【电子教案--模拟电子技术】第四章放大电路的频率响应
模拟电子技术电子教案
模拟电子技术电子教案第一章：模拟电子技术概述1.1 教学目标让学生了解模拟电子技术的基本概念、特点和应用领域。
让学生掌握常用的模拟电子元件及其功能。
培养学生对模拟电子技术的兴趣和好奇心。
1.2 教学内容模拟电子技术的定义和特点模拟电子技术的应用领域常用的模拟电子元件：电阻、电容、电感、二极管、晶体管等1.3 教学方法采用讲授法，讲解模拟电子技术的基本概念和特点。
通过实物展示和示范，介绍常用的模拟电子元件及其功能。
引导学生进行实验操作，培养学生的动手能力。
1.4 教学评估通过课堂提问，检查学生对模拟电子技术基本概念的理解。
通过对实验报告的评估，了解学生对常用模拟电子元件功能的掌握情况。
第二章：模拟电路的基本分析方法2.1 教学目标让学生掌握模拟电路的基本分析方法。
培养学生运用基本分析方法解决实际问题的能力。
2.2 教学内容模拟电路的基本分析方法：静态分析、动态分析、频率响应分析等。
常用电路分析工具：节点电压法、回路电流法、频率响应分析法等。
2.3 教学方法采用讲授法，讲解模拟电路的基本分析方法。
通过示例电路，演示常用分析方法的运用。
引导学生进行实际电路的分析，培养学生的实际操作能力。
2.4 教学评估通过课堂提问，检查学生对模拟电路基本分析方法的理解。
通过对实际电路分析的评估，了解学生对分析方法的掌握情况。
第三章：放大电路3.1 教学目标让学生了解放大电路的基本原理和特点。
培养学生掌握放大电路的设计和分析方法。
3.2 教学内容放大电路的基本原理：输入、输出和反馈关系。
放大电路的类型：共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路等。
放大电路的设计和分析方法：晶体管参数、电压增益、频率响应等。
3.3 教学方法采用讲授法，讲解放大电路的基本原理和特点。
通过示例电路，介绍不同类型的放大电路。
引导学生进行放大电路的设计和分析，培养学生的实际操作能力。
3.4 教学评估通过课堂提问，检查学生对放大电路基本原理的理解。
放大电路的频率响应和噪声
为新电路设计提供指导。
03
技术发展
随着电子技术的不断发展，对放大电路的性能要求也越来越高。理解频
率响应和噪声有助于推动相关技术的进步，促进电子工程领域的发展。
对未来研究的展望
新材料与新工艺
随着新材料和纳米技术的发展，未来研究可以探索如何将这些新技术 应用于放大电路中，以提高其频率响应和降低噪声。
系统集成
噪声的来源
01
02
03
04
热噪声
由于电子的热运动产生的随机 波动。
散粒噪声
由于电子的随机发射和吸收产 生的噪声。
闪烁噪声
由于半导体表面不平整或缺陷 引起的噪声。
爆米花噪声
由于材料的不完美性或晶体缺 陷引起的噪声。
噪声的分类
宽带噪声
在整个频率范围内具有均匀的 功率谱密度。
窄带噪声
在特定频率范围内具有较高的 功率谱密度。
抗干扰能力
放大电路的噪声也会影响通信系统的抗干扰能力。低噪声放 大电路有助于提高通信系统的抗干扰性能，确保信号传输的 稳定性。
在音频处理系统中的应用
音质
音频处理系统中，放大电路的频率响应和噪声对音质有重要影响。好的频率响 应能够保证音频信号的真实还原，而低噪声放大电路则有助于减少背景噪声， 提高音频清晰度。
宽频带型
在较宽的频率范围内具有较为平坦的放大倍 数。
频率响应的分析方法
解析法
通过电路理论中的传递函数和频率函数等概念， 推导放大电路的频率响应。
实验法
通过实际测量不同频率下的电压放大倍数，绘制 频率响应曲线。
计算机仿真法
利用电路仿真软件，模拟和分析放大电路在不同 频率下的性能表现。
03 放大电路的噪声
【电子教案--模拟电子技术】第四章放大电路的频率响应
达式， 即
共射电路完整波特图
AA
1jf us
usm
jf f L
f1jf
f
L
H
由上图可看出，画单管共射 放大电路的频率特性
时，关键在于算出下限和上限截止频率
f L
和
f H
，
下限截止频率取决于低频时输入回路的时间数
，由图可知： R R C ，其中，
L
L
s
i
1
R R r r
1 k
戴维宁定理等效
1 k 0.01 F
1//1 k 0.01 F
1
1
fH 2RC 23.140.5k0.01F31.8(kHz)
