内存的发展历程
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种计算机内存，用于存储暂时数据以供处理器使用。
随着计算机技术的不断发展，DRAM也在不断演进和改进。
本文将探讨DRAM的发展历程及其未来趋势。
一、DRAM的起源1.1 1960年代，IBM推出了第一款DRAM芯片，取代了传统的静态RAM （SRAM）。
1.2 DRAM采用了动态存储单元，使得存储密度更高、成本更低。
1.3 DRAM的浮现极大地推动了计算机技术的发展，使得计算机性能得到了显著提升。
二、DRAM的技术演进2.1 1980年代，DRAM开始采用更先进的制程工艺，提高了存储容量和速度。
2.2 1990年代，浮现了SDRAM（Synchronous DRAM），提高了数据传输效率。
2.3 2000年代，DDR（Double Data Rate）技术的引入使得DRAM的速度再次提升。
三、DRAM的应用领域3.1 DRAM广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算机设备。
3.2 在人工智能、大数据等新兴领域，DRAM的需求也在不断增加。
3.3 DRAM还被用于虚拟现实、云计算等高性能计算场景，为数据处理提供支持。
四、DRAM的挑战与未来4.1 随着计算机技术的不断进步，对DRAM的性能和容量要求也在不断提高。
4.2 DRAM的功耗和散热问题成为了发展的瓶颈，需要寻觅新的解决方案。
4.3 未来，随着新型存储技术的发展，DRAM可能会面临更大的竞争压力，需要不断创新。
五、结语DRAM作为计算机内存的重要组成部份，随着技术的不断发展，其性能和容量也在不断提升。
未来，随着新兴技术的涌现，DRAM将继续发挥重要作用，为计算机技术的发展提供支持。
希翼本文对DRAM的发展历程有所启示，读者也能对未来DRAM的发展趋势有更深入的了解。
内存条发展史
作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。
从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。
内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。
不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。
那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。
一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC 坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条” 的来源。
图1，内存条与内存槽的出现小帖士：内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。
我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。
由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存技术，它以其高密度和低成本而闻名。
本文将探讨DRAM的发展历程，包括其原理、发展趋势以及未来可能的创新。
一、DRAM的原理DRAM是一种基于电容的存储器技术。
每个DRAM存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。
电容用于存储数据位，而访问晶体管用于控制读取和写入操作。
当电容充电时，表示存储的是1，而当电容放电时，表示存储的是0。
由于电容会逐渐失去电荷，因此DRAM需要定期刷新以保持数据的完整性。
二、DRAM的发展历程1. 早期发展：DRAM最早出现在上世纪60年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，并且需要更高的电压。
然而，随着技术的进步，DRAM的容量逐渐增加，速度也得到了提升。
2. 增加容量和速度：随着DRAM技术的不断发展，DRAM的容量和速度得到了显著提升。
通过改进电路设计和制造工艺，DRAM的容量从最初的几千字节增加到了现在的几十兆字节甚至几百兆字节。
同时，DRAM的速度也从几十纳秒提高到了几纳秒。
3. 增加集成度：随着半导体技术的进步，DRAM的集成度也得到了大幅提高。
通过缩小电路元件的尺寸，DRAM芯片可以容纳更多的存储单元，从而增加了存储容量。
目前，DRAM芯片的集成度已经达到了千兆字节级别。
4. 降低功耗：随着节能意识的增强，DRAM制造商致力于降低DRAM的功耗。
通过改进电路设计和采用低功耗工艺，现代DRAM芯片在保持高性能的同时，能够降低功耗，延长电池寿命。
三、DRAM的发展趋势1. 增加存储容量：随着数据量的不断增加，对存储容量的需求也在增加。
未来，DRAM的存储容量将继续增加，以满足日益增长的数据存储需求。
2. 提高速度：随着计算机应用的需求不断增加，对内存访问速度的要求也在提高。
未来的DRAM技术将进一步提高存取速度，以满足高性能计算的需求。
3. 降低功耗：随着绿色环保理念的普及，DRAM制造商将继续努力降低功耗。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细探讨DRAM的发展历程，包括其起源、技术进步、应用领域和未来发展趋势等方面。
1. 起源：DRAM最早出现于20世纪60年代，由于其高集成度和低成本的特点，很快取代了传统的磁芯存储器。
最早的DRAM只能存储几千个位，但随着技术的进步，存储容量不断增加，达到了几GB的水平。
2. 技术进步：随着时间的推移，DRAM的技术不断改进。
