铁电材料PbTiO3晶体结构和电子结构的杂化泛函研究
Bi(Zn0.5Ti0.5)O3-PbTiO3陶瓷的结构、介电和铁电性质

Bi(Zn0.5Ti0.5)O3-PbTiO3陶瓷的结构、介电和铁电性质摘要通过对Bi(Zn0.5Ti0.5)O3-PbTiO3固相合成,探究固相合成机理与合成方法,探究机构形貌表征的基本方法与手段,探究结构与性能的关系及所用实验手段,了解Bi(Zn0.5Ti0.5)O3-PbTiO3陶瓷的结构、介电和铁电性能。
Ba与Pb同为第六周期元素,Ba为第二主族元素,Pb为第四主族元素。
可以预测两者陶瓷在介电性质,铁电性质等方面可能会有相似之处,现已BaTiO3性质预测PbTiO3性质,并设计实验验证。
关键词:固相合成,离子掺杂,电滞回线总说明1、PbTiO3陶瓷的改性纯的PbTiO3陶瓷很难烧结,但是,在纯PbTiO3陶瓷中添加少量的添加物后,就能够烧结成致密的陶瓷,添加物能起矿化剂的作用,有效降低晶界能,减小自发应变,并固溶于晶格内使材料的物理性质得到改善。
因此,针对实际应用,开展各种添加物的研究十分重要,添加物在PbTiO3陶瓷中的改性作用大体分为如下三种。
(1),等价取代改性一般用Ca、Sr等离子取代Pb离子,制成改性的PbTiO3陶瓷。
其特点是可使材料的居里温度降低,自发应变减小,易于烧结出致密陶瓷。
(2)补偿取代改性一般用Fe、Nb、Ta、Mg、Zn、Ni、In、Mn、Sb和Co等离子取代Ti离子,所得材料的压电性能好,与PZT陶瓷类似。
(3)Pb空位取代改性La、Bi、Nd等添加物对PbTiO3陶瓷的性能有显著的影响,只要少量添加剂即能稳定PbTiO3陶瓷以防止开裂,并使材料容易极化。
上述三种改性方法,一般不单一使用,而是根据对材料性能的要求,采取综合改性措施。
2、改性PbTiO3陶瓷的制备工艺改性PbTiO3陶瓷可采用传统的PZT陶瓷工艺制备,即将原材料混合后,置于600~900度温度下预烧1~2h,球磨粉碎后,加强乙烯醇粘合剂成型,于1100~1240度下烧结成瓷。
为避免PbO挥发,应在密闭条件下烧成。
Ni,_Cu,_Zn掺杂四方相PbTiO3力学性能、电子结构与光学性质的第一性原理研究

第53卷第2期2024年2月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALSVol.53㊀No.2February,2024Ni,Cu,Zn掺杂四方相PbTiO3力学性能㊁电子结构与光学性质的第一性原理研究王云杰1,2,张志远1,2,文杜林1,2,吴侦成1,2,苏㊀欣1,2(1.伊犁师范大学物理科学与技术学院,伊宁㊀835000;2.伊犁师范大学新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁㊀835000)摘要:采用第一性原理研究了四方相钙钛矿PbTiO3以及Ni㊁Cu㊁Zn掺杂PbTiO3的力学性能㊁电子结构和光学性质㊂力学性能计算结果表明,Ni掺杂PbTiO3的体积模量㊁剪切模量及弹性模量在三种掺杂体系中最大㊂Ni掺杂体系德拜温度最高㊂G/B为材料的脆㊁韧性判据,Zn掺杂PbTiO3的G/B值最大,说明化学键定向性最高㊂Ni㊁Zn掺杂体系的G/B 范围为0.56<G/B<1.75,均为脆性材料,而本征PbTiO3和Cu掺杂体系G/B值小于0.56,均为韧性材料㊂通过电子结构分析,发现掺杂体系相比于本征体系带隙变窄,跃迁能量减小㊂Ni掺入使得PbTiO3费米能级处出现杂质能级,而Cu㊁Zn掺杂PbTiO3价带顶上移,费米能级进入价带,使得Cu㊁Zn掺杂PbTiO3呈现p型导电特性㊂从复介电函数㊁光学反射谱和吸收谱分析中发现,掺杂体系的静介电常数相较于本征体系有所提升㊂Ni㊁Cu㊁Zn的掺杂使得PbTiO3吸收范围扩展到红外波段,且增强了可见光波段的吸收强度,Cu掺杂PbTiO3材料的光催化特性在本征PbTiO3和三种单掺PbTiO3材料中是最好的㊂关键词:第一性原理;PbTiO3;掺杂;力学性能;电子结构;光学特性中图分类号:O561㊀㊀文献标志码:A㊀㊀文章编号:1000-985X(2024)02-0258-09 First Principles Study on Mechanical Properties,Electronic Structure and Optical Properties of Ni,Cu,Zn Doped Tetragonal PbTiO3WANG Yunjie1,2,ZHANG Zhiyuan1,2,WEN Dulin1,2,WU Zhencheng1,2,SU Xin1,2(1.School of Physical Science and Technology,Yili Normal University,Yining835000,China;2.Xinjiang Laboratory of Phase Transitions and Microstructures of Condensed Matter Physics,Yili Normal University,Yining835000,China) Abstract:The mechanical property,electronic structure,and optical properties of tetragonal perovskite PbTiO3and Ni,Cu, Zn-doped PbTiO3were studied by first principles.The mechanical property calculations show that Ni-doped PbTiO3exhibits the highest values for volume modulus,shear modulus,and elastic modulus among the three doping systems.Notably,the Ni-doped system also has the highest Debye temperature.The G/B ratio represents the material s brittleness and toughness, which is highest for Zn-doped PbTiO3,indicating the highest degree of chemical bond orientation.The G/B range for Ni and Zn-doped systems is0.56<G/B<1.75,indicating brittle materials,while the intrinsic PbTiO3and Cu-doped systems have G/B values less than0.56,indicating ductile materials.The electronic structure reveals that the doped systems have narrower band gaps and reduced transition energies compared to the intrinsic system.The introduction of Ni introduces