半导体发光二极管标准分解
LED发光二极管原理(图文)讲解学习
LED发光二极管原理（图文）半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。
事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。
此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P 区注入N区。
进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。
若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
（二）LED的特性1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。
LED发光二极管内部结构详解
LED发光二极管内部结构详解LED即发光二极管（Light Emitting Diode），是一种能够将电能直接转换为光能的电子元件。
它是一种半导体器件，由两个不同材料的半导体结合而成。
下面将详细介绍LED发光二极管的内部结构。
一、PN结构LED的核心部分是一个PN结，它由P型半导体和N型半导体组成。
P型半导体中的正电荷多于负电荷，N型半导体中的负电荷多于正电荷。
当P型半导体与N型半导体通过PN结连接时，形成一个耗尽层，也叫势垒。
这个势垒可以阻止电子和空穴的自由移动，使得电流在正向偏置情况下能够通过。
二、发光层发光二极管的发光层位于PN结的一侧。
发光层是一种特殊的半导体材料，称为蓝宝石（GaN）或碳化硅（SiC）。
在发光层中注入了少量的杂质，这些杂质被称为掺杂剂，可以使其发出不同颜色的光。
三、电极LED的两端有两个电极引出。
其中一个是P型半导体的电极，另一个是N型半导体的电极。
这两个电极通过金属线或银胶连接到半导体片上。
电极起到导电和固定LED的作用。
四、封装LED芯片通常需要封装以保护内部结构和提高发光效果。
封装过程主要包括将LED芯片安装到底壳中，然后用透明的塑料或树脂材料封装。
封装材料透明度高，能够产生高亮度的光源。
五、波长转换层部分LED还包含一个波长转换层，也称为荧光体。
它位于发光层的上方，可以将LED发出的蓝光转换成其他颜色的光，如白光、黄光等。
六、反射杯有些LED还配有一个反射杯，它位于LED芯片上方，可以起到聚光的作用。
反射杯一般是金属或塑料材质，帮助将光线聚焦到一个方向，提高LED的亮度。
七、镀膜层一些LED芯片还会在其表面镀上一层薄膜，以增加反射效果，提高光的输出。
总结：LED发光二极管是由PN结、发光层、电极、封装、波长转换层、反射杯和镀膜层等组成的。
它能够将电能转换为光能，广泛应用于照明、显示、指示等领域。
通过合理的调整内部结构和材料选择，LED可以实现各种颜色和亮度的光效果。
半导体发光二极管标准
半导体发光二极管1 范围本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。
本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修改版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 191 包装储运图示标志GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:恒定湿热试验方法(idt IEC 68-2-3:1984)GB/T 4937-1995 半导体分立器件机械和气候试验方法(idt IEC 749:1995)GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性GB/T 17626.2-1998 电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验(idt IEC 61000-4-2:1995) QMB-J10.010 关于规范RoHS标识的操作指引QMB-J10.011 逐批检查计数抽样程序及抽样表3 半导体发光二极管分类3.1 