最新模拟电子技术基础总结
模拟电子技术基础知识点总结材料
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
2024年模电学习心得(3篇)
2024年模电学习心得模拟电子技术学习心得一、引言模拟电子技术是现代电子技术的重要分支之一，广泛应用于各个领域。
在我个人的学习过程中，我对模拟电子技术有着浓厚的兴趣，并努力深入学习和研究。
通过一段时间的学习和实践，我深刻认识到模拟电子技术的重要性，并积累了一些学习心得，现在将与大家分享。
二、理论学习1. 基本原理的掌握模拟电子技术的学习首先要掌握其基本原理和基本电路。
对于模拟电路中的放大电路、滤波电路、振荡电路等，我们要理解其基本原理和特点，并学会运用基本电路进行分析和设计。
2. 整体把握在学习模拟电子技术时，要将各个知识点联系起来，形成整体框架。
只有将各个知识点的联系与共性找到，才能更好地理解和应用模拟电子技术。
3. 多思考多实践模拟电子技术是一门实践性很强的学科，光靠理论是远远不够的。
要通过多思考和多实践，将理论知识运用到实际中。
在实践中，我们会遇到各种问题和挑战，通过解决这些问题，我们才能真正地理解和掌握模拟电子技术。
三、实践应用1. 真实项目的参与在学习过程中，我经常参与一些实际项目，并运用模拟电子技术解决实际问题。
通过参与项目，我不仅加深了对模拟电子技术的理解，还学会了团队合作和解决问题的能力。
2. 实验与仿真通过实验和仿真，我们可以更深入地理解和掌握模拟电子技术。
实验是检验理论的真理性和实用性的重要手段，通过实验我们可以验证理论的正确性，并对实验结果进行分析和评估。
仿真则是在计算机上进行模拟实验，可以帮助我们更方便地进行实验设计和参数调整。
3. 不断更新知识模拟电子技术的发展非常快，新的理论和技术层出不穷。
作为学习者，我们要时刻保持学习的状态，不断更新知识，紧跟技术的发展步伐。
可以通过阅读专业书籍、参加学术会议和研究项目等方式，保持对模拟电子技术的关注和研究。
四、心得体会通过学习模拟电子技术，我不仅对电子技术有了更深入的认识，还培养了问题解决的能力和创新思维。
模拟电子技术的学习需要大量的实践和动手能力，通过实践和思考，我锻炼了自己的实践能力和动手能力，也增加了对电子技术的兴趣和热爱。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
三.*三种模型四.五.六.七.微变等效电路法八. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术总结（精选5篇）
模拟电子技术总结（精选5篇）第一篇：模拟电子技术总结模拟电子技术总结集成运放：将管线结合在一起制成的具有处理模拟信号的电路称为运算放大电路。
集成运算放大电路中的元器件的参数具有良好的一致性。
二：集成运算放大电路的组成：1.输入级（差模信号，Up-Un）,抑制温漂。
2.中间级（复合管放大电路）。
3.输出级（互补输出电路）。
4.偏置电路（电流源电路为其提供合适的静态工作点）。
三：抑制温漂（零点漂移）的办法： 1.直流负反馈2.温度补偿（利用热敏元件来抵消管子的变化）3.构成差分放大电路四：失真：1.线性失真（我们所要的,构成电路的放大）2.非线性失真：a:饱和失真b：截止失真。
3.交越失真。
（直接耦合互补输出级）。
五：多级放大电路的耦合方式: 1.直接耦合：低频特性好，便与集成化；存在温漂问题。
2.阻容耦合：便于计算静态工作点，低频特性差。
3.变压器耦合：低频特性差，实现阻抗变换；常用于调谐放大电路，功率放大电路。
4.光电耦合：六：3种最基本的单级放大电路。
1.共发射极电路具有集电极电阻Rc将三极管集电极电流的变化转化成集电极电压的变化。
2.共集电极单级放大器无集电极负载电阻，输出信号取自发射级（发射级电压跟随器）。
原因：三级管进入放大工作状态后，基极与发射级之间的PN结已处于导通状态，这一PN结导通后压降大小基本不变，硅管0.7v。
3.共基极放大器。
七：正弦波振荡电路的组成：1.放大电路2.选频网络3.正反馈网络 4.稳幅环节。
八：负反馈对放大电路特性的影响：1.稳定放大倍数2.改变输入输出电阻：⌝串联负反馈增大输入电阻⌝并联负反馈减小输入电阻⌝电压负反馈减小输出电阻⌝电流负反馈增大输出电阻九：引入负反馈的原则：1.为了稳定静态工作点应引入直流负反馈，为了改善电路的动态性能则应引入交流负反馈。
2.为了稳定输出电压（即减小输出电阻，增强带负载能力），应引入电压负反馈3.为了稳定输出电流（即增大输出电阻）应引入电流负反馈4.为了提高输出电阻（即减小放大电路下信号源所取的电流）应引入串联负反馈5.为了减小输入电阻应引入并联负反馈十：交流负反馈的四种组态： 1.电压串联2.电流串联3.电压并联4.电流并联十一：负反馈的四大好处： 1.稳定放大倍数2.改变电路的输入输出电阻3.展宽频带4.减小非线性失真未完待续，敬请期待！第二篇：模拟电子技术总结《模拟电子技术》院精品课程建设与实践成果总结模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性；是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课，而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及，它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础模拟电子技术基础（一）一、基础概念1. 电路电路是由电子元器件或者电气元件（例如，电阻、电容、电感等）连接而成，构成的电子装置。
电路分为直流电路和交流电路，其中直流电路的电流一般是恒定不变的，而交流电路的电流则是周期性变化的。
