1121230104电子01实验六

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电子技术基础实验指导书.doc.deflate

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电子技术基础实验指导书工学院电子信息与电气工程系通信教研室实验要求1.实验前必须充分预习,完成指定的预习任务。

预习要求如下:1认真阅读实验指导书,分析、掌握实验电路的工作原理,并进行必要的估算。

2完成各实验“预习要求”中指定的内容。

3熟悉实验任务。

4复习实验中所用各仪器的使用方法及注意事项。

2.使用仪器和实验箱前必须了解其性能、操作方法及注意事项,在使用时应严格遵守。

3.实验时接线要认真,相互仔细检查,确定无误才能接通电源,初学或没有把握应经指导教师审查同意后再接通电源。

4.模拟电路实验注意:1在进行小信号放大实验时,由于所用信号发生器及连接电缆的缘故,往往在进入放大器前就出现噪声或不稳定,有些信号源调不到毫伏以下,实验时可采用在放大器输入端加衰减的方法。

一般可用实验箱中电阻组成衰减器,这样连接电缆上信号电平较高,不易受干扰。

2做放大器实验时如发现波形削顶失真甚至变成方波,应检查工作点设置是否正确,或输入信号是否过大,由于实验箱所用三极管h fe较大,特别是两级放大电路容易饱和失真。

5.实验时应注意观察,若发现有破坏性异常现象(例如有元件冒烟、发烫或有异味应立即关断电源,保持现场,报告指导教师。

找出原因、排除故障,经指导教师同意再继续实验。

6.实验过程中需要改接线时,应关断电源后才能拆、接线。

7.实验过程中应仔细观察实验现象,认真记录实验结果(数据波形、现象。

所记录的实验结果经指导教师审阅签字后再拆除实验线路。

8.实验结束后,必须关断电源、拔出电源插头,并将仪器、设备、工具、导线等按规定整理。

9.实验后每个同学必须按要求独立完成实验报告。

目录实验一常用电子仪器的使用 (1实验二单管交流放大电路 (3实验三直流差动放大电路 (7实验四负反馈放大电路 (9实验五门电路逻辑功能测试 (12实验六组合逻辑电路 (16实验七译码器 (19实验八触发器 (22附录 (24实验一常用电子仪器的使用一、实验目的:1.熟悉函数信号发生器、示波器、交流毫伏表及数字万用表的工作原理。

电子功能材料实验报告(3篇)

电子功能材料实验报告(3篇)

第1篇一、实验目的本次实验旨在了解电子功能材料的制备、表征及其在电子器件中的应用。

通过实验,掌握电子功能材料的制备方法、结构表征技术以及器件制备的基本流程,为今后从事相关领域的研究和工作打下基础。

二、实验内容1. 电子功能材料的制备- 采用化学气相沉积(CVD)法制备氮化镓(GaN)薄膜。

- 采用溶液法合成ZnO纳米颗粒。

2. 电子功能材料的表征- 利用X射线衍射(XRD)分析GaN薄膜的晶体结构和物相组成。

- 利用扫描电子显微镜(SEM)观察ZnO纳米颗粒的形貌和尺寸。

- 利用透射电子显微镜(TEM)观察GaN薄膜的微观结构。

3. 电子器件的制备与应用- 利用制备的GaN薄膜制备高电子迁移率晶体管(HEMT)。

- 利用制备的ZnO纳米颗粒制备光致发光二极管(LED)。

三、实验过程1. 电子功能材料的制备- 氮化镓(GaN)薄膜的制备:将高纯度氮化氢气体和氢气通入CVD反应室,在高温下使氮化氢气体分解,与氢气反应生成GaN薄膜。

- 氧化锌(ZnO)纳米颗粒的制备:将ZnO前驱体溶液滴加到去离子水中,在超声搅拌下进行溶液法合成。

2. 电子功能材料的表征- X射线衍射(XRD)分析:将制备的GaN薄膜和ZnO纳米颗粒进行XRD测试,分析其晶体结构和物相组成。

- 扫描电子显微镜(SEM)观察:将制备的ZnO纳米颗粒进行SEM测试,观察其形貌和尺寸。

- 透射电子显微镜(TEM)观察:将制备的GaN薄膜进行TEM测试,观察其微观结构。

3. 电子器件的制备与应用- 高电子迁移率晶体管(HEMT)制备:将制备的GaN薄膜进行掺杂,制备HEMT器件。

- 光致发光二极管(LED)制备:将制备的ZnO纳米颗粒与有机材料复合,制备LED器件。

四、实验结果与分析1. 电子功能材料的制备- 通过CVD法制备的GaN薄膜,XRD测试结果显示为纤锌矿结构,晶格常数为a=0.318 nm,c=0.617 nm。

