单晶硅的制备方法简介及其中物理过程解释
单晶硅的制造工艺流程
单晶硅的制造工艺流程一、原料准备。
1.1 硅石选取。
咱单晶硅制造啊，首先得选好原料。
硅石那可是基础中的基础，就像盖房子的砖头一样重要。
咱得找那些纯度比较高的硅石，不能随便拉来一块就用。
这硅石就像是参加选美比赛的选手，得经过咱严格的筛选才行。
那些杂质多的硅石，就像混在好人堆里的坏蛋，得把它们剔除掉。
1.2 提纯到多晶硅。
有了好的硅石之后呢，就得把它变成多晶硅。
这一步就像是把铁矿石炼成铁一样，是个很关键的过程。
要通过各种化学方法，把硅石中的硅元素提炼出来，让它变得更纯。
这个过程可不容易，就像爬山一样，得一步一个脚印，每个环节都不能出错。
要是出了岔子，那后面的单晶硅质量可就没保障了。
二、单晶硅生长。
2.1 直拉法。
直拉法是制造单晶硅很常用的一种方法。
咱就想象一下，有一个熔炉，里面装着多晶硅原料，就像一口装满宝贝的大锅。
然后把籽晶放进去，这个籽晶就像是一颗种子，单晶硅就从这颗种子开始生长。
慢慢地把籽晶往上拉，就像钓鱼一样，多晶硅就会在籽晶的基础上不断生长，最后形成一根长长的单晶硅棒。
这过程中啊，温度、提拉速度等因素都得控制得恰到好处，就像厨师做菜时掌握火候一样，差一点都不行。
2.2 区熔法。
还有区熔法呢。
这个方法有点像接力比赛。
通过加热一小段多晶硅，让硅熔化后再结晶，然后一点一点地往前推进这个熔化结晶的过程，就像接力棒一棒一棒地传下去，最后形成单晶硅。
这个方法能制造出更高纯度的单晶硅，但是操作起来也更复杂，就像走钢丝一样，得小心翼翼的。
三、加工处理。
3.1 切割。
单晶硅棒有了之后，就得进行切割。
这就好比把一根大木头锯成小木板一样。
不过这切割可不像锯木头那么简单，要用专门的切割设备，像金刚线切割之类的。
切割的厚度、精度都有很高的要求，要是切得不好，那可就浪费了之前那么多的心血，就像把一块好玉给雕坏了一样，让人痛心疾首。
3.2 打磨抛光。
切割完了还不行，还得打磨抛光。
这就像是给单晶硅做美容一样，让它的表面变得光滑平整。
单晶硅生产工艺流程
单晶硅生产工艺流程引言单晶硅是一种重要的半导体材料，广泛用于电子、光伏和光电等领域。
它具有优异的电学性能和光学特性，是制造高性能电子元件和太阳能电池的理想材料。
本文将介绍单晶硅的生产工艺流程，以及相关的技术和装备。
原材料的准备单晶硅的生产过程主要涉及到两种原材料：硅精矿和碳质物质。
硅精矿是一种含有高纯度硅的矿石，其中的硅氧化物含量需要达到一定比例。
碳质物质则用于还原硅精矿中的硅氧化物，使其转化为纯净的硅。
在生产工艺开始之前，这两种原材料需要进行必要的准备工作，如筛选、磨碎和混合等。
熔炼过程熔炼是单晶硅生产工艺的核心步骤，也是制备高纯度硅的关键环节。
熔炼主要利用电熔法或炭热还原法。
下面将介绍这两种方法的基本工艺流程。
电熔法电熔法是一种常用的单晶硅熔炼方法。
其工艺流程如下：1.加料：将准备好的硅精矿和碳质物质按一定比例加入电熔炉中。
2.熔炼：通过电流加热，将炉内的原料熔化，形成硅液。
硅液的温度需要控制在适当的范围内，以保证纯度和质量。
3.净化：对熔融的硅液进行净化处理，去除杂质和杂质元素。
净化可以通过常用的方法，如氢气冲洗或添加添加剂进行。
4.成型：将净化后的硅液注入成型模具中，使其冷却和凝固。
成型的方式有多种，例如拉丝、浇铸或制备圆柱形的单晶硅锭。
5.抽取锭：将制备好的单晶硅锭从模具中取出，并进行表面处理和清洗。
炭热还原法炭热还原法是另一种常见的单晶硅熔炼方法。
其工艺流程如下：1.加料：将准备好的硅精矿和碳质物质按一定比例混合。
2.熔炼：将混合料加入炉中，并利用高温炭电弧或火焰燃烧，使混合料充分燃烧和反应。
在燃烧过程中，碳质物质将还原硅精矿中的硅氧化物，生成纯净的硅。
3.净化：对产生的纯净硅进行净化处理，去除杂质和杂质元素。
