《电力电子技术基础》课程复习(打印版)
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第7章 PWM控制技术 PWM控制技术河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0 版）河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0版）第7章 PWM控制技术 PWM控制技术河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0 版）河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0版） 7.3 PWM跟踪控制技术滞环比较方式跟踪控制方法: 跟踪控制方法: 不是用信号波对载波进行调制，而是把希望输出的波形作为指令信号，把实际波形作为反馈信号，通过“ 两者的瞬时值比较”来决定逆变电路开关器件的通断，使实际的输出跟踪指令信号变化。
滞环环宽电抗器L的作用图7-22 采用滞环比较方式电流跟踪控制图7-23 滞环比较方式的指令电流和输出电流常用的（跟踪）比较方式：滞环比较方式、三角波比较方式。
1基本原理 2参数影响①L的影响： L大时，i的变化率小，跟踪慢; L小时，i的变化率大，开关频率过高; ②环宽的影响环宽过宽时：开关频率低,跟踪误差大；环宽过窄时：跟踪误差小,但开关频率过高(损耗大电流跟踪控制应用最多。
第7章 PWM控制技术 PWM控制技术河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0 版）河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0版）第7章 PWM控制技术 PWM 控制技术河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0 版）河南科大自动化系多媒体教案（WSBU2.0版）三角波比较方式基本原理• 先把i*U、i*V和i*W和实际电流iU、iV、iW进行比较，求出偏差, 通过放大器A放大后, 再去和三角波进行比较，产生PWM波形。
第9章电力电子器件应用的共性问题驱动电路的基本任务：——将控制信号转换为电力电子器件的“开通”或“关断”信号。
• 对半控型器件: 只需提供开通控制信号。
• 对全控型器件: 既要提供开通控制信号, 又要关断控制信号。
驱动电路（的作用）？①主电路与控制电路之间的接口。
是电力电子装置的重要环节，对整个装置的性能有很大的影响。
《电力电子技术》综合复习资料(DOC)
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
3、整流是指将变为的变换。
4、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
5、逆变角β与控制角α之间的关系为。
6、MOSFET的全称是。
7、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是；另一方面是。
8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。
9、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。
10、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
11、就无源逆变电路的PWM控制而言，产生SPWM控制信号的常用方法是。
12、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题，通常主要采取的隔离措施包括：和。
13、IGBT的全称是。
14、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为。
15、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。
16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的和时间比，即调节来控制逆变电压的大小和频率。
17、型号为KP100-8的元件表示管、它的额定电压为伏、额定电流为安。
二、判断题1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
3、在单相桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
4、GTO属于双极性器件。
5、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
6、对于三相全控桥整流电路，控制角α的计量起点为自然换相点。
7、IGBT属于电压驱动型器件。
8、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
9、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
10、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
《电力电子技术》课后复习题(附答案)
电力电子技术课后复习题（全面）1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换、和传输的技术。
2、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
3、电力电子技术的基本转换形式和功能：整流电路----AC/DC----整流器直流斩波----DC/DC----斩波器逆变电路----DC/AC----逆变器交流电路----AC/AC----变频器4、电力电子器件是指在可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
5、广义上，电力电子器件也可分为电真空器件和半导体器件。
