二极管在电源中的应用

DiodeDiode-零件介绍 零件介绍 &规格书认识

讨论内容
一,二极管的分类 二,规格书认识 三,常见的零件封装
四,在开关电源中的应用

一,二极管的分类
二极管按其用途可分为: 二极管按其用途可分为: 普通二极管和特殊二极管。 普通二极管和特殊二极管。 普通二极管: 普通二极管: 整流二极管、 整流二极管、快速二极管、 快速二极管、稳压二极管、 稳压二极管、检波二极管、 检波二极管、开关二极 管等。 管等。 特殊二极管: 特殊二极管: 发光二极管、 发光二极管、变容二极管、 变容二极管、隧道二极管、 隧道二极管、触发二极管等。 触发二极管等。 本次课程, 本次课程,主要介绍整流二极管、 主要介绍整流二极管、快速二极管和稳压二极管。 快速二极管和稳压二极管。

二,规格书的认识
1,整流二极管和快速二极管 整流二极管结构主要是平面接触型, 整流二极管结构主要是平面接触型,其特点是允许通过的电流比 较大, 较大,反向击穿电压比较高, 反向击穿电压比较高,但PN结电容比较大, 结电容比较大,一般广泛应 用于处理频率不高的电路中。 用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、 例如整流电路、箝位电路、 箝位电路、保护电 路等。 路等。整流二极管在使用中主要考虑的问题是: 整流二极管在使用中主要考虑的问题是:最大整流电流和 最高反向工作电压应大于实际工作中的值。 最高反向工作电压应大于实际工作中的值。 快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的, 快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的,但由于普通二极 管工作在开关状态下的反向恢复时间较长, 管工作在开关状态下的反向恢复时间较长,一般大于500nS,不 能适应高频开关电路的要求。 能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电 路、高频开关电源、 高频开关电源、高频阻容吸收电路、 高频阻容吸收电路、逆变电路等, 逆变电路等,其反向恢 复时间可达10nS。快速二极管主要包括快速恢复二极管 快速二极管主要包括快速恢复二极管( 快速恢复二极管(简称 FRD)和肖特基二极管( 肖特基二极管(简称SBD) 。

二,规格书的认识
1,整流二极管和快速二极管 整流二极管和快速二极管的常用规格比较如下: 整流二极管和快速二极管的常用规格比较如下:
Group General Purpose Rectifier >500 ~1000V ~6A 1.1~1.4V Fast Recovery Rectifier 150--500 ~1000V ~6A 1.3V Ultra Fast Recovery Rectifier 50--100 ~1000V ~16A 0.95~1.7V Super Fast Recovery Rectifier 35 ~600V ~16A 0.95~1.7V Schottky Barrier Rectifier <10 ~100V ~60A 0.5~0.85V
Trr(ns) Max VBR Max Current Rating Forward Voltage Drop

二,规格书的认识
2,快速二极管 快恢复二极管( 快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、 是一种具有开关特性好、反向恢复 时间短等特点的半导体二极管, 时间短等特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、 主要应用于开关电源、PWM脉 宽调制器、 宽调制器、变频器等电子电路中, 变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、 作为高频整流二极管、续流二 极管或阻尼二极管使用。 极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管在制造上采用掺金、 快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺, 单纯的扩散等工艺,可获得较 高的开关速度, 高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。 同时也能得到较高的耐压。快恢复二极管的内部 结构与普通PN结二极管不同, 结二极管不同,它属于PIN结型二极管, 结型二极管,即在P型 硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。 硅片。因基区很 薄,反向恢复电荷很小, 反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较 短,正向压降较低, 正向压降较低,反向击穿电压( 反向击穿电压(耐压值) 耐压值)较高。 较高。

