(精选)模电数电复习题(已整理)
模电数电复习题
模电、数电复习题一、 填空题1、在本征半导体中掺入 价元素后称为P 型半导体，其少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 价元素后称为N 型半导体，其多数载流子为 。
3、PN 结加正向电压时，阻挡层将变 。
4、 晶体三极管的三种工作状态分别是 、 、 。
5、三极管工作在放大区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
6、三极管工作在截止区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
7、三极管工作在饱和区时，发射结处于 状态；集电结处于 状态。
8、放大电路的静态工作点是指静态时的 、 、 值。
9、放大电路的静态工作点越低，越容易出现 __________ 失真。
10、 出现饱和失真时，应当将基极电阻R B 调 。
11、 出现截止失真时，应当将基极电流I B 调 。
12、 射极输出器的输入与输出在大小上 ；在相位上 。
射极输出器的输入电阻比较 ，输出电阻比较 。
13、 差动放大电路两个输入端的输入信号 时为共模输入， 时为差模输入。
14、 差动放大电路的输入、输出连接方式有 、 、、 。
15、 理想运算放大器的条件是：放大倍数 、输入电阻 、输出电阻 、共模抑制比 。
16、 理想运算放大器工作在线性区时分析的依据是：同相输入端和反相输入端即可以看成 又可以看成 。
17、逻辑电路中，正逻辑规定 表示高电平， 表示低电平。
18、函数式B A AB Y ++=Y= 。
19、函数式C AB B A ABC Y ++=化简后的最简与或表达式为：Y= 。
20、寄存器、计数器及分频器属于 逻辑电路，译码器、加法器、数据选择器属于逻辑电路。
21、逻辑函数D C B D A C B A F +++=的对偶函数为 。
22、三态门输出的三种状态分别为 、 、 。
二、 今测得两个工作在放大状态的晶体三极管管脚的电位分别如下表所列，按要求填空。
晶体管1的管脚1为 极，管脚2为 极，管脚3为 极，该晶体管为 材 料， 型。
晶体管2的管脚1为 极，管脚2为 极，管脚3为 极，该晶体管为 材料， 型。
数电与模电试题及答案
数电与模电试题及答案一、选择题1. 数字电路中，最基本的逻辑关系是：A. 与逻辑B. 或逻辑C. 非逻辑D. 异或逻辑答案：A2. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D二、填空题1. 数字电路中，一个基本的逻辑门至少需要________个输入端。
答案：22. 模拟电路中，放大器的基本功能是________信号。
答案：放大三、简答题1. 请简述数字电路与模拟电路的主要区别。
答案：数字电路主要处理离散的数字信号，使用二进制逻辑进行运算和处理，而模拟电路处理的是连续变化的模拟信号，通常用于信号的放大、滤波等。
2. 列举至少三种常用的数字逻辑门，并说明它们的功能。
答案：与门（AND）：只有所有输入都为高电平时，输出才为高电平；或门（OR）：只要有一个输入为高电平，输出就为高电平；非门（NOT）：输出是输入的反相。
四、计算题1. 给定一个数字逻辑电路，输入A=0，B=1，C=0，D=1，电路包含两个逻辑门：一个与门和一个或门。
与门的输入是A和B，或门的输入是与门的输出和C。
求最终输出。
答案：首先，与门的输出是A AND B，即0 AND 1 = 0。
然后，或门的输入是与门的输出和C，即0 OR 0 = 0。
所以最终输出是0。
五、分析题1. 假设有一个模拟电路，其中包含一个串联的电阻和电容。
如果输入信号的频率增加，电路的阻抗将如何变化？答案：当输入信号的频率增加时，电容的阻抗会降低，因为电容对高频信号的阻碍作用减小。
由于电阻的阻抗不随频率变化，整个电路的总阻抗会降低。
六、设计题1. 设计一个简单的数字电路，实现2位二进制数的加法运算。
答案：可以使用两个全加器（Full Adder）来实现2位二进制数的加法运算。
每个全加器负责一位的加法，并且可以处理进位。
将两个全加器的进位输入分别连接到前一位的输出，即可实现2位二进制数的加法。
自学考试数电模电各章节历年真题考点汇总(完整版)
各章节考点没有列出的章节几乎不考，希望同学们抓住重点，有的放矢，祝同学们考个好成绩！第一章考点1.对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.无法确定2.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ ） A.硅PNP 型 B.硅NPN 型 C.锗PNP 型 D.锗NPN 型3. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V 、3V 、6V ，则该管属于【 】A .锗NPN 型 B.锗PNP 型 C. 硅NPN 型 D. 硅PNP 型 4. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V ，11.3V ，0V ，则该管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型5. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为6V 、11.8V 、12V ，则这只三极管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型6. 测得NPN 型三极管三个电极的电位分别为U C =3.3V ，U B =3.7V ，U E =3V ，则该管工作在【 】A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 击穿区 7．PNP 型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 【 】 A ．U C <U E <U B B. U B <U C <U E C. U C <U B <U E D. U B <U E <U C13.带电容滤波的整流电路适用于负载电流__较小___的场合；带电感滤波的整流电路适用于负载电流__较大____的场合。
8.选择稳压管稳压电路中限流电阻的一个条件是流过稳压管的最小电流应___大于等于___稳定电流I z ，另一个条件是流过稳压管的最大电流应__小于____最大稳定电流I ZM 。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
数电与模电试题及答案
数电与模电试题及答案以下是数电与模电试题及答案：试题一：数字电路设计1. 设计一个4位二进制加法器，使用全加器实现。
给出电路原理图和真值表。
答案：电路原理图：```A[3] ──➤ ┌───────┐A[2] ──➤ │ │A[1] ──➤ │ Full │A[0] ──➤ │adder │B[3] ──➤ │ │B[2] ──➤ └───────┘B[1] ──➤ │B[0] ──➤ │└───────┐ │ ┌───────┐│ ──➤ │ XOR ││ ┌───────┐ ├─────┤300 ├─➤ │ XOR │ │ XOR ││ ├─────┬─┤ ├─────┤│ ──➤ AND │ 500 ├─➤ AND ││ ├─────┼─┤ ├─────┤700 ├─➤ │ OR │ │ XOR ││ ├─────┴─┤ ├─────┤│ ──➤ AND │ 100 ├─➤ OR ││ ├─────┬─┤ ├─────┤900 ├─➤ │ OR │ │ OR ││ └───────┘ └───────┘Sum[3] ─────➤ ┌───────┐Sum[2] ─────➤ │ │Sum[1] ─────➤ │ XOR │Sum[0] ─────➤ │ │└───────┘```真值表：```Inputs OutputsA[3] A[2] A[1] A[0] B[3] B[2] B[1] B[0] Sum[3] Sum[2] Sum[1] Sum[0] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 10 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 00 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 10 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 