按颜色分类a)红色发光二极管（λD：620-660nm）b)橙色发光二极管（λD：600-620nm）c)黄色发光二极管（λD：580-600nm）d)绿色发光二极管（λD：500-577nm）e)兰色发光二极管（λD：430-480nm）：380-410nm）f)紫色发光二极管（λPg)白色发光二极管（T C：3000-25000K）3.2 按芯片材料分类a)InGaAlP/GaAsb)GaN/ Al2O3或SiC衬底c)InGaN/ Al2O3或SiC衬底4 要求4.1 静电防护工艺要求因产品易受静电破坏，生产及运输过程中应做好静电防护工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC衬底系列静电等级要求控制在500V以下， GaN基/蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在100V以下。
发光二极管技术参数
发光二极管技术参数一、基本原理发光二极管的基本结构是由N型半导体和P型半导体构成的PN结。
当加在其中的正向电压大于所谓的阈值电压（typical value为1.8~2.3V），电子就重新排列在PN结的另一侧，与空穴结合并产生电荷复合，从而释放出可见光的能量。
二、发光二极管的主要技术参数1. 亮度：发光二极管的亮度指LED在单位面积上所放射出的发光功率，一般以荧光灯发光效率（lm/W）来衡量。
2.发光波长：LED发光的色彩可以通过其辐射的光的波长来描述。
常见的有红、绿、蓝等色彩。
3.视角：视角是指LED的光线在水平方向上分布的范围。
不同的LED具有不同的视角，一般常见的有60度、90度、120度等。
4.电压：发光二极管的工作电压是指LED在正向导通时所需的电压，常见的额定电压有2V、2.2V、2.5V等。
5.电流：发光二极管的工作电流是指LED正向导通时所需的电流，常见的额定电流有5mA、10mA、20mA等。
6.响应时间：LED的响应时间是指电流通过LED后发光所需要的时间，一般为纳秒级别。
7.反射系数：LED的反射系数是指LED背面反射的光线所占的比例，反射系数越高，LED的反光效果就越好。
8.工作温度：发光二极管的工作温度是影响LED寿命和性能的重要因素，一般工作温度范围在-40℃~+85℃之间。
三、发光二极管的优势1.能效高：LED以电能直接转换为光能，能效一般在80%以上，是传统照明产品的数倍。
3.开关速度快：LED的响应时间只有纳秒级别，能实现瞬间开启和关闭，适用于高频照明和通信设备。
4.色彩鲜艳：LED发光色彩丰富，颜色纯度高，光线柔和，不会产生眩光。
四、发光二极管的应用领域1.照明：LED可以应用于室内照明、路灯照明、景观照明等领域，其能效高、寿命长、色彩鲜艳的特点，使得LED照明产品成为未来的主流照明产品。
2.显示：LED可以应用于数字显示器、数码管、液晶背光、室内大屏幕显示等领域，其响应速度快、色彩鲜艳的特点，使得LED显示产品在各种显示场合中得到广泛应用。
发光二极管检验标准
发光二极管检验标准发光二极管（LED）是一种半导体器件，具有发光、低功耗、长寿命等特点，广泛应用于照明、显示、通信等领域。
为了确保LED产品的质量，制定了一系列的检验标准，以保证LED产品的性能和可靠性。
本文将介绍LED检验标准的相关内容，以帮助生产厂家和检验机构更好地进行LED产品的检验工作。
一、外观检验。
LED产品的外观检验是确保产品外观质量的重要环节。
外观检验项目包括外观缺陷、尺寸和标识等内容。
外观缺陷主要包括裂纹、气泡、污渍、杂质等，尺寸检验主要包括外形尺寸、引线长度、引线间距等。
此外，产品标识的完整性和清晰度也是外观检验的重点内容之一。
二、光电性能检验。
光电性能是LED产品最重要的性能之一，包括光通量、光强度、波长、色坐标、色温等指标。
光通量是LED产品发光强度的重要指标，通常通过积分球或光度计进行测量。
光强度是LED产品单位立体角内的发光强度，波长和色坐标是LED产品发光的颜色特性，色温是LED产品发光颜色的暖白度。
三、电气性能检验。
电气性能是LED产品的另一个重要性能指标，包括正向电压、正向电流、反向电流、漏电流等。
正向电压是LED产品工作时的电压值，正向电流是LED产品工作时的电流值，反向电流和漏电流是LED产品在非工作状态下的电流值。
电气性能检验可以通过电参数测试仪进行测量。
四、环境适应性检验。