首先是DRAM的制造工艺从早期的4微米发展到现在的10纳米，使得存储单元的密度大幅提高。
其次是DRAM的速度和带宽也得到了显著提升，从最初的几百KB/s发展到现在的几十GB/s。
此外，DRAM还经历了多种技术演进，如SDRAM、DDR、DDR2、DDR3和DDR4等，每一代技术都带来了更高的性能和更低的功耗。
3. 应用领域：DRAM广泛应用于各种电子设备中，包括个人电脑、服务器、智能手机、平板电脑和游戏机等。
在这些设备中，DRAM扮演着临时存储数据的重要角色，能够高速读写数据，提供快速的运行速度和响应能力。
特别是在大数据处理、人工智能和虚拟现实等领域，对DRAM的需求更加迫切。
4. 未来发展趋势：随着科技的不断进步，DRAM仍将继续发展壮大。
未来的发展趋势包括以下几个方面：- 高密度：DRAM的存储密度将继续提高，以满足大数据处理和存储需求的增长。
- 高速度：DRAM的读写速度将进一步提升，以适应更高的数据传输速率和处理需求。
- 低功耗：DRAM的功耗将继续降低，以提高设备的能效和续航时间。
- 新技术：新型存储技术如3D XPoint和MRAM等有望取代传统的DRAM，提供更高的性能和更低的功耗。
结论：DRAM作为一种重要的计算机内存类型，经历了多年的发展和演进。
随着技术的不断进步，DRAM的存储容量、速度和功耗都得到了显著提升。
它广泛应用于各种电子设备中，为其提供快速的数据存储和处理能力。
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的计算机内存芯片，用于存储和读取数据。
随着科技的不断进步，DRAM的发展也在不断推进。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、发展历程DRAM最早出现在上世纪70年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，且价格昂贵。
然而，随着集成电路技术的进步，DRAM开始逐渐发展壮大。
在80年代，DRAM容量得到了显著提升，速度也有了明显改善，成为了主流的计算机内存产品。
二、技术特点1. 容量：DRAM的容量不断增大，从最初的几KB到现在的几GB，甚至更高。
这使得计算机能够处理更多的数据，提高了系统的性能。
2. 速度：DRAM的速度也在不断提高。
随着技术的进步，DRAM的访问速度大幅度增加，从而提高了数据的读取和写入效率。
3. 功耗：DRAM的功耗逐渐降低。
随着制程工艺的改进，DRAM芯片的功耗越来越低，这有助于降低整个系统的能耗。
4. 可靠性：DRAM的可靠性也得到了提高。
通过引入纠错码（ECC）等技术，DRAM能够检测和纠正内存中的错误，提高系统的稳定性和可靠性。
5. 成本：DRAM的成本逐渐降低。
随着技术的成熟和市场的竞争，DRAM的价格逐渐下降，使得更多的用户能够购买到高性能的内存产品。
三、未来发展趋势1. 容量持续增加：随着计算机应用的不断扩大，对内存容量的需求也在不断增加。
未来，DRAM的容量将持续增加，以满足大数据处理、人工智能等领域的需求。
2. 速度进一步提升：随着计算机处理速度的提高，对内存速度的要求也越来越高。
未来，DRAM的速度将进一步提升，以满足高性能计算的需求。
3. 低功耗设计：随着节能环保意识的增强，DRAM的低功耗设计将成为未来的发展方向。
通过采用新的材料和结构设计，降低DRAM芯片的功耗，以提高系统的能效。
4. 新技术的应用：未来，随着新的技术的涌现，如3D堆叠技术、新型存储器技术等，将会对DRAM的发展产生重要影响。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，被广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算设备中。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、DRAM的历史发展：1. 早期DRAM的诞生：20世纪60年代末，美国IBM公司的研究人员发明了第一款DRAM芯片，其存储容量为1K位。
这标志着DRAM技术的诞生，为计算机存储领域带来了革命性的变革。
2. 发展阶段：1970年代，DRAM技术经历了多个发展阶段。
首先是DRAM存储容量的不断增加，从最初的几千位增加到了几十万位。
其次是DRAM存取时间的缩短，使得数据读写速度得到了显著提升。
此外，DRAM芯片的集成度也不断提高，从单片集成到多片集成，进一步提高了存储容量和性能。
3. 现代DRAM的发展：进入21世纪，DRAM技术继续取得了巨大的突破。
首先是DRAM存储容量的大幅增加，从几百兆字节增加到了数十兆字节。
其次是DRAM的能耗和成本的不断降低，使得DRAM成为了主流的计算机内存选择。
此外，DRAM的数据传输速率也得到了显著提升，满足了日益增长的计算需求。
二、DRAM的技术特点：1. 存储原理：DRAM采用电容存储原理，每一个存储单元由一个电容和一个开关构成，电容的充电状态表示存储的数据。
2. 数据刷新：由于电容会逐渐漏电，因此DRAM需要定期进行数据刷新，以保持数据的正确性。
数据刷新会带来额外的延迟，影响DRAM的访问速度。
3. 存取时间：DRAM的存取时间通常比静态随机存取存储器（SRAM）要长，这是由于DRAM需要经过一系列的行选通、列选通等操作才干读取或者写入数据。
4. 容量和集成度：DRAM的存储容量和集成度不断增加，目前已经发展到了数十兆字节的级别。
高集成度的DRAM芯片可以在较小的空间内实现更大的存储容量。
5. 数据传输速率：现代DRAM的数据传输速率已经达到了几千兆字节每秒的级别，可以满足高性能计算和大数据处理的需求。
计算机内存发展史
计算机内存发展史在计算机技术的发展历程中，内存扮演着至关重要的角色。