impurity levels at the Fermi energy level in PbTiO3,while Cu and Zn doping shifts the valence band maximum upwards,causing the Fermi level to enter the valence band and resulting in p-type conductivity for Cu and Zn-doped PbTiO3.The doping of Ni,Cu and Zn expands the absorption range of PbTiO3to the infrared region and enhances the absorption intensity in the visible light range.Among the intrinsic PbTiO3and three single-doped PbTiO3materials,Cu-doped PbTiO3exhibits the best photocatalytic properties.Key words:first principle;PbTiO3;doping;mechanical property;electronic structure;optical property㊀㊀收稿日期:2023-08-02㊀㊀基金项目:伊犁师范大学科研专项提升重点项目(22XKZZ21);伊犁师范大学科研项目(2022YSZD004);伊犁师范大学大学生创新训练项目(S202110764006,YS2022G018);新疆伊犁科技计划(YZ2022Y002);新疆维吾尔自治区天山英才计划第三期(2021-2023)㊀㊀作者简介:王云杰(1999 ),男,新疆维吾尔自治区人,硕士研究生㊂E-mail:1575469121@㊀㊀通信作者:苏㊀欣,博士,副教授㊂E-mail:suxin_phy@㊀第2期王云杰等:Ni,Cu,Zn掺杂四方相PbTiO3力学性能㊁电子结构与光学性质的第一性原理研究259㊀0㊀引㊀㊀言PbTiO3(PTO)作为一种典型的钙钛矿型铁电氧化物,在居里温度(763K)以下为四方相,当处于居里温度(763K)以上时,PTO的相由四方相转变为立方相[1-2]㊂四方相PTO铁电性能较为优异,广泛应用于存储器㊁电换能器㊁微电子㊁无线通信用电介质等设备㊂此外,四方相PTO还具有较大的电光系数和较高的光折变灵敏度[3-5],因此可以用于光学传感器㊁光转换器和光调制器等[6-9]㊂除TiO2催化剂外,Ti基钙钛矿(例如CaTiO3㊁SrTiO3)还参与了自然污染物的光催化脱色和光催化水分解制氢㊂与TiO2一样,这些钙钛矿型催化剂也受到宽禁带的限制,这使得其可见光反应非常困难,光催化能力被减弱[10]㊂钙钛矿晶体结构提供了一个极好的框架,可根据特定光催化反应的要求修改带隙值,以允许可见光吸收和带边能量㊂此外,钙钛矿晶体化合物中的晶格畸变强烈影响光生载流子的分配㊂PTO由于高光催化活性,受到了广泛关注[11]㊂PTO是典型的钙钛矿型铁电氧化物,通常用于电子器件,很少用作光催化剂[12-13]㊂近年来,研究人员发现通过合理的合成方法和材料改性对PTO光催化性能进行改善㊂Hussin等和Niu 等[14-15]基于第一性原理,分别研究了La和N掺杂体系PTO的电子结构,发现La掺杂体系的带隙比本征带隙窄,N掺杂体系的PTO的费米能级进入价带顶部,使得N掺杂体系材料呈现出p型导电特性,能带结构的禁带宽度减小,对于光催化能力有一定的改善,但是关于光学性质方面并没有进行报道㊂李宏光等[16]基于第一性原理,研究了N掺杂体系的光学性质,发现光学吸收能力在可见光区域并没有较大的改善,并且Ti的氧化物进行非金属掺杂时,需要高温处理[17-18],从能量消耗的角度来说是不利的㊂综上所述,确定掺杂位置以及掺杂量成为改善PTO光催化性能的关键㊂而二价金属Ni㊁Cu㊁Zn离子更容易取代Ti4+,使O的电负性变弱,更容易改善PTO性能[19]㊂在文献调研中发现关于PTO力学性能的系统报道大多是基于本征体系[20-22],对掺杂体系的力学性能报道是罕见的,因此有必要对掺杂体系PTO光催化性能研究的同时,也对掺杂体系力学性能的改善进行系统地讨论㊂本文的主要内容是采用密度泛函理论对本征以及单掺Ni㊁Cu㊁Zn四方相PTO(PTOʒNi㊁PTOʒCu㊁PTOʒZn)的力学性能和光电性能展开系统地讨论,以期PTO能够在力学性能以及光催化方面得到更大的改善㊂1㊀理论模型与计算方法四方相PTO晶体是典型的钙钛矿结构,属于P4mm空间群[23],建立共包含40个原子的2ˑ2ˑ2超胞结构,掺杂浓度为12.5%的掺杂体系结构如图1所示,考虑到边界条件的影响,用一个Ni㊁Cu㊁Zn分别去取代超胞中的Ti原子,在超胞中有8个Ti原子的位点,根据晶体的对称性所示这8个位点为等效位点,所以不同的掺杂位置对体系没有影响㊂基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法[24-25]应用MaterialsStudio8.0[26]计算了原子各轨域的电子态密度,选择基组为广义梯度近似(general gradient approximate,GGA)下的PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)[27-28]交换-关联泛函,使用超软赝势(ultra-soft pseudopotential,USP)计算本征以及掺杂体系PTO 的力学性能㊁电子结构和光学性质㊂将能量㊁自洽场以及能带的收敛精度均定为5ˑ10-6eV/atom;作用于原子上的最大力为0.01eV/Å,内应力收敛精度为0.02GPa,最大位移收敛精度为5ˑ10-5Å㊂截止能为400eV,在布里渊区积分采用4ˑ4ˑ4的Monkhost-Pack型K点网格进行迭代设置[29]㊂图1㊀超晶胞掺杂模型Fig.1㊀Supercell doping model260㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷2㊀结果与讨论2.1㊀几何结构分析表1为几何结构优化后的本征以及掺杂体系PTO超胞的晶格常数和体积的变化㊂由表1可知,本征PTO的晶格常数计算值为a=b=7.688Å,c=9.567Å,理论值为a=b=7.759Å,c=8.572Å[30],两项数据对比,晶格常数c相差约1Å,但是理论值和计算值的c/a近似,说明选用参数的可靠性㊂与本征PTO相比, Ni㊁Cu掺杂PTO的晶格常数a㊁b㊁c减小,晶胞体积减小㊂Zn掺杂PTO的晶格常数a㊁b减小,c增大,晶胞体积增大㊂表1㊀Ni㊁Cu㊁Zn掺杂的PTO超胞晶格常数㊁密度和体积Table1㊀Lattice constants,density and volume of PTO supercell doped with Ni,Cu and Zn Sample a=b/Åc/ÅVolume/Å3Density/(g㊃cm-3)c/a PTO(Experimental)7.7598.572516.0537.802 1.1 PTO(Calculated)7.6889.567565.3527.122 1.2Ni