二,规格书的认识
2,快速二极管 肖特基( 肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管( 二极管也称肖特基势垒二极管(简称 SBD),是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二 ),是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二 极管, 极管,其主要特点是正向导通压降小( 其主要特点是正向导通压降小(约0.45V),反向恢复时 ),反向恢复时 间短和开关损耗小, 间短和开关损耗小,是一种低功耗、 是一种低功耗、超高速半导体器件, 超高速半导体器件,广泛应 用于开关电源、 用于开关电源、变频器、 变频器、驱动器等电路, 驱动器等电路,作高频、 作高频、低压、 低压、大电流 整流二极管、 整流二极管、续流二极管、 续流二极管、保护二极管使用, 保护二极管使用,或在微波通信等电 路中作整流二极管、 路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 小信号检波二极管使用。 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别, 结二极管有很大区别,它的内 部是由阳极金属( 部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、 用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅 )、二氧化硅 (SiO2)电场消除材料、 电场消除材料、N-外延层( 外延层(砷材料)、 砷材料)、N型硅基片、 型硅基片、 N+阴极层及阴极金属等构成。 阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖 特基势垒。 特基势垒。当在势垒两端加上正向偏压( 当在势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极, 阳极金属接电源正极, N型基片接电源负极) 型基片接电源负极)时,势垒层变窄, 势垒层变窄,其内阻变小; 其内阻变小;反之, 反之,势 垒两端加上反向偏压时, 垒两端加上反向偏压时,势垒层则变宽, 势垒层则变宽,其内阻变大。 其内阻变大。

二,规格书的认识
3,整流二极管和快速二极管的规格 整流二极管和快速二极管的伏安特性曲线如下。 整流二极管和快速二极管的伏安特性曲线如下。
I
UBR 0 U
反向击穿区
反向特性
正向特性
二极管的伏安特性曲线

二,规格书的认识
3,整流二极管和快速二极管的规格 以1N4001~1N4007为例介绍二极管的常见规格
反向最大电压 (重复出现) 正向平均电流 正向突波电流 (只出现一次) 存储温度 电晶体工作温度
耗散功率 热阻, 热阻, 指电晶体对环境

二,规格书的认识
3,整流二极管和快速二极管的规格 以1N4001~1N4007为例介绍二极管的常见规格
最大正向压降 反向恢复电流 反向漏电流

二,规格书的认识
3,整流二极管和快速二极管的规格 以1N4001~1N4007为例介绍二极管的常见规格
正向平均电流的温度Derating
正向压降, 正向压降,与正向电流的正相关特性

二,规格书的认识
3,整流二极管和快速二极管的规格 以1N4001~1N4007为例介绍二极管的常见规格
正向突波电流, 正向突波电流,与突入次数的负相关特性
反向漏电流, 反向漏电流,与反向最大电压的关系

二,规格书的认识
3,整流二极管和快速二极管的规格 最大差异点: 最大差异点:Trr、Irr和Qrr(反向恢复电荷) 反向恢复电荷)
(a).General Purpose Rectifier
(b).Fast Recovery Rectifier

二,规格书的认识
4,稳压二极管 稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成 的器件。 的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管, 稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管,在电路 中起稳定电压作用。 中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后, 它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向 电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。 电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳 压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。 制成。它既具 有普通二极管的单向导电特性, 有普通二极管的单向导电特性,又可工作于反向击穿状态。 可工作于反向击穿状态。在反 向电压较低时, 向电压较低时,稳压二极管截止;当反向电压达到一定数值时, 值时, 反向电流突然增大, 增大,稳压二极管进入击穿区, 击穿区,此时即使反向电流 在很大范围内变化时, 在很大范围内变化时,稳压二极管两端的反向电压也能保持基本 不变。 不变。但若反向电流增大到一定数值后, 值后,稳压二极管则会被彻底 击穿而损坏。

二,规格书的认识
4,稳压二极管 稳压二极管的伏安特性曲线如下。 稳压二极管的伏安特性曲线如下。
I
ΔU 0 ΔI U
稳压管的伏安特性曲线

二,规格书的认识
4,稳压二极管 稳压二极管的通用规格
耗散功率 电晶体最高温度 存储温度

二,规格书的认识
4,稳压二极管 稳压二极管的具体规格
反向漏电流
型号

二,规格书的认识
4,稳压二极管 稳压二极管的具体规格
反向漏电流
型号

二,规格书的认识
4,稳压二极管 系列稳压二极管的电流特性比较

二,规格书的认识
4,稳压二极管 稳压二极管的温度特性和Derating
稳压管的稳压值VZ的温度系数 在VZ低于4V时为负温度系数 值;当VZ的值大于7V时,其温 度系数为正值; 度系数为正值;而VZ的值在6V 左右时, 左右时,其温度系数近似为 零。目前低温度系数的稳压管 是由两只稳压管反向串联而 成,利用两只稳压管处于正反 向工作状态时具有正、 向工作状态时具有正、负不同 的温度系数, 的温度系数,可得到很好的温 度补偿。 度补偿。

