2007年电子科技大学402介电材料与磁性材料考研试题答案
电子科技大学03-04学年第二学期《电磁场与电磁波》试题与答案
I eφ H 上 = eφ H 下 ⇒ H 上 = H 下 =eφ 2π r µI µI （ z > 0） ； ，( z < 0 ) 则 B上 = µ0 H 上 =eφ 0 ， B下 = µ H 下 =eφ 2π r 2π r
由 参考评分标准：正确判断 eφ H 上 = eφ H 下 ，并正确应用安培环路定理求得 H （10 分） ；
a . f = fc ； a . 无关； a. a+b；
b . f > fc ；
c . f < fc
） 。
12．矩形波导的截止波长与波导内填充的媒质（
b . 有关； b . 2a ； b . sin θ ；
c . 关系不确定，还需看传播什么波型
） 。
13．矩形波导的横截面尺寸为 a × b ，设 a > b ，则此波导中传播的主模的截止波长为（
a . 等于光速 c ；
10．矩形波导中可以传输（
b . 等于 c 2 ；
） 。
c . 等于 c 4 c . TE 和 TM 波
1 2π µε (mπ a ) 2 + (nπ b) 2 ，
a . TEM 、 TE 和 TM 波；
b . TEM 波；
11．横截面尺寸为 a × b 的矩形波导管，内部填充理想介质时的截止频率 = fc 工作频率为 f 的电磁波在该波导中传播的条件是（ ） 。
附：参考数据及公式 （1） ε 0 ≈ 8.854 × 10
−12
≈
1 F m， 4π × 9 ×109
µ = 4π ×10−7 H m 0
（2）圆柱坐标系中的相关公式
电子科大电磁场与波第二章答案
上任一点的磁场公式，可得到该细圆环电流在球心处产生的磁场为
dB
= ez
μ0b2 d I 2(b2 + d 2 )3 2
=
ez
μ0ωqa2 sin3 θ dθ 8π (a2 sin2 θ + a2 cos2 θ )3 2
=
ez
μ0ωq sin3 θ 8π a
dθ
故整个球面电流在球心处产生的磁场为
∫ ∫ B =
下各点的 E：（1） P1 (2,5, −5) ；（2） P2 (−2, 4,5) ；（3） P3 (−1, −5, 2) 。
解 无限大的均匀面电荷产生的电场为均匀场，利用前面的结果得
（1） E1
=
−ez
ρS1 2ε 0
− ez
ρS 2 2ε 0
− ez
ρS3 2ε 0
=
−e z
1 2ε 0
(3 + 6 − 8)×10−9
=
0
2.16 一个半径为 a 的导体球带电荷量为 q ,当球体以均匀角速度ω 绕一个直径旋转时（如
题 2.16 图所示），试求球心处的磁感应强度 B
解
导体球面上的面电荷密度为
ρS
=
q 4π a2
，当球体以均匀角速度 ω
绕一个直径旋转
时，球面上位置矢量 r = era 点处的电流面密度为
JS = ρS v = ρSω× r = ρS ezω × era =
+
(ex
3
−
ey )
3ρl1 8πε 0 L
=
ey
3ρl1 4πε 0 L
2.13 自由空间有三个无限大的均匀带电平面：位于点(0,0,-4)处的平面上 ρS1 = 3nC/m2 ，
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
电子电路的太赫兹技术研究考核试卷
6.太赫兹波在生物医学成像中不能用于活体组织的检测。（）
7.太赫兹波通信系统的安全性主要取决于加密算法的强度。（）
8.太赫兹电子器件的尺寸可以做得非常小，以适应太赫兹频段的特性。（）
9.太赫兹波在安全检查中主要用于检测金属物品。（）
10.太赫兹电子电路目前的主要应用领域是通信和雷达系统。（）
A.高时间分辨率
B.高光谱分辨率
C.宽频带
D.非接触式测量
5.以下哪些材料对太赫兹波有较强的吸收作用？（）
A.水蒸气
B.液态水
C.纤维素
D.金属
6.在太赫兹电子电路设计中，以下哪些因素需要重点考虑？（）
A.噪声特性
B.线性度
C.功耗
D.频率响应
7.以下哪些技术可用于提高太赫兹波的天线性能？（）
A.微带天线技术
电子电路的太赫兹技术研究考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.太赫兹波属于以下哪种电磁波谱段？（）
A.微波
4.太赫兹波在安全检查和生物医学成像中可提供高分辨率、非接触式检测。关键技术要求包括高灵敏度、低噪声和实时数据处理。发展趋势是小型化、便携式和多功能。
