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材料化学考试题及答案

材料化学考试题及答案

材料化学考试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 材料化学中,以下哪种材料不属于金属材料?A. 钢B. 陶瓷C. 铝D. 铜答案:B2. 以下哪种技术不是用于制备纳米材料的?A. 溶胶-凝胶法B. 激光烧蚀C. 机械研磨D. 电化学沉积答案:C3. 材料的热处理过程中,淬火的目的是:A. 提高硬度B. 增加韧性C. 减少脆性D. 增加导电性答案:A4. 下列哪种材料具有超导性?A. 铜B. 铝C. 陶瓷D. 铌钛合金答案:D5. 以下哪种材料是半导体材料?A. 石墨B. 金刚石C. 硅D. 金答案:C6. 材料的疲劳断裂通常发生在:A. 材料表面B. 材料内部C. 材料的缺陷处D. 材料的接合处答案:C7. 以下哪种测试方法用于评估材料的热稳定性?A. 拉伸试验B. 压缩试验C. 热重分析D. 硬度测试答案:C8. 材料的断裂韧性通常用以下哪个参数表示?A. 弹性模量B. 屈服强度C. 疲劳极限D. 临界应力强度因子答案:D9. 以下哪种材料是磁性材料?A. 橡胶B. 塑料C. 铁D. 玻璃答案:C10. 材料的塑性变形通常发生在:A. 弹性范围之外B. 弹性范围之内C. 断裂点D. 疲劳点答案:A二、填空题(每题2分,共20分)1. 材料的______是指材料在受到外力作用时,能够发生形变而不立即断裂的能力。

答案:韧性2. 金属材料的______是指材料在受到外力作用时,能够抵抗永久变形的能力。

答案:硬度3. 材料的______是指材料在受到外力作用时,能够抵抗断裂的能力。

答案:强度4. 纳米材料的______特性使其在许多领域具有独特的应用潜力。

答案:量子尺寸效应5. 材料的______是指材料在受到重复或交变应力作用时,发生断裂的能力。

答案:疲劳6. 材料的______是指材料在受到温度变化时,能够保持其性能不变的能力。

答案:热稳定性7. 材料的______是指材料在受到电场作用时,能够抵抗电流通过的能力。

材料化学期末考试题

材料化学期末考试题

材料化学期末考试题一、选择题(每题2分,共20分)1. 材料化学中,下列哪种材料属于无机非金属材料?A. 塑料B. 陶瓷C. 橡胶D. 合金2. 陶瓷材料的主要成分是什么?A. 金属氧化物B. 有机高分子C. 硅酸盐D. 碳化物3. 下列哪种材料不属于复合材料?A. 玻璃钢B. 碳纤维增强塑料C. 铝合金D. 钢化玻璃4. 材料的热导率与下列哪个因素无关?A. 材料的晶体结构B. 材料的密度C. 材料的电导率D. 材料的热膨胀系数5. 材料的硬度通常与下列哪个因素有关?A. 材料的弹性模量B. 材料的屈服强度C. 材料的断裂韧性D. 材料的塑性变形能力6. 材料的疲劳寿命与下列哪个因素无关?A. 材料的表面粗糙度B. 材料的微观结构C. 材料的化学成分D. 材料的密度7. 材料的断裂韧性通常与下列哪个因素有关?A. 材料的弹性模量B. 材料的屈服强度C. 材料的硬度D. 材料的塑性变形能力8. 下列哪种材料的抗腐蚀性能最好?A. 不锈钢B. 铝合金C. 铜合金D. 铁合金9. 材料的断裂韧性与下列哪个因素无关?A. 材料的微观结构B. 材料的化学成分C. 材料的表面粗糙度D. 材料的密度10. 材料的热膨胀系数与下列哪个因素有关?A. 材料的晶体结构B. 材料的密度C. 材料的电导率D. 材料的热导率二、填空题(每空1分,共20分)1. 材料的强度是指材料在受到外力作用时,能够承受的最大______而不发生破坏的能力。