doping7.6759.396553.4507.307 1.2Cu doping7.6559.515557.6037.268 1.2Zn doping7.6639.688568.9617.127 1.22.2㊀缺陷形成能分析缺陷形成能是表征掺杂体系稳定性和原子掺入体系难易程度的物理变量㊂基于几何结构优化后的体系总能量和不同原子的化学势计算相应结构的形成能㊂各掺杂体系的形成能E f满足以下公式[31-32]:E f=E doped-E perfect-lμX+nμTi(1)式中:E doped表示各掺杂体系的总能量,E perfect表示纯PbTiO3超晶胞体系总能量,系数l㊁n分别表示掺入的原子和替代的原子数,μX表示掺入原子(X=Ni㊁Cu㊁Zn)的化学势,μTi表示被替换的Ti原子化学势㊂由于材料的缺陷形成能与其生长制备的条件有密切关系,本文计算了富氧且富铅状态下各掺杂体系的形成能㊂从表2可以看出,Ni㊁Cu㊁Zn单掺PbTiO3体系在富O(O-rich)和富Pb(Pb-rich)条件下的形成能均为负㊂这意味着在O-rich和Pb-rich条件下,Ni㊁Cu㊁Zn原子可以融入PTO中,可在实验中制造Ni㊁Cu㊁Zn单掺PbTiO3材料㊂表2㊀Ni㊁Cu㊁Zn掺杂的PTO的缺陷形成能Table2㊀Defect formation energy of PTO doped with Ni,Cu and ZnSubstitute form O-rich and Pb-rich defect formation energy/eVNi doping-14.905Cu doping-13.336Zn doping-18.6542.3㊀力学性能基于密度泛函理论,结合当前应用最普遍的有限应变方法[33],通过计算应力应变的线性得到弹性系数6个独立分量,得到6ˑ6的弹性张量矩阵㊂根据晶格点阵的空间对称性,部分分量相等,部分分量为零㊂计算所得本征以及掺杂体系PTO晶格常数变化结构的特征弹性系数矩阵元,在优化晶体结构的基础上计算出本征以及掺杂体系PTO的弹性常数C ij,如表3所示㊂同时,基于Voigt-Reuss-Hill近似[34-36]得到体积模量㊁剪切模量㊁弹性模量㊁泊松比㊁Pugh比㊁维氏硬度㊁德拜温度θD,如表4所示㊂本文B和G取Hill值,通过弹性常数分别计算下限值B V㊁G V和上限值B R㊁G R,然后求平均值得出㊂这里弹性模量可由下面公式给出[37]B=(B V+B R)/2(2)G=(G V+G R)/2(3)其中,G V=(1/15)[C11+C22+C33+3(C44+C55+C66)-2(C12+C13+C23)],B R=Δ[C11(C22+C33+C23)+C22(C33-2C13)-C33C12+C12(2C23-C12)+C13(2C12-C13)+C23(2C13-C23)]-1,㊀第2期王云杰等:Ni,Cu,Zn掺杂四方相PbTiO3力学性能㊁电子结构与光学性质的第一性原理研究261㊀G R=15{4[C11(C22+C33+C23)+C22(C33+C13)+C33C12-C12(C12+C23)-C13(C12+C13)-C23(C13+ C23)]/Δ+3[(1/C44)+(1/C55)+(1/C66)]-1,Δ=C13(C12C23-C13C22)+C23(C12C13-C11C23)+C33(C11C22-C12C12)㊂弹性模量E和泊松比分别依照下列公式(4)和(5)计算得出E=9BG/(3B+G)(4)μ=(3B-E)/(6B)(5)采用Chen-Niu模型[38],得到维氏硬度H V公式为H V=2(k2G)0.585-3(6)其中Pugh比[39]k=G/B㊂对于本征以及掺杂体系PTO的弹性常数满足Born弹性稳定性判据[30]:C11(C22+C33)ȡ2C212,C22ȡC23, C44ȡ0,C55ȡ0,说明这四种结构是力学稳定的㊂体积模量是衡量材料是否容易被压缩的标志,Ni掺杂PTO 体积模量(80.034GPa)最大,所以相较于其他三种结构更不容易被压缩㊂剪切模量可以衡量材料硬度,Ni 掺杂PTO具有最大的剪切模量,对应最大的维氏硬度10.411GPa㊂弹性模量是标志材料刚度的重要物理量,Ni掺杂PTO的弹性模量最大,所以相较于其他三种结构刚性最高㊂G/B=1.75是区分脆性材料和延展性材料分界点,G/B=0.56是区分材料韧性/脆性分界点㊂由表4可以看出,G/B的值都小于1.75,Ni㊁Zn掺杂PTO大于0.56,都是脆性材料,本征以及Cu掺杂PTO小于0.56,属于是韧性材料㊂而泊松比反映了材料在形变下体积所发生的变化,说明四种结构形变时体积变化不大,泊松比的变化规律与Pugh比的正好相反㊂众所周知,德拜温度与材料的很多物理性质,如熔点㊁弹性㊁硬度㊁比热等基本物理量密切相关㊂采用以下公式[33]求得德拜温度θD=h kB34πV a[]1/3v m(7)式中:h为普朗克常量,k B为玻尔兹曼常量,V a为原子体积,v m为平均声速,由下式求出v m=132v3t +1v31()[]-1/3(8)式中:v1与v t分别为纵波㊁横波速度,可由下面的公式求得v1=3B+4G3ρ()1/2(9)v t=Gρ()1/2(10)式(9)和(10)中,ρ为密度,已由表1给出㊂本征以及掺杂体系PTO德拜温度的计算结果见表4㊂从表4给出的结果可以看出,Ni掺杂体系的德拜温度(201.506K)最高,与它有最大的C11(196.541GPa)㊁C23(63.626GPa)㊁C66(82.707GPa),最大的体积模量(80.034GPa),最大的剪切模量(45.499GPa)和最大的弹性模量(114.752GPa)密切相关㊂由表4可知,掺杂体系的剪切模量㊁弹性模量㊁Pugh比㊁维氏硬度和德拜温度均大于本征体系㊂其中Ni 掺杂体系的体积模量要大于本征体系,Cu㊁Zn掺杂体系的小于掺杂体系,说明除Cu㊁Zn掺杂体系在抗压性低于本征体系外,在硬度和刚性等力学性能均强于本征体系㊂可见二价金属Ni㊁Cu㊁Zn的掺杂,有助于改善四方相PTO的力学性能㊂表3㊀本征以及掺杂体系PTO的弹性常数C ijTable3㊀Elastic constants C ij of PTO in intrinsic and doped systemsCompound C11/GPa C12/GPa C13/GPa C22/GPa C23/GPa C33/GPa C44/GPa C55/GPa C66/GPa PTO172.44690.23880.526217.93161.95560.58151.59247.50381.781 Ni doping196.54190.00955.858210.65263.62661.79045.25745.19982.707 Cu doping183.37769.41847.886189.35455.26166.79630.10341.91071.456 Zn doping163.76165.71541.457163.76141.45766.02635.17035.17064.722262㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷表4㊀本征以及掺杂体系PTO的体积模量(B)㊁剪切模量(G)㊁弹性模量(E)㊁泊松比(μ)㊁Pugh比(G/B)㊁维氏硬度(H V)和德拜温度θDTable4㊀Bulk