它就像是计算机的“短期记忆库”，负责存储正在运行的程序和数据，以便CPU 能够快速访问和处理。
从早期简单而有限的内存形式，到如今高性能、大容量的内存技术，计算机内存经历了一系列令人瞩目的变革。
早期的计算机内存可以追溯到上世纪 50 年代。
那个时候，内存主要采用的是磁芯存储器。
磁芯存储器是由许多小磁环组成的，通过改变磁环的磁化方向来存储数据。
这种存储方式虽然在当时是一种创新，但它的存储容量非常有限，而且价格昂贵，操作也较为复杂。
随着技术的进步，半导体存储器逐渐崭露头角。
在 20 世纪 60 年代末和 70 年代初，动态随机存取存储器（DRAM）应运而生。
DRAM 的出现是计算机内存发展的一个重要里程碑。
它使用电容来存储数据，需要定期刷新以保持数据的有效性。
与磁芯存储器相比，DRAM 具有更高的存储密度和更低的成本，这使得计算机能够处理更复杂的任务和存储更多的数据。
在 DRAM 发展的过程中，不断有新的技术改进和升级。
例如，从最初的 SDRAM（同步动态随机存取存储器）到 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器），再到 DDR2、DDR3 和 DDR4 等，数据传输速度不断提高，性能也越来越强大。
除了 DRAM，还有一种常见的内存类型是静态随机存取存储器（SRAM）。
SRAM 不需要像 DRAM 那样定期刷新，速度更快，但成本也更高，因此通常用于计算机的高速缓存中，以加速数据的访问。
在 20 世纪 90 年代，闪存（Flash Memory）开始广泛应用。
闪存具有非易失性的特点，即使断电也能保存数据。
这使得它在移动设备、数码相机和 USB 闪存驱动器等领域得到了广泛的应用。
随着技术的不断发展，闪存的容量不断增加，读写速度也在不断提高。
进入 21 世纪，计算机内存技术继续飞速发展。
DDR5 内存的出现进一步提升了数据传输速度和带宽，为高性能计算提供了更强大的支持。
内存 技术 发展历史
内存技术发展历史内存技术是计算机科技中一个至关重要的组成部分，随着时代的变迁和科技的进步，内存技术也在不断发展和提升。
以下是内存技术发展历史中的几个重要阶段：1.第一代DDR200规范在内存技术的发展历程中，第一代DDR200规范是最初的版本，其运行速度相对较慢，通常只有100MHz。
这一代内存技术主要特点是带宽较窄，容量较小，而且功耗相对较高。
DDR200规范的出现标志着内存技术开始向DDR时代过渡。
2.第二代PC266 DDR SRAM随着技术的进步，第二代PC266 DDR SRAM的出现将内存技术推向了一个新的高度。
这一代内存的运行速度得到了显著提升，达到了266MHz，同时带宽也有了明显的增加。
此外，这一代内存的容量也得到了提升，可以满足更大规模数据处理的需求。
3.DDR333内存DDR333内存是DDR时代的一个重要里程碑。
这一代内存的运行速度达到了333MHz，带宽和容量也得到了进一步的提升。
DDR333内存的出现使得计算机的处理速度得到了更大幅度的提升，同时也满足了更多应用场景的需求。
4.DDR400内存DDR400内存是DDR技术发展过程中的又一重要阶段。
这一代内存的运行速度达到了400MHz，带宽和容量有了更大的提升。
此外，DDR400内存还引入了一些新的特性，如CAS（列地址选择）延迟和突发长度等，这些特性使得内存的性能得到了进一步的优化。
5.DDR533规范DDR533规范是DDR技术发展过程中的一个重要规范。
这一规范引入了更快的运行速度和更大的带宽，同时还将CAS延迟降低到了2.5个时钟周期。
这些改进使得DDR533规范在性能上有了显著的提升，并且能够更好地满足高性能计算机系统的需求。
6.DDR2内存DDR2内存是DDR技术发展过程中的一个重要里程碑。
这一代内存采用了新的工作方式，使得内存的运行速度得到了大幅提升。
与第一代DDR内存相比，DDR2内存的运行速度提高了两倍，同时带宽也提高了两倍。
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内存的发展历程作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。
从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII 时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。
内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。
不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。
那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。
一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM 的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条”的来源。
图1，内存条与内存槽的出现小帖士：内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。
我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。
由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。
二、开山鼻祖——SIMM 内存在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。
不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了前面我们所提到的“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。