最新1半导体二极管及其应用汇总

1半导体二极管及其 应用

模拟电子技术 电子技术:研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。 第一代电子器件 电真空器件:电子管和离子管 电子管的结构和工作原理 A :有密封的管壳,内部抽到高真空。 B :在热阴极电子管中,有个阴极。 C:阴极由灯丝加热,使温度升高发射出电子 D:电子受外加电场和磁场的作用下在真空中运动形成电子管中的电流。 电子管的主要特点电子管 A 体积大重量重耗电大寿命短 B 目前在一些大功率发射装置中使用 离子管 A:与电子管类似,也抽成真空管。 B:管子中的电流,除了电子外也有正离子。 第二代电子器件----晶体管

晶体管是用半导体材料制成的,也称为半导体器件(semiconductor device)or 固体器件(solid-state device)。 晶体管的主要特点 A体积小、重量轻 B寿命长、功耗低 C 受温度变化影响大 D过载能力较差。 E 加电压不能过高 2. 电子电路 电子器件与电阻、电感、电容、变压器、开关等元件适当连接起来所组成的电路。 电子电路的主要特点 控制方便工作灵敏响应速度快。 电子电路与普通电路的主要区别 1 电子电路包含电子器件 2.电子器件的特性往往是非线性的 3.电子电路必须采用非线性电路的分析方法分析

电子电路:分立电路集成电路 分立电路-----由各种单个的电子器件和元件构成的电路 主要特点 1 把许多元件和器件焊接在印刷电路板上 2焊点多,容易造成虚焊。 3体积大功耗大可靠性低 集成电路----(IC-integrated circuit)-----把许多晶体管与电阻等元件制作在同一块硅片上的电路 集成电路的主要特点 1 体积小重量轻 2 功耗小 3 可靠性高 4 寿命长 世界上第一块集成电路在1959年美国的德州仪器公司和西屋电气公司诞生,电路上仅集成了四只晶体管。

第四章 半导体二极管和晶体管

第四章半导体二极管和晶体管 教学目标 本章课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能,为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 1.掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,以及将所学知识用于本专业的能力。 教学内容 1、半导体基础知识 2、PN结特性 3、晶体管 教学重点与难点 1、PN结的单向导电性、伏安特性 2、二极管的伏安特性及主要参数 3、三极管放大、饱和、截止三种模式的工作条件和性能特点 一、电子技术的发展 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。

电子管→半导体管→集成电路 半导体元器件的发展: 1947年贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年集成电路 1969年大规模集成电路 1975年超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管,而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。有科学家预测,集成度还将按10倍/6年的速度增长,到2015或2020年达到饱和。 二、模拟信号与模拟电路 1、电子电路中信号的分类: 数字信号:离散性。 模拟信号:连续性。大多数物理量为模拟信号。 2、模拟电路 模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大,有功能和性能各异的放大电路。模拟电路多以放大电路为基础。 3、数字电路 数字电路主要研究数字信号的存储、变换等内容,其主要包括门电路、组合数字电路、触发器、时序数字电路等。 数字电路的发展与模拟电路一样经历了由电子管、半导体分立器件到集成电路等几个时代。但其发展比模拟电路发展的更快。

