02-09年武汉理工大学自控试卷留空试卷

02-09年武汉理工大学自控试卷留空试卷
02-09年武汉理工大学自控试卷留空试卷

武汉理工大学2002年研究生入学考试试题

课程代码:476 课程名称:自动控制原理

(共2页,共10题,答题时不必抄题,标明题目序号)

一、系统方框图如图所示,试求0=a 时,系统的ξ及n ω值。如果要求707.0=ξ,试确定a 值和调整时间(取误差带为5%)。(10分)

二、系统结构图如图所示,当22)(t t r =时,要求系统的稳态误差4

三、已知系统的特征方程为:010874442

3456=+--+-+s s s s s s ,试确定在s 平面右半部的特征根数目,并计算其共轭虚根之值。(10分)

四、已知单位负反馈系统的开环传递函数为:(10分))

3()

1()(-+=s s s K s G

1.试画出∞→=0K 时的闭环根轨迹。

2.求使闭环系统稳定的开环增益K 的范围。

五、(10分)已知一单位反馈最小相角系统的对数幅频特性)(ωL 如图所示。 1.写出对应的开环传递函数。 2.写出相频特性)(ω?的表达式。

六、已知零阶系统如图所示,其中ZOH 为零阶保持器,T=1秒,试求闭环脉冲传递函数。(10分)

七、系统状态方程如下,请判别系统的状态可控性、可观性和输出可控性。(10分)

u x x ????

?

?????+??????????=010010100240231 ,x y ??????=100001

八、求下列齐次状态方程的解:(10分)

X X ?

?

????-=1101

九、造纸过程中的一个重要目标是:保持一定的纸浆浓度,然后才能顺利地烘干、成卷。按标准稀释粘稠纸浆的控制系统如图(a )所示,兑水的多少决定了纸浆的浓度。系统的信号流图如图(b )所示,其中1)(=s H ,且18)(+=

s K s G c ,)

14(1

)(+=s s G ,试确定:(a )闭环传递函数)(/)()(s R s Y s T =;

(b )当浓度的预期输入为阶跃信号s A s R /)(=时,求系统的稳态误差;(c )若要求稳态误差小于1%,确定K 的取值。(10分)

至烘干、

成形等工序

(b)

十、简要分析连续系统和离散系统中劳斯判据及根轨迹法判断系统稳定性的异同点。(10分)

武汉理工大学2003年研究生入学考试试题

课程代码:476 课程名称:自动控制原理

(共2页,共9题,答题时不必抄题,标明题目序号)

一、简要回答下列问题:(每题8分,共32分)

1.简述劳斯判据的基本内容和两种特例的处理方法。

2.简述现代控制理论与古典控制理论在研究对象、研究方法等方法的差别。

3.简述一个计算机控制系统的组成和各组成部分的作用。

4.描述系统动态性能的指标有哪些,给出它们的定义。

二、单位负反馈系统的开环传递函数为:)

1()

1()(22

1++=

s T s s T K s G K ,)0,,(21>T T K ,输入2)(t t r =,试求系统能稳定工作且稳态误差01.0≤ss e 时,系统各参数应保持的关系。(15分)

三、设如图(a )所示系统的单位阶跃响应如图(b )所示,试确定1K 、2K 和a 的值。(15分)

(b)

四、(15分)已知负反馈系统的开环传递函数为:1

5.0)

15.0()(2

+++=s s s K s G K , (1)绘制K 从0到∞+变化时,系统的概略根轨迹图; (2)确定根轨迹在实轴上的分离点和相应的K 值。

五、已知某反馈系统的开环传递函数为:)

31)(1()(s s s K

s G K ++=,试绘制其幅相频率特性的大致

图形,并确定使系统稳定的K 值范围。(15分)

六、已知某最小相位系统的对数幅频特性如图所示,试确定其开环传递函数。(15分)

)s

七、已知某采样系统如图所示,T=1秒,试求闭环脉冲传递函数。(15分)

八、有一系统传递函数为

)

2(20

)()(+=

s s s U s Y ,试写出其可控规范型实现,并用状态反馈的方法,使得闭环系统的极点为33j ±-。(14分)

九、(14分)已知线性系统的状态转移矩阵)(t Φ为:

??

?

???+-+---=Φ--------t t t

t t t t t e e e

e e e e e t 22222222)(,试求系统的状态矩阵A 。

武汉理工大学2004年研究生入学考试试题

课程代码:476 课程名称:自动控制原理

(共2页,共10题,答题时不必抄题,标明题目序号)

一、系统结构图如图1所示,试求系统传递函数)

()

()(s R s C s =

Φ。(15分)

二、已知单位反馈控制系统的开环传递函数为:)

12)(1()

1()(+++=s s s s K s G τ,请在以K 为横坐标,τ为

纵坐标的平面上,确定系统为稳定的区域。(15分)

三、已知某单位负反馈的二阶系统,其开环传递函数为:)

2()(2

n n s s s G ξωω+=,用实验法获得其零

初始状态下的单位阶跃响应曲线如图2所示,时间单位为s ,试求: 1)传递函数中的参数ξ及n ω;(9分) 2)系统在单位斜坡输入下的稳态误差。(6分)