LED产品在不同的环境条件下需要具有良好的适应性，包括温度适应性、湿度适应性、耐盐雾性等。
温度适应性是LED产品在不同温度条件下的性能表现，湿度适应性是LED产品在不同湿度条件下的性能表现，耐盐雾性是LED产品在盐雾环境下的耐受能力。
五、可靠性检验。
LED产品的可靠性是产品质量的重要保证，包括寿命测试、热冲击测试、湿热循环测试等。
寿命测试是LED产品在规定条件下的使用寿命测试，热冲击测试是LED产品在高温和低温交替的条件下的测试，湿热循环测试是LED产品在高温高湿和低温低湿交替的条件下的测试。
半导体发光二极管测试国标(精)
基于LED各个应用领域的实际需求，LED的测试需要包含多方面的内容，包括：电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。
1、电特性LED是一个由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，其电压-电流之间的关系称为伏安特性。
由图1可知，LED电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压，LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。
通过LED电特性的测试可以获得LED的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流，此外也可以测定LED的最佳工作电功率。
图 1 LED伏安特性曲线LED电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电压电流表进行测试。
2、光特性类似于其它光源，LED光特性的测试主要包括光通量和发光效率、辐射通量和辐射效率、光强和光强分布特性和光谱参数等。
（1）光通量和光效有两种方法可以用于光通量的测试，积分球法和变角光度计法。
变角光度计法是测试光通量的最精确的方法，但是由于其耗时较长，所以一般采用积分球法测试光通量。
如图2所示，现有的积分球法测LED光通量中有两种测试结构，一种是将被测LED放置在球心，另外一种是放在球壁。
_h:^E8(_ d图 2 积分球法测LED光通量此外，由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影响，因此，往往引入辅助灯，如图3所示。
图3 辅助灯法消除自吸收影响在测得光通量之后，配合电参数测试仪可以测得LED的发光效率。
而辐射通量和辐射效率的测试方法类似于光通量和发光效率的测试。
（2）光强和光强分布特性图4 LED光强测试中的问题如图4所示，点光源光强在空间各方向均匀分布，在不同距离处用不同接收孔径的探测器接收得到的测试结果都不会改变，但是LED由于其光强分布的不一致使得测试结果随测试距离和探测器孔径变化。
因此，CIE-127提出了两种推荐测试条件使得各个LED在同一条件下进行光强测试与评价，目前CIE-127条件已经被各LED制造商和检测机构引用。
半导体光电子学第6章 半导体发光二极管
半导体激光器与发光二极管在结构上的主要差别是前 者有光学谐振腔，使复合所产生的光子在腔内振荡和 放大；而后者则没有谐振腔。
正是由于它们在发光机理和上述这一基本结构上存在 差别，而使它们在主要性能上存在明显差别。
光谱宽度随有源层厚度的增 加而减小可归因于能为载流 子所填充的能带变窄。
面发光二极管的光谱宽度较宽。例如， 在高的注入电流下中心波长为1.3m 的面发光管，其Δ可达1300Å。但 它对温度不灵敏、高可靠性和低成本 等优点，却是光纤通信局部网(LAN) 中波分复用(WDM)光源所希望的。
然而，如此宽的谱宽限制了在保证邻 近信道之间有小的串音的前提下所能 供复用的波长数量。
防止发光管产生受激发射的另一种有效方法是将后端面弄斜， 以破坏由解理面形成的法布里-拍罗腔，如图6.2-2所示。其 基本结构与V沟衬底埋层异质结激光器相同，前端面镀增透 膜，后端面腐蚀成斜面。这种结构的特点是更能可靠地防止 受激发射，与前面采取非泵浦区结构的边发光管相比，更能 利用有源层的长度来产生自发辐射，获得较高输出功率。
1．不存在阈值特性，P-I线性好，因而有利于实现信 号无畸变的调制，这在高速模拟调制中是特别重要的；