二极管及其应用电路--笔记整理

半导体二极管及其应用电路 1.半导体的特性 自然界中的各种物质,按导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。它具有热敏性、光敏性(当守外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化)和掺杂性(往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力明显变化)。利用光敏性可制成光电二极管和光电三极管及光敏电阻;利用热敏性可制成各种热敏电阻;利用掺杂性可制成各种不同性能、不同用途的半导体器件,例如二极管、三极管、场效应管等。 2.半导体的共价键结构 在电子器件中,用得最多的材料是硅和锗,硅和锗都是四价元素,最外层原子轨道上具有4个电子,称为价电子。每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚,而且还与周围相邻的4个原子发生联系,这些价电子一方面围绕自身的原子核运动,另一方面也时常出现在相邻原子所属的轨道上。这样,相邻的原子就被共有的价电子联系在一起,称为共价键结构。 当温度升高或受光照时,由于半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中束缚得那样紧,价电子从外界获得一定的能量,少数价电子会挣脱共价键的束缚,成为自由电子,同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位,这个空位称为空穴, 自由电子和空穴是成对出现的,所以称它们为电子空穴对。在本征半导体中,电子与空穴的数量总是相等的。我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象,称为本征激发,又称为热激发。 由于共价键中出现了空位,在外电场或其他能源的作用下,邻近的价电子就可填补到这个空穴上,而在这个价电子原来的位置上又留下新的空位,以后其他价电子又可转移到这个新的空位上。为了区别于自由电子的运动,我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动,认为空穴是一种带正电荷的载流子,它所带电荷和电子相等, 符号相反。由此可见, 本征半导体中存在两种载流子:电子和空穴。而金属导体中只有一种载流子——电子。本征半导体在外电场作用下,两种载流子的运动方向相反而形成的电流方向相同。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度时影响半导体性能的一个重要的外部因素。

二极管种类及应用

二极管 一、二极管的种类 二极管有多种类型:按材料分,有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;接构类型来分,又可分为半导体结型二极管,金属半导体接触二极管等;按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例,介绍不同种类二极管的特性。 1.整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电,它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大,工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大,因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装,以利于散热;额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外,由于T艺技术的不断提高,也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装,在使用中应予以区别。 由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示),故一些生产厂家将4个整流二极管封 装在一起,这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N 系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、

第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 自测题 判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。(?) 2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。(√) 3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。(?) 4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√) 5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。(√) 选择填空 1. N型半导体中多数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是B。 A.自由电子 B.空穴 2. N型半导体C;P型半导体C。 A.带正电 B.带负电 C.呈电中性 3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于B,而少子的浓度则受 A 的影响很大。 A.温度 B.掺杂浓度 C.掺杂工艺 D.晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是A;漂移电流方向是B。 A.从P区到N区 B.从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流C飘移电流。 A.大于 B.小于 C.等于 6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 7. 二极管的正向电阻B,反向电阻A。 A.大 B.小 8. 当温度升高时,二极管的正向电压B,反向电流A。 A.增大 B.减小 C.基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言,哪个管子的性能最好【解】:二极管在外加相同的正向电压下电流越大,其正向电阻越小;反向电流越小,其单向导电性越好。所以B管的性能最好。 题习题1 试求图所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。

半导体二极管及其应用

第1章半导体二极管及其应用 本章要点 ●半导体基础知识 ●PN结单向导电性 ●半导体二极管结构、符号、伏安特性及应用 ●特殊二极管 本章难点 ●半导体二极管伏安特性 ●半导体二极管应用 半导体器件是近代电子学的重要组成部分。只有掌握了半导体器件的结构、性能、工作原理和特点,才能正确地选择和合理使用半导体器件。半导体器件具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性强等优点,在各个领域中得到了广泛的应用。半导体二极管和三极管是最常用的半导体器件,而PN结又是组成二极管和三极管及各种电子器件的基础。本章首先介绍有关半导体的基础知识,然后将重点介绍二极管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数以及应用电路等,为后面各章的学习打下基础。 1.1 PN结 1.1.1 半导体基础知识 1. 半导体特性 自然界中的各种物质,按其导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。导电能力介于导体与绝缘体之间的,称之为半导体。导体如金、银、铜、铝等;绝缘体如橡胶、塑料、云母、陶瓷等;典型的半导体材料则有硅、锗、硒及某些金属氧化物、硫化物等,其中,用来制造半导体器件最多的材料是硅和锗。 半导体之所以用来制造半导体器件,并不在于其导电能力介于导体与绝缘体之间,而在于其独特的导电性能,主要表现在以下几个方面。 (1) 热敏性:导体的导电能力对温度反应灵敏,受温度影响大。当环境温度升高时,其导电能力增强,称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。 (2) 光敏性:导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时,导电能力增强,称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。 (3) 掺杂性:导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂质影响极大,称为掺杂性。这里所说的“杂质”,是指某些特定的纯净的其他元素。在纯净半导体中,只要掺入极微量的杂质,导电能力就急剧增加。一个典型的数据是:如在纯净硅中,掺入百万分之

