关于烧结碳化硅的分类_烧结碳化硅工艺说明

关于烧结碳化硅的分类_烧结碳化硅工艺说明特陶领域的多数专家认为国内特陶产品质量提升不上去，很大程度与特陶粉体的制备水平有关系。“巧妇难为无米之炊”，当然没有好“米”，也烧不出“好饭”出来。有关于烧结碳化硅的话题，小编今天想跟大家聊一聊。烧结碳化硅有哪些分类呢？看文章吧！

烧结碳化硅分类：

（1）无压烧结

无压烧结被认为是SiC烧结有前途的烧结方法，根据烧结机理的不同，无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。S.Proehazka通过在超细β-SiC粉体（含氧量小于2）中同时加入适量B和C的方法，在2020℃下常压烧结成密度高于98

的SiC烧结体。A.Mulla等以Al2O3和Y2O3为添加剂在1850-1950℃烧结0.5μm的β-SiC(颗粒表面含有少量SiO2)，获得的SiC陶瓷相对密度大于理论密度的95，并且晶粒细小，平均尺寸为1.5μm。

（2）热压烧结

不添加任何烧结助剂，纯SiC只有在极高的温度下才能烧结致密，于是不少人对SiC实行热压烧结工艺。关于添加烧结助剂对SiC进行热压烧结的报道已有许多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金属添加物对SiC致密化的影响，发现Al和Fe是促进SiC热压烧结有效的添加剂。nge研究了添加不同量Al2O3对热压烧结SiC的性能影响，认为热压烧结致密是靠溶解--再沉淀机理。但是热压烧结工艺只能制备形状简单的SiC部件，而且一次热压烧结过程中所制备的产品数量很小，因此不利于工业化生产。

(3)反应烧结

反应烧结SiC又称自结合SiC, 是由a- SiC粉和石墨粉按一定比列混合压成坯体后,加热到1650℃左右,同时熔渗Si或通过气相Si渗入坯体,使之与石墨起反

应生成β- SiC, 把原来存在的a-SiC颗粒结合起来。

三种常见烧结方式对比：

1. 热压烧结：只能制备简单形状的碳化硅部件，生产效率低，不利于大规模商业化生产。

2. 无压烧结（常压烧结）：能生产复杂形状和大尺寸碳化硅部件，是目前普遍认可的有优势的烧结方法。

3. 反应烧结：能制备复杂形状的碳化硅部件，烧结温度低，但是产品高温性能不佳。

特点: 如果允许完全渗Si,那么整个过程中可获得气孔率为零,无几何尺寸变化的材料。

实际生产中,生坯要有过量的气孔,以防止由于渗Si过程首先在表面进行,而形成不透气的SiC层,从而阻止反应烧结的继续进行, 反应烧结过程中多余的气孔被过剩的Si所填满, 从而获得无孔致密制品。

SiC陶瓷的3种烧结方式各有千秋，但是在科技发展如此迅速的今天，迫切需要提高SiC陶瓷的性能，不断改进制造技术，降低生产成本，实现SiC陶瓷的低温烧结。以达到降低能耗，降低生产成本，推动SiC陶瓷产品产业化的目的。

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