2．虽然半导体发光二极管的光相干性很不好，但正因 为如此，避免了半导体激光器容易产生模分配噪声和 对来自于光纤传输线路中反射光较灵敏的缺点； 3．工作稳定，输出功率随温度的变化较小，不需要精 确的温度控制，因而驱动电源很简单；
三、发光二极管的发射谱
半导体发光二极管的自发发射的特点决定了它的发射光 谱是很宽的，要比半导体激光器的线宽高几个数量级。 而且光谱宽度Δ与峰值波长有关，可表示为
发光二极管基本结构
发光二极管基本结构
发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种半导体器件，具有电流通过时能够发出可见光的特性。
它是一种固态光源，与传统的白炽灯和荧光灯相比，具有更高的能效、更长的寿命和更小的体积。
发光二极管的基本结构是由两种半导体材料构成的pn 结。
当正向电流通过时，电子从N 型半导体区域跨越pn 结流向P 型半导体区域，同时空穴也从P 型半导体区域跨越pn 结流向N 型半导体区域。
在这个过程中，电子与空穴发生复合，释放出能量，这些能量以光的形式辐射出来。
发光二极管的发光颜色与使用的半导体材料和掺杂元素有关。
发光二极管简称LED，采用砷化镓、镓铝砷、和磷化镓等材料制成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。
当在发光二极管PN结上加正向电压时，PN结势垒降低，载流子的扩散运动大于漂移运动，致使P区的空穴注入到N区，N区的电子注入到P区，这样相互注入的空穴与电子相遇后会产生复合，复合时产生的能量大部分以光的形式出现，因此而发光。
发光二极管在制作时，使用的材料有所不同，那么就可以发出不同颜色的光。
发光二极管的发光颜色有：红色光、黄色光、绿色光、红外光等。
发光二极管的外形有：圆形、长方形、三角形、正方形、组合形、特殊形等。
常用的发光二极管应用电路有四种，即直流驱动电路、交流驱动电路、脉冲驱动电路、变色发光驱动电路。
使用LED作指示电路时，应该串接限流电阻，该电阻的阻值大小应根据不同的使用电压和LED所需工
作电流来选择。
发光二极管的压降一般为1.5~2.0 V，其工作电流一般取10~20 mA为宜。
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半导体发光二极管1 范围本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。
本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。
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GB/T 191 包装储运图示标志GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:恒定湿热试验方法(idt IEC 68-2-3:1984)GB/T 4937-1995 半导体分立器件机械和气候试验方法(idt IEC 749:1995)GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性GB/T 17626.2-1998 电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验(idt IEC 61000-4-2:1995) QMB-J10.010 关于规范RoHS标识的操作指引QMB-J10.011 逐批检查计数抽样程序及抽样表3 半导体发光二极管分类3.1 按颜色分类a)红色发光二极管（ D：620-660nm）b)橙色发光二极管（ D：600-620nm）c)黄色发光二极管（ D：580-600nm）d)绿色发光二极管（ D：500-577nm）e)兰色发光二极管（ D：430-480nm）f)紫色发光二极管（ P：380-410nm）g)白色发光二极管（T C：3000-25000K）3.2 按芯片材料分类a)InGaAlP/GaAsb)GaN/ Al2O3或SiC衬底c)InGaN/ Al2O3或SiC衬底4 要求4.1 静电防护工艺要求因产品易受静电破坏，生产及运输过程中应做好静电防护工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC衬底系列静电等级要求控制在500V以下， GaN基/蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在100V以下。