净化的方法与电熔法类似。
4.成型：将净化后的硅液注入成型模具中，使其冷却和凝固。
5.抽取锭：将制备好的单晶硅锭从模具中取出，并进行表面处理和清洗。
单晶硅的后续加工制备好的单晶硅锭可以进行进一步的加工，以满足各种应用需求。
硅集成电路基本工艺流程简介
硅集成电路基本工艺流程简介近年来，日新月异的硅集成电路工艺技术迅猛发展，一些新技术、新工艺也在不断地产生，然而，无论怎样，硅集成电路制造的基本工艺还是不变的。
以下是关于这些基本工艺的简单介绍。
IC制造工艺的基本原理和过程IC基本制造工艺包括：基片外延生长、掩模制造、曝光、氧化、刻蚀、扩散、离子注入及金属层形成。
一、硅片制备（切、磨、抛）1、晶体的生长（单晶硅材料的制备）：1) 粗硅制备: SiO2+2H2=Si+2H2O99％经过提纯:>99.999999%2) 提拉法基本原理是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体.2、晶体切片：切成厚度约几百微米的薄片二、晶圆处理制程主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件，是整个集成电路制造过程中所需技术最复杂、资金投入最多的过程。
功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩其工艺流程如下：1、表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
2、初次氧化有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固)湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H23、CVD法沉积一层Si3N4。
CVD法通常分为常压CVD、低压CVD 、热CVD、电浆增强CVD及外延生长法（LPE）。
着重介绍外延生长法（LPE）：该法可以在平面或非平面衬底上生长出十分完善的和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜的结构。
在外延工艺中，可根据需要控制外延层的导电类型、电阻率、厚度，而且这些参数不依赖于衬底情况。
4、图形转换（光刻与刻蚀）光刻是将设计在掩模版上的图形转移到半导体晶片上，是整个集成电路制造流程中的关键工序，着重介绍如下：1）目的：按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线。
单晶硅的合成原理
单晶硅的合成原理单晶硅的合成原理可以分为两个主要步骤：硅的提取和硅的晶体生长。
硅的提取:硅是地壳中第二丰富的元素，广泛存在于许多矿石和岩石中。
然而，由于硅的晶体结构特殊，使其不易提取为高纯度的单晶硅。
目前，常用的提取方法是通过高温还原二氧化硅（SiO2）。
1. 准备原料：将含有二氧化硅的矿石或矿石中提取得到的二氧化硅粉末作为原料。
这些原料经过破碎、筛分、洗涤等处理，去除掉杂质。
2. 熔炼过程：将清洁的二氧化硅与还原剂（如木炭或焦炭）混合，放入特殊的电炉中。
通过加热和控制气氛，使木炭或焦炭与二氧化硅发生反应。
在高温下，还原剂与二氧化硅发生反应生成硅，并且挥发的其他杂质会被除去。
3. 净化过程：将得到的硅坯进行净化处理，去除其中的杂质。
常见的净化方法包括熔炼净化、化学净化和气相净化等。
这些净化方法主要通过重力分离、化学反应或高温高压条件下的蒸发和凝结等过程，将杂质与硅分离。
4. 快速凝固：将得到的纯化硅液在低温条件下快速凝固，使硅原子排列成结晶态。
通常使用自动铸铁和坩埚等方法进行快速凝固，以获得较高质量的硅单晶。
硅的晶体生长:通过减少晶体中的缺陷和控制硅原子的排列，可以实现单晶硅的生长。