- 通过溶液法制备的ZnO纳米颗粒,SEM测试结果显示颗粒形貌为球形,平均粒径约为30 nm。

电子认识实验报告

电子认识实验报告

一、实验目的1. 熟悉常用电子元器件的名称、外形、符号、主要参数和功能。

2. 掌握电子元器件的识别方法和测量方法。

3. 了解电子元器件在实际电路中的应用。

二、实验原理电子元器件是电子电路的基本组成单元,主要包括电阻、电容、电感、晶体管、集成电路等。

本实验主要对以下几种电子元器件进行认识与测量:1. 电阻:电阻是一种具有阻碍电流通过的特性的元件,用字母R表示,单位为欧姆(Ω)。

2. 电容:电容是一种储存电荷的元件,用字母C表示,单位为法拉(F)。

3. 电感:电感是一种储存磁能的元件,用字母L表示,单位为亨利(H)。

4. 晶体管:晶体管是一种具有放大、开关等功能的半导体器件,主要有三极管、场效应晶体管等。

5. 集成电路:集成电路是将多个电子元器件集成在一个半导体芯片上的电子器件,具有体积小、功能多、可靠性高等特点。

三、实验设备及器材1. 电阻、电容、电感、晶体管、集成电路等常用电子元器件。

2. 万用表:用于测量电阻、电容、电感等参数。

3. 示波器:用于观察电路的波形和信号。

4. 信号发生器:用于产生各种波形信号。

5. 螺丝刀、导线等工具。

四、实验步骤1. 识别电子元器件(1)观察元器件的外形和符号,识别其名称和功能。

(2)了解元器件的主要参数,如电阻的阻值、电容的容量、电感的电感值等。

2. 测量电子元器件(1)使用万用表测量电阻的阻值。

(2)使用万用表测量电容的容量。

(3)使用万用表测量电感的电感值。

3. 电路搭建与测试(1)根据实验要求,搭建电路。

(2)使用信号发生器产生所需波形信号。

(3)使用示波器观察电路的波形和信号。

4. 数据记录与分析(1)记录实验过程中测得的各项数据。

(2)分析实验数据,验证实验结果。

五、实验结果与分析1. 电阻的测量通过实验,我们测量了电阻的阻值,并与标称值进行了比较。

实验结果表明,所测电阻的阻值与标称值基本一致。

2. 电容的测量通过实验,我们测量了电容的容量,并与标称值进行了比较。

电子材料测试技术 实验

电子材料测试技术  实验

5
流占优势. 形成一股由半导体到金属的反向电流, 由于金属中的电子要越过相当高的势垒才 能到达半导伴,因此反向电流很小。从图中还可看出金属一边势垒不随外加电压变化,因此 从金属到半导体的电子流是恒定的, 当反向电压提高到使半导体到金属的电子流可以忽略不 计时,反向电流将趋于饱和值。以上的讨论说明这样的阻挡层具有类似p-n的伏安特性,即 有整流作用。 对p型阻挡层的讨论完全类似,不同的是这时(Vs)o>0,正向电压和反向电压的极性正 好与n型阻挡层相反。当V<0,即金属加负电压时,形成从半导体流向金属的正向电流;当 V>0,即金属加正电压时,形成反向电流。无论是哪种阻挡层,正向电流都相应于多数载 流子到金属所形成的电流。