4.2 封装形式及外观要求4.2.1 封装形式采用环氧树脂全包封的封装形式。
4.2.2 外观要求目测环氧表面无明显发花、划伤，出光面无明显气泡、黑点，无多缺料，无明显偏支架，外引线平整，无明显锈蚀、变色及镀层脱落现象。
4.3 极限值（绝对最大额定值）极限值（绝对最大额定值）见表1。
表1 极限值4.4 光电特性4.4.1 InGaAlP系列红色发光二极管光电参数InGaAlP系列红色发光二极管光电参数应符合表2的规定。
amb4.4.2 InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数应符合表３的规定。
表３ InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数表T amb=（25±5）℃4.4.3 InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数InGaAlP系列橙色发光二极管光电参数应符合表４的规定。
ambInGaAlP系列绿色发光二极管光电参数应符合表５的规定。
amb4.4.5 GaN基系列绿色发光二极管光电参数GaN基系列绿色发光二极管光电参数应符合表6的规定。
表6 GaN系列绿色发光二极管光电参数表 T amb=（25±5）℃GaN基系列蓝色发光二极管光电参数应符合表7的规定。
表7 GaN系列蓝色发光二极管光电参数表T amb=（25±5）℃4.4.7 GaN基系列白色发光二极管光电参数GaN基系列白色发光二极管光电参数应符合表7的规定。
表8 GaN系列白色发光二极管光电参数表T amb=（25±5）℃4.4.8 GaN基系列紫色发光二极管光电参数GaN基系列紫色发光二极管光电参数应符合表8的规定。
amb4.4.9 HFT系列多色发光二极管光电参数HFT系列多色发光二极管光电参数应符合表9的规定。
amb4.5 型式检验要求4.5.1 引出端强度通过5.4试验后，引出端无断裂、松动，与环氧体之间无相对移动或脱落现象。
4.5.2 引出端可焊性通过 5.5试验后，湿润表面应覆盖一层平滑而光亮的焊料涂层，浸润面积应大于或等于浸渍面积的95%。
4.5.3 耐焊接热通过5.6试验后，样品环氧体无明显溶化及变色现象，光电特性参数应符合以下要求：——V F≤1.1V FO；（I F=20mA）（V FO：试验前电压测试值，以下同。
）——I R≤10uA；（V R=5V）——I V≥0.9I VO。
（I F=20mA）（I VO：试验前光强测试值，以下同。
）4.5.4 快速温度变化及恒定湿热通过5.7试验后，样品无开裂及引线松动现象，环氧体无明显变色，光电特性参数应符合以下要求：——V F≤1.1V FO；（I F=20mA）——I R≤20uA；（V R=5V）——I V≥0.7I VO。
（I F=20mA）4.5.5 电耐久性通过5.8试验后，光电特性参数应符合以下要求：——V F≤1.1V FO；（I F=20mA）——I R≤20uA；（V R=5V）——I V≥0.7I VO。
（I F=20mA）4.5.6 高温贮存通过5.9试验后，样品环氧体无明显溶化及变色现象，光电特性参数应符合以下要求：——V F≤1.1V FO；（I F=20mA）——I R≤10uA；（V R=5V）——I V≥0.8I VO。
（I F=20mA）4.5.7 静电放电抗扰度通过5.10试验后，光电特性参数应符合以下要求：——V F≤1.1V FO；（I F=20mA）——I R≤10uA；（V R=5V）——I V-I VO≤±5%I VO。
（I F=20mA）5 试验方法5.1 外形测试用游标卡尺或显微镜测量，尺寸测量结果符合4.2.1中规定。
5.2 外观测试目测及显微镜下镜检，外观符合4.2.2及4.2.3中规定。
5.3 光电特性测试方法：按如下方法测试，测试结果符合4.4中规定。
电特性测试一般在相应的恒流恒压源供电下，利用电压电流表进行测试；光特性的测试主要包括光通量和颜色。
光通量的测试可采用积分球法或变角光度计法；颜色特性测试可采用分光光度法或积分法。