图2 单位阶越响应

四、已知某负反馈的开环传递函数为:2

)5.0()(+=

s s K

s G ,试绘制系统的闭环根轨迹的大致图形。

并确定根轨迹的分离点坐标和根轨迹与虚轴的交点坐标。(15分)

五、已知某单位负反馈系统的固有部分(控制对象)的传递函数为)

1(10

)(0+=

s s s G ,串联超前校正

装置的传递函数为19

.7163.2)(++=s s

s G C ,试绘制校正后系统的对数幅频特性图,并简要说明该校正装置对系统性能的影响。(15分)

六、已知系统的开环传递函数为)

5)(1()(++=

s s K

s G K ,

(1)求系统的相位稳定裕量为?45时的K 值。(8分) (2)在(1)所求的K 值下,计算增益稳定裕量。(7分)

七、系统结构图如图3所示,其中ZOH 为零阶保持器,采样周期s T 25.0=。输入信号t t r +=2)(,要求稳态误差小于5.0,求K 。(15分)

图3

八、已知系统的传递函数为:8

624

3)(2

3++++=s s s s s G ,求状态反馈阵使系统的闭环极点为1-、22j +-及j 22--。(15分)

九、已知系统阵为:??

????--=5610

A ,求系统的状态转移阵。

(14分)

十、已知系统的状态空间描述为:u x r s x ????

?

?????+??????????-=1000110000 ,x q y ???

???=00100。分析系统的状态能控性、状态能观性及输出的能控性。(16分)

武汉理工大学2005年研究生入学考试试题

课程代码:476 课程名称:自动控制原理

(共2页,共10题,答题时不必抄题,标明题目序号)

一、(15分)已知系统结构图如下图,请写出其闭环传递函数)

()

()(s R s C s =

Φ。

二、(12分)已知控制系统的结构图如下图,输入为单位阶跃信号,求零初始条件下的输出响应)(t c 。

三、(18分)已知单位反馈系统的开环传递函数为:)

86()(2

*

++=s s s K s G ,试画出该系统闭环根轨迹图,并求出根轨迹与实轴和虚轴的交点。

四、(18分)单位负反馈的开环传递函数为:)

2()(+=

s s K

s G ,

对系统阶跃响应的设计要求为:峰值时间s T P 1.1=,超调量为%5=。

a 、试判断系统能否同时满足这两个指标的要求?

b 、若不能同时满足上述要求,试确定增益K 的折衷值,使系统能够满足按相同比例放大两个指标

的设计要求。

五、(15分)a 、确定系统对斜坡输入t t r =)(的稳态误差表达式,其中K 、m K 、b K 为未定参数。

b 、若10=m K ,05.0=b K ,选择K 的取值,使系统的稳态误差等于1。

武汉理工大学《控制工程基础》考研模拟试题三套含参考答案

2015年武汉理工大学《控制工程基础》模拟题1 1、 选择填空(30分,每小题2分) (下列各题均给出数个答案,但只有一个是正确的,请将正确答案的序号写在空白 处) 1.1在下列典型环节中,属于振荡环节的是 。 (A) 101.010)(2++= s s s G (B) 1 01.01)(2 ++=s s s G (C) 101 )(+=s s G 1.2系统的传递函数定义为在零初始条件下输出量的Laplace 变换与输入量的Laplace 变换之比,其表达式 。 (A )与输入量和输出量二者有关 (B )不仅与输入量和输出量二者有关,还与系统的结构和参数有关 (C )只与系统的结构和参数有关,与输入量和输出量二者无关 1.3系统峰值时间p t 满足 。 (A ) 0)(=p p o dt t dx (B ))()(∞=o p o x t x (C ))()()(∞??≤∞-o o p o x x t x 其中,)(t x o 为系统的单位阶跃响应。 1.4开环传递函数为G (s )的单位反馈系统的静态速度误差系数的计算式为 。 (A) )(lim 0 s G K s v →= (B) )(lim 2 s G s K s v →= (C) )(lim 0 s sG K s v →= 1.5最大百分比超调量(%)p M 的定义式为 。 (A ))()(max (%)∞-=o o p x t x M (B) %100) () ()(max (%)∞∞-= o o o p x x t x M (C )) () (max (%)t x t x M i o p = 其中,)(t x i 为系统的输入量,)(t x o 为系统的单位阶跃响应,)(max t x o 为)(t x o 的最大值。 1.6给同一系统分别输入)sin()(11t R t x i ω=和)sin()(2t R t x r i ω=这两种信号(其中, r ω是系统的谐振频率,1ω是系统正常工作频率范围内的任一频率),设它们对应的稳态输出分别为)sin()(1111?ω+=t C t x o 和)sin()(222?ω+=t C t x r o ,则 成立。 (A )21C C > (B )12C C > (C )21C C = 1.7 若一单位反馈系统的开环传递函数为) ()(1220 a s a s a s G += , 则由系统稳定的必 要条件可知, 。 (A )系统稳定的充分必要条件是常数210,,a a a 均大于0