6、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度的程度进行分类：不可控器件---------电力二极管（功率二极管PD）半控型器件---------晶闸管(SCR)全控型器件---------电力晶体管（GTR）7、全控型器件也称自关断器件。
代表元件：门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
8、按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质进行分类：电流驱动型：晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管等。
电压驱动型：电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管等。
9、按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件:电力二极管、晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管单极型器件：电力场效应晶体管。
复合型器件：绝缘栅双极晶体管。
10、功率二极管（PD）又称电力二极管，也称半导体整流器。
其基本结构与普通二极管一样。
有螺栓型和平板型两种封装。
正平均电流I F(A V): 电流最大有效值I 11．功率二极管的测试：用万用表的Rx100或Rx1测量。
【注】严禁用兆欧表测试功率二极管。
选择二极管时要考虑耗散功率。
不可控器件------功率二极管（电力二极管）12、功率二极管的主要类型：普通二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管。
13、半控型器件----晶闸管（SCR）是硅晶体闸流管的简称，又称为可控硅整流器。
电力电子技术复习资料
电力电子技术复习资料第一章 电力电子器件及驱动、保护电路1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术。
P12、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
P13、电力电子技术的主要功能：1）、整流与可控整流电路也称为交流/直流（AC/DC ）变换电路；2）、直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路；3）、逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路；4）、交流变换电路（AC/AC 变换）。
P14、电力电子器件的发展方向主要体现在：1）、大容量化；2）、高频化；3）、易驱动；4）、降低导通压降；5)、模块化；6）、功率集成化。
P25、电力电子器件特征：1）、能承受高压；2）、能过大电流；3）、工作在开关状态。
P46、电力电子器件分类：1)、不可控器件，代表：电力二极管；2）、半控型器件，代表：晶闸管；3）、全控型器件，代表：电力晶体管（GTR ）。
P57、按照加在电力电子器件控制端和公共端之间的驱动电路信号的性质又可以将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
P68、晶闸管电气符号。
P19、晶闸管关断条件：阴极电流小于维持电流；晶闸管导通条件：阳极加正压，门极加正压。
导通之后门极就失去控制。
P1110、晶闸管的主要参数（选管用）重复峰值电压——额定电压U Te ；晶闸管的通态平均电流I T(A V)——额定电流。
P1311、K f =电流平均值电流有效值===2)(πAV T T I I 1.57。
P14 12、根据器件内部载流载流子参与导电的种类不同，全控型器件又分为单极型、双极性和复合型三类。
P1713、门极可关断晶闸管（GTO ）具有耐压高、电流大等优点，同时又是全控型器件。
P1814、电力晶体管(GTR)具有自关断能力、控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。
P1915、GTR 发生二次击穿损坏，必须具备三个条件：高电压、大电流和持续时间。
电力电子技术基础复习题
一、单项选择题1、硅材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V2、锗材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V3、研究电力电子电路的重要方法是（）。
A、电阻法B、电流法C、电压法D、波形分析法4、三相逆变电路中相邻序号开关导通间隔为（）。
A、30°B、60°C、90°D、120°5、以下（）属于不控型器件。
A、晶闸管B、三极管C、二极管D、场效应管6、工频交流电是指频率为（）的交流电源。
A、50HzB、60HzC、90HzD、120Hz7、半导体器件的最高结温一般限制在（）。
A、30°～50°B、50°～100°C、100°～150°D、150°～200°8、晶闸管额定电压是其在电路中可能承受最高电压的（）倍。
A、1～2B、2～3C、3～4D、4～59、晶闸管额定电流是在通态电流平均值的基础上增加（）倍。
A、1～1.5B、1.5～2C、2～2.5D、2.5～310、发展最快最有前景的电力电子器件是（）器件。
A、不控型B、半控型C、可控性D、全控型11、电力场效应晶体管中主要类型是（）。
A、P沟道增强型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、N沟道耗尽型12、以下属于电阻性负载的是（）。
A、白炽灯B、蓄电池C、电动机励磁绕组D、电磁铁13、电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。
A、电压B、电流C、电阻D、电感14、功率因数λ为（）时电力系统发送功率的利用率最高。
A、0>λ>-1B、1C、0<λ<1D、0.915、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。
A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区16、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。