例 5.1.2 已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C
。
C 1
500 C 2 k
2fL R
1
23.1430H 0 z2500
0.21(2F)
4.1.2 晶体管及其单级放大电路的频率特性
•
R'B
US
I•c C 2
I•b RC
RS RL •
US
C 1 I•b
•
Ui
rbe
I•o C 2
RC
•
U o
IbRC
RL
AR•uBs
>>
rbAe• us0
1-jfL /
f
Aus
Aus 0 1(f L/ f)2
fL m (fL a ,1 fL x ) 2 -18 a 0rc (fL t/a f)n
结相位论fL1超: 频前2率。(R降S1低rb,e)AC1us；随之减f小L2,输2出(R比C1输RL入)C2电压
模拟电子技术课程教案
模拟电子技术课程教案第一章：模拟电子技术基础1.1 课程介绍了解模拟电子技术的基本概念和应用领域明确本课程的教学目标和学习要求1.2 模拟电子技术概述介绍模拟电子技术的基本原理和特点理解模拟信号与数字信号的区别1.3 模拟电路的基本元件介绍电阻、电容、电感等基本元件的特性分析电路中元件的作用和相互关系1.4 电路定律与分析方法学习欧姆定律、基尔霍夫定律等基本电路定律掌握节点分析、支路分析等电路分析方法第二章：放大电路2.1 放大电路的基本原理了解放大电路的作用和分类明确放大电路的基本组成和性能指标2.2 晶体管放大电路学习晶体管的特性和工作原理分析晶体管放大电路的输入输出特性2.3 放大电路的设计与分析学习放大电路的设计方法和步骤掌握放大电路的稳定性分析、频率响应分析等2.4 放大电路的应用实例分析音频放大器、功率放大器等应用实例了解放大电路在实际应用中的限制和优化方法第三章：滤波电路3.1 滤波电路的基本原理了解滤波电路的作用和分类明确滤波电路的基本组成和性能指标3.2 低通滤波器学习低通滤波器的原理和设计方法分析低通滤波器的频率特性和平滑特性3.3 高通滤波器学习高通滤波器的原理和设计方法分析高通滤波器的频率特性和平滑特性3.4 滤波电路的应用实例分析信号处理、通信系统等领域的滤波应用实例了解滤波电路在实际应用中的限制和优化方法第四章：模拟电路的测量与调试4.1 测量仪器与仪表学习示波器、信号发生器、万用表等测量仪器的基本原理和使用方法了解测量误差的概念和减小方法4.2 电路调试与故障排除学习电路调试的基本方法和步骤掌握故障排除的技巧和常用方法4.3 电路测试与性能评估学习电路测试的方法和指标了解电路性能评估的方法和准则4.4 实例分析：放大电路的测量与调试分析放大电路的测量参数和方法了解放大电路的调试过程和故障排除方法第五章：模拟电路的应用实例5.1 信号发生器的设计与实现学习信号发生器的基本原理和设计方法分析信号发生器的电路结构和性能指标5.2 模拟信号处理电路学习模拟信号处理电路的基本原理和设计方法分析滤波器、放大器等信号处理电路的应用实例5.3 模拟通信系统学习模拟通信系统的基本原理和组成分析调制解调器、放大器等通信电路的应用实例5.4 电源电路的设计与实现学习电源电路的基本原理和设计方法分析开关电源、线性电源等电源电路的应用实例第六章：运算放大器及其应用6.1 运算放大器的基本原理了解运算放大器的工作原理和特性明确运算放大器的应用领域和性能指标6.2 运算放大器的应用电路学习运算放大器的差分放大电路、比例放大电路等基本应用分析运算放大器在信号处理、滤波器设计等领域的应用实例6.3 运算放大器的选型与使用学习运算放大器的选型原则和使用注意事项掌握运算放大器的级联、偏置电路设计和补偿方法6.4 运算放大器的troubleshooting 与优化学习运算放大器电路的故障分析和排除方法了解运算放大器电路的性能优化技巧第七章：振荡电路7.1 振荡电路的基本原理了解振荡电路的作用和分类明确振荡电路的基本组成和性能指标7.2 LC 振荡电路学习LC 振荡电路的原理和设计方法分析LC 振荡电路的频率稳定性和Q 值的影响7.3 晶体振荡电路学习晶体振荡电路的原理和设计方法分析晶体振荡电路的频率稳定性和应用实例7.4 振荡电路的应用实例分析信号发生器、无线通信等领域的振荡应用实例了解振荡电路在实际应用中的限制和优化方法第八章：模拟集成电路8.1 