5.4 引出端强度试验5.4.1 拉力试验按GB/T 4937-1995第II篇1.1、试验Ua1的规定：a）外加力：5N；b）时间：（10±1）s。
c）样品测试符合4.5.1中规定。
5.4.2 弯曲试验按GB/T 4937-1995第II篇1.2、试验Ub第3.4.2.1方法2的规定：a）加力：2.5N；b）次数：2次；c）样品测试符合4.5.1中规定。
5.5 引出端可焊性试验本试验只针对无铅焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.1，试验Ta方法1的规定：a）焊锡温度：（245±5）℃；b）浸锡时间：（2±0.5）s；c）浸入到离器件本体（1～1.2）mm；d）焊剂：松香25%，酒精75%；e）样品测试符合4.5.2中规定。
5.6 耐焊接热试验本试验只针对无铅焊，按GB/T 4937-1995第II篇2.2，试验Tb方法1A的规定：a）焊锡温度：（280±5）℃；b）浸锡时间：（10±1）s；c）浸入到离器件本体（2～2.5）mm；d）焊剂：松香25%，酒精75%；e）恢复：试验样品在标准大气条件下恢复1h，然后在4h内测完光电参数，并应符合4.5.3中规定。
5.7 快速温度变化及恒定湿热试验温度快速变化按GB/T 4937-1995第III篇1.1，试验Na的规定。
a）T A=（-40±3）℃，T B=（100±2）℃；b）暴露时间：10min；c）转移时间：（2～3）min；d）循环次数：5次。
温度快速变化结束后，试验样品的外观颜色应无明显变化，在标准大气条件下恢复4h，继之于恒定湿热试验，按GB/T 2423.3-1993的规定:a）严酷度：温度（+40±2）℃，湿度（93±3）%，时间240h；b) 恢复：试验样品在标准大气条件下恢复2h，样品测试应符合4.5.4中规定。
5.8 电耐久性试验按GB/T 4938-1985工作寿命试验的规定：a）I F=15mA： GaN/InGaN芯片12×12mil以下的发光二极管I F=20mA： ImGaAlP芯片8×8mil以下、GaN/InGaN芯片13×13mil及14×14mil的发光二极管I F=30mA： ImGaAlP芯片9×9mil至12×12mil的发光二极管b）试验时间：1000hc）自进行1000h的耐久性试验通过后，对于自1000h电耐久性试验之后不超过120天所进行的新的试验，即可开始至少340h的耐久性试验。
d)试验完成后，试验样品在标准大气条件下恢复4h后，在4h内测完下列光电参数,测试结果应符合4.5.5中规定。
5.9 高温贮存试验按GB/T 4937-1995第III篇2条规定：a）温度（100±2）℃；b）时间1000h；c) 恢复：试验样品在标准大气条件下恢复4h，然后在4h内测完光电参数，并应符合4.5.6中规定。
5.10 静电放电抗扰度试验按GB/T 17626.2-1998试验方法中规定：HBM模式a）储能电容：150 PF±10％；b）放电电阻：330Ω±10％；c）试验登记：1a接触放电等级4（放电电压：InGaAlP为±500V，GaN基/ Al2O3衬底为±100V ，GaN 基/SiC衬底为±1000V，GaN基加齐纳为±5000V）；d)施加放电点：从器件的“+极”到“-极”及从“-极”到“+极”；e)放电次数：10次，放电间隔：1s。
试验样品在标准大气条件下，在4h内测完光电参数，应符合4.5.7中规定。
6 检验规则6.1 进货检验进货检验项目见表11，抽样方案见QMB-J10.011。
6.2 型式检验6.2.1 试验样品的抽取型式试验的样品，应从交收试验合格的批次中随机抽取。
6.2.2 抽样方案每次抽检样品个数n=5个，检测样品结果应全部合格（Ac=0），若出现一个不合格（Re=1）即判本批不合格。
6.2.3 型式检验周期型式检验的周期为连续三个月一次，若连续三次型式检验通过，周期可延长为六个月一次。
6.2.4 型式检验要求型式检验顺序、试验项目、技术要求及试验方法见表11。
表11 型式检验要求7 包装、贮存7.1 包装7.1.1 内包装内包装采用防静电屏蔽袋包装，合格证上应有公司名称及公司标志。
7.1.2 外包装外包装箱上应有符合GB/T 191中规定的相应运输要求的标志及公司名称、商标、地址、产品型号、数量，并贴有封讫，箱内应有合格证，标明型号、生产日期及检验员代号等。