00 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 10 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 00 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 11 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 01 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 11 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 01 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 11 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 01 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 11 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1```试题二：模拟电路设计2. 设计一个放大器电路，将输入信号电压放大10倍。
(完整版)模拟电子技术复习题(含答案)
模 拟 电 子 技 术 复 习 题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。
）第二章（× ）1. 运算电路中一般引入正反馈。
（ √ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
第三章（× ）1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（× ）2. 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（× ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。
（√ ）4. N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（× ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（√ ）6. PN 结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。
（ × ）7. 未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。
第四章（√ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。
（× ）3. 晶体管的参数不随温度变化。
（√ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。
（ × ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。
（√ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。
（ × ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（× ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（× ）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。
（× ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT 特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。
（× ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。
（ √ ）12. 射极输出器的输入电流是B i ，输出电流是E i ，因此具有较高的电流放大倍数。
电子技术基础(数电、模电)复习资料
电子技术基础（数电、模电） 复习资料一 、填空题1． N 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 ， P 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。
答案：自由电子、空穴、空穴、自由电子2. 二级管的伏安特性可分为 、 和三部分来说明。
答案：正向特性、反向特性、反向击穿特性 3. 使用环路增益波特图判断是否处在自激状态： 稳定状态时 、自激状态时 、 临界状态时 。
答案： 、4. 多级放大电路的常用耦合方式有 、 和 。
答案：阻容耦合、直接耦合、变压器耦合5. 放大电路有 、 和三种工作状态答案：甲类工作状态、甲乙类工作状态、乙类工作状态6. 理想运算放大器工作在线性区时满足“虚短”和“虚断”，“虚短”是 指 ，用公式表达为 ，“虚断”是指 用公式表达为 。
答案：理想运放的差模输入电压等于零、 、 理想运放的输入电流等于零、 。
7. 按输入电压允许的极性分类，乘法运算电路可分为 、 和 。
答案：四象限乘法电路、二象限乘法电路、单象限乘法电路8. 正弦波振荡电路是指电路本身能自动产生特定 、 和 的正弦波信号。
答案：频率、振幅、稳定度9. n 个变量的逻辑函数最多可有 个最小项。
答案： 10.与非门的电压传输特性可分为 、 、 和 四个区段。
答案：截止区、线性区、转折区、饱和区1. 集成运算放大器通常由 、 、 和 四部分组成。
答案：输入级、中间级、输出级、偏置电路2. 放大电路的频率特性是指在输入正弦信号幅值不变的情况下，放大电路输出信号的 和 随频率变化的关系，以频率特性图中间平坦部分为准，将频率特性分为 、 和 。
答-+=u u 0==-+i i n2dB G f f m o c 0,<>dB G f f m o c 0,><dBG f f m o c 0,==案： 幅值、相位、中频区、低频区、高频区3. 产生正弦波振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件表示为和 。
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第1章 常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k 时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CCBE CScV UI mAR-==，/28.6BS CSI I Aβμ==∴45.5BB BEbBSV UR kI-==Ω习题1.2电路如图P1.2所示，已知10siniu tω=(V)，试画出iu与ou的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：iu与ou的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知tuiωsin5=(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出iu与ou的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
第2章 基本放大电路2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q点、uA &、iR 和oR。
图P2.6 图P2.7解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308cu beR A r β=-≈-&// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+&& 5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+(//)115c L ubeR R A r β=-≈-& 34.7beusube sr A A r R ≈⋅≈-+&& // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ，估算R b ；(2)若测得i U &和oU &的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少？解：(1)mA R U V I cCECC C 2=-=，A I I C B μβ20/==, ∴Ω=-=k I U V R BBECC b 565。