常用的方法有Czochralski法和区域熔融法。
1. Czochralski法：这是一种常用的单晶硅生长方法。
将熔化的硅注入铂制坩埚中，并通过旋转和下降坩埚的方式，使硅液逐渐凝固并形成单晶。
通过控制坩埚和硅液的温度，结晶速度和加热器的位置，可以获得高纯度和大尺寸的单晶硅。
2. 区域熔融法：区域熔融法是一种通过局部加热和快速冷却的方法来生长单晶硅。
该方法主要包括悬浮区域法、池堆积法和气相传递法等。
悬浮区域法：首先在硅单晶上方放置硅粉末或其他硅材料，在适当的温度下进行加热，使硅材料部分熔化并形成一定的悬浮区域。
然后通过快速降温，使悬浮区域快速凝固并形成单晶。
池堆积法：将硅圆片放置在加热坩埚中，利用坩埚底部加热使硅圆片熔化，然后通过减小加热功率或移动坩埚，使液态硅熔点下降并在不均匀晶化的条件下迅速凝固，从而生长出单晶硅。
单晶硅生产工艺流程原理
单晶硅生产工艺流程原理单晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子器件制造中，特别是在集成电路行业中扮演着关键角色。
单晶硅的制备是一个复杂而精细的工艺过程，需要经过多个步骤才能获得高纯度的单晶硅材料。
下面将介绍单晶硅的生产工艺流程原理。
原料准备单晶硅的生产过程以硅矿石为主要原料。
首先需要将硅矿石经过多道精炼工艺，去除杂质，得到高纯度的硅原料。
这些原料经过淬火、压制等处理后，形成硅棒的初始坯料。
制备硅棒制备硅棒是单晶硅生产的第一步，该过程采用Czochralski法（简称CZ法）或区熔法（简称FZ法）等方法。
在CZ法中，将初始坯料放入石英坩埚中，加热至高温熔化。
然后，在控制的条件下，缓慢降温并用旋转晶稳定法拉出硅棒。
晶棒切割硅棒制备完成后，需要将硅棒切割成薄片，常用的方法是采用金刚石线锯或者线切割机。
这一步骤旨在减小硅片的厚度，方便后续加工。
晶片处理切割后的硅片需要经过多道化学和物理处理，以去除表面杂质和缺陷。
包括去除氧化层、清洗、抛光等工艺，以确保硅片的表面光洁度和纯净度。
晶片生长经过处理后的硅片用作单晶硅的生长基板。
在生长炉中，将硅片加热至高温，通过控制炉内气氛和温度，使硅片逐渐生长为单晶体。
这一步骤需要高度精密的操作和控制，以确保单晶硅的质量和纯度。
晶片切割生长完成后的单晶硅坯料需要进行切割，以得到符合尺寸要求的硅片。
切割方法包括金刚石刀切割、线切割等，确保硅片的准确尺寸和表面光洁度。
清洗和包装最后一步是对切割后的硅片进行清洗和包装。
在超纯水和化学溶剂中清洗硅片表面，去除残留的杂质和可溶性物质，然后精密包装，避免受到环境污染和损坏。
通过以上几个关键步骤，单晶硅的生产工艺流程得以完整实现。
每一个步骤都需要高度精密的操作和控制，以确保最终生产出高纯度、高质量的单晶硅材料，以满足电子器件制造的需求。
单晶硅的生产工艺虽然复杂，但正是这一系列精细工艺的完美结合，才使得单晶硅成为半导体产业中不可或缺的重要材料。
单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺
单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺单晶硅是一种广泛用于各种电子和光伏应用的材料，它的生产过程需要高度的技术和专业知识。
以下是单晶硅生产工艺的一般步骤：1.提纯：首先，需要将原材料硅提纯。
这个过程包括化学方法，如歧化、精馏和还原等，以去除硅中的大部分杂质。
最终得到的硅纯度可达99%以上。
2.沉积：提纯后的硅被熔化并倒入模具中，形成一个圆柱形的硅锭。
这个过程中，硅锭的形状和大小取决于模具的形状和大小。
3.切片：硅锭被冷却并使用线锯或激光切片技术切割成一定厚度的硅片。
切片过程中需要控制硅片的厚度和形状，以确保其符合特定应用的要求。