3 半导体二极管的识别检测与选用(二)

[复习提问] 1、半导体二极管的结构、符号及分类? 2、半导体二极管的重要特性是什么? [导入新课]二极管是电路中的关键器件,种类繁多,应用十分广泛,识别常用半导体二极管,掌握检测质量及选用方法是学习电子技术必须掌握的一项基本技 能,下面我们来学习相关知识。 [讲授新课] 1.1半导体二极管的识别、检测与应用(二) 九、二极管的型号命名 1、国产二极管 国产二极管的型号命名分为五个部分,各部分的含义见下表。 第一部分用数字“2”表示主称为二极管。 第二部分用字母表示二极管的材料与极性。 第三部分用字母表示二极管的类别。 第四部分用数字表示序号。

例如: 2、日本半导体器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准)由五部分组成,各部分含义见下表。 第一部分用数字表示器件的类型或有效电极数。 第二部分用字母S表示该器件已在日本电子工业协会(JEIA)注册登记。 第三部分用字母表示器件的类别。 第四部分用数字表示登记序号。 第五部分用字母表示产品的改进序号。 日本半导体器件型号命名及含义

例如: 2SA733(PNP型高频晶体管)2SC4706(NPN型高频晶体管)2——三极管2——三极管 S——JEIA注册产品S——JEIA注册产品A——PNP型高频管C——NPN型高频管733——JEIA登记序号4706——JEIA登记序号 3、美国半导体器件型号命名由四部分组成。各部分的含义见下表。 第一部分用数字表示器件的类别。 第二部分用字母“N”表示该器件已在EIA注册登记。 第三部分用数字表示该器件的注册登记号。 第四部分用字母表示器件的规格号。 美国半导体器件型号命名及含义 例如: lN 4007 2N 2907 A l——二极管2——晶体管 N——ElA注册标志N——ElA注册标志 4007——ElA登记号2907——ElA登记号 A——规格号 1、整流二极管 整流二极管主要用于整流电路,即把交流电变换 成脉动的直流电。整流二极管都是面结型,因此结 电容较大,使其工作频率较低。一般为3kHZ以下。 从封装上看,有塑料封装和金属封装两大类。常用 的整流二极管有2CZ型、2DZ型、IN400 X型及用于 高压、高频电路的 2DGL型等。

半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体 (1)N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN结及其特性

1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。 (1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性,如满足U ??U T ,则T S U U e I I ≈,PN 结的正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。 (2) 反向特性 0>,则S I I -≈,反向电流与反向电 压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容C J 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN 结正向偏置时,扩散电容C D 起主要作用,当PN 结反向偏置时,势垒电容C B 起主要作用。 1.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压u D 和流过二极管的电流i D 之间的关系。它的伏安特性与PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN 结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1o C ,PN 结的正向压降约减小(2~)mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 o C 左右时,反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流I F ;最高反向工作电压U R ;反向电流I R ;最高工作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种:

半导体二极管及其应用习题解答

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第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体

(1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N 型半导体,N 型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P 型半导体。P 型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN 结及其特性 1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。

开关电源器件选型

开关电源元器件选型 A:反激式变换器: 1.MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max) 2.整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout 3.缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大. 4.优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单. 5.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制. B:正激式变换器: 6.MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max) 7.整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout 8.缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂. 9.优点:纹丝小,功率可做到0~200W. 10.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制. C:推挽式变换器: 11.MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max) 12.整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout 13.缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式. 14.优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好! 15.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制. D:半桥式变换器: 16.MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max) 17.整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout 18.缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂. 19.优点: 功率可做到100W~500W. 20.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制. E:全桥式变换器: 21.MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max) 22.整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout 23.缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂. 24.优点: 功率可做到400W~2000W以上. 25.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.