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

控制工程基础2006年期末试题

清华大学本科生考试试题专用纸 考试课程 控制工程基础 (卷) 年 月 日 . 设有一个系统如图所示,, , (),当系统受到输入信号t t x i sin 5)(= 的作用时,试求系统的稳态输出)(t x o 。(分 ) i x o x K K D 图 . 设一单位反馈系统的开环传递函数为 ) 11.0(100 )(+= s s s G 现有三种串联校正装置,均为最小相位的,它们的对数幅频特性渐近线如图所示。 若要使系统的稳态误差不变,而减小超调量,加快系统的动态响应速度,应选取哪种校正装置?系统的相角裕量约增加多少?(分) ) L (w ) (d B ) () ) L (w ) (d B ) ) L (w ) (d B ) () ()

图 . 对任意二阶环节进行校正,如图,如果使用控制器, , 均为实数,是否可以实现闭环极点的任意配置?试证明之。(分) 图 . 一个未知传递函数的被控系统,先未经校正,构成单位反馈闭环。经过测试,得知闭环系统的单位阶跃响应如图所示。 问:() 系统的开环低频增益是多少?(分) () 如果用主导极点的概念用低阶系统近似该系统,试写出其近似闭环传递函数;(分) ()如果采用形式的串联校正()I c 1 K G s s =+,在什么范围内时,对原开环系统 相位裕量的改变约在 5.7~0-??之间?(分) 17/8 图 .已知计算机控制系统如图所示,采用数字比例控制()D z K =,其中>。设采样周期 (i X s ) z 图 ()试求系统的闭环脉冲传递函数() ()() o c i X z G z X z =; (分) ()试判断系统稳定的值范围; (分) ()当系统干扰()1()n t t =时,试求系统由干扰引起的稳态误差。 (分)

应用化学《结构化学》期末考试试卷A答案

贵州师范大学2008 — 2009 学年度第 一 学期 《结构化学》课程期末考试试卷评分标准 (应用化学专业用,A 卷;闭卷) 物理常数: m e = 9.109×10-31 kg; e = 1.602×10-19 C; c = 2.998×108 m/s; h = 6.626×10-34 J ·s; 一、填空题(本大题共20空,每空 2 分,共 40 分)请将正确答案填在横线上。 1. 结构化学是研究 物质的微观结构及其宏观性能关系 的科学。 2. 测不准原理意义是: 不可能同时准确测定微观体系的位置坐标和动量 。 3. 态叠加原理是: 由描述某微观体系状态的多个波函数ψi 线性组合而成的波函数ψ也能描述这个微观体系的状态 。 4. 若Schr?dinger (薛定谔)方程?ψ = E ψ成立,力学量算符?对应的本征值是 E 。 5. 变分原理: 用试探波函数求解所得到体系的能量总是不低于体系基态真实的能量 。 6. H 2+成键轨道是 ψ1 ,反键轨道是 ψ2 ,电子总能量是ab S E ++= 11β α,键级为 0.5 。 7. 等性sp 3 杂化,杂化指数是 3 。该杂化轨道p p s s sp c c 22223φφ+=Φ,则2 1c +2 2c = 1 。 8. 根据休克尔分子轨道(HMO)理论,苯分子中六个π电子的离域能是: 2β 。 9. O 2分子的键级是 2 , 分子中有 2 个单电子,分子是顺磁性,磁矩为2.828 B. M.。 10. 丁二烯分子C (1)H 2—C (2)H —C (3)H —C (4)H 2的四个π分子轨道和能级分别是: ψ1 = 0.3717φ1 + 0.6015φ2 + 0.6015φ3 + 0.3717φ4, E 1 = α + 1.618β ψ2 = 0.6015φ1 + 0.3717φ2 - 0.3717φ3 - 0.6015φ4, E 2 = α + 0.618β ψ3 = 0.6015φ1 - 0.3717φ2 - 0.3717φ3 + 0.6015φ4, E 3 = α - 0.618β ψ4 = 0.3717φ1 - 0.6015φ2 + 0.6015φ3 - 0.3717φ4, E 4 = α - 1.618β 由此可知,丁二烯π分子轨道的HOMO 是ψ2, LUMO 是 ψ3 , 四个π电子的总能量是4α + 4.742β, 这四个π电子的稳定化能是 |0.742β| ; C (1)—C (2)之间总键级为 1.894 , C (2)—C (3)之间的总键级为 1.447 ; 已知碳原子的最大成键度是4.732,则C (1)的自由价为 0.838 , C (2)的自由价为 0.391 。 二、单项选择题(本大题共10小题,每小题2分,共20分) 11. (A) 12. (C) 13. (D) 14. (A) 15. (A) 16. (D) 17. (D) 18. (D) 19. (B) 20. (B) 三、判断题(本大题共10小题,每小题1分,共10分):对的在括号内画√,错的画× 21. × 22. √ 23. √ 24. √ 25. √ 26. √ 27. √ 28. √ 29. √ 30. √ 四、名词解释(本题共5小题,每小题2分,共10分) 31. [分子]: 保持物质化学性质不变的最小微粒 32. [分子轨道]: 描述分子中电子运动状态的数学函数式 33. [算符]: 用于计算力学量的运算规则 34. [分裂能]: 配位中心原子(过渡金属原子或离子)在配位场作用下其d 轨道分裂为高能级和低能级,高–低能级差即分裂能 35. [John –Teller(姜泰勒)效应]: 过渡金属原子或离子在配位场作用下其d 轨道分裂后使d 轨道中电子分布不均而导致配合物偏离正多面体的现象 五、计算题(本大题共4小题,任选两小题,每小题10分,共20分) 36. 对共轭体系: 将π电子简化为一维势箱模型,势箱长度约为1.3×10-9 米,计算π电子跃迁时所吸收光的最大波长。 解:分子中共有10个π电子,电子排布为: 252 42322 21ψψψψψ。电子从能量最高的占据轨道5ψ跃迁到能量最低的轨道6ψ上所需要的能量: 19 2 93123422222210925.3) 103.1(101.98)10626.6()56(8)56(----?=??????-=-=?ml h E n (焦) ()() 1119 8 3410064.510 925.310998.210626.6---?=????=?=E hc λ(米)

