////371s b beo e R R r R R β+=≈Ω+第3章 多级放大电路3.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示，图(a)虚线框为电路Ⅰ，图(b)虚线框为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示，它们均正常工作。
试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻较大； (2)哪些电路的输出电阻较小； (3)哪个电路的电压放大倍数最大。
(a) (b)(c) (d)(e)图P3.3解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大； (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小； (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，'100bb r =Ω，0.7BEQ U V ≈。
试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。
图P3.6 图P3.7解：R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下：∵22WBEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅+= ∴0.51722EE BEQ EQWe V U I mA R R -=≈+ 动态参数A d 和R i 分析如下： '26(1)5.18be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 98(1)/2cd be W R A r R ββ=-≈-++2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω3.7电路如图P3.7所示，T 1和T 2两管的β均为140，be r 均为4kΩ。
试问：若输入直流信号mV u I 201=，mV u I 102=，则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?=∆o u解：电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆ 分别为：12152I I IC u u u mV +==； 1210Id I I u u u mV =-= 1752cd beR A r β=-≈-； 1.75O d Id u A u V∆==-第6章 放大电路中的反馈6.7分别判断图P6.5 (a) 、(b) 、(e) 、(f) 所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈。
解：(a)电压并联负反馈；(b) 电压串联负反馈；(e)电流并联负反馈；(f)电流串联负反馈。
6.8 分别估算图6.4 (d)~(h)所示各电路在理想运放条件下的电压放大倍数。
解：各电路在理想运放条件下的电压放大倍数如下：(d) 电流并联负反馈: 111o o L o L Luf i i f U I R I R R A U I R I R R =≈≈=(e) 电压串联负反馈: 311o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (f) 电压串联负反馈: 1o ouf i fU U A U U =≈= (g) 电压串联负反馈: 211o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (h) 电压串联负反馈: 311o o uf i f U U R A U U R =≈=+6.9分别估算图6.5 (a)、 (b) 、(e) 、(f)所示各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
解：各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下：(a)电压并联负反馈：f ff o usf s i s sI R R U A U I R R -==≈-(b)电压串联负反馈：41(1)o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (e)电流并联负反馈：4142(//)//(1)o o L Lusf s f s sU I R R R R R A U I R R R =≈=+⋅ (f)电流串联负反馈：∵29292200249249f R R R R U R I R I I R R R R R R =⋅=⋅⋅=⋅++++∴0782497829(////)()(////)o L L uf i f U I R R R R R R R R R A U U R R ++=≈=-第7章 信号的运算和处理7.2电路如图P7.2所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。
(a) (b)u I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 u O1/V u O2/V解： 1(/)10O f I I u R R u u =-=-； 2(1/)11O f I I u R R u u =+=。