modulus(B),shear modulus(G),elastic modulus(E),Poisson ratio(μ),Pugh ratio(G/B), Vickers hardness(H V),Debye temperature(θD)of PTO in intrinsic and doped systems Compound B/GPa G/GPa E/GPaμG/B H V/GPaθD/K PTO78.43539.170100.7400.2860.4998.389188.293 Ni doping80.03445.499114.7520.2610.56810.411201.506 Cu doping75.25140.052101.7410.2750.5328.977189.392 Zn doping68.30740.606101.6710.2520.5949.880190.852 2.4㊀能带结构分析图2是本征PbTiO3以及掺杂体系的能带结构图㊂为便于分析,范围选取-5~5eV,包含费米能级,在四种体系中除Ni掺杂PbTiO3为间接带隙外,其他均为直接带隙㊂图2(a)是本征PbTiO3的能带结构图,禁带宽度为2.007eV,与实验值3.6eV相较偏低[40],所以采用剪刀算符[41]修正其带隙值(剪刀算符为1.6eV),修正后的带隙为3.607eV㊂图2(b)~(d)分别是Ni㊁Cu㊁Zn掺杂PTO的能带结构图,掺杂体系的跃迁形式所需的能量,相较于本征结构降低,并且区间处于0~1eV能带条数增多,Cu㊁Zn掺杂PbTiO3带隙值分别为1.930㊁1.936eV,价带顶有所上移,费米能级进入价带顶,使得Cu㊁Zn掺杂PbTiO3呈现出p型导电特性㊂Ni 掺杂PbTiO3价带顶到导带底的间距是1.678eV,在2eV附近出现受主能级,价带顶处出现多余的空穴载流子,这有利于电子吸收极少的能量由价带顶跃迁至受主能级,再由受主能级跃迁至导带底,或者实现受主能级之间的跃迁,从而能够大幅改善PbTiO3材料的光催化特性和导电性㊂李宏光等[16]关于N掺杂PbTiO3的研究中,能带结构出现受主能级,且价带顶下移,出现p型半导体特性,但是电子跃迁性能并不比Ni㊁Cu㊁Zn 掺杂PbTiO3更强㊂图2㊀本征PTO及三种掺杂体系的能带结构分布Fig.2㊀Band structures of intrinsic PTO and three doping systems2.5㊀态密度分析图3是本征PTO以及三种掺杂体系的总态密度图和分波态密度图㊂图3(a)是本征PTO的态密度图,㊀第2期王云杰等:Ni,Cu,Zn掺杂四方相PbTiO3力学性能㊁电子结构与光学性质的第一性原理研究263㊀Ti-3d轨道是构成导带部分的总态密度主要部分㊂价带能量处于-19~-14eV的总态密度主要由Pb-5d和O-2s轨道提供,在-8eV至费米能级的总态密度主要由O-2p以及Pb-6s轨道贡献,这与相关研究结果一致[16]㊂图3(b)~(d)分别是Ni㊁Cu㊁Zn掺杂PTO的态密度图㊂掺杂体系Pb㊁Ti和O对总态密度的贡献基本与本征态一致㊂区别在于在费米面附近,主要由O-2p及Ni㊁Cu㊁Zn的3d态之间进行杂化贡献,表现出强大的局域性㊂当Ni㊁Cu㊁Zn掺杂到PTO之后,由于掺入的Ni㊁Cu㊁Zn对总态密度贡献相对较小而不易被观察,但可以从O-2p轨道的变化进行说明,使得O-2p轨道在费米能级附近出现自由电子㊂2价金属Ni㊁Cu㊁Zn 的掺杂使得Pb㊁Ti和O之间的杂化发生变化,进而影响态密度的整体分布情况㊂掺杂体系的电子从价带顶跃迁到导带底的过程变得容易,与能带结构情况吻合㊂图3㊀本征PTO及三种掺杂体系的态密度曲线Fig.3㊀Density of states curves of intrinsic PTO and three doping systems2.6㊀光学性质分析本征以及三种掺杂体系的PTO复介电函数实部曲线和虚部曲线如图4所示,图4(a)中PTO㊁PTOʒNi㊁PTOʒCu和PTOʒZn的静态介电常数分别为2.307㊁3.305㊁3.411和4.513㊂PTOʒCu在低能区介电函数实部随着光子能量的增大而增大,并到达峰值5.714(光子能量为1.38eV),从态密度图看出这是由Cu-3d轨道向O-2p轨道的电子跃迁引起的㊂图4(b)显示PTOʒNi㊁PTOʒCu和PTOʒZn的介电函数虚部主要集中在0~10eV 的低能区,而本征PTO在虚部低能区(ɤ3eV)虚部值很小,接近零,而Ni㊁Cu㊁Zn掺杂PTO体系在虚部1.5eV左右形成新的次级主峰,PTOʒCu在低于2eV的低能区具有压倒性数值㊂可见,Ni㊁Cu㊁Zn掺杂PTO 体系光谱吸收范围扩展到红外区域,且PTOʒCu更具有优势,在可见光波段的能量吸收效果较强,说明PTOʒCu在低能区的吸收效果在三种掺杂体系中是最强的㊂图4(c)是本征以及三种掺杂体系的PTO体系的反射光谱㊂可知,本征PTO在5.77㊁7.41㊁9.74eV出现三个峰值㊂Ni㊁Cu掺杂PTO体系在可见光区域能量值大于本征PTO㊂在红外光区,Ni㊁Cu㊁Zn掺杂PTO的反射值大于本征PTO体系,PTOʒCu对可见光区域和红外光区的利用率较高,这与复介电函数图所得的结果一致㊂图4(d)是含Ni㊁Cu㊁Zn掺杂的PTO的吸收光谱㊂本征PTO只吸收紫外波段,对红外部分不吸收,本征264㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第53卷PTO的禁带宽度决定了Ni㊁Cu㊁Zn掺杂的PTO体系吸收主要集中在紫外波段㊂同时,掺杂使得电子跃迁变得容易,Ni㊁Cu㊁Zn掺杂的PTO体系吸收范围扩展到红外波段㊂在可见光波段,PTOʒCu吸收效果最好,并且吸收边640nm所对应的频率为1.94eV,这表明电子是从价带内跃迁到导带的,说明PTOʒCu具有潜在的光催化能力㊂在红外以及远红外波段,PTOʒZn吸收效果和PTOʒCu相近,并且比李宏光等[16]报道的N掺杂的PTO在红外远红外区域吸收效果更好㊂吸收光谱与介电㊁反射光谱的变化趋势是一致的㊂图4㊀本征PTO及三种掺杂体系的光学图谱㊂(a)复介电函数实部;(b)复介电函数虚部;(c)反射光谱;(d)吸收光谱Fig.4㊀Optical spectra of intrinsic PTO and three doping systems.(a)Real part of complex dielectric function;(b)imaginary part of complex dielectric function;(c)reflection spectra;(d)absorption spectra3㊀结㊀㊀论1)Ni掺杂PTO的体积㊁剪切和弹性模量最大,这是Ni掺杂PTO德拜温度最高的重要原因㊂体积模量的大小是衡量材料是否容易被压缩的标志,体积模量越高,材料越不容易被压缩;高剪切模量是高硬度的基本条件,最大的剪切模量使得Ni掺杂PTO有最大的维氏硬度;弹性模量是标志材料刚度的重要物理量,表明四种材料中Ni掺杂PTO的刚性最高㊂2)Zn掺杂PTO的G/B值是四种材料中最大的,说明此结构中原子间的化学键的定向性最高㊂3)Ni㊁Zn掺杂PTO的G/B大于0.56,都是脆性材料,本征以及Cu掺杂PTO的G/B小于0.56,是韧性材料㊂泊松比反映了材料在形变下体积的变化,本征以及掺杂体系的泊松比都在0.25~0.5,表明本征及掺杂体系PTO形变时体积将不会发生较大的变化㊂4)掺杂体系较于本征体系跃迁能量减小,Ni掺入PTO材料的费米能级处出现杂质能级㊂Cu㊁Zn掺杂的PTO费米能级进入价带顶,使得Cu㊁Zn掺杂PTO材料呈现出p型导电特性㊂5)Ni㊁Cu㊁Zn的掺杂使得PTO吸收范围扩展到红外波段,且增强了可见光波段的吸收强度,四种结构中PTOʒCu材料的光催化性能最好㊂参考文献[1]㊀ZHANG S J,LI F,JIANG X N,et al.Advantages and challenges of relaxor-PbTiO3ferroelectric crystals for electroacoustic transducers:a review[J].