半导体二极管和三极管分析

第7章半导体二极管和三极管 7.1 半导体的基本知识 7.2 PN结 7.3 半导体二极管 7.4 稳压二极管 7.5 半导体三极管

第7章半导体二极管和三极管 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 电流放大作用; 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;三、会分析含有二极管的电路。

对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。

7.1 半导体的基本知识 半导体的导电特性: (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强

7.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子,称为价电子。 Si Si Si Si 价电子

Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。 本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。 空穴温度愈高,晶体中产 生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。

第二部分开关电源中磁元件

第二部分 开关电源中磁元件 第五章 变换器中磁芯的工作要求 在功率变换中,应用了多种磁性元件:如脉冲、功率变压器,交、直流滤波电感,交、直流互感器,EMC 滤波电感以及谐振和缓冲吸收电感等。但就磁芯工作状态主要分为四种,其代表性功率电路—Buck 变换器滤波电感、正激、推挽变压器和磁放大器中磁元件磁芯就属于这四种工作状态. 5.1 Ⅰ类工作状态-Buck 变换器滤波电感磁芯 图5.1(a)所示为输出与输入共地的Buck 变换器的基本电路。输出由R 1和R 2取样,与基准U r 比较、误差放大,然后与三角波比较,输出PWM 信号,去控制功率开关S 的导通时间。假设电路进入稳态,U o 为常数,L 为线性电感。开关S 闭合时,输入电压U i 与输出电压U o 之差加到电感L 上(图5.1(b)),续流二极管D 截止,电感中电流线性增长(图(d)),直至开关打开前,电感存储能量。当开关打开时,电感中电流趋向减少,电感产生一个反向感应电势,试图维持原电流流通方向,迫使二极管D 导通,将电感中的能量传输到输出电容和负载,电感放出能量,电感电流线性下降。电感电流增加量(ΔI =(U i - U o )T on /L )应当等于减少量(U o T of /L ),由此得到U o =T on U i /T =DU i 。 通过改变功率开关的占空度D ,就可以控制每个周期导通期间存储在电感中的能量,从而控制了变换器的输出电压。 图 5.1(d)中,电感电流在整个周期内流通(可以过零或反向),电感这种状态称为电流连续状态。电感电流的平均值,即纹波的中心值等于输出电流I o 。当输出电流下降时,电感电流的变化率没有改变,斜坡的中心值在下降。当输出电流达到变化量的一半时,斜坡的起始端达到零(图5.1(d)中虚线三角波)。这种工作状态称为电感电流临界连续。 如果再继续减少负载电流,即增大负载电阻,输出电压将要增加。负反馈电路使得功率开关导通时间减少,以保持输出电压稳定。虽然电流变化率不变,电流变化量减少。因此,在下一个导通时间到来之前电感电流已下降到 零。电感电流开始断续(图5.2)。此时,为了保持输出电压 稳定,占空度随负载电流变化很大。 在电感电流断续前,一直保持U o =DU i (D =T on /T -占空度)。由于功率开关导通压降和线圈电阻压降随输出电流减 少,导通时间轻微地改变。进入断续以后,U o =DU i 不再成立。 U (b) i (c) t i L (φo (d) 图 5.1 基本Buck 变换器及其波形图 U i 图5.2 电感电流断续波形

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第1章半导体二极管及其基本电路 1.1 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表1.1 第1章教学内容与要求 1.2 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体 (1) N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN结及其特性 1.PN结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半

导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。 (1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性,如满足U >>U T ,则T S U U e I I ≈,PN 结的 正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。 (2) 反向特性 0>,则S I I -≈,反向电流与反向电压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容C J 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN 结正向偏置时,扩散电容C D 起主要作用,当PN 结反向偏置时,势垒电容C B 起主要作用。 1.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压u D 和流过二极管的电流i D 之间的关系。它的伏安特性与PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN 结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1o C ,PN 结的正向压降约减小(2~2.5)mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 o C 左右时,反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流I F ;最高反向工作电压U R ;反向电流I R ;最高工作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种:

半导体二极管及其基本电路

第二章半导体二极管及其基本电路 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后,主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上,还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。(一)主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点,半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路 (二)基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管(包括稳压管)的V-I特性及主要性能指标 (三)教学要点: ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手,重点介绍PN结的单向导电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标

