模电期末复习卷子分解

合集下载

模拟电路考试题及答案解析

模拟电路考试题及答案解析

模拟电路考试题及答案解析一、选择题(每题2分,共20分)1. 在理想运算放大器中,输入电阻是:A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1Ω答案:B解析:理想运算放大器的输入电阻是无穷大,意味着它不会从信号源吸取电流。

2. 一个基本的共射放大电路中,如果基极电流增加,集电极电流将:A. 增加B. 减少C. 不变D. 先增加后减少答案:A解析:在共射放大电路中,集电极电流与基极电流成正比,这是通过晶体管的电流放大作用实现的。

3. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可测量答案:B解析:模拟信号是连续的,可以模拟现实世界中的变化,并且可以测量,但不是可量化的,因为它们不是离散的数字值。

4. 一个理想的二极管在正向偏置时:A. 导通B. 截止C. 振荡D. 短路答案:A解析:理想二极管在正向偏置时导通,允许电流通过。

5. 一个RC低通滤波器的截止频率是:A. \( f_c = \frac{1}{2\pi RC} \)B. \( f_c = \frac{1}{RC} \)C. \( f_c = \frac{2\pi}{RC} \)D. \( f_c = \frac{RC}{2\pi} \)答案:A解析:RC低通滤波器的截止频率是信号频率下降到最大值的\( \frac{1}{\sqrt{2}} \)时的频率,公式为\( f_c =\frac{1}{2\pi RC} \)。

...(此处省略其他选择题)二、简答题(每题10分,共20分)1. 解释什么是负反馈,并说明其在放大电路中的作用。

答案:负反馈是指将放大电路的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端。

负反馈可以提高放大电路的稳定性,减少非线性失真,增加带宽,并提高输入和输出阻抗。

2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。

答案:运算放大器由两个输入端(一个反相输入端和一个非反相输入端)、一个输出端以及内部的差分放大器、电压放大器和输出级组成。

(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案

(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。

0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。

烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。

0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。

击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。

模电试题及答案

模电试题及答案

模电试题及答案Title: 模电试题及答案详解Introduction:在学习电子工程方向的学生中,模拟电路课程一直被认为是较为重要且有挑战性的课程之一。

为了帮助大家更好地掌握和理解模拟电路,本文提供了一系列常见的模拟电路试题,并附带详细的答案解析,希望能够对读者有所帮助。

1. 试题一:题目描述:根据以下电路图,计算并求解输出电压Vo。

[电路图]解析:根据电路图,我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电压Vo。

首先,根据电压分压原理,我们可以得到:Vo = Vin * (R2 / (R1 + R2))其中,Vin为输入电压,R1和R2分别为电阻1和电阻2的阻值。

2. 试题二:题目描述:在以下示意图中,根据给定的电路参数和输入信号波形,计算并绘制输出电压波形。

[示意图]解析:根据示意图,我们可以得到输入电压Vin的波形如下:[输入信号波形图]根据电路参数和输入信号波形,我们可以进行电路分析,计算并绘制输出电压Vo的波形。

具体的计算和绘图步骤如下:1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电压波形图]3. 试题三:题目描述:根据给定的操作放大电路图,计算并分析输入信号和输出信号之间的增益。

[操作放大电路图]解析:操作放大器是一种常见的电路组件,用于放大输入信号。

我们可以根据给定的操作放大电路图,进行电路分析来计算增益。

具体步骤如下:1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [计算结果,即输入输出信号之间的增益]4. 试题四:题目描述:根据电路图,计算并绘制输出电流随时间的变化曲线。

[电路图]解析:根据电路图,我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电流随时间的变化曲线。

具体步骤如下:1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电流随时间的变化曲线图]5. 试题五:题目描述:根据给定的振荡器电路图,计算并分析输出信号的频率。

模电试题及答案(期末考试题)

模电试题及答案(期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。

模拟电子技术期末试卷及答案5套

模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。

2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。

由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是极。

若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。

放大电路通常采取 反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。

(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

( ) 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。

( ) 4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V 。

( )5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。

《模拟电子技术》期末试卷及答案

《模拟电子技术》期末试卷及答案

《模拟电子技术》期末试卷及答案(本题每空1分,共20分)一、填空题:1. 二极管的伏安特性上分有四个区,分别是区、区、区和。

2. 双极型三极管属于控制型器件,单极型三极管属于控制型器件。

3. 理想运放的电路模型中,开环电压放大倍数A O=,差模输入电阻r i= ,输出电阻r O= ,共模抑制比K CMR= 。

4. 击穿属于碰撞式的击穿,击穿属于场效应式的击穿,这两种击穿均属于击穿,具有互逆性。

5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中,其中组态的放大电路放大能力最强,组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力,组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。