㊀第2期王云杰等:Ni,Cu,Zn掺杂四方相PbTiO3力学性能㊁电子结构与光学性质的第一性原理研究265㊀Progress in Materials Science,2015,68:1-66.[2]㊀LIU Y,NI L H,REN Z H,et al.First-principles study of structural stability and elastic property of pre-perovskite PbTiO3[J].Chinese PhysicsB,2012,21(1):016201.[3]㊀SUNTIVICH J,GASTEIGER H A,YABUUCHI N,et al.Design principles for oxygen-reduction 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铁电材料的电子结构及其调控

铁电材料的电子结构及其调控铁电材料是一种具有特殊电学性质的材料。
该材料具有非常重要的应用价值,例如可广泛应用于电容器、传感器、存储器、光伏电池、可重置电子存储器和储能器等各种领域。
因此,研究铁电材料的电子结构并对其进行调控,对于了解其物理性质、优化其性能和开发新型材料起到了至关重要的作用。
一、铁电材料的基本概念铁电材料是一种在极化下呈现电荷不平衡的晶体材料。
它们是具有极化方向的少量离子或分子所形成的电偶极子,这些偶极子仅在电场的存在下才能转化为全局性的极化。
根据极化方向的不同,铁电材料可以分为自发极化和外场诱导极化两种。
铁电材料的电学性质是由其晶格和电子结构决定的。
晶格结构的畸变会导致相邻原子的电荷分布变化,从而产生极化。
同时,电子结构的畸变也会对极化产生影响。
二、铁电材料的电子结构在固体物理中,铁电材料的电子结构主要包含以下几个方面:绝缘性、导电性、禁带、晶格形变、原子绕组、相互作用等。
1. 绝缘性和导电性对于一个材料来说,其禁带带隙能力决定了它的导电性。
当禁带带隙大于5电子伏特时,该材料通常被认为是绝缘体。
而当禁带带隙小于5电子伏特时,该材料通常是电子能传输较好的半导体或金属。
铁电材料的绝缘性和导电性是由其化学成分和晶体结构决定的。
通常,铁电材料中铁的电子数发生变化时,晶格结构会引起电极化,从而形成铁电效应。
这种效应随电子结构的变化而变化,导致材料的特性发生改变。
在铁电材料中,铁离子通常表现为Fe(III)和Fe(II)两种不同价态。
价态之间的电子转移产生了基底电子能级的复杂变化,从而影响了铁电效应。
2. 禁带禁带是指导电体中能量范围内没有电子存在的区域。
所有绝缘体和半导体都有禁带,但这个区域大小和位置却因材料的不同而异。
从电子结构来看,禁带常常被认为是价带与导带之间的带隙。
铁电材料中的禁带大小和位置是由晶体结构和原子能级决定的。
晶体结构的变化以及电子可以占据的能级影响了铁电材料的电荷分布和电子传输性质。
铁电材料的晶体结构与应用研究

铁电材料的晶体结构与应用研究铁电材料是一种特殊的功能材料,具有较高的电介质常数和极化电荷。
铁电材料的重要特征是所谓铁电相变,把无偏极材料从无偏极状态转变为有偏极状态。
这种相变产生了极化电荷,产生了一定的磁场和电场,因此可以用于制造高效的存储器和传感器等器件。
本文针对铁电材料的晶体结构和应用进行分析和讨论。
一、铁电材料的晶体结构铁电材料的晶体结构决定了其电学和物理性质,了解晶体结构对于铁电材料的研究和应用至关重要。
目前最常见的铁电材料是钛酸盐,其基本晶格结构为ABO3的钙钛矿结构。
相同的钛酸盐化合物,在不同的条件下,经过处理后形成不同的晶体结构,例如立方相、四方相和单斜相等。
二、铁电材料的应用研究铁电材料被广泛应用于电力、电子、通信、计算机、光学、磁学等领域,具有重要的应用价值。
1. 铁电存储器铁电存储器是一种非易失性存储器,具有高速读取、低功耗、可重写等优点,被广泛应用于计算机内存、通讯存储和汽车控制系统等领域。
2. 铁电传感器铁电材料的极化性质和变形响应性能使其在传感器领域中具有应用潜力,例如在气压传感器、流量传感器、压力传感器、温度传感器、加速度传感器等方面。
3. 铁电器件铁电材料可以制成电子器件和光电器件,例如铁电场效应晶体管、铁电光开关等。
4. 铁电陶瓷铁电陶瓷具有稳定的电学和机械性能、优异的热稳定性、高的压电效应和电声耦合系数等特点,被广泛应用于超声波发射器、传感器、滤波器等领域。
三、结论铁电材料的晶体结构和应用研究是当代材料科学和工程领域的热门话题。
随着相关技术的不断发展和完善,铁电材料将在更多的领域得到应用,并展现出更广阔的应用前景。
超薄钛酸铅纳米管铁电性和力电耦合特性的第一性原理研究

超薄钛酸铅纳米管铁电性和力电耦合特性的第一性原理研究王晓媛;嶋田隆広;北村隆行【摘要】利用基于密度泛函理论的第一性原理的方法研究了超薄钛酸铅(PbTiO3)纳米管的铁电性及力电耦合特性.研究发现对于钛酸铅铁电纳米管结构,即使在其特征尺寸小于铁电薄膜的铁电临界尺寸时,依然存在自发极化.钛酸铅铁电纳米管结构不存在铁电临界尺寸.对纳米管力电耦合效应的研究发现,轴向应变作用会引起包括极化沿轴向方向的铁电相、顺电相和极化沿周向方向的铁电相在内的丰富的相转变.这种相的转变是由于轴向应力所导致的Pb-O共价键的变化所引起的.另一方面,研究了钛酸铅纳米管结构的机械强度,明确了在轴向拉伸和压缩作用下纳米管的临界载荷.【期刊名称】《无机材料学报》【年(卷),期】2014(029)003【总页数】6页(P309-314)【关键词】铁电纳米管;钛酸铅;铁电临界尺寸;第一性原理计算【作者】王晓媛;嶋田隆広;北村隆行【作者单位】中国工程物理研究院总体工程研究所,绵阳621900;日本京都大学机械工程与科学系,日本京都615-8540;日本京都大学机械工程与科学系,日本京都615-8540【正文语种】中文【中图分类】TM22铁电纳米管作为一维多功能材料得到广泛应用, 例如应用于铁电随机存储器及一些微纳米电子器件等。
铁电纳米管的电学性质与管壁的厚度密切相关[2], 深入研究铁电纳米管的铁电性具有重要意义。
近年来, 随着纳米加工技术的发展和电子元器件小型化、集成化的需求, 实验室已成功制备纳米级管壁厚的铁电纳米管[3]。
在特征尺寸如此小的铁电纳米管中, 其铁电性的变化引起了人们浓厚的兴趣。
铁电材料的铁电性来源于长程库仑力和短程分子间范德华力之间的相互作用及其平衡[4],低维纳米材料的结构及尺寸都会影响该平衡作用,从而影响材料的铁电性。