(2)由(//)100o c L ui beU R R A U r β=-=-=-&, 可得: 2.625L R k =Ω。
图P2.92.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u A &、i R 和oR ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：(1)静态分析： 1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+101EQ BQ I I A μβ==+e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V =-++= 图P2.11动态分析：'26(1)2.73be bb EQmVr r k I β=++≈Ω (//)7.7(1)c L ube fR R A r R ββ=-=-++&12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω 5o c R R k ==Ω (2) β=200时，1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+（不变）；1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+（不变）；51EQ BQ I I A μβ==+（减小）； e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=（不变）。
(3) C e 开路时，(//)// 1.92(1)()c L c Lube e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++&（减小）； 12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）； 5o c R R k ==Ω（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点； (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A &、i R 和oR 。
解：(1)求解Q 点： 32.3(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈ 7.17CEQ CC EQ e U V I R V =-≈(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：R L =∞时；(1)0.996(1)eube eR A r R ββ+=≈++&图P2.12//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈ΩR L =3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L ube e L R R A r R R ββ+=≈++&//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω输出电阻：////371s b beo e R R r R R β+=≈Ω+第3章 多级放大电路3.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示，图(a)虚线框内为电路Ⅰ，图(b)虚线框内为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示，它们均正常工作。
试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻较大； (2)哪些电路的输出电阻较小； (3)哪个电路的电压放大倍数最大。
(a) (b)(c) (d)(e)图P3.3解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大； (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小； (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，'100bb r =Ω，0.7BEQ U V ≈。
试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。
图P3.6 图P3.7解：R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下：∵22WBEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅+= ∴0.51722EE BEQ EQWe V U I mA R R -=≈+ 动态参数A d 和R i 分析如下： '26(1)5.18be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 98(1)/2cd be W R A r R ββ=-≈-++2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω3.7电路如图P3.7所示，T 1和T 2两管的β均为140，be r 均为4kΩ。
试问：若输入直流信号mV u I 201=，mV u I 102=，则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?=∆o u解：电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆ 分别为：12152I I IC u u u mV +==； 1210Id I I u u u mV =-= 1752cd beR A r β=-≈-； 1.75O d Id u A u V∆==-第6章 放大电路中的反馈6.7分别判断图P6.5 (a) 、(b) 、(e) 、(f) 所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈。
解：(a)电压并联负反馈；(b) 电压串联负反馈；(e)电流并联负反馈；(f)电流串联负反馈。
6.8 分别估算图6.4 (d)~(h)所示各电路在理想运放条件下的电压放大倍数。
解：各电路在理想运放条件下的电压放大倍数如下：(d) 电流并联负反馈: 111o o Lo L L uf i i f U I R I R R A U I R I R R =≈≈=&&&&&&& (e) 电压串联负反馈: 311o o uf i f U U R A U U R =≈=+&&&&& (f) 电压串联负反馈: 1o o uf i f U U A U U =≈=&&&&& (g) 电压串联负反馈: 211o o uf i f U U R A U U R =≈=+&&&&& (h) 电压串联负反馈: 311o o uf i fU U R A U U R =≈=+&&&&&6.9分别估算图6.5 (a)、 (b) 、(e) 、(f)所示各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
解：各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下：(a)电压并联负反馈：f f f o usf s i s s I R R U A U I R R -==≈-&&&&& (b)电压串联负反馈：41(1)o o uf i fU U R A U U R =≈=+&&&&&(e)电流并联负反馈：4142(//)//(1)o o L L usf s f s sU I R R R R R A U I R R R =≈=+⋅&&&&& (f)电流串联负反馈：∵29292200249249f R R R R U R I R I I R R R R R R =⋅=⋅⋅=⋅++++&&&&∴0782497829(////)()(////)o L L uf i fU I R R R R R R R R R A U U R R ++=≈=-&&&&&第7章 信号的运算和处理7.2电路如图P7.2所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。