A. 栅极B. 源极C. 基极D. 漏极17、三相对称交流电相互之间相差（）。
电力电子技术复习重点
第一章电力电子器件1、电力电子技术就是用电力电子器件对电能进行变换与控制的技术流(AC—AC)。
常用电力电子器件、电路图形文字符号与分类:二、晶闸管的导通条件:阳极正向电压、门极正向触发电流、三、晶闸管关断条件就是:晶闸管阳极电流小于维持电流。
导通后晶闸管电流由外电路决定实现方法:加反向阳极电压。
3、晶闸管额定电流就是指:晶闸管在环境温度40与规定的冷却状态下,稳定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
4、IT(AV)与其有效值IVT的关系就是IT(AV)=IVT/1、575、晶闸管对触发电路脉冲的要求就是:1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 2)触发脉冲应有足够的幅度3)所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极电压,电流与功率额定且在门极伏安特性的可靠触发区域之内4)应有良好的抗干扰性能,温度稳定性与主电路的电气隔离。
第二章:整流电路1、单相桥式全控整流电路结构组成:A.纯电阻负载:α的移相范围0~180º,Ud 与Id的计算公式,要求能画出在α角下的Ud ,Id及变压器二次测电流的波形(参图3-5);B.阻感负载:R+大电感L下,α的移相范围0~90º,Ud 与Id计算公式要求能画出在α角下的Ud ,Id,Uvt1及I2的波形(参图3-6);2、三相半波可控整流电路:α=0 º的位置就是三相电源自然换相点A)纯电阻负载α的移相范围0~150 ºB)阻感负载(R＋极大电感L)①α的移相范围0~90 º②Ud IdIvt计算公式③参图3-17 能画出在α角下能Ud IdIvt的波形(Id电流波形可认为近似恒定)3、三相桥式全控整流电路的工作特点:A)能画出三相全控电阻负载整流电路,并标出电源相序及VT器件的编号。
B)纯电阻负载α的移相范围0~120 ºC)阻感负载R＋L(极大)的移相范围0~90 ºUd IdIdvtIvt的计算及晶闸管额定电流It(AV)及额定电压Utn的确定D)三相桥式全控整流电路的工作特点:1)每个时刻均需要两个晶闸管同时导通,形成向负载供电的回路,其中一个晶闸管就是共阴极组的,一个共阳极组的,且不能为同一相的晶闸管。
(完整word版)电力电子技术考试复习资料
一、填空1.1 电力变换可分为以下四类：交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。
1.2 电力电子器件一般工作在 开关 状态。
1.3 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可将电力电子器件分为： 半控 型器件， 全控型器件，不可控器件等三类。
1.4 普通晶闸管有三个电极，分别是 阳极 、 阴极 和 门极1.5 晶闸管在其阳极与阴极之间加上 正向 电压的同时，门极上加上 触发 电压，晶闸管就导通。
1.6 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性解发电压，管子都将工作在 截止 状态。
1.7 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 开关损耗 。
1.8 电力电子器件组成的系统，一般由 控制电路 、 驱动电路 和 主电路 三部分组成 1.9 电力二极管的工作特性可概括为 单向导电性 。
1.10 多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，多个晶闸管相串联时必须考虑 均压 的问题。
1.11 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 电流驱动 和电压驱动 两类。
2.1 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a 的最大移相范围是︒180~0。
2.1 单相桥全控整流电路中，带纯阻负载时，a 角的移相范围是︒180~0，单个晶闸管所所承受的最大反压为22u ，带阻感负载时，a 角的移相范围是︒90~0，单个晶闸管所所承受的最大反压为22u2.3 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位相序依次互差︒120，单个晶闸管所承受的最大反压为26u ，当带阻感负载时，a 角的移相范围是2~0π2.4 逆变电路中，当交流侧和电网边结时，这种电路称为 有源逆变电路 ，欲现实有源逆变，只能采用全控电路，当控制角20π<<a 时，电路工作在 整流 状态，ππ<<a 2时，电路工作在 逆变 状态。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点：① 半控器件：晶闸管（SCR ）全控器件：绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）、电力晶体管（GTR ）、 门极关断晶闸管（GTO ）、电力场效应管（MOSEFT ） 不可控器件：电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。
②注意电流有效值与电流平均值的区别： 平均值：整流后得到的直流电压、电流。
有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
波形系数：K f =有效值/平均值 。
③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路： du /dt ：关断时，采用阻容电路（RC ）。
di/dt ：导通时，采用电感电路。
二 整流电路1. 单相半波电路：① 注意电阻负载、电感负载的区别： ② 有效值与平均值的计算：平均值：整流后得到的直流电压、电流。
21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 波形系数：电流有效值与平均值之比。