4.分析太赫兹波在安全检查和生物医学成像中的应用，并探讨这些应用中太赫兹电子电路的关键技术要求和未来发展趋势。
标准答案
一、单项选择题
1. A
2. A
3. B
4. D
5. B
2007年考研试题及答案A
一、填空题（30分）：1. （6分）由晶闸管构成的三相半波可控整流电路，当输入交流电压为t u ωsin 3112=，纯阻性负载且其值为10R =Ω，当控制角45α=时，输出平均电压为 ，输出的功率因数是 。
2．（6分）由晶闸管构成的单相桥式全控整流电路，当输入交流电压为t u ωsin 1412=，负载为反电动势且直流侧串联平波电抗器，已知60V, L=2E R =∞=Ω，，当控制角30α=时，输出平均电压为 ，输出平均电流为 。
3．（3分）缓冲电路( Snubber Circuit ) 的作用是 。
4．（3分）在交流供电系统中，当基波电流为140A I =，各次谐波电流分别为35792A, 1A, 0.5A, 0.2A I I I I ====, 则电流谐波总畸变THD 为 。
5．（3分）在逆变电路中，对于同一桥臂的开关管要采取“先断后通”的方法，也就是死区时间的设定，其目的是 。
6．（6分）单相桥式电压型逆变电路，180导通角，d 560V U =，则输出电压的基波有效值是 ，当只考虑10次以内的谐波电压时，输出电压的有效值是 。
7．（3分）在SPWM （Sinusoidal Pulse Width Modulation ）控制的三相逆变电路中，设定的开关管的开关频率是20KHz ，逆变电路输出交流电压的频率为400Hz ，那么SPWM 控制电路中载波频率和调制波频率应分别设置为 和 。
二、简答题（60分）：1． （7分）IGBT 在过流及短路过程中，系统如何检测并实施保护的？2． （7分）为什么晶闸管的触发信号通常不使用直流信号？ 3． （7分）试说明有关晶闸管和电力晶体管的关断过程？4． （7分）请叙述电力二极管的反向恢复过程，在高频开关电路中，应选择什么型号的二极管？5． （8分）利用晶闸管SCR 构成的简易照明延时开关电路如图1所示，HL 是灯泡，SB 是开关，试分析此电路的工作原理。
成都电子科技大学电力电子技术2007-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题2分，共30分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。
)1、三相电压型逆变采用°导通方式。
需进行“先下后上”的纵向换流方式。
A. 120B. 90C. 180D. 602、电压型逆变器中间直流环节贮能与缓冲元件是。
A.蓄电池B.电感C. 电容D.电动机3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来。
A. 分流B. 降压C. 过电压保护D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与B器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ= 。
A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A. 0ºB.10º-15ºC.0º-10ºD.30º-35º7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A .α和U2 B. α以及负载电流I dC . α、负载电流I d以及变压器漏抗X B D. α、U2以及变压器漏抗X B8、若想减小SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度B.减小三角波频率C.减小正弦调制波频率D.增大正弦调制波幅度9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为。
A.减小输出谐波B.增大输出幅值C. 减小输出幅值D.减小输出功率10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于负载。
A. 电阻性B. 阻感反C. 反电动势D. 电感性电力电子技术试题第 1 页共4 页11、请写出电磁兼容性英文缩写。
A.MACB.EMCC.CMED.AMC12、共阳极三相半波可控整流电路的自然换相点是。
西安电子科技大学822电磁场与微波技术2007年考研专业课真题答案