集成电路的基本原理了解集成电路的分类和特点明确集成电路的设计流程和制造工艺8.2 模拟集成电路的基本单元学习放大器、滤波器、转换器等基本模拟集成电路单元的设计方法分析集成电路中元件的匹配和布局要求8.3 集成电路的封装与测试学习集成电路的封装技术和测试方法掌握集成电路的可靠性评估和品质控制要点8.4 集成电路的应用实例分析音频处理、视频处理等领域的集成电路应用实例了解集成电路在现代电子设备中的广泛应用和趋势第九章：模拟电子技术的现代发展9.1 集成电路的设计软件与工具了解现代集成电路设计所需的软件和工具掌握电子设计自动化（EDA）工具的基本使用方法9.2 现代模拟集成电路技术的发展趋势学习FinFET、MEMS 等先进集成电路技术的特点和应用了解物联网、等新兴领域对模拟电子技术的需求和挑战9.3 混合信号集成电路及其应用学习混合信号集成电路的设计方法和应用领域分析模拟数字接口、模拟数字转换器等混合信号电路的应用实例9.4 电源管理集成电路学习电源管理集成电路的基本原理和设计方法分析电源管理集成电路在便携式电子设备中的应用实例第十章：模拟电子技术的实验与实践10.1 实验设备与实验流程了解模拟电子技术实验所需设备和材料掌握实验操作的基本流程和安全注意事项10.2 实验项目与实验指导学习放大电路、滤波电路等基本实验项目的设计与调试分析实验中可能遇到的问题和解决方法10.3 设计性实验与创新实践学习设计性实验的要求和评价标准探索模拟电子技术在创新实践中的应用和解决方案掌握实验结果的展示和交流技巧重点和难点解析重点环节1：模拟电子技术的基本原理和特点解析模拟电子技术的基本概念，包括模拟信号与数字信号的区别强调模拟电子技术的应用领域和实际意义重点环节2：放大电路的作用和分类解析放大电路的基本原理和性能指标强调不同类型放大电路的特点和应用场景重点环节3：滤波电路的设计与分析解析滤波电路的基本原理和设计方法强调滤波电路的频率特性和平滑特性分析重点环节4：模拟电路的测量与调试方法解析测量仪器与仪表的使用方法和测量误差的概念强调电路调试的步骤和故障排除技巧重点环节5：模拟电路的应用实例分析解析信号发生器、音频放大器等应用实例的设计与实现强调模拟电路在实际应用中的限制和优化方法重点环节6：运算放大器的基本原理和应用解析运算放大器的工作原理和特性强调运算放大器的应用电路设计和优化方法重点环节7：振荡电路的原理和设计解析LC振荡电路和晶体振荡电路的设计方法强调振荡电路的频率稳定性和应用实例重点环节8：模拟集成电路的设计与测试解析集成电路的基本单元设计和封装技术强调集成电路的测试方法和可靠性评估重点环节9：现代模拟电子技术的发展趋势解析现代集成电路设计工具和先进技术的发展趋势强调新兴领域对模拟电子技术的需求和挑战重点环节10：模拟电子技术的实验与实践强调实验操作的基本流程和安全注意事项全文总结和概括：本教案涵盖了模拟电子技术的基本原理、放大电路、滤波电路、测量与调试、应用实例、运算放大器、振荡电路、模拟集成电路、现代发展趋势以及实验与实践等十个重点环节。
模拟电子技术教案
模拟电子技术课程教案1、适用专业：电气信息及相关专业大学本科二年级2、授课时间：第三学期3、任课教师：4、本课程学时：52+125、本课程教学目的：本课程是电气信息类各专业的主要技术基础课。
是现代新兴技术如计算机技术、信息技术等的基础，是一门必修课。
其目的是使学生获得模拟电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能；熟悉模拟电子电路的工作原理，掌握模拟电路分析方法和设计方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
6、本课程教学要求：(1)．能理解电子线路中常用半导体器件、基本放大电路、反馈放大电路、集成运放及应用、直流稳压电源等内容的工作原理、特点及应用，并识记上述内容中的基本知识，能运用这些原理和概念，在该知识内容范围内进行识别和判断。
(2)．能理解和掌握常用基本单元电子电路的组成和分析方法，并能对它们的主要指标进行分析估算。
(3)．能综合运用所学知识对由若干基本单元电子电路组成的较复杂电子电路进行分析估算。