另外, 在铁电材料的表面附近, 垂直于结构表面方向的铁电极化会引起表面电荷的聚集, 导致表面产生退极化场。
PbTiO3铁电薄膜晶化工艺研究

1 引 言
铁 电薄 膜具 有一 系列 重要 特 性 , 如介 电性 、 电开 铁 关 效应 、 电效 应 、 释 电 效 应 、 光 效 应 、 光 效应 、 压 热 电 声 光折 变效应 和 非 线性 光 学效 应 等[ , 用 这 些 效 应 可 1利 ] 制成 不 同的功 能器件 。为 了与 半导 体微 电子 工 艺相 兼 容[ , 2 常在 较低 温度 下制 备非 晶 态 铁 电薄 膜 , 经 退火 ] 再 处理 向晶态转 化 , 为 多 晶 薄 膜 , 至 是 单 晶薄 膜口 。 成 甚 ]
况 , 容易 与半 导体微 电子 工艺 相 兼容 。 更
从 图 1所 示 XRD结 果 看 出 , 化 温 度 在 5 0 晶 5 ~
60 5 ℃时 , b O。薄膜 中出现 的 ( 1 ) (0 ) ( 0 ) P Ti 1 0 、 0 2 、 1 2 等 峰表 明 晶粒 呈 随机 取 向 , 度 随 温 度 升 高 而增 强 说 明 强
解 2 mi , 0 n 连续 涂 膜 2次 。快速 晶化 使 用 日本 UL VAC
RT 一 膜快 速 热 处 理 系 统 , 温 速 率 为 5 ℃/ , P 6薄 升 0 s 保 温时 间为 l n mi 。常 规 晶化 在 管 式炉 中进 行 , 升温 速 率 为 1 。 mi, 温 时 间 为 2 mi。 晶化 均 在 O 0C/ n 保 0 n 气 氛 中进行 , 采用 的基 片 有 S ( 0 ) 片 、 t 1 1 / i 片 i1 0 基 P ( 1)s 基 和 L Al 0 1 基 片 。采 用 原 子 力 显 微 镜 ( M) a o (0 ) AF 观
取 向的 P T O b i 薄膜 。与 常规 晶化 相 比, 快速 晶化 处 理 的 薄膜 结晶质量好 , 晶粒较 小、 分布 均 匀致 密 。 基 片上甩 胶 涂 膜 。涂 膜 甩 胶 速 率 3 0 rmi, 胶 时 0 0/ n 甩
铁电材料结构及性质研究
铁电材料结构及性质研究近年来,铁电材料作为一种重要的功能材料受到了越来越多的关注。
铁电材料具有许多独特的性质,如铁电性、压电性、形状记忆效应等,这些性质使得铁电材料在电子器件、传感器、存储器、智能材料等领域具有广泛的应用前景。
关于铁电材料的结构和性质研究一直是当前材料科学研究的热点之一。
一、铁电材料的基本概念铁电材料是一类具有铁电性质的材料。
铁电性质是指在电场作用下产生的极化强度可保留在材料内的现象。
一般来说,铁电材料分为无机铁电材料和有机铁电材料两大类。
无机铁电材料通常是钙钛矿结构的氧化物,如BaTiO3、PbTiO3等。
有机铁电材料一般为高分子材料,如P(VDF-TrFE)、P(VDF-CTFE)等。
二、铁电材料的晶体结构铁电材料的晶体结构是其性质的基础。
铁电材料的晶体结构一般可以分为两类:氧化物类型和有机类型。
1.氧化物类型氧化物类型的铁电材料一般具有钙钛矿结构,其晶格常数与离子半径相关,因此常用离子半径比法判别铁电材料。
例如,BaTiO3、PbTiO3等就是具有钙钛矿结构的典型铁电材料。
2.有机类型有机型铁电材料的晶体结构一般为棱柱型、单轴型、双轴型等。
例如,P(VDF-TrFE)的棱柱型结构,其POSS悬臂朝向呈一定的角度相对空间排列,构筑出一部分插层的晶体前景,因此PU偌成为一种近年来极具研究前景的有机铁电材料。
三、铁电材料的性质研究铁电材料具有许多独特的性质,包括铁电性、压电性、形状记忆效应等,这些性质使得铁电材料在电子器件、传感器、存储器、智能材料等领域都有很好的应用前景。
1.铁电性质铁电性是指材料在外加电场的作用下会出现极化现象。
铁电材料的铁电性质使得它在制造电容器、非挥发性存储器等方面具有广泛的应用前景。
2.压电性质压电效应是指材料在受到外力作用下产生变形,同时产生电荷分离效应的现象。
铁电材料的压电效应使得它在传感器、扫描仪等方面具有广泛的应用前景。
3.形状记忆效应形状记忆材料是指材料在受到外部刺激(如温度、电场、磁场等)时发生形状变化,再次遭到刺激后能够恢复原来形状的材料。
铁电材料BaTiO3的制备及其压电、光伏特性研究
铁电材料BaTiO3的制备及其压电、光伏特性研究综合实验课题:铁电材料BaTiO3的制备及其压电、光伏特性学号姓名专业指导老师一、文献综述1.背景:铁电材料是指具有自发极化,而且在外加电场下,自发极化发生转向的电介质材料,它是热释电材料的一个分支。
铁电材料由于其铁电性、介电性、压电性、热释电效应、热电效应、电光性质等特性,而广泛应用于各个领域(见下表1),如在通讯系统、微电子学、光电子学、集成光学和非机械学等领域有着重要的或潜在的应用,从而引起国内外学者的广泛研究。
表1.铁电薄膜材料的应用铁电薄膜材料根据成分可分为三大类,包括铌酸盐系、钛酸盐系、锆酸盐系,其中典型铁电材料有:钛酸钡(BaTiO3)、磷酸二氢钾(KH2PO4)等,然而BaTiO3 是一种强介电化合物材料,它具有很高的介电常数和较低的介电损耗,是电子陶瓷中使用最广泛的材料之一,它被称作“电子陶瓷工业的支柱”。
同时该材料是最早研究的钙钛矿结构的铁电材料,因此通过对该材料的学习、制备和性能的检测,对铁电材料领域的相关知识的了解有着重要的意义。
前人们对钛酸钡的制备和性能有着很多的研究,目前对钛酸钡材料的研究已经往微型化发展,制备成铁电薄膜材料,同时研究不同的制备方法、元素掺杂等对钛酸钡薄膜材料性能的影响,在这基础上,研究外界条件(外加磁场等)对铁电薄膜材料的物理调控,渐渐的利用其性质应用于器件中(光伏器件、电容器等)。
2.制备方法与结构性质:结构性质:电介质材料按其晶体对称性可分为32 种点群,在这32 种晶体学点群中,有21 种不具有对称中心,其中20 种呈现压电效应。
而这20 种压电性晶体中的10 种具有受热而自发极化现象,因其是受热而引起电极化状态的改变,故这10 种晶体又称为热释电晶体。
热释电效应只发生在非中心对称并具有极性的晶体中。
铁电体即使在没有外界电场作用下,内部也会出现极化,这种极化称为自发极化。
自发极化的出现是与这一类材料的晶体结构有关的。
BiScO3-PbTiO3基高温压电陶瓷研究进展
BiScO3-PbTiO3基高温压电陶瓷研究进展金善龙;范桂芬;吕文中;王凯;徐星【摘要】兼具优异压电性能和高居里温度(tC)的压电陶瓷在高温极端环境条件下具有非常重要的用途,是当今压电铁电材料研究热点之一。
简要总结了压电陶瓷的居里温度、压电介电性能等的影响因素,重点介绍钙钛矿结构BiScO3-PbTiO3(BSPT)二元体系,从离子取代、化合物复合、氧化物掺杂等方面归纳总结该体系的改性研究进展。