2. 元器件元器件是电路中最基本的构成单元，包括电阻、电容、电感等。
不同的元器件对电路中的电信号具有不同的影响。
例如，电阻会阻碍电流的流动，而电容则会将电信号存储下来，并释放出来。
3. 电压、电流和电阻电压是电路中电子流动的驱动力，也称电势差，通常用符号V表示。
电压越高，电流也相应地越大。
电压的单位是伏特（V）。
电流是电子在电路中流动的数量，通常用符号I表示。
电流的单位是安培（A）。
电阻是电路中阻碍电流流动的因素，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻的大小越大，则电流通过电路的速度越慢。
4. 电路图电路图是用符号表示电路中各种元器件的图示。
通过电路图，我们可以识别电路中所使用的元器件，并了解电路中各元器件之间的连接关系。
二、基础元器件1. 电阻电阻是电路中最基本的元器件之一，其作用是阻碍电流的流动。
电阻的物理量是电阻值，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻分为固定电阻和变阻器两种。
固定电阻一般以芯片电阻或线圈形式存在，主要是用来控制电路中的电流。
变阻器则被用来调节电路中电阻的大小。
2. 电容电容是能够将电能存储在其中的元器件。
电容器的物理量是电容值，通常用符号C表示。
电容的单位是法拉（F）。
电容一般分为电解电容和固体电容。
电解电容主要应用于大电容电路中，而固体电容一般应用于小电容电路中。
3. 电感电感是在电路中产生磁场并由此引起电动势的元器件。
电感的物理量是电感值，通常用符号L表示。
电感的单位是亨利（H）。
电感一般分为线圈电感和铁芯电感两种。
线圈电感主要应用于高频电路中，而铁芯电感则应用于低频电路中。
三、放大器放大器是一种能够放大电子信号的电路。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础 知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术实训心得(5篇)
模拟电子技术实训心得(5篇)模拟电路这门课程的学习已经走近尾声，回忆一学期以来所做的努力，从开头的满心奇怪，到后来的畏难心情，再到后来的不懈努力，感觉自己在模电这门课程的学习中收获很大。
还记得刚开学拿到这本厚厚的模电书开头，我心里就开头发悚，感觉这本书好像有着无法述说的重量。
大一的时候就教师学长们就和我们沟通过关于模电这门课的学习难度，而且他们几乎都认为模电的学习较有难度，所以刚开头时就没敢怠慢这门课程。
每次我总会满怀激情的在课外去复习和预习这门课的内容，但是好景不长，渐渐到后来，其它繁杂的事情越来越多，课程的学习难度也渐渐加大，所以有些章节学习起来感觉很吃力并且的确有好多问题放在那没有得到准时的解决，积存起来就比拟多了！虽然教师在课堂上讲的非常认真，但留意力稍不集中也很简单漏点重要的学问点。
再者由于课时的限制，教师讲课的速度也很快。
所以课后假如不花有效的`时间和手段进展稳固学习，是很难把握扎实的。
说说我对这本书的学习吧，在学习其次章运算放大器和第三章二极管及其根本电路时感觉还比拟简洁，也比拟好把握。
在第四章我们学习了三极管及其的放大电路的学问，刚学完这一章时我总不能正确的推断共极输入的类型，尽管看了许多例题，也没能总结出一个完全正确的方法。
再次课问教师时才想起教师总结过的一句话：“Ui连接一个电极，Uo引出一个电极，那么剩下的电极则为公共极，即为共某极电路”，这样一来，头脑中立即清楚了许多，信任许多同学也有与我一样的感受吧。
对此，我觉得主要还是要靠教师的帮忙，上课肯定要仔细听讲，仔细做笔记。
一方面听讲可以知道内容的重点，这样下课自己看书的时候就比拟有针对性，效率很高，学问点齐全，考试自然轻松；另一方面教师在课上会讲到课本上没有但又非常重要的学问和思路，而这些事自己看书根本不能得到的。
还有课外有效地预习与复习是必不行少的，它能很高效的帮忙我们理解和稳固学问点。
我认为模电是一门规律性极强的课程，而且有些电路图相当简单，离开教师的讲解，学习难度不言而喻。
模拟电子技术基础总结
模拟电子技术基础总结模拟电子技术是电子工程中的一个重要分支，它主要研究电子信号的模拟处理和传输。
在现代电子设备中，模拟电子技术的应用非常广泛，涉及到通信、电力、医疗、汽车等各个领域。
因此，掌握模拟电子技术的基础知识对于电子工程师来说至关重要。
本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结，希望能够帮助读者更好地理解和应用这一领域的知识。
首先，模拟电子技术涉及到的基本概念包括电压、电流、电阻、电感和电容等。
电压是电子技术中最基本的概念之一，它代表了电路中的电势差，通常用符号V表示。
电流则是电荷在单位时间内通过导体的数量，通常用符号I表示。
电阻是指电路中阻碍电流通过的元件，通常用符号R表示。
电感和电容分别表示了电路中的感应和储能特性，它们分别用符号L和C表示。
掌握这些基本概念是理解模拟电子技术的重要基础。
其次，模拟电子技术中常用的电路元件包括电阻、电容和电感。
电阻是电路中最常见的元件之一，它的作用是阻碍电流通过。
电容则是一种储能元件，它可以储存电荷并释放电荷。
电感是一种感应元件，它可以产生感应电动势。
这些元件在模拟电子技术中起着至关重要的作用，掌握它们的特性和应用是理解模拟电子技术的关键。
另外，模拟电子技术中常用的电路包括放大电路、滤波电路和振荡电路等。
放大电路是模拟电子技术中最基本的电路之一，它的作用是放大电路输入信号的幅度。
滤波电路则是用来滤除输入信号中的某些频率成分，常用于通信和音频设备中。
振荡电路可以产生稳定的信号，常用于时钟和调频等应用中。
掌握这些电路的特性和设计方法对于模拟电子技术的应用至关重要。
最后，模拟电子技术还涉及到信号处理和传输技术。