7、本课程使用教材：陶桓齐编，《模拟电子技术》，华中科技大学出版社8、主要参考书目：刘光祜编，《模拟电路基础》，电子科技大学出版社康华光编，《电子技术基础》（模拟部分），高教出版社陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社一、课程主要内容：第1章半导体器件第2章基本放大电路第3章多级放大电路第4章集成运算放大电路第5章负反馈放大电路第6章信号运算电路第7章信号处理电路第8章波形产生和转换电路第9章功率放大电路第10章直流电源电路二、课程讲授计划：第1章半导体器件1. 本章基本要求：了解半导体基础知识；掌握二极管基础知识，掌握二极管应用；掌握双极型晶体管（BJT）工作原理，伏安特性曲线，BJT的各个参数；对比学习场效应管（FET）的原理和特性曲线。
第四章基本放大电路的频率响应教案
= (1 +
1 g m Ro
)
jωCb'c
•
Vo
相应地也存在一个等效密勒电容:
C
' M
= (1 +
1 g m Ro )Cb'c
ib rbb' r u b'e C b'e b'e
Cb'c
icb'
gmub'e
ic
RO
•
Vo
然而在高频区，CM' 与 Ro的乘积相比CM 与输入电阻ri 的乘积要小得多，工程上忽略
连接起来互不独立，使电路的求解过程复杂，同时工程也允许忽略部分因素。
（2）具体简化过程：
r r 第一步简化—— b'c 、ce 相对其它电阻很大，近视认为开路而忽略；（即简化混合π型等效电路）
第二步简化——利用密勒定理，将跨接在输入/输出回路之间电容 Cb'c分别折合到两个回路中去。
下面分别考虑输入、输出回路的效应：
一方面表现为输出电压幅值在改变；
另一方面表现为输出电压与输入电压产生相位移（称为附加相移）。则放大倍数是 一个相量，用复数符号法来描述。
即：
•
AV = AV∠φ
⎜⎛A• V( ⎝
f
)
=
AV(
f
)∠φ(
f
)
⎟⎞ ⎠
通常： 把放大倍数的幅度与频率的关系，称为幅频特性。 把输出电压与输入电压的相位移（附加相移）与频率的关系称为相频特性。
C b
'e
、C b
'c
的影响，这样与H参数微变等效电路中
参数相互之间有一定的关系，因而可从H参数求取混合π参数的各个等效电阻。
《模拟电子技术》教学大纲
《模拟电子技术》课程教学大纲课程名称: 模拟电子技术课程代码: 0730081课程类型: 专业核心课学分: 4 总学时: 72 理论学时: 56 实验（上机）学时: 16 先修课程: 电路基础高等数学大学物理适用专业:应用电子技术、电子信息工程、通信工程一、课程性质、目的和任务本课程是应用电子技术、电子信息工程、通信工程专业必修的专业基础课和核心课程。
本课程的目的和任务是使学生获得模拟电子技术的基本理论、基本知识和基本技能, 培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过学习使学生掌握线性电子电路中基本单元电路的工作原理、分析方法、主要性能指标等, 获得信息传递技术必备的理论知识, 为学习后续课程以及从事有关的工程技术工作和科学研究工作打下一定的基础。
二、教学基本要求1.掌握各章节基本内容, 对基本电路原理的分析能力和实验能力是学习模拟电路课的最基本要求, 要求学生很好理解和掌握。
在教学中要注重培养学生的创新意识和科学精神。
2.本课程是电专业的非常重要的专业基础课, 也是电信专业研究生入学考试的必考课程, 且具有广阔的工程应用背景。
因此, 在教学中应注意培养学生的逻辑思维能力、综合运用模拟电路理论分析和解决问题的能力, 注意理论联系实际, 同时根据本课程的特点严格要求学生独立完成一定数量的习题与课程设计。
本课程教学的组织方式包括三大部分：基本理论课、习题课、实验课、理论课采用多媒体教学手段, 实验课将通过实际的操作和设计, 使学生加深对电路、器件模型等内容的理解, 巩固课堂教学内容。
3.本课程考核由期末卷面考试、期中考试、平时抽查、平时作业、实验过程、实验报告等部分组成。
期末考试: 50%；平时成绩（含平时考勤、提问、作业）: 20%；实验: 10%；期中: 20%。
三、教学内容及要求第一章常用半导体元器件(10学时)内容①导体半导体和绝缘体、半导体的共价键结构半导体的导电机构－－电子和空穴、Ｐ型半导体、Ｎ型半导体、半导体载流子的漂移运动和扩散运动、ＰＮ结的单向导电性②普通二极管的结构、伏安特性、主要参数及注意事项稳压管的结构、伏安特性、主要参数及注意事项③双极型三极管的结构、电流分配与放大原理、输入输出特性曲线, 主要参数及注意事项结型及绝缘体场效应管的结构、工作原理、主要参数及使用注意事项。