武汉理工大学物流学院复试资料控制工程2习题解答

二 题目:已知()t t f 5.0=,则其()[]=t f L 【 】 A. 2 5.0s s + B. 2 5.0s C. 2 21s D. s 21 分析与提示:由拉氏变换的定义计算,可得()[]2 1 5 .0s t f L = 答案:C 题目:函数f (t )的拉氏变换L[f(t)]= 。 分析与提示:拉氏变换定义式。 答案:dt e t f st ? ∞ -0 )( 题目:函数()at e t f -=的拉氏变换L[f(t)]= 。 分析与提示:拉氏变换定义式可得,且f(t)为基本函数。 答案:a s +1 题目:若t e t t f 22 )(-=,则( )=)]([t f L 【 】 A. 22+s B. 3 )2(2 +s C.2 2-s D. 3 ) 2(2 -s 分析与提示:拉氏变换定义式可得,即常用函数的拉氏变换对,3 )2(2 )]([+=s t f L 答案:B 题目:拉氏变换存在条件是,原函数f(t)必须满足 条件。 分析与提示:拉氏变换存在条件是,原函数f(t)必须满足狄里赫利条件。 答案:狄里赫利 题目:已知()15.0+=t t f ,则其()[]=t f L 【 】 A. 2 5.0s s + B. 2 5.0s

C. s s 1212+ D. s 21 分析与提示:由拉氏变换的定义计算,这是两个基本信号的和,由拉氏变换的线性性质,其拉氏变换为两个信号拉氏变换的和。()[]s s t f L 1 15 .02 += 答案:C 题目:若()s s s s F ++= 21 4,则()t f t ∞→lim )=( )。 【 】 A. 1 B. 4 C. ∞ D. 0 分析与提示:根据拉氏变换的终值定理)(lim )(lim )(0 s sF t f f s t →∞ →==∞。即有 41 4lim )(lim 20 =++=→∞ →s s s s t f s t 答案:B 题目:函数()t e t f at ωcos -=的拉氏变换L[f(t)]= 。 分析与提示:基本函数t ωcos 的拉氏变换为 2 2ω+s s ,由拉氏变换的平移性质可知 ()[]() 2 2 ω +++= a s a s t f L 。 答案:()2 2ω +++a s a s 题目:若()a s s F += 1 ,则()0f )=()。 分析与提示:根据拉氏变换的初值定理)(lim )(lim )0(0 s sF t f f s t ∞ →→==。即有 111lim 1 lim )(lim )0(0 =+ =+==→→→s a a s s t f f s s t 答案:1 题目:函数()t t f =的拉氏变换L[f(t)]= 。 分析与提示:此为基本函数,拉氏变换为 2 1s 。

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

机械控制工程基础期末试卷 答案2

一. 填空题(每小题2.5分,共25分) 1. 对控制系统的基本要求一般可以归纳为稳定性、 快速性 和 准确性 。 2. 按系统有无反馈,通常可将控制系统分为 开环系统 和 闭环系统 。 3. 在控制工程基础课程中描述系统的数学模型有 微分方程 、 传递函数 等。 4. 误差响应 反映出稳态响应偏离系统希望值的程度,它用来衡量系统 控制精度的程度。 5. 一阶系统 1 1 Ts 的单位阶跃响应的表达是 。 6. 有系统的性能指标按照其类型分为时域性能指标和 频域性能指标 。 7. 频率响应是线性定常系统对 谐波 输入的稳态响应。 8. 稳态误差不仅取决于系统自身的结构参数,而且与 的类型有关。 9. 脉冲信号可以用来反映系统的 。 10. 阶跃信号的拉氏变换是 。 二. 图1为利用加热器控制炉温的反馈系统(10分) 电压放大 功率放大 可逆电机 + -自偶调压器~220V U f +给定毫 伏信号 + -电炉热电偶加热器 U e U g 炉温控制系统 减速器 - 图1 炉温控制结构图 试求系统的输出量、输入量、被控对象和系统各部分的组成,且画出原理方框图,说明其工作原理。 三、如图2为电路。求输入电压i u 与输出电压0u 之间的微分方程, 并求该电路的传递函数(10分) 图2 R u 0 u i L C u 0 u i C u 0 u i R (a) (b) (c)

四、求拉氏变换与反变换(10分) 1.求[0.5]t te -(5分) 2.求1 3 [] (1)(2) s s s - ++ (5分) 五、化简图3所示的框图,并求出闭环传递函数(10分)

结构化学试卷(附答案)