信号处理是指对输入信号进行处理和分析的技术，它包括滤波、放大、调制和解调等过程。
信号传输则是指将处理后的信号传输到目标地点的技术，它包括传输介质的选择、传输距离的考虑以及信号衰减和失真的补偿等问题。
掌握这些技术是模拟电子技术工程师必备的能力。
总之，模拟电子技术是电子工程中的重要领域，它涉及到电路基础、电路元件、电路设计和信号处理等多个方面。
模拟电子技术基础总结
模拟电子技术基础总结篇一：模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物砷化镓Gaas 是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。
·纯净（纯度>7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成n型（或P型）杂质半导体（n型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，n型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使n型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．Pn结·在具有完整晶格的P型和n型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——Pn结（图1-8）。
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第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。
·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
+载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。
·PN结是非中性区（称空间电荷区），存在由N区指向P区的内建电场和内建电压；PN结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN结内的电场是阻止结外两区的仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢1仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢2多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。
·正偏PN 结（P 区外接高于N 区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN 结（P 区外接低于N 区的电压），在使PN 结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流S I 。
即PN 结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。
·PN 结的伏安方程为：/(1)Tv V S i I e=-，其中，在T=300K 时，热电压26T V mV 。
·非对称PN 结有P N +结（P 区高掺杂）和PN +结（N 区高掺杂），PN 结主要向低掺杂区域延伸（图1-9）。
二、二极管知识·普通二极管内芯片就是一个PN 结，P 区引出正电极，N 区引出负电极（图1-13）。
·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si 管和Ge 管导通电压典型值分别是0.7V 和0.3V ；反偏时截止，但Ge 管的反向饱和电流比Si 管大得多（图1-15）。
·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻。
二极管交流电阻d r 定义：1D d D Qdi r dv -⎛⎫= ⎪⎝⎭·稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工作。
二极管交流电阻d r 估算：d T D r V I ≈·二极管的低频小信号模型就是交流电阻d r ，它反映了在工作点Q 处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。
·二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似（图1-20）。
三、二极管应用1．单向导电特性应用·整流器：半波整流（图1-28），全波整流（图P1-8a ），桥式整流（图P1-8b ）·限幅器：顶部限幅，底部限幅，双向限幅（图P1-9） ·钳位电路*·通信电路中的应用*：检波器、混频器等 2．正向导通特性及应用二极管正向充分导通时只有很小的交流电阻，近似于一个0.7V （Si 管）或0.3V （Ge 管）的恒压源。
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢33．反向击穿及应用·二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象即反向击穿。
·反向击穿的原因有价电子被碰撞电离而发生的“雪崩击穿”和价电子被场效激发而发生的“齐纳击穿”。
·反向击穿电压十分稳定，可以用来作稳压管（图1-33）。
4．高频时的电容效应及应用·高频工作时，二极管失去单向导电特性，其原因是管内的PN 结存在电容效应（结电容）。
·结电容分为PN 结内的势垒电容T C 与PN 结两侧形成的扩散电容D C 。
·T C 随偏压的增大而增大，D C 与正偏电流近似成正比。