%The piezoelectric ceramics with outstandingpiezoelectricproperties and high Curie temperature are significantlyapplied to the severe condition of high temperature,and itis one of the mostly researched piezoelectric and ferroelectric ceramics nowadays.It is briefly summarized that the factors influence the curie temperature and piezoelectric, dielectric properties of piezoelectric ceramics, focused on binary system of BiScO3-PbTiO3(BSPT) with perovskite structure, where theresearchingprogress of the modificationis summarized from the aspects of ionic substitution, compound composite, oxide doping.【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2017(036)001【总页数】6页(P8-13)【关键词】钙钛矿结构;压电陶瓷;综述;居里温度;BSPT;压电介电性能【作者】金善龙;范桂芬;吕文中;王凯;徐星【作者单位】华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074【正文语种】中文【中图分类】TM28压电材料是利用正、逆压电效应,将机械能与电能进行相互转换的换能材料,被广泛应用到航空航天、雷达通信、医疗、家电、深井勘探等生活、工作各领域。
论文题目钛酸铅基化合物晶体结构及其负热膨胀性
论文题目:钛酸铅基化合物晶体结构及其负热膨胀性作者简介:陈骏,男,1979年8月出生,2001年9月师从于北京科技大学邢献然教授,于2007年3月获博士学位。
中文摘要钛酸铅(PbTiO3)是一种重要的钙钛矿结构的铁电体,在介电、压电、铁电、热释电等方面具有重要的研究与应用价值;同时,它在室温至居里温度范围内还表现出奇特的热缩冷胀行为,即负热膨胀性(NTE),这种负热膨胀行为是其它钙钛矿结构化合物所不具有的,如CaTiO3、BaTiO3、KNbO3、BiFeO3等。
研究PbTiO3的负热膨胀性将有利于开发出负热膨胀性可控以及零膨胀材料,拓展负热膨胀材料在实际中的应用,PbTiO3负热膨胀机理的研究可指导新型负热膨胀材料的开发。
本论文主要以钙钛矿结构的铁电材料Pb1-x A x Ti1-y B y O3(A=La、Sr、Cd、Bi、(La1/2K1/2)等;B=Fe、Zn等不同价态金属原子)为中心,研究A 位与B位替代对其负热膨胀性、晶体结构、点阵动力学的影响,实现负热膨胀性能可控,开发零膨胀材料,并研究PbTiO3负热膨胀机理。
本文研究了Pb1-x A x TiO3(A=La、Sr、(La1/2K1/2)、Cd)体系的固溶体特性、晶体结构以及负热膨胀性能受掺杂的影响。
La、Sr、(La1/2K1/2)的掺杂都使PbTiO3的轴比(c/a)及居里温度(T C)不同程度地线性下降,La的掺杂大幅度地降低了PbTiO3的负热膨胀性能,在0.15 ≤ x La ≤ 0.20范围内,Pb1-x La x TiO3表现出零膨胀性能。
PbTiO3-CdTiO3体系中,Cd的A位替代不仅提高了PbTiO3的轴比(c/a),而且增强了其负热膨胀效应,这是目前所发现的唯一能使PbTiO3负热膨胀性得到增强的A位掺杂体系。
Pb1-x La x TiO3晶体结构研究发现,La的掺杂使四方相点阵晶格中Pb/La与Ti原子的自发极化位移(c轴方向)非线性降低,然而位移比值(δPb/La/δTi)呈线性降低趋势,氧八面体具有刚性特征不受La掺杂的影响;Pb1-x Cd x TiO3体系X射线与中子衍射联合晶体结构研究发现,Pb1-x Cd x TiO3体现反常的晶体结构特征,虽然轴比(c/a)增加,但是Pb/Cd与Ti原子自发极化位移反常下降,从而导致居里温度的略微降低。
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Applied Physics 应用物理, 2017, 7(5), 159-164Published Online May 2017 in Hans. /journal/apphttps:///10.12677/app.2017.75022The Crystal Structure and ElectronicStructure of Ferroelectric PbTiO3:A Hybrid Functional ApproachPeng Wang, Ju Zhou, Tianyi Cai, Sheng JuCollege of Physics, Optoelectronics and Energy, Soochow University, Suzhou JiangsuReceived: May 8th, 2017; accepted: May 24th, 2017; published: May 27th, 2017AbstractBased on the hybrid functional theory, we investigated the effect of the long range Hartree-Fork term on the crystal structure and electronic structure of ferroelectric PbTiO3. It is found that the band gap based on the PBE exchange correlation potential with αof 0.325 is in agreement with experimental result. In addition, we studied the influence of αon the crystal structure with PBE and PW exchange correlation potential, respectively. We found that PW could give a reasonable crystal structure when αis around 0.2. The band gap here, however, is less than the experimental value. Therefore, these findings indicate that the hybrid functional approach may be not suitable for ferroelectric PbTiO3.KeywordsBand Gap, Hybrid functional, First Principles, PbTiO3铁电材料PbTiO3晶体结构和电子结构的杂化泛函研究王鹏,周琚,蔡田怡,雎胜苏州大学物理与光电·能源学部,江苏苏州收稿日期:2017年5月8日;录用日期:2017年5月24日;发布日期:2017年5月27日摘要基于杂化泛函理论,我们考察了长程Hartree-Fork项在交换关联势中所占比例(α)对铁电材料PbTiO3晶文章引用: 王鹏, 周琚, 蔡田怡, 雎胜. 铁电材料PbTiO3晶体结构和电子结构的杂化泛函研究[J]. 应用物理,2017,王鹏 等体结构和电子结构的影响。