《结构化学》课程 A 卷 专业班级: 命题教师: 审题教师: 学生姓名: 学号: 考试成绩: 一、判断题(在正确的后画“√”,错误的后面画“×”,10小题,每小题1分,共10分) 得分: 分 1、自轭算符的本征值一定为实数。 ( ) 2、根据测不准原理,任一微观粒子的动量都不能精确测定。 ( ) 3、一维势箱中的粒子其能量是量子化的,并且存在零点能。 ( ) . 4、原子中全部电子电离能之和等于各电子所在原子轨道能总和的负值。( ) 5、同核双原子分子中两个2p 轨道组合总是产生型分子轨道。 ( ) 6、具有未成对电子的分子是顺磁性分子,所以只有含奇数个电子的分子才是顺磁性的。 ( ) 7、在休克尔分子轨道法中不需要考虑?H π的具体形式。 ( ) 8、既具有偶极矩,又具有旋光性的分子必属于C n 点群。 ( ) 9、含不对称 C 原子的分子具有旋光性。 ( ) 10、分子的偶极距一定在分子的每一个对称元素上。 ( ) 二、单项选择题(25小题,每小题1分,共25分) 得分: 分 — 1、关于光电效应,下列叙述正确的是: ( ) A 光电流大小与入射光子能量成正比 B 光电流大小与入射光子频率成正比 C 光电流大小与入射光强度没关系 D 入射光子能量越大,则光电子的动能越大 2、在一云雾室中运动的α粒子(He 的原子核), 其 27416.8410,10m kg v m s --=?=?质量速度,室径210x m -=,此时可观测到 它的运动轨迹,这是由于下列何种原因: ( ) A 该粒子不是微观粒子 B 测量的仪器相当精密

C 该粒子的运动速度可测 D 云雾室的运动空间较大 3、 | 4、 对于"分子轨道"的定义,下列叙述中正确的是: ( ) A 分子中电子在空间运动的波函数 B 分子中单个电子空间运动的波函数 C 分子中单电子完全波函数(包括空间运动和自旋运动) D 原子轨道线性组合成的新轨道 4、若K d =?τψ2 ,利用下列哪个常数乘 可以使之归一化 ( ) A . K B . K 2 C .K /1 D. K 5、对算符而言,其本征函数的线性组合具有下列性质中的 ( ) ~ A .是该算符的本征函数 B .不是该算符的本征函数 C .不一定是该算符的本征函数 D .与该算符毫无关系 6、下列函数是算符d /dx 的本征函数的是: ( ) A. e 2x B. cos(x) C. x D. sin(x 3) 7、处于状态2sin()x a a πψ= 的一维势箱中的粒子,其出现在x =2 a 处的概率密度为 ( ) A. 0.25ρ= B. 0.5ρ= C. 2/a ρ= D. ()1/2 2/a ρ= 8、 He +在321 ψ状态时,物理量有确定值的有 ( ) A .能量 B .能量和角动量及其沿磁场分量 ^ C .能量、角动量 D .角动量及其沿磁场分量 9、下列归一化条件正确的是 ( ) A. ?∞ =02 1d r ψ B. ?∞ =02 1d r R C. ??∞ =0π 2021d d φθY D. ?=π 02 1d sin θθΘ 10、用来表示核外某电子的运动状态的下列各组量子数(n, 1, m, m s )中,正确

武汉理工控制工程第四章习题解答

习题解答: 4-1负反馈系统的开环传递函数 G s F s K G s s 1 s 2 ,试绘制闭环系统的根轨迹。 解:根轨迹有3个分支,分别起始于0,-1, -2,终止于无穷远。 a a 180 , 60。 实轴上的根轨迹是(-a, -2]及[-1,0]。 d(s 3 第 2s) 0 ds 可得,$ 0.422, S 2 1.578 ; s 1 0.422是分离 点。 根轨迹见图4-28。 4-2系统的开环传递函数为 S 1 1 j - 3在根轨 迹上,并求出相应的根轨迹增益 K G 和开环增益 解:若点&在根轨迹上,则点 示。 s 1应满足相角条件 G(s)H (s) (2k 1) ,如图4-29所 图 4-29

3 6 1 3 1 1 1 1 3 K 8 2 2 6 3 z 2 4 j4 0 (2) P 2 j1 1 (3) P 1 6 5 4 0 1 (4) z P 解 4 T ■o f 宴轴 实轴 5 2 1 p 2,3 (1 ) Z 1,2 K G K G P 0 I J 3 2 (1 j 3 4) (1 j .3 2) (1 b.3 1) 一 0 2 趕 0 --0.2 0 2 所以,K G 12 对于S 1 1 j . 3 ,由相角条件 4-3已知开环零点 z ,极点p ,试概略画出相应的闭环根轨迹图。 图 4-30( 1) 图 4-30( 2) 图 4-30( 3) G(s)H(s) 满足相角条件,因此 s 1 1 j .3在根轨迹上。将?代入幅值条件: G(s)H(s) -0 4 A2 .10 -8 -6 -J *2 0 图 4-30( 4) -1.U