电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础
4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管，或简称为三极管。
分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频管、低频管 按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来，可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 ２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
模 拟电子技术
Rt = (RS + r bb )//rbe Ct = Cbe + CM = Cb e+(1 + gmRL ) Cbc
增益带宽积 G BW = Aus0 fH 1
gm RL (常数)
2 Ct ( RS rbb )
•
Aus0
U• o U• s
- gm RL rbe RS rbb rbe
BW
H
L
相频特性：在 10 f f 0.1 f 时， -180 ；
L
H
在
f 0.1 f L
在
f 10 f H
时， -90 ；
时， -270 ；
模 拟电子技术
而在f从 到 以及从 到 的范围内， 相频特性都是斜率为 - 45 /十倍频程的直线。 前面已经指出在画波特图时，用折线代替实际 的曲线是有一定误差的。对数幅频特性的最大 误差为3dB，相频特性的最大误差为 5.71 ， 都出现在线段转折处。
模 拟电子技术
如果同时考虑耦合电容
C 1
和
C 2
，则可分别求出
对应于输入回路和输出回路的两个下限截止频率
f L1
2 R
1
R
C
S
i
1
f L2
2
R
1 R
C
C
L
2
这时，放大电路的低频响应，应具有两个转折
频率。如果二者之间的比值在4~5倍以上，则
可取较大的值作为放大电路的下限频率。
模 拟电子技术
否则，应该可以用其他方法处理。此时，波特图
L
2 L1
2 L1
2 Ln
若各级下限角频率相等，即ωL1=ωL2=…=ωLn,则
[1 (L1 )2 ]n 2 L
L
L1
1
2n -1
模 拟电子技术
第 四章 小结
模 拟电子技术
一、简单 RC 电路的频率特性
•R
Ui
C
•
U
o
RC 低通电路
A u
1 1 j
f
fH
•
Ui
C R
•
Uo
RC 高通电路
500 C
2fL R
1
2 k
2 3.14 300 Hz 2500
0.212 (F)
模 拟电子技术
4.1.2 晶体管及其单级放大电路的频率特性
一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性
RB1 C1 +
RS U• S
RB2
1. 中频特性
RC
+VCC +C2
C1、C2 可视为短路 极间电容可视为开路
90
模 拟电子技术
例 4.1.1 求已知一阶低通电路的上限截止频率。
1 k
戴维宁定理等效
1 k 0.01 F
1//1 k 0.01 F
fH
1 2RC
1 2 3.14 0.5 k 0.01 F
31.8 (kHz)
例 5.1.2 已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C
。
1
C
-arctan f / fH
滞后
f 0 时,
•
Au
1 ； 0
f fH 时，Au•
1 0.707； -45
2
f fH 时，Au• 0 ； -90
模 拟电子技术
2. 频率特性的波特图
A•u
1 1 ( f / fH )2
|A•u |
1 0.707
20lg|A• u |/dB
- arctan f / fH
AuI 2
[1 ( H )2 ][1 ( H )2 ] [1 ( H )2 ] 2
H1
H 2
Hn
模 拟电子技术
4.2.2 多级放大器的下限频率fL
设单级放大器的低频增益为
Auk
(
j
)
1
AuIk
- j Lk
(5–69)
Au
(