qФns
qVD=-q(Vs)0 qФns
-q[(Vs)0+V] -qФns qV -qV -q[(Vs)0+V]
(a)
G 1 12V 2
2 G
(b) 图 2-4 外加电压对 n 型阻挡层的影响
G 1 12V 1 R 2 A Y 轴 2
(c)
G
R
Y 轴 1
~
R
Y 轴
+
R A
Y 轴
R1
R2' B
R3'
R1'
图 2-3 点接触法测定半导体类型装置示意图 [实验原理] 点接触整流法是根据金属与半导体点接触的整流效应来判别材料的导电类型。 我们知道处于平衡态的阻挡层中是没有净电流流过的, 因为从半导体进入金属的电子流 和从金属进入半导体的电子流大小相等,方向相反,构成动态平衡。在紧密接触的金属和半 导体之间加上电压时,并且外加电压V与原来半导体表面和内部之间的电势差-表面势(Vs)的 符号相同时,阻挡层势垒将提高到-q[(Vs)0 +V],否则将降低。图2-4表示外加电压对n型阻 挡层的影响。此时(Vs)o<0,加外加电压后,半导体和金属不再处于相互平衡状态,二者没 有统一的弗米能级。 半导体内部弗米能级和金属弗米能级之差, 等于由外加电压所引起的静 电势能差。图2-4(b)表示加正向电压(即V>0)时的情况。半导体一边的势垒由qVD=-q(Vs)o降 低到-q[(Vs)o +V]。这时,从半导体到金属的电子数目增加,超过从金属到半导体的电子数, 形成一股从金属到半导体的正向电流,它是由n型半导体中多数载流子构成的。图2-4(c)表示 加反向电压时的情况,即,V<0,从半导体到金属的电子数目减少,金属到半必须注意,在相同条件下,p 型半导体的温差电动势的方向与 n 型的相反。因为当温度增 加时,载流子浓度初速度都增加,它们由热端扩散至冷端,如果载流子是电子,则热端缺少 电子,冷端有过剩电子,产生由热端指向冷端的电场,即热端电势高,冷端电势低;如果载 流子是空穴,则热端缺少空穴,冷端有过剩空穴,冷端电势较高。形成的冷端指向热端的电 场。所以由半导体的温差电动势的正负可以判断半导体的导电类型。 [干扰因素] (1) 此外温差不宜太大、否则热探笔可能使材料处于本征激发状态,电子一空穴成对产 生, 同样的增加量却使电子和空穴造成的浓差不一样, 例如lΩ﹒cm的n型硅, n0=5.5 15 3 4 3 l0 ×10 /cm ,p0=3.1×10 /cm ,若热激发注入非平衡载流子∆n=∆p=l0 /cm3, 由于∆n <<n0, ∆p>>p0因此热端相对于冷端, 建立的是少子的浓差, 引起少子的扩散, 从而建立电位差,这个电位差会削弱多子扩散而建立起来的电位差,甚至可能造成 误判别,因此在实验中还必须制备测量道,探针改为探笔,重压被测面,都是为了 消除少子注入的严重后果,在研究单位还可以看到样品放在液氨里采用冷热探笔法 判别某些化合物半导体型号的例子。 (2) 一些高电阻率的硅和锗试样,由于其电子迁移率高干空穴迁移率,在热探针的温度 下尤多呈现为本征半导体材料。因此,在此温度下其热电势总是负的。