6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。

(本题每小题1分,共10分)二、判断下列说法的正确与错误:1. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会造成永久型损坏。

()2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管,其导电机理是相同的。

()3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。

()4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。

()5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。

()6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。

()7.设置静态工作点的目的,就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。

()8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时,该管必须烧损。

()9. 理想集成运放构成的线性应用电路中,电压增益与其内部参数无关。

()10.即使是单门限电压比较器,其输出也必定是两种状态。

()(本题每小题2分,共16分)三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的()价杂质元素构成的。

A.三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,则该管必工作在()。

模电期末考试试题及答案

模电期末考试试题及答案

模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题(每题2分,共20分)1. 在理想运算放大器中,输入电阻是:A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是:A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题(每空2分,共20分)6. 运算放大器的_________端是虚拟地,即电压为0V。

7. 电压跟随器的特点是_________,输出阻抗小。

8. 一个理想的电压源的内阻是_________。

9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。

10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。

三、简答题(每题10分,共30分)11. 解释什么是差分放大器,并简述其主要优点。

12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。

13. 什么是振荡器?请列举至少两种常见的振荡器类型。

四、计算题(每题15分,共30分)14. 给定一个共射放大电路,其静态工作点为VB=10V,VC=20V,VE=5V,β=100。

假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V,计算该电路的静态工作电流IE。

15. 设计一个简单的RC低通滤波器,要求截止频率为1kHz,输入信号频率为10kHz,计算所需的电阻和电容值。

答案:一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗,低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路,它能够放大两个输入端之间的差值信号,而抑制共模信号。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

模拟试题一一、选择填空(每空1分,共20分)1.纯净的半导体叫()。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。

A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。

A.扩散B.漂移C.小D.大3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。

A.双极B.空穴C.单极D.自由电子4.负反馈放大电路的含义是()。

A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路之外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。

A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。

A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈二、判断正误(每题2分,共10分)1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

()3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

()4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。

()5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。

()三、简答题1.设图3-1中二极管、为理想二极管,判断它们是导通还是截止?输出电压= ?(4分)2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。

在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。

四、(6分)根据图4某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线,试求:(1)静态Q 点;(2)三极管电流放大系数β;(3)集电极电阻;(4)最大不失真输出电压幅度。

六、(8分)判断图6-1、6-2所示放大电路的反馈极性和组态。

七、设图7所示电路的静态工作点合适,、的β分别为、,发射结电阻分别为、,画出它们的交流等效电路,并写出、和的表达式。

九、试求图9所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。

模拟试题二一、选择填空(每空1分,共20分)1.掺入5价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠()导电。

A.空穴B.N型半导体C.P型半导体进制D.自由电子2.PN结反偏时,少子的()运动较强,空间电荷区变厚,结电阻较()。

A.扩散B.漂移C.小D.大3.为保证三极管工作在放大区,接入电路时,应使它的发射结、集电结保持()偏置。

A.正向,正向B.正向,反向C.反向,正向D.反向,反向4.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是()。

A.B.C.5.在BJT三种基本组态放大电路中,输入电压与输出电压反相的电路是();不具有电压放大作用的的是()。

A.共射电路B.共集电路C.共基电路6.若要改善放大器的带负栽能力,应引入();若要增大输入电阻,应引入()。

A.电压反馈B.电流反馈C.串联反馈D.并联反馈7.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的(),共模信号是两个输入端信号的()。

A.差B.和C.平均值13.负反馈所能抑制的干扰和噪声是()。

A.反馈支路产生的干扰和噪声B.反馈环路内的干扰和噪声C.反馈环路外的干扰和噪声D.输出信号中的干扰和噪声二、判断正误(每题2分,共10分)1.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

()2.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

()3.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号。

()4.若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。

()5.在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。

()三、简答题1.电路如图3-1,已知=10sinwt(v),E=5v,R=1kW,试用理想模型分析电路的功能,并画出的波形。

四、(10分)固定偏流电路如图4-1所示。

已知:= 12V,= 280kΩ,=3kΩ,= 3 kΩ,三极管β= 50, 取= 200Ω,= 0.7V。

求:(1)静态工作点Q;(2)求电压增益;(3)假如该电路的输出波形出现如图4-2所示的失真,问是属于截止失真还是饱和失真?调整电路中的哪个元件可以消除这种失真?如何调整?五、差分放大电路如图5所示,已知三极管的β均为100,=0.7V,=10K ,=20K,=11.3K。