4.清洗和抛光：切割后的硅片表面可能会存在杂质或损伤，因此需要进行清洗和抛光以去除这些缺陷。
清洗过程包括化学浸泡、冲洗和干燥，而抛光则使用机械研磨或化学腐蚀的方法来平滑硅片的表面。
5.检测和包装：清洗和抛光后的硅片需要进行质量检测，以确保其满足客户的要求。
检测过程可能包括观察硅片的表面质量、测量其尺寸和厚度、检查其强度和韧性等。
最后，合格的硅片被包装并发送给客户。
单晶硅片生产工艺是指将单晶硅棒切割成一定形状和大小的硅片，这些硅片通常用于制造太阳能电池板或其他电子设备。
以下是单晶硅片生产工艺的一般步骤：1.切片：将单晶硅棒切成一定厚度的硅片。
这个过程通常使用专业的切片机或线锯来完成。
2.分选和清洗：切好的硅片可能存在大小、形状、厚度和表面质量等方面的差异。
为了满足应用要求，需要对硅片进行分选和清洗。
分选过程可能包括人工或自动检测，根据检测结果将硅片分成不同等级。
清洗过程包括化学浸泡、冲洗和干燥，以去除硅片表面的污垢和其他杂质。
3.加工和抛光：对于一些特定的应用，需要对硅片进行加工和抛光。
加工可能包括切割、磨削或钻孔等，而抛光则使用机械研磨或化学腐蚀的方法来平滑硅片的表面。
加工过程中需要注意控制硅片的形状和质量，以避免出现裂纹、变形或损伤等问题。
4.检测和包装：加工和抛光后的硅片需要进行质量检测，以确保其满足客户的要求。
单晶硅生产工艺
单晶硅生产工艺单晶硅生产工艺是一种重要的制备方法，用于制造高纯度的单晶硅材料。
它在电子工业、光伏产业等领域有着广泛的应用。
本文将介绍单晶硅的生产工艺及其主要步骤。
单晶硅是由纯净的硅材料制成的，其主要原料是石英砂。
首先，经过物理和化学的处理，石英砂中的杂质被去除，以保证最终产品的高纯度。
这一步骤常常被称为净化或精炼过程。
接下来，经过矿山开采和选矿，石英砂被破碎成小颗粒，并通过浮选等方法将杂质与硅分离。
随后，石英粉末被送入高温石英炉。
在炉内，石英粉末通过升温和冷却的过程，使纯净的硅材料逐渐结晶成块状。
在晶体生长的过程中，需要维持稳定的温度和压力条件。
通常使用感应炉等加热设备来提供热能。
在此过程中，石英容器或若干种不同的晶体生长设备被使用。
静态法是目前最常用的单晶生长方法。
在这种方法中，石英产生的热能被保持在恒定的温度下，使石英坯体逐渐结晶成大片的单晶硅材料。
这种方法具有高度的可控性和较低的成本。
在单晶硅生长结束后，晶坯需要经过多个步骤的加工。
首先，晶体被切割成薄片，这些薄片被称为晶片。
晶片表面经过粗糙化处理，以提高其表面的光电转换效率。
接着，晶片需要进行蚀刻，以去除表面的污染物和缺陷。
蚀刻可以采用湿法或干法，具体的选择取决于生产过程的要求。
最后，晶片被切割成具有特定尺寸的硅片。
这些硅片可以使用在半导体行业中，如电子器件和集成电路的制造。
总之，单晶硅生产工艺是一系列精密的步骤，用于制备高纯度的单晶硅材料。
这些步骤包括石英砂的净化、晶体生长、晶片加工和硅片切割等。
通过这些步骤，可以得到适用于电子工业和光伏产业的高质量单晶硅材料。
太阳能单晶硅片的制备技术简介
太阳能单晶硅片的制备技术简介1.原料准备：太阳能单晶硅片的主要原料为高纯度硅材料，通常采用电石法或硝酸法制备高纯度多晶硅。
这些多晶硅切割成块状，作为生长单晶硅的原料。
2.单晶硅生长：单晶硅生长是太阳能单晶硅片制备的关键步骤。
生长方法主要有单晶拉扯法和单晶浸渍法。
单晶拉扯法是最常用的方法，通常在高温下将多晶硅块逐渐拉伸成单晶硅棒，然后通过切割和修剪获得所需尺寸的单晶硅片。
单晶浸渍法是将多晶硅块浸渍在熔融硅中，通过控制温度和拉扯速度来生长单晶硅。
3.单晶硅片的处理：生长出的单晶硅片需要经过多种处理步骤，以优化其电学性能和表面特性。
首先是去除表面杂质和氧化物的化学处理，通常采用酸洗和氧化处理。
接下来是通过机械或化学机械抛光进一步提高表面质量。