王兆安版电力电子技术试卷及答案

20××-20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) (时间90分钟 满分100分) (适用于 ××学院 ××级 ××专业学生) 一、 填空题(30分,每空1分)。 1.如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是________,属于半控型器件的是________,属于全控型器件的是________;属于单极型电力电子器件的有________,属于双极型器件的有________,属于复合型电力电子器件得有 ________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作频率最高的是________,属于电压驱动的是________,属于电流驱动的是________。(只写简称) 2.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为 _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ;带阻感负载时,α角移相范围为 ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3.直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4.升降压斩波电路呈现升压状态时,占空比取值范围是__ _。 5.与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时,单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7.三相交交变频电路主要有两种接线方式,即 _和 。 8.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ;控制方式是 。 9.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为 型逆变器和 型逆变器。 10.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题(18分,每题6分)。 1.逆变电路多重化的目的是什么?如何实现?串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合? 2.交流调压电路和交流调功电路有什么异同? 3.功率因数校正电路的作用是什么?有哪些校正方法?其基本原理是什么? 三、计算题(40分,1题20分,2题10分,3题10分)。 1.一单相交流调压器,电源为工频220V ,阻感串联作为负载,其中R=0.5Ω,L=2mH 。 试求:①开通角α的变化范围;②负载电流的最大有效值;③最大输出功率及此时电源侧的功率因数;④当2πα=时,晶闸管电流有效值,晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2..三相桥式电压型逆变电路,工作在180°导电方式,U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 .如图所示降压斩波电路E=100V ,L 值极大,R=0.5Ω,E m =10V ,采用脉宽调制控制方式,T=20μs ,当t on =5μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值

结构化学试卷附答案

结构化学试卷附答案Newly compiled on November 23, 2020

《结构化学》课程 A卷 专业班级:命题教师:审题教师: 学生姓名:学号:考试成绩: 一、判断题(在正确的后画“√”,错误的后面画“×”,10小题,每小题1分,共10分) 得分:分 1、自轭算符的本征值一定为实数。() 2、根据测不准原理,任一微观粒子的动量都不能精确测定。() 3、一维势箱中的粒子其能量是量子化的,并且存在零点能。() 4、原子中全部电子电离能之和等于各电子所在原子轨道能总和的负值。() 5、同核双原子分子中两个2p轨道组合总是产生型分子轨道。() 6、具有未成对电子的分子是顺磁性分子,所以只有含奇数个电子的分子才是顺磁性 的。() 7、在休克尔分子轨道法中不需要考虑?H 的具体形式。() 8、既具有偶极矩,又具有旋光性的分子必属于C n点群。() 9、含不对称 C 原子的分子具有旋光性。() 10、分子的偶极距一定在分子的每一个对称元素上。() 二、单项选择题(25小题,每小题1分,共25分)得分:分 1、关于光电效应,下列叙述正确的是:() A 光电流大小与入射光子能量成正比 B 光电流大小与入射光子频率成正比 C 光电流大小与入射光强度没关系 D 入射光子能量越大,则光电子的动能越大

2、在一云雾室中运动的α粒子(He 的原子核), 其 27416.8410,10m kg v m s --=?=?质量速度,室径210x m -=,此时可观测到它的运动 轨迹,这是由于下列何种原因: ( ) A 该粒子不是微观粒子 B 测量的仪器相当精密 C 该粒子的运动速度可测 D 云雾室的运动空间较大 3、对于"分子轨道"的定义,下列叙述中正确的是: ( ) A 分子中电子在空间运动的波函数 B 分子中单个电子空间运动的波函数 C 分子中单电子完全波函数(包括空间运动和自旋运动) D 原子轨道线性组合成的新轨道 4、若K d =?τψ2 ,利用下列哪个常数乘可以使之归一化 ( ) A . K B . K 2 C .K /1 5、对算符而言,其本征函数的线性组合具有下列性质中的 ( ) A .是该算符的本征函数 B .不是该算符的本征函数 C .不一定是该算符的本征函数 D .与该算符毫无关系 6、下列函数是算符d /dx 的本征函数的是: ( ) A. e 2x B. cos(x) C. x D. sin(x 3) 7、处于状态sin()x a πψ= 的一维势箱中的粒子,其出现在x =2 a 处的概率密度为 ( ) A. 0.25ρ= B. 0.5ρ= C. 2/a ρ= D. ()1/2 2/a ρ= 8、He +在321ψ状态时,物理量有确定值的有 ( ) A .能量 B .能量和角动量及其沿磁场分量 C .能量、角动量 D .角动量及其沿磁场分量

最新电力电子技术试题及答案(1)

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( ) 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( ) A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、