元素周期表实验报告

元素周期表实验报告

元素周期表实验报告一、实验目的深入了解元素周期表的结构和性质,通过实验探究元素的周期性规律,验证元素周期表中元素的化学性质与其在周期表中的位置之间的关系。

二、实验原理元素周期表是按照元素的原子序数、电子构型和化学性质等规律排列而成的。

同一周期的元素从左到右,原子半径逐渐减小,金属性逐渐减弱,非金属性逐渐增强;同一主族的元素从上到下,原子半径逐渐增大,金属性逐渐增强,非金属性逐渐减弱。

这些周期性规律可以通过一系列化学实验进行验证。

三、实验仪器和药品仪器:试管、滴管、酒精灯、镊子、砂纸、烧杯。

药品:钠、镁、铝、钾、钙、铜、稀盐酸、稀硫酸、氢氧化钠溶液、酚酞试液。

四、实验步骤1、金属与酸的反应(1)分别取少量的钠、镁、铝,用砂纸打磨除去表面的氧化膜,放入三支试管中,然后分别加入适量的稀盐酸。

观察并记录反应的剧烈程度、产生气泡的快慢。

(2)将钾、钙、铜分别放入三支试管中,加入适量的稀硫酸。

观察并记录反应现象。

2、金属与碱溶液的反应(1)取少量的铝片放入试管中,加入适量的氢氧化钠溶液,观察是否有气体产生。

3、金属的活动性比较(1)将打磨后的钠、镁、铝分别投入到盛有适量水的烧杯中,观察反应的剧烈程度。

五、实验现象及分析1、金属与酸的反应(1)钠与稀盐酸反应非常剧烈,迅速产生大量气泡,溶液温度升高,钠浮在液面上迅速游动。

这表明钠的金属性很强,在同一周期中位于前列。

(2)镁与稀盐酸反应较为剧烈,产生大量气泡,但反应速度较钠慢。

说明镁的金属性较钠弱,但在同一周期中仍属于较活泼的金属。

(3)铝与稀盐酸反应缓慢,产生气泡较少。

表明铝的金属性较弱,在同一周期中位于镁之后。

(4)钾与稀硫酸反应极其剧烈,甚至发生燃烧,产生大量的热和气体。

说明钾的金属性极强,在同一主族中位于钠之上。

(5)钙与稀硫酸反应剧烈,产生大量气泡和热量。

钙的金属性强于镁。

(6)铜与稀硫酸不反应,说明铜在常见金属中属于不活泼的金属。

2、金属与碱溶液的反应铝与氢氧化钠溶液反应产生气泡,这表明铝具有一定的非金属性。

11122电路与电子学实验指导书n

11122电路与电子学实验指导书n

《电路与电子学》实验指导书许昌学院计算机科学与技术学院实验一常用电子元器件及其检测1. 实验目的与要求(1)熟悉常用电子元器件的外形及参数标注。

(2)学会用万用电表测量元件参数。

2. 实验器材(1)万用表1只(2)不同型号的电阻器、电容器若干只。

3. 训练内容和步骤(1)电阻的识别和检测,将结果填入表1-1中.(2)电容器的识别和检测,将结果记录于表1-2中(3)万用表的使用①将万用表的功能转换开关旋至交流电压挡,按要求测试三相交流电源的线电压、相电压值,记录于表1-3中。

②测量直流电压和电流按电路图1-1连好线,测试电源电压,电阻R的电压及回路中的电流。

将结果记录于表中1-4中。

图1-1直流电压和电流测量电路表1-4直流电压和电流的测量4.报告要求(1)画出测试电路。

(2)整理各表中的测试数据。

(3)总结万用表的使用方法及注意事项。

实验二 戴维宁定理的验证1. 实验目的与要求(1)初步掌握有源线性二端网络的参数的测定方法。

(2)加深对戴维宁定理的理解。

2. 实验器材(1)直流稳压电源 1台 (2)电阻器1K Ω、1.5K Ω、200Ω、100Ω/0.25W 各一只 (3)数字万用表 1只 3.实验内容与步骤 实验电路如图2-1所示。

图4-2 戴维宁定理验证电路图(1)线性有源二端网络参数UOC 的测定方法:U OC 采用直接测量法:当所用万用表的内阻R V 远大于等效电阻R O 时,可直接将电压表并联在有源线性二端网络两端,电压表的指示值即为开路电压U OC (如图2-2所示)。

图2-2 开路电压Uoc 测试图(2)测二端网络的等效电阻Ro 的方法:等效电阻Ro 的测试方法有电阻等效变换法、开路短路法、外加电源法。

本实验采用开路短路法(如图2-2)或等效电阻法(如图2-3所示),对于开路短路法:U对于电阻等效变换法:令有源二端网络中的所有独立源置零,即将直流稳压电源关掉,把两根电源线短接,测试除源后的二端网络的等效电阻Ro (如图2-3所示)。

六个电工电子实验(新)

电工电子实验指导书电工电子实验中心实验室地址:一号实验楼四楼1421电工仪表室(由南头楼梯上)目录实验1 叠加原理实验 (2)实验2 基尔霍夫定律实验 (3)实验3 三相交流电路电压、电流的测量 (5)实验4 常用电子仪器的使用 (7)实验5 射极跟随器 (10)实验6 组合逻辑电路的设计与测试 (14)实验1 叠加原理实验一、实验目的验证线性电路叠加原理的正确性,加深对线性电路的叠加性和齐次性的认识和理解。

二、原理说明叠加原理指出:在有多个独立源共同作用下的线性电路中,通过每一个元件的电流或其两端的电压,可以看成是由每一个独立源单独作用时在该元件上所产生的电流或电压的代数和。

