(完整版)模电复习答案
模电复习题答案
模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式包括：A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案：B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是：A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案：B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案：B、C、D5. 差分放大器的主要优点是：A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案：B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。
答案：高输入阻抗，低输出阻抗2. 在设计放大器时，通常使用________来提高电路的稳定性和增益。
答案：负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________，而抑制两个输入端共同的信号。
答案：差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值，通常表示为________。
答案：无穷大5. 在模拟电路中，________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。
答案：放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。
中间级通常由多级放大器构成，用于提供增益。
输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈网络，可以实现不同的放大功能。
2. 解释什么是负反馈，并说明它在放大器设计中的作用。
答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。
在放大器设计中，负反馈可以减少增益，但同时可以提高电路的稳定性和线性度，降低非线性失真和噪声，改善频率响应。
四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器，其开环增益为1000，输入阻抗为2MΩ，输出阻抗为100Ω。
模电复习资料及部分答案(终极版)
12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（B）
A．共射组态B．共集组C．Fra bibliotek基组态D．共源组态
13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（C）
A．电流串联B．电流并联C．电压串联D．电压并联
A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定
9．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（）
A．-10VB．-6VC．-4VD．0V
10．NPN型三级管，处在饱和状态时是（B）
A．UBE<0,UBC<0B．UBE>0,UBC>0C．UBE>0,UBC<0D．UBE<0,UBC>0
11．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，则可判定（D）
4．用一个集成运放设计一个电路，满足u0=-3ui1-7ui2的关系，要求电路的最大输入电阻为40K。
(1)画出设计的电路图；
(2)计算电路的输入电阻R1和R2及反馈电阻RF。
相似题：
答案：
5．稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为VZ=7V，稳定电流范围为IZ=5～20mA，额定功率为200mW，限流电阻R=600 。试求：
C．截止状态D．不确定状态
4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B)
A．PNP型管，①是e极B．PNP型管，③是e极
C．NPN型管，①是e极D．NPN型管，②是e极
5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C)
A．共射极放大电路B．共集电极放大电路
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模电复习资料及答案
设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。
（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。
根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。
因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。
由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。
（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。
现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。
由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。
为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。
现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。
由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。
一般为几千欧至几十千欧较合适。
因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。
然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。
对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。
模电复习题及答案
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e＝1kΩ，i U ＝20mV；静态时U B E Q＝0.7V，U C E Q＝4V，I B Q＝20μA。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
图P2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=u A （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=u A （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ） （7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）s U ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模拟电路考研复习及答案(十套)
最宽的是
组态。
二．
选择题
1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE 的变化情况为（
A．β增加，ICBO,和 uBE 减小
B. β和 ICBO 增加，uBE 减小
C．β和 uBE 减小，ICBO 增加
D. β、ICBO 和 uBE 都增加
2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（ ）
，要消除此失真，应改用
。
8．理想运算放大器工作在线性放大区时具有
和
特性。
二．选择题
1． 在一个由 NPN 型晶体管构成的放大电路中,关于晶体管三个电极的电位,下列
说法正确的是( )
D．阻当层变厚，反向电流减小
3．某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 3kΩ的负载电阻后输出电压
降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）
A. 10kΩ B. 2kΩ C. 1kΩ D. 0.5kΩ
4.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（ ）
A. 输入电阻小，输出电阻大
）。
A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导
3．双端输出的差分放大电路主要（ ）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大
B. 利用两个
C. 利用参数对称的对管子
D. 利用电路的对称性
4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（ ）。源自A. 变大B. 变小
C. 不变
4．如图所示运放电路，已知 R1=6k，R2=4k，R3= R4= R5=6k，R6= R7=12k，R8=6k， RF1=24k，RF2=4k，RF3=6k，R=2k，ui1=5mv，ui2=-5mv, ui3=6mv, ui4=-12mv。 试求：（1）运放电路 A1、A2、A3 的功能。（2）uo1、 uo2、 uo
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基本概念复习第一章 电路基本元件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管（6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。
A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A第二章 基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）√（5）×（6）×第三章多级放大电路一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )解：（1）×（2）√√（3）√×（4）×二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应采用。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
解：（1）A，A （2）D，A （3）B，A （4）D，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C （2）C （3）A （4）A，C （5）B （6）C第四章集成运算放大电路一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号B.低频信号C.任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路B.共集放大电路C．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。
通常，输入级为；中间级为；输出级为。
A．共射放大电路B.共集放大电路C．共基放大电路D.差分放大电路E. 互补对称功放电路对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。
对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。
对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。
对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。
第六章放大电路中的反馈一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。
（1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（）（3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（）（4）放大电路引入负反馈一定可以稳定闭环电压放大倍数（）。
解：（1）×（2）√（3）×（4）×二、已知交流负反馈有四种组态：A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入。
解：（1）B （2）C （3）A （4）D第七章信号的运算和处理一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D三、填空：现有滤波器电路：A. 低通 B. 高通 C. 带通D. 带阻 E. 全通（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路 。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用 滤波电路 。
解：（1）带阻 （2）带通 （3）低通第八章 波形的发生和信号的转换一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）在图T8.1所示方框图中，若φF ＝180°，则只有当φA ＝±180°时，电路才能产生正弦波振荡。
（ ）图T8.1（2）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（ ）（3）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（ ）（4）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
（ ）（5）电路只要满足1＝F A &&，就一定会产生正弦波振荡。
（ ） （6）当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
（ ） （7）在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和滞回比较器 的输出电压均只跃变一次。
（ ）（8）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
（ ） 解：（1）√ （2）× （3）× （4）× （5）× （6）√（7）√ （8）×二、现有电路如下：A ．RC 桥式正弦波振荡电路B ．LC 正弦波振荡电路C ．石英晶体正弦波振荡电路选择合适答案填入空内，只需填入A 、B 或C 。
（1）制作频率为20Hz ～20kHz 的音频信号发生电路，应选用 。
（2）制作频率为2 MHz ～20MHz 的接收机的本机振荡器，应选用 。
（3）制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用 。
解：（1）A （2）B （3）C第九章 功率放大电路一、选择合适的答案，填入空内。
只需填入A 、B 或C 。
（1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。
A．交流功率B．直流功率C．平均功率（2）功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比（3）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为。
A．1W B．0.5W C．0.2W（4）若图示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES│，则最大输出功率P OM＝。
A．L2CESCC2)(RUV-B．L2CESCC)21(RUV-C．L2CESCC2)21(RUV-（5）甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为。