2. 材料的韧性是指材料在受到外力作用时,能够吸收______而不发生断裂的能力。

3. 材料的硬度是指材料抵抗______的能力。

4. 材料的疲劳是指材料在受到周期性变化的外力作用时,经过一定次数的循环后发生______的现象。

5. 材料的断裂韧性是指材料在存在裂纹的情况下,能够抵抗______的能力。

6. 材料的热膨胀系数是指材料在温度变化时,其体积或长度发生______的能力。

材料化学》考试试题重点

材料化学》考试试题重点

1、什么是材料化学其主要特点是什么答:材料化学是与材料相关的化学学科的一个分支,是与材料的结构、性质、制备及应用相关的化学。

材料化学的主要特点是跨学科性和实践性2、一些物理量在元素周期表中规律,答:电离势同一周期的主族元素从左到右增大,稀有气体最大;同一周期的副族元素从左到右略有增加。

同一主族,从上到下减小;同一副族从上到下呈无规则变化。

电子亲和势同周期从左到右大体上增加,同族元素变化不大。

电负性同周期从左到右变大,同主族从上到下减小。

材料中的结合键有哪几种各自的特点如何对材料的特性有何影响3、原子间结合键有哪些,怎么分类答:依据键的强弱可分为主价键和次价键。

主价键是指两个或多个原子之间通过电子转移或电子共享而形成的键合,即化学键;主要包括离子键、共价键和金属键。

次价键如范德华键是一种弱的键合力,是物理键,氢键也是次价键。

4、谈谈化学锈蚀和电化学锈蚀的各自特点和机理。

答:化学锈蚀是指金属与非电解质接触时,介质中的分子被金属表面所吸附并分解成原子,然后与金属原子化合,生成锈蚀产物。

可以利用致密氧化膜的保护特性。

电化学锈蚀原理与金属原电池的原理相同。

即当两种金属在电解质溶液中构成原电池时,作为原电池负极的金属就会被锈蚀。

在金属材料上外加较活泼的金属作为阳极,而金属材料作为阴极,电化学腐蚀时阳极被腐蚀金属材料主体得以保护。

5、如何防止或减轻高分子材料的老化答:在制造成品时通常都要加入适当的抗氧化剂和光稳定剂(光屏蔽剂、紫外线吸收剂、猝灭剂)可提高其抗氧化能力。

6、试解释为何铝材不易生锈,而铁则较易生锈答:铝在空气中可以生成致密得氧化物膜,阻止与空气得进一步接触,所以不易生锈;铁在空气中生成疏松得氧化物膜,不能隔绝空气,特别是铁在潮湿得空气中能够发生电化学反应,因此加大了锈蚀,所以铁较易生锈。

7、谈谈热膨胀系数相关知识。

答:热膨胀系数分线膨胀系数和体膨胀系数。

不同材料的膨胀系数不同。

金属和无机非金属的膨胀系数较小,聚合物材料的膨胀系数较大。

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一填空题01)材料是具有使其能够用于机械、结构、设备和产品性质的物质。

这种物质具有一定的性能或功能。

02)材料按照化学组成、结构一般可分为金属材料、无机非金属材料、聚合物材料和复合材料。

03)材料按照使用性能可分为结构材料和功能材料。

结构材料更关注于材料的力学性能;而另一种则考虑其光、电、磁等性能。

04)材料化学是关于材料的结构、性能、制备和应用的化学。

05)一般材料的结构可分为三个层次,分别是微观结构、介观结构和宏观结构。

06)对于离子来说,通常正离子半径小于相应的中性原子,负离子的半径则变大。

(7)晶体可以看成有无数个晶胞有规则的堆砌而成。

其大小和形状由晶轴(a,b,c)三条边和轴间夹角(α,β,γ)来确定,这6个量合称晶格参数。

08)硅酸盐基本结构单元为硅氧四面体,四面体连接方式为共顶连接。

09)晶体的缺陷按照维度划分可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷,其延伸范围为零维、一维、二维和三维。