最后，使用化学蒸汽沉积或溅射等方法在单晶硅片表面沉积抗反射膜和屏蔽层，提高光电转化效率。
4.单晶硅片的加工：生长和处理好的单晶硅片需要进行进一步的加工，以获得最终的太阳能单晶硅电池。
加工包括切割、清洗、染料涂覆、前金属化、背金属化、测试和封装等步骤。
除了传统的单晶硅生长方法，近年来也出现了一些新的技术和方法，以提高生产效率和降低制造成本。
例如，有些公司采用单晶硅超薄切片技术，通过薄切片和高温层压的方法，将单晶硅薄片直接粘结在导电玻璃上，以减少材料损失和加工工序。
另外，还有一些公司采用了直接生长法，通过在硅基底上直接生长单晶硅，从而避免了多晶硅的生长和切割过程。
总之，太阳能单晶硅片的制备技术是太阳能电池制造中不可或缺的重要环节。
随着科技的不断进步和创新，相信太阳能单晶硅片制备技术将不断提升，为太阳能产业的发展做出更大的贡献。
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群文天地·2013年第3期下
摘要：制造太阳能电池的半导体材料已知的有十几种，
因此太阳电池的种类也很多。
目前，
技术最成熟，并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳能电池。
而太阳能电池性能的好坏全依赖于电池的核心部件硅材料性能的好坏。
硅材料分为单晶硅、多晶硅、铸造硅以及薄膜硅等许多形态。
虽然形态不一制作方法不尽相同，但是实现的目的是一样的。
都是尽可能多的将太阳光的光能转化为电能。
硅是地球上储藏最丰富的元素之一。
自从上个世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，硅材料
便几乎改变了一切，甚至人类的思维，二十世纪末，
我们的生活中处处可见硅的身影和作用，晶体硅太阳电池是近几十年来形成产业化最快的。
生产过程大致可分为五个步骤：（a ）提纯过程（b）拉棒过程（c）切片过程（d）制电池过程（e）封装过程。
本文就单晶硅的制备略作讨论。
一、引言
当光线照射太阳电池表面时，一部分的光子被硅原子吸
收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了跃迁，
成为自由电子在P-N 结两侧集聚形成了电位差，当硅板外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电子的定向移动形成电流流过外部电路从而产生一定的输出功率。
这个过程的实质是：光能转换成电能的过程。
太阳能光伏发电技术是利用太阳能电池组件接收太阳光，电池的半导体属性将太阳光转换为电势能并通过后续的储能
装备存储后加以利用的一项便捷的能源转换技术。
由于太阳光的持续性及无污染性，光伏发电是可再生能源与清洁能源的代表，也是未来可持续发展新能源开发的最具期待性的技术。
作为储存转换后的电能的蓄电池的性能已经成为本项技术的一个关键性的难题，后续的控制电路部分也关系着整个光伏系统的运行状态。
本文讨论的是太阳能电池的关键也是核心部件硅材料的制备，硅材料
二、晶体硅太阳电池的制作过程单晶硅材料制造要经过如下过程：石英砂-冶金级硅-提纯和精炼-沉积多晶硅锭-单晶硅-硅片切割。
晶体硅太阳电池是近几十年来形成产业化最快的。
生产过程大致可分为五个步骤：（1）提纯过程（2）拉棒过程（3）切片过程（4）制电池过程（5）封装过程。
本文讨论的单晶硅制作主要在提纯过程和拉棒过程。
其他内容以后再进行探讨。
1.提纯过程：提纯过程可以简单的描述为将普通的含有大量杂质的硅熔融再进行结晶从而得到纯度很高的硅材料的过程。
这个高的纯度通常在99.9999%以上。
结晶过程可以近似为等温等压过程。
根据热力学系统自由能理论，当系统的变化时系统的自由能减少时，过程才能进行下去。