线性电路的齐次性是指当激励信号(某独立源的值)增加或减小K 倍时,电路的响应(即在电路中各电阻元件上所建立的电流和电压值)也将增加或减小K倍。

四、实验内容实验线路如图1-1所示,用DGJ-03挂箱的“基尔夫定律/叠加原理”线路。

图1-11. 将两路稳压源的输出分别调节为12V和6V,接入U1和U2处。

2. 令U1电源单独作用(将开关K1投向U1侧,开关K2投向短路侧)。

用直流数字电压表和毫安表(接电流插头)测量各支路电流及各电阻元件两端的电压,数据记入表1-1。

3. 令U2电源单独作用(将开关K1投向短路侧,开关K2投向U2侧),重复实验步骤2的测量和记录,数据记入表1-1。

4. 令U1和U2共同作用(开关K1和K2分别投向U1和U2侧),重复上述的测量和记录,数据记入表1-1。

五、实验注意事项1. 用电流插头测量各支路电流时,或者用电压表测量电压降时,应注意仪表的极性,正确判断测得值的+、-号后,记入数据表格。

2. 注意仪表量程的及时更换。

六、预习思考题1. 在叠加原理实验中,要令U1、U2分别单独作用,应如何操作?可否直接将不作用的电源(U1或U2)短接置零?2. 实验电路中,若有一个电阻器改为二极管,试问叠加原理的迭加性与齐次性还成立吗?为什么?七、实验报告1. 根据实验数据表格,进行分析、比较,归纳、总结实验结论,即验证线性电路的叠加性与齐次性。

理化电子实验报告

实验名称:理化电子实验实验日期:2023年3月15日实验地点:实验室实验人员:张三、李四、王五一、实验目的1. 理解和掌握电子在电场、磁场中的运动规律;2. 掌握示波器的基本操作和调试方法;3. 学习利用示波器观察电子束的偏转和聚焦现象;4. 熟悉实验数据处理和误差分析。

二、实验原理1. 电子在电场中的运动:当电子束进入电场时,会受到电场力的作用,导致电子束偏转。

根据库仑定律,电子在电场中的加速度与电场强度成正比,与电子电荷量成反比。

2. 电子在磁场中的运动:当电子束进入磁场时,会受到洛伦兹力的作用,导致电子束偏转。

根据洛伦兹力公式,电子在磁场中的加速度与磁场强度、电子速度和电荷量成正比,与电子速度方向垂直。

3. 电子束的聚焦:利用电场和磁场对电子束进行聚焦,使电子束在荧光屏上形成清晰的图像。

三、实验仪器与设备1. 电子束实验仪:包括示波器、电子枪、偏转板、磁场发生器等;2. 直流稳压电源;3. 数字多用表;4. 荧光屏。

四、实验步骤1. 调节示波器,使其处于正常工作状态;2. 调节电子枪,使电子束聚焦在荧光屏上;3. 调节偏转板,观察电子束在电场和磁场中的偏转情况;4. 改变电场和磁场强度,观察电子束偏转的变化;5. 利用数字多用表测量电子束的偏转距离和聚焦效果;6. 记录实验数据,进行数据处理和误差分析。

五、实验结果与分析1. 电子束在电场中的偏转:通过调节偏转板,使电子束在垂直方向上偏转,观察荧光屏上的图像。

根据实验数据,计算电子束在电场中的加速度和偏转距离。

2. 电子束在磁场中的偏转:通过调节磁场发生器,使电子束在水平方向上偏转,观察荧光屏上的图像。

根据实验数据,计算电子束在磁场中的加速度和偏转距离。

3. 电子束的聚焦:通过调节电子枪和偏转板,使电子束在荧光屏上形成清晰的图像。

根据实验数据,分析电子束的聚焦效果。

六、实验误差分析1. 系统误差:由于实验仪器的精度限制,导致实验数据存在一定的误差;2. 随机误差:由于实验操作的不稳定性,导致实验数据存在一定的随机误差;3. 误差来源:电子束的发射、聚焦、偏转等过程中,存在一定的误差。

电子实验1,2

长春市机电工程技术学校教案授课教师:张鑫授课科目:电子实验教授班级:教授日期:年月日节至节调节的,我们称之为固定电阻,而可以调节的,我们称之为可调电阻.常见的例如收音机音量调节的,主要应用于电压分配的,我们称之为电位器.b.按制造材料:碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等.c.按安装方式:插件电阻、贴片电阻.电阻主要参数:阻值,精度,温度系数(温漂TCR),封装大小2、敏感电阻器常识a.热敏电阻:是一种对温度极为敏感的电阻器.分为正温度系数和负温度系数电阻器.选用时不仅要注意其额定功率、最大工作电压、标称阻值,更要注意最高工作温度和电阻温度系数等参数,并注意阻值变化方向.b.光敏电阻:阻值随着光线的强弱而发生变化的电阻器. 分为可见光光敏电阻、红外光光敏电阻、紫外光光敏电阻.选用时先确定电路的光谱特性.内容三色环电阻识别顺序1、概念色环标示主要应用圆柱型的电阻器上,如:碳膜电阻、金属膜电阻、金属氧化膜电阻、保险丝电阻、绕线电阻。