f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。
③ 晶闸管的选型计算：Ⅰ求额度电压：2TM U =，再取1.5~2倍的裕量。
Ⅱ 求额度电流（通态平均电流I T （AV ）） 先求出负载电流的有效值（f d I k I =）； →求晶闸管的电流有效值（I T =I ）；→求晶闸管的电流平均值（()/T AV T f I I k =），再取1.5~2倍裕量。
2. 单相全桥电路负载：①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别： ② 电阻负载的计算：α移相范围：0~π负载平均值：整流后得到的直流电压、电流。
（半波的2倍）21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算：Ⅰ加续流二极管时，与电阻负载相同。
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1) 电流驱动型 2) 电压驱动型
通过从控制端注入或抽出电流，来实现开通、 关断控制。GTR、GTO
仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电 压信号，就可实现导通或者关断的控制， IGBT，MOSFET。
3、按器件内部参与导电的载流子情况
1) 单极型器件 2) 双极型器件 3) 复合型器件
由一种载流子参与导电的器件，如MOSFET 由电子和空穴两种载流子参与导电，如：GTR 由单极型器件和双极型器件集成混合成，IGBT
尾部
时间
时间
O
¾ 关断过程（与晶闸管不同） ①储存时间ts: 抽取饱和导通时储
存的大量载流子，退出饱和。
②下降时间tf: 双晶体管已退至放
大区，阳极电流逐渐减小。
③尾部时间tt: 残存载流子复合。
t
iA
IA 90% IA
td tr
储存 时间
ts tf
tt
10% IA
0t t
t
0
1
2
t t tt
3
4
5
电压和电 流决定的。
4
《电力电子技术基础》课程复习
河南科技大学《电力电子技术》课件
第1章 绪论
1.1 什么是电力电子技术
一、电力电子技术的定义
信息电子技术
用于信息处理; 器件一般工作于放大状态，也可开关状态。
电力电子技术
主要用于电力(电能)变换; 器件处于开关状态。
• 电力电子技术: 使用电力电子器件 对电能进行变换 和控制的技术。即应用于电力领域的电子技术。
5
《电力电子技术基础》课程复习
河南科技大学《电力电子技术》课件
第2章 电力电子器件
2.1 电力电子器件概述
电力电子器件的特征 ① 所能处理电功率的大小是其最重要的参数。 ② 电力电子器件一般都工作在“开关”状态。减小损耗。 ③ 由信息电子电路来控制 ，而且需要驱动电路。 ④ 器件封装讲究散热设计，且工作时一般要装散热器。
2.4 典型全控型器件
2.4.1 门极可关断晶闸管（GTO）
1. GTO的结构与工作原理
¾ 结构： ①与普通晶闸管类似。 ②与普通晶闸管的不同点：多元功率集成器件。
z 工作原理：仍用双晶体管模型分析。
可用门极关断GTO的原因？ 在于以下几个特点:
① ②
设极导计关通的断时。αα21较+α大2更。接使近晶1体(≈1管.0V5)2，控接制近灵临敏界，饱易和于,G有TO利关于断门。
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1.4.3 电力场效应晶体管（Power MosFET）
电力MOSFET的特点: 用栅极电压来控制漏极电流
优点：① 驱动电路简单，驱动功率小。② 开关速度 快，工作 频率高。③ 热稳定性优于GTR。 缺点：电流容量小，耐压低。10kW以下。
t
z开通时间tgt: tgt=td+tr
I RM
2) 关断过程 ①反向阻断恢复时间trr。因J1, J3 O
附近积累有大量载流子, 要抽出。正向 IG 电流降为零到反向恢复电流减至近于零。
反向恢复 电流峰值
t
②正向阻断恢复时间tgr。因J2两侧
载流子靠自然复合！
• 在tgr内, 如重加正电压, 重新导通。 • 实用中: 应对晶闸管施加足够长时间
关断: 栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消 失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。
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2.4.3 电力场效应晶体管
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二、动态特性
开通过程
①开通延迟时间td(on): (输入电容Cin)
从up前沿时刻到uGS=UT, 并出现 iD。
6
1
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2.2.3 电力二极管的主要参数
1. 正向平均电流IF(AV) —电流定额
在指定管壳温度和散热条件下, 允许流过的“最大工频正弦
半波”电流的平均值。 ¾使用时：1）按“有效值相等”的原则来选取电流定额。
即：1.57IF(AV)=I（实际波形电流的有效值）
y 无反压阻断能力; 通态电阻正温度系数。
14
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2.4.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT或IGT）——GTR和MosFet复合。 特点：驱动功率小，开关速度快；较低的导通压降。
1) IGBT的结构
• N沟道IGBT(N-IGBT)
通态平均电流IT(AV) ——额定电流 • 在环境温度为40°C和规定冷却状态下，稳
定结温不超过额定结温时，晶闸管所允许 流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 • 使用时: 按有效值相等原则选晶闸管。留 1.5~2倍裕量。
1.57IF(AV)=I
（应等于流过管 子的实际波形电 流的有效值）.