a2 P0 4 0 r
a2P0 40r
a2P0l cos 40r 2
3、在远离圆柱区 E ，
∴
E
a2 P0l 4 0
cos ( r2
)
a2 P0l 4 0 r 3
(2 cos
er
sin
eθ
)
二 、解：1、该电磁波传播方向的单位矢量 n 0.6ay 0.8az ； 2、电场强度矢量 E(r) 0 (n) H(r) (0.8ay jax 0.6az )e j (3y4z) (V/m) 3、∵传播常数 k 00 c 5 ，∴ 15 108 rad / s
x
y
2
∴反射波波为左旋圆极化波。
2、反射波电场振幅为 Erm 2 2 (V/m)
反射波磁场强度振幅为 Hrm
Erm 0
2 60
(A / m)
3、投射系数T 1 0.8 ，透射波电场强度振幅 Etm TEim 8 2 V / m
∴透射波磁场强度振幅为 Htm
Etm
2 10
A/m
五、解：1、 L
ZL ZL
Z0 Z0
，
Le j2z
ZL ZL
Z0 Z0
e j2z
2、 1 | | 1 | |
3、对于 TE10 模 g
1 ( )2
2a
4、TE101 模谐振波长为 2al a2 l2
九、解：电基本振子远场区 E
j
Il 2 r
sin e jkr
电子科技大学《电磁场与波》20春期末考试.doc
1.在两种媒质的分界面上，若分界面上存在传导电流，则边界条件为( )。
A.Ht不连续，Bn不连续B.Ht不连续，Bn连续C.Ht连续，Bn不连续 D.Ht连续，Bn连续【参考答案】: B2.根据电介质中的高斯定理，在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。
下列推论正确的是（）A.若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内一定没有自由电荷 B.若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零，曲面内电荷的代数和一定等于零 C.若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零，曲面内一定有极化电荷 D.介质中的电位移矢量与自由电荷和极化电荷的分布有关【参考答案】: D3.用镜像法求解电场边值问题时，判断镜像电荷的选取是否正确的根据是（）A.镜像电荷是否对称B.电位φ所满足的方程是否改变C.边界条件是否保持不变D.同时选择B和C【参考答案】: D4.相同尺寸和匝数的空心线圈的电感系数( )铁心线圈的电感系数。
A.大于B.等于C.小于D.不确定于【参考答案】: C5.一个半径为0.4m的导体球当做接地电极深埋地下，设土壤的电导率为0.6S/m，略去地面的影响，求电极与地之间的电阻（）A.0.3316B.0.3421C.0.2344D.0.2145【参考答案】: A6.无限大的导体平面上空平行放置一根半径为a的圆柱导线。
已知圆柱导线的轴线离开平面的距离为h，则单位长度圆柱导线与导体平面之间的电容为（）A.2πε/arcosh（h/a）B.4πε/arcosh（h/a）C.2πε/arsinh（h/a） D.4πε/arsinh（h/a）【参考答案】: A7.一导体回路位于与磁场力线垂直的平面内，欲使回路中产生感应电动势，应使（）。
A.回路运动B.磁场随时间变化C.磁场分布不均匀D.同时选择A和B【参考答案】: B8.若空间存在两根无限长直载流导线，空间的磁场分布就不具有简单的对称性，则该磁场分布（）A.不能用安培环路定理来计算B.可以直接用安培环路定理求出C.可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出 D.以上都不正确【参考答案】: C9.有一无限长直流导线在空间产生磁场，在此磁场中作一个以截流导线为轴线的同轴的圆柱形闭合高斯面，则通过此闭合面的磁感应通量（）A.等于零 B.不一定等于零 C.为μ0I D.以上都不正确【参考答案】: A10.当孤立的不带电的导体球位于均匀电场E0中，使用镜像法求出导体球表面的电荷分布为（）A.4ε0E0cosθB.4ε0E0sinθC.3ε0E0cosθD.3ε0E0sinθ【参考答案】: C11.空间某点的磁感应强度B的方向，一般可以用下列几种办法来判断，其中哪个是错误的？（）A.小磁针北（N）极在该点的指向；B.运动正电荷在该点所受最大的力与其速度的矢积的方向；C.电流元在该点不受力的方向；D.载流线圈稳定平衡时，磁矩在该点的指向。