主要分两部分:第一部分的每一条色环都是等距,自成一组,容易和第二部分的色环区分。

四个色环电阻的识别:第一、二环分别代表两位有效数的阻值;第三环代表倍率;第四环代表误差。

五个色环电阻的识别:第一、二、三环分别代表三位有效数的阻值;第四环代表倍率;第五环代表误差。

2、识别方法技巧技巧1:先找标志误差的色环,从而排定色环顺序。

最常用的表示电阻误差的颜色是:金、银、棕,尤其是金环和银环,一般绝少用做电阻色环的第一环,所以在电阻上只要有金环和银环,就可以基本认定这是色环电阻的最末一环。

技巧2:棕色环是否是误差标志的判别。

棕色环既常用做误差环,又常作为有效数字环,且常常在第一环和最末一环中同时出现,使人很难识别谁是第一环。

在实践中,可以按照色环之间的间隔加以判别:比如对于一个五道色环的电阻而言,第五环和第四环之间的间隔比第一环和第二环之间的间隔要宽一些,据此可判定色环的排列顺序。

技巧3:在仅靠色环间距还无法判定色环顺序的情况下,还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。

电工电子学实验报告

一、实验目的本次实验旨在通过实际操作,使学生掌握电工电子学的基本原理和技能,了解电路元件的特性和使用方法,提高学生的动手能力和实践操作技能。

同时,通过实验培养学生严谨的科学态度和良好的实验习惯。

二、实验器材1. 电源:直流稳压电源2. 电阻:1kΩ、10kΩ、100kΩ各一只3. 电容:0.1μF、1μF、10μF各一只4. 电感:10mH、100mH各一只5. 三极管:2N2222、2N3904各一只6. 二极管:1N4148、1N4007各一只7. 电压表、电流表、示波器8. 导线、连接器、面包板、万用表等9. 实验指导书三、实验内容及步骤1. 电阻、电容、电感的认识与测量(1)认识电阻、电容、电感元件,了解其基本特性和使用方法。

(2)用万用表测量电阻、电容、电感的阻值。

(3)将测量结果与标称值进行对比,分析误差产生的原因。

2. 基本电路的搭建与测试(1)搭建简单的串联电路,测试电路的电压、电流分配情况。

(2)搭建简单的并联电路,测试电路的电压、电流分配情况。

(3)搭建简单的混联电路,测试电路的电压、电流分配情况。

3. 基本放大电路的搭建与测试(1)搭建共射极放大电路,测试电路的放大倍数。

(2)搭建共集电极放大电路,测试电路的输入阻抗和输出阻抗。

(3)搭建共基极放大电路,测试电路的带宽和线性范围。

4. 基本整流电路的搭建与测试(1)搭建半波整流电路,测试电路的输出电压和纹波系数。

(2)搭建全波整流电路,测试电路的输出电压和纹波系数。

(3)搭建桥式整流电路,测试电路的输出电压和纹波系数。

5. 基本滤波电路的搭建与测试(1)搭建低通滤波电路,测试电路的截止频率和通带增益。

(2)搭建高通滤波电路,测试电路的截止频率和通带增益。

(3)搭建带通滤波电路,测试电路的截止频率和通带增益。

四、实验结果与分析1. 电阻、电容、电感的测量结果与标称值基本吻合,误差在可接受范围内。

2. 串联电路、并联电路、混联电路的电压、电流分配符合基本电路规律。

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《VHDL与数字系统设计》课程设计报告
( 2013 -- 2014 年度第 1 学期)
名称:VHDL与数字系统设计
题目:简单状态机
院系:电气与电子工程学院
班级:电子1201
学号:1121230104
学生姓名:程驰
指导教师:高雪莲
设计周数:2周
成绩:
日期:2014年 1 月日
一、课程设计的目的与要求
1.设计目的
●熟悉MAXPLUS2/Quartus II软件,掌握软件的VHDL程序输入、程序编译和程序仿真操作;
●学习利用VHDL语言设计简单状态机程序。