11
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2. 动态特性
iA
阳极电流快速上
1) 开通过程
100% 90%
①延迟时间td: 门极电流阶跃时刻
开始,到阳极电流上升到稳态值10%。
（延迟原因？）。
10%
②上升时间tr: 阳极电流从10%上升
到稳态值的90%.
0 td
u AK
tr
升(正反馈已形 成，α1+α2>1)
内部正反馈形成 过,(α1+α2)Æ1
（总结）晶闸管的 “开通” 和“关断”条件
z 开通条件： ①在晶闸管“阳极-阴极”间加正向电压。 ②在晶闸管“门极-阴极”间加上正向(触发)电压或电流。
z 维持导通的条件：是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导 通的最小电流，即维持电流。
z 关断条件：使通过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下。 办法：可通过使阳极电压减到0，或阳极电压反向。
8
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2.3.3晶闸管的主要参数
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1. 电压定额
1) 断态重复峰值电压UDRM 2) 反向重复峰值电压URRM 额定电压: 通常取UDRM和URRM中较小的
值作为该器件的额定电压。选用时，留裕 量（取为晶闸管实际承受峰压的2~3倍）。
2. 电流定额
IH
IG2 IG1
IG=0
O
U DRM U bo + UA
U DSM
反向特性
• 反向伏安特性类似二极管反向特性。
反向阻断，极小反相漏电流流过。
• 当反向电压超过反向击穿电压后，
- IA
反向击穿。
图2-9 晶闸管的伏安特性 IG2 >IG1 >IG 9
《电力电子技术基础》课程复习
河南科技大学《电力电子技术》课件
2.3.2 晶闸管的基本特性
河南科技大学《电力电子技术》课件
1. 静态特性（伏安特性） 正向特性
URSM U RR
-U
M
A
雪崩 击穿
• 导通后的特性类似二极管特性。
+ IA 正向 导通
正向转 折电压
Ubo
• 增大IG门极电流，bo降低。导通期 间，如果门极电流为零，且阳极电
流 降 至 IH 以 下 ， 再 回 到 正 向 阻 断 状 态。IH称为维持电流。
尖峰电压
trr URRMtgr
图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形
¾关断时间tq : tq=trr+tgr
的反压，充分恢复正向阻断能力。
约几百微秒。
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2.3 半控型器件——晶闸管
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2.3.1 晶闸管的工作原理
门极G无驱动信号时：阻断，仅流过很小漏电流。 门极G加驱动信号时: 工作原理用双晶体管模型解释。
电感作用，组织电流下降）。
零偏->正偏的开通过程
1) 正向压降先出现一个过冲UFP; 过一段时间才趋于某个稳态值 (如2V)。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。
2) 产生正向过电压的原因
• 电导调制效应起作用需一定时间储存大量少子,达到稳态导通前,
管压降较大。
• 正向电流的上升会因器件自身电感而产生较大压降。
②电压上升时间trv:（密勒平台期）—栅漏电容充电，uDS上升，uGS=uGSP。
③电流下降时间tfi——uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS<UT时 沟道消失，
iD下降到零为止。
关断时间：toff= td(off) + trv + tfi
15
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2. IGBT的基本特性
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图2-15 GTO的开通和关断过程电流波形
3、GTO的主要参数
1) 开通时间ton ton = td + tr
2) 关断时间toff toff = ts + t f
t 3) 最大可关断阳极电流IATO
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《电力电子技术基础》课程复习
河南科技大学《电力电子技术》课件
3.电力MOSFET的主要参数
前已述及：跨导Gfs、ton、 toff ① 阀值电压UT: 使漏极流过一个特定量的电流所需的最小栅源
2) 全控型器件
通过控制信号既可控制其开通又可 控制其关断。又称自关断器件。
• 电力场效应晶体管（MOSFET）. • 绝缘栅双极晶体管（IGBT）. • 其他：GTO, GTR 等.
3) 不可控器件
不能用控制信号来控制其通断,不 需要驱动电路
• 电力二极管。