自1982年PC进入民用市场一直到现在，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖（如图2）。
图2，30pin SIMM 内存随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了（如图3），72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。
72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。
图3，72pin SIMM内存小帖士：72线的SIMM内存引进了一个FP DRAM（又叫快页内存），在386时代很流行。
因为DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失，其刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FP DRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。
另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。
三、徘徊不前——EDO DRAM内存EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO-RAM同FP DRAM极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。
工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上（如图4）。
图4，不同规格的EDO DRAM内存在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。
EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。
由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用（如图5）。
图5，EDO DRAM内存四、一代经典——SDRAM 内存自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM（Synchronous Dynamic random access memory）时代。
第一代SDRAM 内存为PC66 规范（如图6），但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代（如图7），接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上（如图8）。
由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。
在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。
图6，PC66 SDRAM内存图7，PC100 SDRAM内存图8，PC133 SDRAM内存不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存(如图9)。
图9，PC150 SDRAM内存五、曲高和寡——Rambus DRAM内存尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。
与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高（如图10）。
图10，Rambus DRAM内存在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手剑，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2GByte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。
尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上（如图11），无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。
图11，PC800 Rambus RDRAM内存六、再续经典——DDR内存DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。
DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。
至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。
第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存（如图12），其后来的DDR333内存也属于一种过度（如图13），而DDR400内存成为目前的主流平台选配（如图14），双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象（如图15）。
图12，DDR266内存图13，DDR333内存图14，DDR400内存图15，DDR533内存七、今日之星——DDR2内存随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。
不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。