010)位错分为韧型位错、螺型位错以及由前两者组成的混合位错三种类型。

(11)固溶体分为置换型固溶体和填隙型固溶体,前者溶质质点替代溶剂质点进入晶体结点位置;后者溶质质点进入晶体间隙位置。

(12)材料热性能主要包括热容、热膨胀和热传导。

(13)材料的电性能是指材料被施加电场时的响应行为,包括有导电性、介电性、铁电性和压电性等。

014)衡量材料介电性能的指标为介电常数、介电强度和介电损耗。

015)磁性的种类包括:反磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性和铁氧体磁性等。

016)铁磁材料可分为软磁材料、硬磁材料和矩磁材料。

017)材料的制备一般包括两个方面即合成与控制材料的物理形态。

(18)晶体生长技术主要有熔体生长法和溶液生长法,前者主要包括有提拉法、坩埚下降法、区融法和焰融法等。

(19)溶液达到过饱和途径为:一,利用晶体的溶解度随改变温度的特性,升高或降低温度而达到过饱和;二,采用蒸发等办法移去溶剂,使溶液浓度增高。

材料化学考试试题

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材料化学考试试题
1. 以下哪种是含有硅的常见材料?
A. 铜
B. 铝
C. 玻璃
D. 钢铁
2. 以下哪种金属是一种铁磁材料?
A. 铜
B. 铝
C. 铁
D. 镍
3. 下列哪种化合物是一种半导体材料?
A. NaCl
B. SiO2
C. H2O
D. CaCO3
4. 以下哪种玻璃的硅酸盐组成主要是硼酸盐和硅酸盐?
A. 硼硅玻璃
B. 硼酸玻璃
C. 硅酸玻璃
D. 矽酸盐玻璃
5. 下列有关高分子材料的叙述中,哪个是不正确的?
A. 高分子材料是由很多小分子单体通过聚合反应形成的
B. 高分子材料的强度通常比金属材料要高
C. 塑料和橡胶都是高分子材料的一种
D. 高分子材料可以通过加热熔化再冷却成型
6. 以下选项中哪种是一种合金?
A. 铁
B. 镍
C. 青铜
D. 镁
7. 下面哪种不属于金属材料的特点?
A. 导电
B. 导热
C. 具有良好的可塑性
D. 作为光学材料使用
8. 下列有关陶瓷材料的叙述中,哪个是正确的?
A. 陶瓷材料通常是非晶体结构
B. 陶瓷材料通常是具有金属性的材料
C. 陶瓷材料常常具有较高的硬度和耐磨性
D. 陶瓷材料常用于电线的导体
9. 以下哪种金属是一种轻金属?
A. 铜
B. 铁
C. 铝
D. 镍
10. 下列哪种化合物在建筑材料中广泛使用?
A. 碳酸盐
B. 硫酸盐
C. 氯化物
D. 铬酸盐。

高分子材料化学试题6试题及答案

高分子材料化学试题6试题及答案

高分子材料化学试题6试题及答案1. α-氰基丙烯酸乙酯(B502快干胶的主要成分)接触空气中的微量水汽,能迅速发生聚合反应,并对被粘物产生粘结力。

其聚合机理是( ) [单选题] *A、自由基聚合(正确答案)B、阴离子聚合C、阳离子聚合D、逐步聚合2. 在氢氧化钾等碱性催化剂作用下,环氧乙烷进行开环聚合,合成聚醚的聚合机理是() [单选题] *A、自由基聚合B、阴离子聚合(正确答案)C、阳离子聚合D、逐步聚合3. 在酸性催化剂作用下,四氢呋喃进行开环聚合,合成聚醚的聚合机理是() [单选题] *A、自由基聚合B、阴离子聚合C、阳离子聚合(正确答案)D、逐步聚合4. 工业上,以异丁烯为原料合成聚异丁烯的聚合机理是() [单选题] *A、自由基聚合B、阴离子聚合C、阳离子聚合(正确答案)D、配位聚合5. 工业上,以异丁烯和少量异戊二烯为原料,合成丁基橡胶的聚合机理是() [单选题] *A、自由基聚合B、阴离子聚合C、阳离子聚合(正确答案)D、配位聚合6. 以己内酰胺为原料,进行水解开环聚合,合成尼龙6的聚合机理是()。