2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料,我们称之为半导体。在电子器件中,常用的半导体材料有:元素半导体,如硅(Si)、锗(Ge)等;化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;以及掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点: 1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。 3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。 2.1.2 半导体的共价键结构 在电子器件中,用得最多的半导体材料是硅和锗,它们的简化原子模型如下所示。硅和锗都是四价元素,在其最外层原子轨道上具有四个电子,称为价电子。由于原子呈中性,故在图中原子核用带圆圈的+4符号表示。半导体与金属和许多绝缘体一样,均具有晶体结构,它们的原子形成有排列,邻近原子之间由共价键联结,其晶体结构示意图如下所示。图中表示的是晶体的二维结构,实际上半导体晶体结构是三维的。 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构

开关电源供电方式选择及元器件选用

1. 供电方式的选择 集中式供电系统各输出之间的偏差以及由于传输距离的不同而造成的压差降低了供电质量,而且应用单台电源供电,当电源发生故障时可能导致系统瘫痪。分布式供电系统因供电单元靠近负载,改善了动态响应特性,供电质量好,传输损耗小,效率高,节约能源,可靠性高,容易组成N+1冗余供电系统,扩展功率也相对比较容易。所以采用分布式供电系统可以满足高可靠性设备的要求。 2. 电路拓扑的选择 开关电源一般采用单端正激式、单端反激式、双管正激式、双单端正激式、双正激式、推挽式、半桥、全桥等八种拓扑。单端正激式、单端反激式、双单端正激式、推挽式的开关管的承压在两倍输入电压以上,如果按60%降额使用,则使开关管不易选型。在推挽和全桥拓扑中可能出现单向偏磁饱和,使开关管损坏,而半桥电路因为具有自动抗不平衡能力,所以就不会出现这个问题。双管正激式和半桥电路开关管的承压仅为电源的最大输入电压,即使按60%降额使用,选用开关管也比较容易。在高可靠性工程上一般选用这两类电路拓扑。 3. 控制策略的选择 在中小功率的电源中,电流型PWM控制是大量采用的方法,它较电压控制型有如下优点:逐周期电流限制,比电压型控制更快,不会因过流而使开关管损坏,大大减小过载与短路的保护;优良的电网电压调整率;迅捷的瞬态响应;环路稳定,易补偿;纹波比电压控制型小得多。生产实践表明电流控制型的50 W开关电源的输出纹波在25mV左右,远优于电压控制型。 硬开关技术因开关损耗的限制,开关频率一般在350kHz以下,软开关技术是应用谐振原理,使开关器件在零电压或零电流状态下通断,实现开关损耗为零,从而可将开关频率提高到兆赫级水平,这种应用软开关技术的变换器综合了PWM变换器和谐振变换器两者的优点,接近理想的特性,如低开关损耗、恒频控制、合适的储能元件尺寸、较宽的控制范围及负载范围,但是此项技术主要应用于大功率电源,中小功率电源中仍以PWM技术为主。 4 元器件的选用 因为元器件直接决定了电源的可靠性,所以元器件的选用非常重要。元器件的失效主要集中在以下四个方面: (1)制造质量问题 质量问题造成的失效与工作应力无关。质量不合格的可以通过严格的检验加以剔除,在工程应用时应选用定点生产厂家的成熟产品,不允许使用没有经过认证的产品。 (2)元器件可靠性问题 元器件可靠性问题即基本失效率的问题,这是一种随机性质的失效,与质量问题的区别是元器件的失效率取决于工作应力水平。在一定的应力水平下,元器件的失效率会大大下降。为剔除不符合使用要求的元器件,包括电参数不合格、密封性能不合格、外观不合格、稳定性差、早期失效等,应进行筛选试验,这是一种非破坏性试验。通过筛选可使元器件失效率降低1~2个数量级,当然筛选试验代价(时间与费用)

二极管的基本特性与应用

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平 面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固 地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流” 电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电 压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当 二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工