当温度大于晶体的熔点Tm 时，液态自由能GL 低于固态自由能GS，从液态向固态的变化，自由能增大，结晶不能进行下去；当温度小于晶体的熔点Tm 时，液态自由能GL 高于固态自由能GS。
从液态向固态的变化，自由能减小，结晶就能自发进行下去。
而在结晶进行之前必须先形成晶核，晶核的形成也有许多种，但为了保证硅的纯度通常只能加入已经提纯了的硅或者等待其自发形成晶
核。
晶体融化成液态后，作为宏观的固态结构已被破坏，
但在液体中的近程范围内仍然存在着规则排列的原子团，
这些原子团由于原子的热运动瞬间聚集瞬间又散开，
这种原子在极小范围内的有序集聚称为晶坯。
由于晶坯的存在，液态结构与气态相比，液态更接近固态。
一旦熔体具有一定的过冷度，晶坯就会长大，当晶坯长大到一定尺寸时，就成了晶核。
晶核是晶体生长最原始的胚胎(生长点),是极微小的微晶粒，是晶体成长的中心。
2.拉棒过程：即生长成棒，这也包含了几种方法如区熔法、直拉法、磁拉法和多次加料法等。
区熔法是按照分凝原理进行材料提纯的。
杂质在熔体和熔体中已结晶的固体的溶解度是不一样的。
开始结晶的头部样品集中了杂质而尾部杂质量少。
直拉法硅单晶的生长，是将硅原料连同所需掺入的杂质，
熔化在石英坩埚中，然后在熔点温度下，
用晶种（籽晶）引出，逐渐长大而拉制成功的。
让熔体在一定的过冷度下，将籽晶作为唯一的非自发晶核插入熔体，籽晶下面生成二维晶核，横向排
列，单晶就逐渐形成了，但是要求一定的过冷度，
才有利于二维晶核的不断形成，同时不允许其他地方产生新的晶核。
热场的温度梯度的变化必须满足这个要求。
磁拉法基本原理为：在熔体施加磁场后，则运动的导电熔体体元受到洛伦兹力的作用。
使得熔体的粘滞增大。
连续加料法：实际上就是在直拉法的基础上开发出能够最低限度带入污染的加料方法，使得拉制单晶硅的成本降低。
连
续加料包括液态加料和固态加料。
液态加料的连续加料装置包括两个独立的炉子，其间由一石英管连接在一起。
依靠虹吸管的原理，熔液由一边的熔化炉输送到另一边的拉晶炉。
加料的
速度由两个坩埚的高度差来控制。
固态加料法是直接将固态多晶硅原料加入石英坩埚。
这些系统使用石英挡板来隔开晶体生长区域及多晶硅原料熔化区，以避免多晶硅原料影响固液界面温度的稳定性。
因此生产上一般把挡板延伸至晶棒下方，创造出双坩埚的作用，以维持晶体生长区域的熔解量可维持固定，固态多晶硅原料是采用块状多晶。
三、总结与展望
单晶硅是目前太阳能电池材料中光能转化为电能效率最
高的半导体材料，
同时制造单晶硅的成本也是所有半导体材料中最高的。
太阳能发电已经进入了一个发展的瓶颈阶段。
我们期待光伏产业有进一步的突破，使地球上普及太阳能应用的时代早日来临。
参考文献:[1]尹建华，李志伟.半导体硅材料基础[M].化学工业出版社，2009.
[2]徐岳生等.磁场直拉单晶硅生长[J].河北工业大学材料学院，2006.（作者简介：陶炎芬（1984-），女，江西九江人，江西省九江职业大学信息工程学院，研究方向：光伏电子；舒展（1982-），女，江西九江人，江西省九江职业大学信息工程学院，研究方向：软件工程。
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单晶硅的制备方法简介及其中物理过程解释
陶炎芬
舒展
理论园地
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单晶硅的制备方法简介及其中物理过程解释
作者：陶炎芬， 舒展
作者单位：
刊名：
群文天地
英文刊名：Folk Art and Literature
年，卷(期)：2013(6)
1.尹建华;李志伟半导体硅材料基础 2009
2.徐岳生磁场直拉单晶硅生长 2006
引用本文格式：陶炎芬.舒展单晶硅的制备方法简介及其中物理过程解释[期刊论文]-群文天地 2013(6)。