[单选题] *A、逐步聚合(正确答案)B、阴离子聚合C、阳离子聚合D、自由基聚合7. 以己内酰胺为原料,在碱性催化剂作用下,合成MC尼龙6的聚合机理是()。

[单选题] *A、逐步聚合B、阴离子聚合(正确答案)C、阳离子聚合D、自由基聚合8. 由我国率先研制成功的尼龙产品是()。

[单选题] *A、尼龙6B、尼龙66C、尼龙610D、尼龙1010(正确答案)9. 在苯酚与甲醛合成酚醛树脂的反应中,苯酚的官能度是()。

[单选题] *A、 1B、 2C、 3(正确答案)D、 410. 在苯酚与甲醛合成酚醛树脂的反应中,甲醛的官能度是()。

[单选题] *A、 1B、 2(正确答案)C、 3D、 411. 主要用于提高结晶性聚合物相对分子质量的缩聚方法是()。

[单选题] *A、熔融缩聚B、溶液缩聚C、界面缩聚D、固相缩聚(正确答案)12. 固相缩聚的反应温度一般在预聚物的()。

C类建筑材料化学分析模考试题(含参考答案)

C类建筑材料化学分析模考试题(含参考答案)

C类建筑材料化学分析模考试题(含参考答案)一、单选题(共40题,每题1分,共40分)1、水泥三氧化硫试验(硫酸钡重量法)时,为了使沉淀良好地形成,在温热处静置至少()A、2B、3C、1D、4正确答案:D2、砂的快速碱-硅酸反应试验,高温养护箱或者养护室的温度应保持在()℃。

A、20±2B、80±2C、40±2D、20±1正确答案:B3、《水泥化学分析方法》GB/T 176-2017中,所用试验均应进行( )次试验,( )次结果的绝对值差在重复性限内,以( )次试验结果的平均值表示测定结果。

A、3,3,3B、4,4,4C、2,2,2正确答案:C4、砂的碱-硅酸反应试验,成型试件的用水量根据胶砂流动度达到()为准。

A、100mm-120mmB、105mm-120mmC、170mm-200mmD、180mm-200mm正确答案:B5、在进行石灰有效氧化钙测定中,应将研磨所得的生石灰样品通过()的筛。

A、0.25mm(圆孔筛)B、0.25mm(方孔筛)C、0.15mm(方孔筛)D、0.15mm(圆孔筛)正确答案:C6、《水泥化学分析方法》GB/T 176-2017中经第一次灼烧、冷却、称量后,通过连续对每次 15min的灼烧,然后冷却、称量的方法来检查恒定质量,当连续两次称量只差小于( )时,即达到恒量A、0.0001gB、0.0004gC、0.0005gD、0.0002g正确答案:C7、EDTA滴定法试验中,对锥形瓶摇动旋转时,应()。

A、先逆时针,后顺时针方向,交替进行B、先顺时针,后逆时针方向,交替进行C、没有严格规定D、向同一个方向旋转正确答案:D8、水泥三氧化硫试验(硫酸钡重量法)时,为了使沉淀良好地形成,应静置一段时间,且溶液的体积应保持在()mLA、400B、100C、200D、300正确答案:C9、EDTA滴定试验中,使用的氯化铵溶液浓度为()。

A、15%B、1%C、10%D、5%正确答案:C10、基准法测定水泥氯离子含量,若滴定消耗的硫氰酸铵标准滴定溶液的体积小于()mL,则较少一半的试样质量重新试验。

硅材料题库

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一、选择题1.硅片制备主要工艺流程是__A__。

A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包2.下列说法错误的是__A__。

A.调整晶体生长的热系统,使热场的径向温度梯度增大B.调节拉晶的运行参数,例如对于凸向熔体的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C.调整晶体或者坩埚的转速,调整高温液流的增减D.增大坩埚内径与晶体直径的比值3、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素( D )A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏4、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率( C )A、越高B、不确定 C 、越低 D、不变5、在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。

A 90%B 92%C 95%D 97%6、下列关于硅的说法不正确的是( D )A.硅是非金属元素,它的单质是灰黑色有金属光泽的固体B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间,是良好的半导体材料C.硅的化学性质不活泼,常温下不与任何物质反应D.加热到一定温度时,硅能与氢气、氧气等非金属发生反应7、关于光生伏特效应叙述中错误的是( C )A用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结;B p、n区都产生电子—空穴对,产生非平衡载流子;C非平衡载流子不破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;8、对于临界晶核,即与母相达成平衡,可以稳定存在的晶核来说,下列应该满足的条件是( B )(1)、母相压强等于外压强(2)、三个相的化学势相等(3)、新相压强大于外压强(4)、新相压强必须小于外压强A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)9、固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在( D )摄氏度以上进行常规热处理。