我们发现基于PBE 交换关联势,当α等于0.325时杂化泛函所得的带隙值与实验结果相吻合。
另外,基于PBE 和PW 交换关联势我们分别研究了α对晶体结构的影响,基于PBE 交换关联势的结果与实验值相差较大。
而基于PW 交换关联势的计算表明,当α等于0.2时,计算所得到的晶体结构与实验结果比较吻合,但此时带隙值却小于实验值。
这些结果表明杂化泛函对于铁电材料PbTiO 3的适用性还有待商榷。
关键词带隙,杂化泛函,第一性原理,PbTiO 3Copyright © 2017 by authors and Hans Publishers Inc.This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY). /licenses/by/4.0/1. 引言钙钛矿型的铁电氧化物,如PbTiO 3和Pb(Zr, Ti)O 3固溶体,均属于电子陶瓷材料,其具有铁电性及大的压电响应和高介电常数等相关机电性能[1]。
由于其优越的性能,铁电钙钛矿氧化物在器件方面的应用已引起广泛地关注,如高密度非易失性随机存取存储器、传感器、机电设备等[2] [3]。
第一性原理计算方法在预测材料性质方面起着非常重要的作用。
虽然传统的基于局域密度近似[4]和广义梯度近似[5]的计算方法可以较好地预测材料基态的物理性质,但计算得到的带隙与实验值并不符合。
最近人们已经应用杂化泛函理论来研究一些氧化物[6]的物理性质,包括VO 2、V 2O 3、Ti 2O 3、LaTiO 3和YTiO 3等,而且得到与实验比较吻合的结果[7] [8] [9] [10]。
然而,对于铁电材料而言,基于杂化泛函的第一性原理研究还比较少。
本文以铁电材料PbTiO 3为例,利用杂化泛函理论研究其块体材料的晶体结构和电子结构。
我们发现基于PBE 交换关联势,当长程Hartree-Fork 关联项为0.325时杂化泛函所得的带隙值与实验结果相吻合。
基于PBE 交换关联势所得的晶体结构与实验值相差较大,而基于PW 交换关联势的计算表明,当长程Hartree-Fork 关联项等于0.2时,杂化泛函所得的晶体结构与实验结果比较吻合,但此时带隙值小于实验值。
2. 计算方法我们使用基于投影缀加平面波方法(PAW)的第一性原理软件包VASP [11] [12]。
采用基于PBE [13]和PW [14]交换关联势以及考虑长程Hartree-Fork 项作用的杂化泛函方法[15]来研究PbTiO 3的晶体结构和电子结构。
我们考虑Pb6s 26p 24个价电子,Ti4d 35s 14个价电子,O 2s 2p 46个价电子的贡献。
平面波截断能量为600 eV 。
k 点网格为6 × 6 × 6。
收敛标准为10−5 eV 。
在杂化泛函理论中,我们用Hartree-Fock 交换项来替换部分短程的PBE(PW)交换势, 具体表达式如下:()Hybrid HF PW/PBE PW/PBE XC X X C 1E E E E αα=+−+ (1)其中α是Hartree-Fock 项所占比例。
在计算过程中,我们考察不同α值对PbTiO 3电子结构和晶体结构的影响,寻找与实验相符合的α值。
3. 计算结果与讨论图1为PbTiO 3的晶体结构图。
左图为铁电相,右图为顺电相。
其中黑色为Pb 元素,蓝色为Ti 元素,红色为O 元素。
表1为PbTiO 3晶体结构的实验值[16]。
王鹏等Figure 1. The crystal structure of PbTiO3: the left is ferroelectric phase, the right is paraelectric phase (Pb, Ti, O are located in corner, body center, face center, respectively)图1. PbTiO3的晶体结构图:左图为铁电相,右图为顺电相(Pb, Ti, O分别位于顶点,体心和面心)Table 1. The experimental value of PbTiO3 crystal structure表1. PbTiO3晶体结构实验值a (Å) c/a Pb Ti O1O2实验值[16] 3.904 1.065 (0, 0, 0) (0.5, 0.5, 0.5) (0.5, 0.5, 0.872) (0, 0.5, 0.379)我们在实验的晶体结构[16]下利用基于PBE交换关联势的杂化泛函理论,研究长程Hartree-Fork库伦关联项(α)对铁电材料PbTiO3带隙的影响,如图2所示,其中红色虚线为实验值[17]。
从图中我们发现,计算所得的带隙值随α值的增大而增大,当α为0.325时带隙值与实验值较为接近。
图3是此时计算得到的PbTiO3总态密度和分波态密度。
我们发现基于PBE交换关联势的杂化泛函理论在带隙计算上的优势非常明显,选用合适的α值,可得到与实验值十分吻合的计算结果。
基于PBE交换关联势的杂化泛函理论我们进一步研究α的选取对晶体结构计算的影响。
如表2所示,随着α值的增大,晶格常数a逐渐减小,与实验值差距逐渐拉大,而c逐渐减小,与实验值越来越接近,但仍大于实验值,因此计算得到的c/a的值始终大于实验值。
显然利用PBE交换关联势的杂化泛函计算得到的晶体结构与实验值相差较大,因此我们利用PW交换关联势的杂化泛函对PbTiO3的晶体结构进行计算。
如表3所示,随着α值的逐渐增大,计算得到的晶格常数a值逐渐减小而c值逐渐增大,c/a的值也因此逐渐增大,当α增加至0.2时,计算得到的c/a的值与实验值比较吻合,其晶体结构数据见表4。
另一方面,能带结构计算结果显示,随着α值的逐渐增大,带隙值也逐渐增大。
当α= 0.2时,带隙值约为2.46 eV,这远小于实验值。
而选取α值0.35时,计算所得的带隙值与实验值较为吻合(3.35 eV),但其晶格常数与实验值相差较大。
综上所述,晶体结构和电子结构的计算结果表明杂化泛函对于铁电材料PbTiO3性质的计算的适用性还有待商榷[18]。
4. 总结基于杂化泛函理论,我们考察了长程Hartree-Fork项在交换关联势中所占比例(α)对铁电材料PbTiO3晶体结构和电子结构的影响。
我们发现基于PBE交换关联势,当α等于0.325时杂化泛函所得的带隙值与实验结果相吻合。
另外,基于PBE和PW交换关联势我们分别研究了α对晶体结构的影响,基于PBE 交换关联势的结果与实验值相差较大。
而基于PW交换关联势的计算表明,当α等于0.2时的杂化泛函王鹏等Figure 2. Band gap of PbTiO3 as a function of α. The red dash line is the experimental value图2.计算得到的PbTiO3带隙值与Hartree-Fork项(α)的依赖关系,其中红色虚线为实验值[17] Table 2. The lattice constants and band gap of PbTiO3 within PBE: a, c, c/a and band gap E gap.The rightmost column in the table is the experimental measurement results表2. 基于PBE交换关联势杂化泛函方法计算所得PbTiO3的晶格常数a,c,c/a以及带隙E gap。