最新结构化学复习题及答案精编版

2020年结构化学复习题及答案精编版

一、 填空题(每空1 分,共 30分) 试卷中可能用到的常数:电子质量(9.110×10-31kg ), 真空光速(2.998×108m.s -1), 电子电荷(-1.602×10-19C ),Planck 常量(6.626×10-34J.s ), Bohr 半径(5.29×10-11m ), Bohr 磁子(9.274×10-24J.T -1), Avogadro 常数(6.022×1023mol -1) 1. 导致"量子"概念引入的三个著名实验分别是 黑体辐射___, ____光电效应____ 和___氢原子光谱_______. 2. 测不准关系_____?x ? ?p x ≥ ________________。 3. 氢原子光谱实验中,波尔提出原子存在于具有确定能量的( 稳定状态(定 态) ),此时原子不辐射能量,从( 一个定态(E 1) )向(另一个定态(E 2))跃迁才发射或吸收能量;光电效应实验中入射光的频率越大,则( 能量 )越大。 4. 按照晶体内部结构的周期性,划分出一个个大小和形状完全一样的平行六面体,以代表晶体结构的基本重复单位,叫 晶胞 。 5. 方程中,a 称为力学量算符?Skip Record If...?的 本征值 。 6. 如 果某一微观体系有多种可能状态,则由它们线性组合所得的状态也是体系的可能状态,这叫做 态叠加 原理。 7. 将多电子原子中的其它所有电子对某一个电子的排斥作用看成是球对称的,是只与径向有关的力场,这就是 中心力场 近似。 8. 原子单位中,长度的单位是一个Bohr 半径,质量的单位是一个电子的静止质量,而能量的单位为 27.2 eV 。 9. He + 离子的薛定谔方程为____?Skip Record If...? ______ ___。 10. 钠的电子组态为1s 22s 22p 63s 1,写出光谱项__2S____,光谱支项____2S 0______。 11. 给出下列分子所属点群:吡啶____C 2v ___,BF 3___D 3h ___,NO 3-_____ D 3h ___,二茂铁____D 5d _________。 12. 在C 2+,NO ,H 2+,He 2+,等分子中,存在单电子σ键的是____ H 2+____,存在三电子σ键的是______ He 2+_____,存在单电子π键的是____ NO ____,存在三电子π键的是____ C 2+__________。 13. 用分子轨道表示方法写出下列分子基态时价电子组态,键级,磁性。 O 2的价电子组态___1σg 21σu 22σg 22σu 23σg 21πu 41πg 2_([Be 2] 3σg 21πu 41πg 2)_键级__2___磁性__顺磁性___。 NO 的价电子组态____1σ22σ23σ24σ21π45σ22π(KK1σ22σ21π43σ22π)___键级 ____2.5_______磁性________顺磁性__________。 14. d z 2sp 3杂化轨道形成______三方双锥形____________几何构型。 d 2sp 3杂化轨道形成_________正八面体形 ___________几何构型。 15. 原子轨道线性组合成分子轨道的三个原则是___对称性一致(匹配)原则____,____最大重叠原则_____和___能量相近原则_____ 16. 事实证明Li 的2s 轨道能和H 的1s 轨道有效的组成分子轨道,说明原因(对称性一致(匹配)原则 )、( 最大重叠原则 )、( 能量相近原则 )。 ψψa A =?

电力电子技术试题及答案(3)

考试试卷 一、填空题(本题共17小题,每空1分,共20分) 1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有与。 2、选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以。 3、晶闸管的导通条件是。 4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO。 5、从晶闸管的伏安特性曲线可知,晶闸管具有的特性。 6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。 7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法,目前采用较多的是 触发方法。 8、可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。 9、在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。 10、三相桥式整流电路中,当控制角α=300时,则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。 11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中,如与不考虑漏抗的相比,则使输出电压平均值。 12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。 13、有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压U d的极性必 须保证与直流电源电势E d的极性成相连,且满足|U d|<|E d|。 14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败,一般βmin应取,以保 证逆变时能正常换相。 15、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为f r,三 角波的频率为f c,则载波比表达式为K= 。 16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量,并用 电阻将其消耗。 17、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。 二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分) 1、晶闸管的伏安特性是指( ) A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系 C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系

控制工程基础期末试题

控制工程基础期末试题 一、单项选择题(本大题共10小题,每小题2分,,共20分) 1.如果系统中加入一个微分负反馈,将使系统的超调量σp( ) A.增加 B.减小 C.不变 D.不定 2.运算放大器具有_____的优点。( ) A.输入阻抗高,输出阻抗低 B.输入阻抗低,输出阻抗高 C.输入阻抗高,输出阻抗高 D.输入、输出阻抗都低 3.在伯德图中反映系统抗高频干扰能力的是( ) A.低频段 B.中频段 C.高频段 D.无法反映 4.设开环系统频率特性G(jω)= ,当ω=1rad/s时,其频率特性幅值M(1)=( ) A. B.4 C. D.2 5.设开环传递函数G(s)H(s)= ,α>0,K>0,随着K增大,闭环系统 ( ) A.相对稳定性变差,快速性不变 B.相对稳定性变好,快速性不变 C.相对稳定性不变,快速性变好 D.相对稳定性变差,快速性变差 6.对于一阶、二阶系统来说,系统特征方程的系数都是正数是系统稳定的( ) A.充分条件 B.必要条件 C.充分必要条件 D.以上都不是 7.开环传递函数为G(s)H(s)=, 则实轴上的根轨迹为( ) A.〔-4,∞) B.〔-4,0〕 C.(-∞,-4) D. 〔0,∞〕 8.进行串联滞后校正后,校正前的穿越频率ωc与校正后的穿越频率的关系,通常是( ) A.ωc= B.ωc> C.ωc< D.ωc与无关 9.PID控制规律是____控制规律的英文缩写。( ) A.比例与微分 B.比例与积分 C.积分与微分 D.比例、积分与微分 10.比例环节的频率特性相位移θ(ω)=( ) A.90° B.-90° C.0° D.-180° 二、填空题(本大题共10小题,每小空1分,共15分) 1.根轨迹全部在根平面的__________部分时,系统总是稳定的。 2.设系统的频率特性G(jω)=R(ω)+JI(ω),则相频特性∠G(jω)=__________。 3.随动系统中常用的典型输入信号是__________和__________。 4.超前校正装置的最大超前角处对应的频率ωm=__________。 5.根据系统给定值信号特点,控制系统可分为__________控制系统、__________控制系统和程序控制系统。