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材料化学复习题一、概念1.键能与点阵能键能:在标准条件下将1mol 的气态AB 分子中的化学键断开,使每个AB 分子离解成2个中性气态原子A+B 所需的能量。

点阵能:1mol 气态的M Z+和X Z-离子生成1mol MX 晶体时所释放出的总能量称为离子晶体的点阵能,又称为晶格能。

2 删除不考 34.PVD 与CVDPVD :用物理过程制备薄膜的方法称为物理气相沉积法CVD :形成的薄膜材料除了原材料的组成元素外,还在基片上产生与其它组分的化学反应,获得与原成分不同的薄膜材料,这种有化学反应的气相沉积称为化学气相沉积5.热平衡等离子体与非平衡等离子体热平衡等离子体:Te =Ti 时称为热平衡等离子体,简称为热等离子体。

特点:电子温度高,重粒子温度也高。

实际上,所谓完全热平衡状态是不能达到的。

实际上比较容易形成的是各种粒子的温度几乎近似相等(Tg Ti Te ≈≈),组成也接近平衡组成的等离子体,这叫做局域热力学平衡态(LTE 态等离子体),实际使用的LTE 态等离子体在温度约为k 43102~105⨯⨯,且压力>Pa 410条件下产生的。

非平衡等离子体:Te >>Ti特点:电子温度高达k 410以上,离子和原子之类重粒子温度都可低到k 500~300、一般压力<Pa 210下形成。

按其重粒子温度也叫做低温等离子体(cold plasima )。

6.弛豫界面与重构界面弛豫界面:固体表面层之间以及表面和体内原子层之间的垂直距离偏离固体内部的晶格常数,而其晶胞结构基本不变,这种情况称为弛豫重构界面:是指表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内,但重直方向的层间间距与体内相同。

7.等离子体与等离子体鞘等离子体:气体分子电离产生的带电粒子密度达到一定数值时,这种电离气体是有别于普通气体的一种新的物质聚集态,列为物质的第四态。

无论气体是部分电离还是完全电离,其中的正负电荷总数在数值上总是相等的,故称为等离子体。

等离子体就是指电离气体,它是由电子、离子、原子、分子或自由基等粒子组成的集合体。

等离子体鞘:当等离子体与容器壁接触时,表现出与普通气体截然不同的性质。

等离子体不是直接接触器壁的,而是在与器壁表面的交界处,形成一个电中性被破坏了的薄层,实验表明,在这种情况下形成的薄层是一个负电位的区域,它把等离子体包围起来,如在放电管中发生辉光放电时,即可看到等离子体辉光被靠近器壁的一层“暗区”包围的现象,这个偏离电中性薄层就叫做等离子体鞘或称之为鞘层。

形成鞘层位置:器壁处;在插入等离子体的电极近旁;放置于等离子体中的任何绝缘体表面。

8.固体催化剂与助催化剂固体催化剂:固体表面吸附的某些物质,可使固体表面的化学反应速度大大加快,将固体吸附剂吸附了具有催化的吸附质后得到的一种新物质(固体吸附剂+有催化作用的吸附质)称为固体催化剂,固体表面催化实质上是研究这种固体催化剂的表面结构、催化反应机理等一系列问题。