j
)
1
AuI 1
- j L1
1
AuI 1
- j
L
2
1
AuIn
- j
fL
U•i
C R
U•o 令 1/RC = L则 fL = 1/2RC
f
A u
1 1 ( fL / f )2
arctan f L / f 超前
f 10 fL 20lg|Au| = 0 dB
0
f = fL
20lg|Au| = 20lg0.7071 = -3 dB 45
f 0.1 fL 20lg|Au| = -20lg f / fH
A u Au ( f ) ( f )
Aum 0.707Aum
Au
Au( f ) — 幅频特性
( f ) — 相频特性
O
fL
f L — 下限截止频率
O
f H — 上限截止频率
2. 频带宽度(带宽)BW(Band Width)
BW = f H - f L f H
fH
f
f
模 拟电子技术
4.1.1 简单 RC 低通和高通电路的频率特性
模 拟电子技术
第四章
放大电路的频率响应
4.1 放大电路的频率性
4.2多级放大器的频率响应
小结
模 拟电子技术
4.1 放大电路的频率性
引言 4.1.1 简单RC低通和高通电路的频率特性
4.1.2 晶体管以及其单级放大电路的频率特性
4.1.3 集成运算放大器高频参数及其影响
模 拟电子技术
引言Βιβλιοθήκη 1.幅频特性和相频特性LL
s
i
1
R R r r
i
B
bb'
be
而同样，上限截止频率取决于高频时输入回路的
时间常数 ；由图可知：
H
H
RC
，
模 拟电子技术
其中
f 1 2
H
H
因此，只要能正确的画出低频段和高频段的交流等
效电路，算出输入回路的时间常数 L
和
H
，
则可以方便的画出放大电路的频率特性图。
对数幅频特性：在
V
R
L
Aus
- RL
rbe Rs
Aus0
-180
2. 低频特性：极间电容视为开路
耦合电容 C1、C2 与电路中电阻串联容抗不能忽略
模 拟电子技术
C1 I•b
I•c C2
C1 I•b
RS
•
US
rbe
R'B
I•b RC
RS RL •
US
•
Ui
rbe
I•o C2
RC
•
U o
Ib RC
RL
AR•uBs
A u
1-
1 j
fL
f
模 拟电子技术
|A•u |
1 0.707
|A• u |
1 0.707
O
fH
f
O
fL
B rbb
B Cb
C
•
US
R
S
U• be rbe
c
Cb
e
gmU• be
RL
U•o(C1，RCL2=视R为C /短/ R路L )
B rbb
E 密勒等效
B
C
CM= (1 + gmRL ) Cbc
•
US
RS U• be
rbe Cb
CM
gmU•be
RL
U•o
在输出回路略去 Cbc
H = 1/RtCt
eE
fH = 1/2 RtCt
一、RC 低通电路的频率特性
1. 频率特性的描述
•R
•
Ui
C Uo
•
Au
U• o U• i
1/ j C R 1/ j C
1
1
j RC
1 1 j
f
fH
令 1/RC = H
则 fH = 1/2RC
模 拟电子技术
|A• u |
1 0.70 7
O
O –45 –90
幅频特性
fH f f
相频特性
A•u
1 1 ( f / fH )2
2. 单位增益带宽 BWG BWG = f T f T 为开环增益下降至 0 dB(即Aud = 1)时的频率
带宽增益积= 1 f T= f T = BWG = Aud f H
BWG = Aud BW 运放闭环工作时， BWG = Auf BWf
如 741 型运放: Aud = 104，BW = 7 Hz，Auf = 10，
实际上，同时也可得出单管共
射电路完整的电压放大倍数表
达式， 即
共射电路完整波特图
A A
us
usm 1 j f
jf f L
f 1 j f
f
L
H
模 拟电子技术
由上图可看出，画单管共射 放大电路的频率特性
时，关键在于算出下限和上限截止频率
f L
和
f H
，
下限截止频率取决于低频时输入回路的时间数
，由图可知： R R C ，其中，
f到 L
f H
之间，20lg A us
20lg A usm
是一条水平直线；在 f f 时，是一条斜率为 L
+20Db/十倍频程的直线；在
f
f H
时，是一
模 拟电子技术
条斜率为+20Db/十倍频程的直线；在
f