武汉理工大学2018物流学院复试资料机械控制工程基础复习题及参考答案

机械控制工程基础 一、单项选择题: 1. 某二阶系统阻尼比为0,则系统阶跃响应为 [ ] A. 发散振荡 B. 单调衰减 C. 衰减振荡 D. 等幅振荡 2. 一阶系统G(s)= 1 +Ts K 的时间常数T 越小,则系统的输出响应达到稳态值的时间 [ ] A .越长 B .越短 C .不变 D .不定 3. 传递函数反映了系统的动态性能,它与下列哪项因素有关? [ ] A.输入信号 B.初始条件 C.系统的结构参数 D.输入信号和初始条件 4.惯性环节的相频特性)(ωθ,当∞→ ω时,其相位移)(∞θ为 [ ] A .-270° B .-180° C .-90° D .0° 5.设积分环节的传递函数为G(s)= s 1 ,则其频率特性幅值M(ω)= [ ] A. ωK B. 2K ω C. ω 1 D. 2 1ω 6. 有一线性系统,其输入分别为u 1(t)和u 2(t)时,输出分别为y 1(t)和y 2(t)。当输入为a 1u 1(t)+a 2u 2(t)时(a 1,a 2为常数),输出应为 [ ] A. a 1y 1(t)+y 2(t) B. a 1y 1(t)+a 2y 2(t) C. a 1y 1(t)-a 2y 2(t) D. y 1(t)+a 2y 2(t) 7.拉氏变换将时间函数变换成 [ ] A .正弦函数 B .单位阶跃函数 C .单位脉冲函数 D .复变函数 8.二阶系统当0<ζ<1时,如果减小ζ,则输出响应的最大超调量%σ将 [ ] A.增加 B.减小 C.不变 D.不定 9.线性定常系统的传递函数,是在零初始条件下 [ ] A .系统输出信号与输入信号之比 B .系统输入信号与输出信号之比 C .系统输入信号的拉氏变换与输出信号的拉氏变换之比 D .系统输出信号的拉氏变换与输入信号的拉氏变换之比 10.余弦函数cos t ω的拉氏变换是 [ ] A. ω+s 1 B.2 2s ω+ω C.22s s ω + D. 2 2 s 1ω + 11. 微分环节的频率特性相位移θ(ω)= [ ] A. 90° B. -90° C. 0° D. -180° 12. II 型系统开环对数幅频渐近特性的低频段斜率为 [ ] A. -40(dB/dec) B. -20(dB/dec)

结构化学期末考试试卷( C )

西南大学结构化学期末考试试卷( C ) 一判断题(15 ) 1、( )在光电效应实验中,当入射光的频率增大,光电子的动能增大;入射光的强度越大,则光电流越大。 2、( )某状态的电子在空间某点的几率密度不随着时间的变化而变化,称此状态为定态。 3、( ) 保里原理是指等同粒子体系的波函数必须用slater行列式描述,符合 反对称要求。 4、( ) 由于MO理论采用单电子近似, 所以在讨论某个电子的运动时完全忽略了其它电子的作用 5、( ) 具有自旋未成对电子的分子是顺磁性分子, 但不一定只有含奇数个电子的分子才能是顺磁性的。 6、( )晶体场理论认为, 中心离子与配位体之间的静电作用是络合物稳定存在的主要原因。 7、( )用HMO理论处理, 直链共轭烯烃的各π分子轨道都是非简并的。 8、( )顺磁性分子也有反磁性,但顺磁性大于反磁性。 9、( )晶体的所有宏观对称元素都是其微观对称元素。 10、( )某金属原子采用A 1 堆积型式,其晶胞型式为简单立方。 二选择题(20 ) 1、Ψ 321 的节面有()个,其中()个球面。 A、3 B、2 C、1 D、0 2、下列函数是算符d2/dx2的本征函数的是:();本征值为:()。 A、3x4 B、SinX C、x2e x D、x3 E、3 F、-1 G、1 H、2 3、单个电子的自旋角动量的值是:() :12/2:6/2 C: 6/4 D:3/4 A h B h h h ππππ 4、KCl属于NaCl型晶体,一个晶胞中含()个K+ A、 1 B、2 C、 4 D、 6 5、下列络离子几何构型偏离正八面体最大的是(): A、[Cu(H 2O) 6 ]2+ B、 [Co(H 2 O) 6 ]2+ C、 [Fe(CN) 6 ]3- D、[Ni(CN) 6 ]4- 6、CH 3-CH 2 -OH中OH质子的核磁共振峰发生分裂是由于 ( ) A、受邻近C核自旋的影响 B、受邻近O核自旋的影响 C、受邻近电子自旋的影响 D、受邻近H核自旋的影响 7、金属Cu晶体具有立方面心晶胞,则Cu的配位数为(),堆积类型为()。 A、4 B、6 C、8 D、12 E、A 1 F、A 2 G、A 3 9、电子云图是下列哪一种函数的图形:() A、D(r) B、R(r) C、ψ2(r,θ,φ) D、ψ(r,θ,φ)

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