助催化剂:以各种浓度加入的非活性组分,目的在于改善催化剂的催化性能。

根据所起的作用,助催化剂又可分为电子性助催化剂和结构性助催化剂。

9.聚合物的加聚反应与缩聚反应加聚反应:按链锁反应机理进行的反应。

有以下几种基元反应组成:生成活泼反应活性中心的引发反应;活性链不断与单体进行链锁反应的链增长反应,活性链的链终止反应;活性链向其他物质转移的链转移反应。

特点是参加反应的单体一般本身不具有活性,但可在外界的引发下形成活性中心,活性中心,一旦形成立即以极高的速度形成高分子。

产物的分子量基本不随时间变化,而主要取决于活性中心的数目。

缩聚反应:制备主链上含有杂原子的高聚物。

用于制备特种材料。

缩聚反应基于有机化学中的缩合反应,通过官能团间的相互作用,结合成一个新的化合物和一个小分子。

特点是有双官能团的分子才能进行聚合,通过官能团间的作用,一个分子一个分子的聚合起来,反应过程有逐步性,单体几乎立即消失,与时间无关,分子量却随时间的增长而增大,缩聚反应无所谓引发、增长、终止基元反应,仅是官能团间的缩合。

11.固体的表面能将原来位于固体内部,处于均匀力场作用下的质点转变成表面质点(通过分割,粉碎等方式),外界必须对体系作功,以切断其质点之间原有的部分结合键。

外界对体系所作的这部分功,除了以声、光、热等形式消耗掉的之外,都为表面质点所获得并贮存于固体的表面,称为表面能。

P T dA dG ,)(=σ。

12.固体酸和固体碱固体酸:包括给出质子的酸(B 酸)(即布朗斯德酸 Bronsted)或可从反应物接受电子对的L 酸(即路易斯酸 Lewis)两类固体。

固体碱:是指能向反应物给出电子对的固体称为路易斯碱,能接受质子(+H )的物质称布朗斯德碱。

13.表面与界面表面:指物体与真空或本身的蒸气接触的面。

由于绝对的真空并不存在,许多场合下,把固相与气相、液相与气相之间的分界面都称为表面。

固体材料的表面指固体材料与真空或气体相接触的面。

界面:是一个总的名称,即两个独立体系的相交处,它包括了表面、相界、晶界。

界面不是几何学上的平面,而是一个具有一定厚度的过渡区域,该区域厚度通常有一个到几个原子(分子、离子)的厚度。

大量的研究工作表明,表面原子的排列情况与内部有较为明显的差别。

由于位于表面的原子处于周期性排列突然中断的状态,具有附加的表面能,为了降低表面能提高体系的稳定性,表面原子的排列将自发地作出相应调整。

14.一次电池与二次电池一次电池:一次电池是一种经常处于可工作状态、放电后不能靠通入反向电流使两电极的活性物质恢复原来状态的电池。

即一次电池中的活性物质放电耗尽不能再生。

二次电池:二次电池是一种电能的贮存器,电池反应可以正向进行,也可以逆向进行。

放电时为一自发电池,充电时则为一个电解池,充电后,电池容量得到恢复。

好的蓄电池可以反复充电千次以上。

15.光化学初级反应与光化学次级反应光化学反应一般包括光反应的初级过程和次级过程。

光化学反应的初级过程涉及激发态的反应步骤。

光化学反应的次级过程是由初级过程中形成的中间产物所发生的后继反应。

用式子表达如下:激发过程)(11*−−→−M M L γ 构成较复杂的光化学反应⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧→+⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧→++→+→***)()()()(2生成最终产物次级反应生成中间产物无辐射退激过程热量辐射退激过程初级反应B A P P N M M M h M M γ 16.量子产率量子产率:反应物吸收光经由光化反应生成产物的效率,可以用生成产物的量子产率来表征。

是光化学中极为重要的参数之一,它可以用于评价光化学反应的效率。

在光化学中,所涉及的量子产率包括反应物的量子产物和分步反应过程的量子产率。

在提到量子产率时,应明确指出是啊一过程的量子产率。

各个过程速度常数之和某一过程速度常数量子产率= 光化学反应的量子产率与生成产物的化学过程速度常数成正比,与全部分步反应速度常数之和成反比,与反应物吸收的光量无关。

17.化学电源与燃料电池化学电源:是一种能将化学能直接转变成电能的贮能或换能装置燃料电池:是两个电极的反应物和生成物不储存在电池内部,而是由外部连续不断的供给反应物及时从电池内部排除生成物的电池,能连续的把燃料的化学能直接转变成电能的装置18.化学退激与物理退激化学退激:光化学中,指由激发态分子(原子,离子)产生中间产物或直接生成产物的过程。