2.设计要求
●根据设计正文提出的简单状态机要求设计相应VHDL程序。

二、设计正文
设计一个简单状态机的电路,其功能如下:Array其中:状态有六种状态,分别为s0—s5;Q为输出值,只有从S5到S0的状态转换时,Q=1;k为控制信号,当K=1时,进行状态转换,k=0时,状态保持。

分析:
由该实验的功能可知该状态机共存在六种不同的状态S0、S1、S2、S3、S4、S5。

因此需定义六个不同
的状态变量,且每种状态应该能显示出当前的状态S,同时输出Q。

且状态的切换是取决于K的状态的。

由所学可知,状态机至少要有一个时钟信号,因此规定当且仅当时钟为上升沿时触发状态变换。

此外,考虑到不同情况下的初始状态问题,于是设置了一个状态清零信号reset,当reset信号的输入值为1时,状态强制变为S0。

考虑到上述条件,于是reset信号具有最高的优先级。

状态的切换与各状态的输出均可以靠CASE语句得以实现。

于是可得程序源代码。

源代码:
LIBRARY IEEE;
USE ieee.std_logic_1164.all; --调用库函数
ENTITY statework IS
PORT(clk,K,reset:IN STD_LOGIC; --定义输入端口
Q:OUT STD_LOGIC;
NOW:OUT STD_LOGIC_VECTOR(5 DOWNTO 0)); --定义输出端口
END statework;
ARCHITECTURE rtl OF statework IS
TYPE statetype IS(S0,S1,S2,S3,S4,S5); --定义状态变量S0—S5
SIGNAL present_state:statetype; --定义当前状态信号
BEGIN
P1:PROCESS(clk) --第一阶段(状态的跳变)
BEGIN
IF(clk'event AND clk='1')THEN --当遇到时钟上升沿
IF(reset='1')THEN
present_state<=S0; --当reset输入为1,当前状态变为S0
ELSE
CASE present_state IS --在reset输入不为1的状态
WHEN S0=>
IF(K='1')THEN
present_state<=S1;
ELSE
present_state<=S0;
END IF;
WHEN S1=>
IF(K='1')THEN
present_state<=S2;
ELSE
present_state<=S1;
END IF;
WHEN S2=>
IF(K='1')THEN
present_state<=S3;
ELSE
present_state<=S2;
END IF;
WHEN S3=>
IF(K='1')THEN
present_state<=S4;
ELSE
present_state<=S3;
END IF;
WHEN S4=>
IF(K='1')THEN
present_state<=S5;
ELSE
present_state<=S4;
END IF;
WHEN S5=>
IF(K='1')THEN
present_state<=S0;
ELSE
present_state<=S5;
END IF; --定义状态的跳变过程
WHEN OTHERS=>
present_state<=S0; --在非此六个状态的情况下将状态强制变为S0 END CASE;
END IF;
END IF;
END PROCESS;
P2:PROCESS(present_state) --第二阶段(状态的输出)
BEGIN
CASE present_state IS
WHEN S0=>
NOW<="100000";
Q<='0';
WHEN S1=>
NOW<="010000";
Q<='0';
WHEN S2=>
NOW<="001000";
Q<='0';
WHEN S3=>
NOW<="000100";
Q<='0';
WHEN S4=>
NOW<="000010";
Q<='0';
WHEN S5=>
NOW<="000001";
Q<='1';
END CASE; --定义不同状态下状态信号的输出,
END PROCESS;
END rtl;
三、课程设计总结或结论
图 1 状态机清零信号
1.由图1所示,当状态清零信号reset的输入值为1的情况下,无论原状态为什么,信号均跳变且维持在S0:10000的状态。

由红色区域所示,受系统结构的限制,状态的输出与信号的输入之间存在着一定的延迟时间,但从整体可认为与程序设计要求相符。

图 2 状态机状态的跳变及保持
2.由图2所示,当reset信号不为0,且K的输入值为1的情况下。

随着时钟上升沿的到来,状态发生跳变,
从001000跳变至000100,再跳变至000010,然后到000001。

且当状态为000001时,输出信号Q的值为1;而当K的输入值为0的情况下,当前状态保持不变。

由红色区域所示,受系统结构的限制,状态的输出与信号的输入之间存在着一定的延迟时间。

但从整体来看可知实验进行成功。

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