·反偏二极管在高频条件下，其等效电路主要是一个势垒电容T C 。
利用这一特性的二极管称为变容二极管。
变容二极管在通信电路中有较多的应用。
第二章 双极型晶体三极管（BJT ）一、BJT 原理·双极型晶体管（BJT ）分为NPN 管和PNP 管两类（图2-1，图2-2）。
·当BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。
在放大偏置时，NPN 管满足C B C V V V >>；PNP 管满足C B E V V V <<。
·放大偏置时，作为PN 结的发射结的VA 关系是：/BE T v V E ES i I e =（NPN ），/EB Tv V E ES i I e =（PNP ）。
·在BJT 为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流E i 将几乎转化为集电流C i ，而基极电流较小。
·在放大偏置时，定义了CNE i i α=（CN i 是由E i 转化而来的C i 分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：C E CBO i i I α=+(1)C B CBO B CEO i i I i I βββ=++=+仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢4其中1αβα=-，CEO I 是集电结反向饱和电流，(1)CEO CBO I I β=+是穿透电流。
·放大偏置时，在一定电流范围内，E i 、C i 、B i 基本是线性关系，而BE v 对三个电流都是指数非线性关系。
·放大偏置时：三电极电流主要受控于BE v ，而反偏CB v 通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。
影响的规律是；集电极反偏增大时，C I ，E I 增大而B I 减小。
·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态。
二、BJT 静态伏安特性曲线·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。
BJT 常用CE 伏安特性曲线，其画法是：输入特性曲线：()CE B BE V i f v =常数（图2-13）输出特性曲线：()B B CE Ii f v =常数（图2-14）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。
·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映β近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。
·当温度增加时，会导致β增加，CBO I 增加和输入特性曲线左移。
三、BJT 主要参数·电流放大系数：直流β，直流α；交流0limC EQi i α∆→∆=∆和0limCBQi i β∆→∆=∆，α、β也满足1αβα=-。
·极间反向电流：集电结反向饱和和电流CBO I ；穿透电流CEO I·极限参数：集电极最大允许功耗CM P ；基极开路时的集电结反向击穿电压CEO BV ；集电极最大允许电流CM I·特征频率T f仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢5BJT 小信号工作，当频率增大时使信号电流c i 与b i 不同相，也不成比例。
若用相量表示为c I ，B I ，则c B I I β=称为高频β。
T f 是当高频β的模等于1时的频率。
四、BJT 小信号模型·无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT 内部的BE v 的正向控制过程产生集电极电流的相应变化（C i 出现信号电流c i ），c i 在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。
·当发射结上交流电压5||≤be v mV 时，BJT 的电压放大才是工程意义上的线性放大。
·BJT 混合π小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28），模型中有七个参数：基本参数：基区体电阻b b r '，由厂家提供、高频管的b b r '比低频管小基区复合电阻e b r '：估算式：(1)(1)Tb e e EV r r I ββ'=+=+，e r ——发射结交流电阻跨导m g ：估算300/38.5Km C T C g I V I ====（ms ），[]m e b m e b g r g r ''=β:,关系 基调效应参数 ce r ：估算C A ce I V r /≈，A V ——厄利电压c b r '：估算ce c b r r β≈'以上参数满足：e me b ce c b r g r r r ≈>>>>>>''1高频参数：集电结电容 c b C '：由厂家给出；发射结电容e b C '：估算cb Tme b Cfg C ''-≈π2*·最常用的BJT 模型是低频简化模型（1）电压控制电流源（c m b e i g v '=）模型（图2-23）（2）电流控制电流源（c b i i β=）模型（图2-24，常用），其中e b b b be r r r ''+=仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢6第三章 晶体管放大器基础一、基本概念·向放大器输入信号的电路模型一般可以用由源电压S v 串联源内阻S R 来表示，接受被放大的信号的电路模型一般可以用负载电阻C R 来表示（图3-1）。