物理退激:把激发态分子(原子 ,离子)光辐射退激和无辐射退激过程称为物理退激。

由于激发态寿命很短,故对于一个有效的光化学反应欲生成大量的光化学反应产物,其化学退激的速度常数应远大于物理退激的速度常数。

二、简述题无定型材料制备的基本原理1).必须使熔体金属以大于临界速度急速冷却,使结晶过程受阻而形成非晶态,不同成分的非晶态金属的临界冷却进度可在102—107K/s 6个数量级之内变化,且多数非晶态合金可在105—106K/s 的冷却速度下获得。

2).必须将金属玻璃冷到或低于它的再结晶温度,将这种热力学上的亚稳态保存下来,而不向晶态转变。

化学方法制备多晶材料有哪些常用方法?与陶瓷法相比有哪些特点?化学方法制备多晶材料可分为前驱体法,局部氧化还原法,局部离子交换法。

化学法能够得到陶瓷法所难以得到的高纯和均相的材料,并能在较低的温度条件下,采取较容易的方法来得到,制得的材料有很大表面积,对于制备催化剂载体或其它很细的粉体材料非常有用。

陶瓷法:固体原料化合物在一定的较强烈的反应条件下(如加热至1000~2000℃甚至更高温度),晶体的原料粉末互相混合,通过接触的晶面发生离子的自扩散或互扩散,或原有化学键的断裂和新化学键的形成及新物相的生成,晶体结构产生变化,这种变化向固体原料内部或深度扩散,最终导致一种新多晶材料的生成。

陶瓷法的不足:Ⅰ.反应只能在相界面进行,随后的扩散过程也十分困难。

Ⅱ.反应最终得到的往往是反应物和产物的一个混合体系,极难分离或提纯。

Ⅲ.即使反应进行的再完全,也很难得到一个纯相的体系。

Ⅳ.还存在反应容器污染产物的问题。

晶体生长热力学与动力学晶体生长热力学是在生长非常接近于平衡态下,预测生长量、以及成分随温度、压力和实验中其它变数而改变的情况。

实际上,可以认为晶体生长是控制物质在一定的热力学条件下进行的相变过程,通过这一过程使该物质达到符合所需要的状态和性质。

一般的晶体生长多半是使物质从液态(溶、熔)变为固态,成为单晶体。

这就牵涉到热力学中相平衡和相变的问题。

晶体生长动力学主要是阐明在不同生长条件下的晶体生长机制以及晶体生长速率与生长驱动力间的规律。

包括:晶体生长形态学:晶体生长形态与生长速率间的关系,晶体生长的理想形态和实际形态,环境相对晶体形态影响。

研究晶体生长形态学有助于人们认识晶体生长的动力学过程。

晶体生长的输运过程:包括热量、质量和动量输运。

输运过程对晶体生长速率产生限制作用,并支配着生长界面的稳定性,对生长晶体的质量有着极其重要的作用。

晶体生长界面的稳定性:涉及到晶体质量的优劣,当生长优质块状大单晶时,相变必须在稳定的生长界面上发生,以便保持晶体结构基元排列的均一性。

所谓稳定性——在晶体生长过程中,当生长界面以宏观尺度来看是光滑的,但偶尔受到温度、溶质浓度的起伏或外因干扰时,如果这些干扰随着时间的推移和晶体生长过程的延续而逐渐衰减,最后自动消失,同时界面也随着恢复到原来光滑面的状态,这种界面则是稳定。

可通过界面附近熔体的温度梯度、溶液中溶质的浓度梯度和界面效应来判断。

从化学角度看,等离子体空间与常规物态中的化学现象相比有什么特殊性?1)在无催化剂条件下,由一些简单物质即可得到比较复杂的生成物。

2)常态下不活泼的物质,在等离子体态下可容易地参与各种化学反应。

3)氧化还原性质发生变化4)高分子材料表面亲水处理和低温灰化等离子体空间这些异乎寻常的化学现象表明,既然等离子体作为物质存在的又一种基本形态,那么以化学的角度来看,各种反应便是在新的“介质”中或者说是一种新“相”里进行的,这就必然有其新特点、新规律和新用途。

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