1.求静态工作点(,,);2.求双出的、。

七、判断图7-1、7-2所示放大电路的反馈极性,若为负反馈,判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电压放大倍数。

八、试求图8所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。

模拟试题三一、选择填空(每空1分,共20分)1.在本征半导体中,掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它的多子是()。

A.N型半导体B.P型半导体C.电子D.空穴2.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。

A.增大B.不变C.减小3.PN结反偏时,空间电荷区(),多子的扩散运动被阻止,只有少子的()运动形成反向饱和电流。

A.变厚B.扩散C.漂移D.变薄4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容5.稳压管的稳压区是其工作在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿6.直流稳压电源中的整流电路利用了二极管的()特性。

A.正向伏安特性B.反向伏安特性C.单向导电性8.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入();欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈13.在差分放大电路中,若2个输入端信号分别为15mV和3mV,则其差模输入信号为(),共模输入信号为()。

A.18mV B.12mV C.9mV D.6mV15.若要求电压放大倍数较大,应选用()放大电路;若要求放大电路的输入电阻较大,应选用()放大电路。

A.共基极B.共发射极C.共集电极二、判断正误(每题2分,共10分)1.因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。

()2.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

()3.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

()三、简答题1.电路如图3-1,设D为理想二极管,试判断二极管的工作状态。

2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。

在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。

四、(10分)射极偏置电路如图4所示。

已知:= 12V,= 2.5kΩ,=7.5kΩ,=2kΩ,=1kΩ,= 2kΩ,三极管β= 30,取= 300Ω,=0.7V。

求:(1)静态工作点Q;(2)电压增益;(3)电路输入电阻和输出电阻。

五、差分放大电路如图5所示,已知三极管的β均为100,=0.7V,=10K ,=20K,=11.3K。

1.求静态工作点;2.若输出信号从的集电极输出,计算。

七、判断图7-1、7-2所示电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

若为交流负反馈,判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电压放大倍数。

八、试求图8所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。

模拟试题四一、选择填空(每空1分,共20分)1.在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体,加入()元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价通八达C.三价2.PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.变宽B.基本不变C.变窄3.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()少数载流子的浓度则与()有很大的关系。

A.温度B.少子寿命C.杂质浓度D.晶体缺陷4.工作在放大区的某三极管,如果当从12μA增大到22μA时,从1mA变为2mA,那么它的β约为()。

A.83B.91C.1005.当晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应工作于()。

A.前者反偏、后者也反偏;B.前者正偏、后者反偏;C.前者正偏、后者也正偏。

6.=0V时,不存在导电沟道的场效应管是()。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管8.选用差分放大电路的原因是()。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数9.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用()。

A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路11.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈二、判断正误(每题2分,共10分)2.只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。

()3.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

()4.运算电路中一般均引入负反馈。

()5.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其大的特点。

()三、简答题1.电路如图3-1,设D为理想二极管,试判断二极管的工作状态。

2.测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。

在圆圈中画出管子,并说明是硅管还是锗管。

四、放大电路如图所示,β=50。

试求:(1)静态Q点;(2);、;。

五、判断图5-1、5-2所示放大电路的反馈极性,若为负反馈,判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电压放大倍数。

七、试求图7所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。

模拟试题一答案一、选择填空1.B,C,D2.A,C3.B,D(D,B),A,C4.D5.C6.D,B,C7.C8.C9.B,D10.A11.B二、判断正误1.×2.× 3.4.×5.三、简答题1.解:假设、断开,的阳极为0V,阴极为-9V;的阳极为-12V,阴极为-9V;∴导通,截止,输出电压=0V2.PNP;硅管四、=0.02mA,≈1mA,≈3V;β≈50;≈3KΩ;≈1.5V五、解:电容的作用传输交流信号,其两端的充电电压在输入信号的负半周充当一个负电源。

若电容容量足够大,即比输入信号的周期大得多,=1/2直流电源电压。

,,。

六、解:电流并联交直流负反馈;电压串联交直流负反馈。

七、解:八、图8-1能,图8-2不能。

九、模拟试题二答案一、选择填空1.B,D2.B,D3.B4.C5.A,B6.A,C7.A,C8.B,A9.D10.B11.C 12.A13.B14.B二、判断正误1.2.×3.4.×5.×三、简答题1.1.解:假设D断开,阳极端电位为,阴极端电位为E,则(1)< E 时,二极管反向截止,= ;(2)> E 时,二极管正向导通,= E;波形如图,为单向(正向)限幅电路。

相关文档
最新文档