半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性19页

理想开关的开关特性 假定图2.1.1所示S是一个理想开关,则其特性应如下: 一、静态特性 (一)断开时,无论Uak在多大范围内变化,其等效电阻Roff=无穷,通过其中的电流Ioff=0。 (二)闭合时,无论流过其中的电流在多大范围内变化,其等效电阻Ron=0,电压Uak=0。 二、动态特性 (一)开通时间Ton=0,即开关S由断开状态转换到闭合状态不需要时间,可以瞬间完成。 (二)关断时间Toff=0,即开关由闭合状态转换到断开状态哦也不需要时间,亦可以瞬间完成。 客观世界中,当然没有这种理想开关存在。日常生活中使用的乒乓开关、继电器、接触 器等,在一定电压和电流范围内,其静态特性十分接近理想开关,但动态特性很差,根本不可能满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。虽然,半导体二极管、三极管和MOS管作为开关使用时,其静态特性不如机械开关,但其动态特性却是机械开关无法比拟的。

2.1.2 半导体二极管的开关特性 半导体二极管最显著的特点是具有单向导电特性。 一、静态特性 (一)半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性 1.结构示意图和符号 如图2.1.2所示,是半导体二极管的结构示意图和符号。 半导体二极管是一种两层、一结、两端器件,两层就是P型层和N型层、一结就 内部只有一个PN结,两端就是两个引出端,一个引出端叫做阳极A,一个引出端称为阴极K。 2.伏安特性 反映加在二极管两端的电压Ud和流过其中的电流Id两者之间关系的曲线,叫做 伏安特性曲线,简称为伏安特性。图2.1.3给出的是硅半导体二极管的伏安特性。 从图2.1.3所示伏安特性可清楚地看出,当外加正向电压小于0.5V时,二极管工作在死区,仍处在截止状态。只有在Ud大于0.5V以后,二极管才导通,而且当Ud达到0.7V后,即使Id在很大范围内变化,Ud基本不

半导体二极管和晶体管

第6章集成运算放大器的单元电路 习题解答 【6-1】填空 1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用耦合方式。 2. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30,则将它们连成两级放大电路,其放大倍数为(a. 600,b. 大于600,c. 小于600) 3. 在三级放大电路中,已知|A u1|=50,|A u2|=80,|A u3|=25,则其总电压放大倍数|A u|= ,折合为dB。 解: 1.直接; 2. c 小于600; 3.105,100; 【6-2】填空 1.放大电路产生零点漂移的主要原因是。 2.在相同的条件下,阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路。这是由于。 3.差分放大电路是为了而设置的。 4.抑制零漂的主要措施有种,它们是。 解: 1. 环境温度变化引起参数变化; 2. 小;零点漂移是缓慢变化的信号,将难于通过耦合电容; 3. 克服(抑制)零点漂移; 4. 3,差分放大电路、调制解调放大器和温度补偿元件。 【6-3】某差分放大电路如题图6-3所示,设对管的β=50,r bb′=300Ω,U BE=0.7V,R W的影响可以忽略不计,试估算: 1.VT1,VT2的静态工作点; 2.差模电压放大倍数A ud; 3.仿真验证上述结果。 V EE =-12V 图6-3 题6-3电路图 解: 1.静态工作点计算,令 I1I20 u u ==

E E B E B 1B 2 b e 10.9μA 2(1)V U I I R R β-===++ C 1C 2B 1 0.54m A I I I ===β C E 1C E 2 C C E E C c e ()(2)7.70V U U V V I R R ==+-+≈ 2.be bb'E 26mV (1) 2.75k mA r r I β=++? ≈Ω o c ud I1I2b be 22.0U R A U U R r β==-≈--+ 【6-4】 在题图6-4所示的差分放大电路中,已知两个对称晶体管的β=50,r be =1.2k Ω。 1.画出共模、差模半边电路的交流通路; 2.求差模电压放大倍数ud A ; 3.求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。 V V EE 图6-4题6-4电路图 解: 1. 在共模交流通路中,电阻R 开路,故其半边电路的射极仅接有电阻R e ;在差模交流通路中,电阻R 的中点电压不变,相当于地,故其半边电路的发射极电阻为R e 和R /2 的并联。 + - Oc u 图6-4 (a )共模 (b )差模

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