杭电 模拟电子技术基础试题(1)
(完整word版)浙江大学模拟电子技术基础期末考试试卷
浙江大学模拟电子技术基础期末考试试卷本试卷共10 题一、判断下列说法是否正确，凡对者打“√”，错者打“×”(本大题分2小题,每小题5分,共10分)1.试判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，否则画“×”。
1)一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。
( )2)共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
( )3)对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻Re 一概可视为短路。
( )4)在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻Re 足够大，则Re 可视为开路。
( )5)带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。
( )2.试判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“ ? ”，否则画“×”。
1)负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
( )2)正反馈放大电路有可能产生自激振荡。
( )3)满足自激振荡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。
( )4)对于正弦波振荡电路，只要满足相位平衡条件，就有可能产生正弦波振荡。
( )5)对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。
( )二、选择正确答案填入空白内，只需填入 A 、B 、C 、D(本大题6分)在图示电路中，已知变压器副边电压有效值U２＝20V ，变压器内阻和二极管导通电压均可忽略不计，R<<RL(R为电感线圈电阻)，uD波形如图所示，选择填空：1 ．输出电压平均值UO约为( )；A.28VB.24VC.18V2 ．整流电路中二极管的导通角( )；A.大于B.约等于C.比小得多3 ．当负载电阻减小时，输出的纹波电压幅值将( )。
A.增大B.不变C.减小三、解答下列各题(本大题10分)图示电路中，A1～A5都是理想运放。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模拟电子基础考试题及答案
模拟电子基础考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 信号调制B. 信号解调C. 信号放大D. 信号滤波答案：C2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内？A. 10^2B. 10^3C. 10^4D. 10^5 至 10^6答案：D3. 负反馈在放大器中的作用是什么？A. 增加增益B. 降低增益C. 改善稳定性D. 减小失真答案：B、C、D4. 什么是共模抑制比（CMRR）？A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 共模增益与差模增益的比值D. 共模抑制与差模增益的比值答案：B5. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可存储性答案：B6. 在模拟电路设计中，电源去耦电容的主要作用是什么？A. 提供额外的电流B. 过滤高频噪声C. 增加电路的增益D. 改变电路的工作频率答案：B7. 什么是理想运算放大器？A. 具有无限增益的放大器B. 具有零输入偏置电流的放大器C. 具有无限带宽的放大器D. 所有选项都是答案：D8. 什么是非线性失真？A. 信号幅度的变化B. 信号频率的变化C. 信号波形的变化D. 信号相位的变化答案：C9. 在模拟电路中，带宽是指什么？A. 电路可以处理的最大信号频率B. 电路可以处理的最小信号频率C. 电路可以处理的信号频率范围D. 电路的增益答案：C10. 什么是积分器？A. 一个放大器，其输出是输入的积分B. 一个放大器，其输出是输入的微分C. 一个滤波器，通过高频信号D. 一个滤波器，阻止高频信号答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述理想运算放大器的基本特性。
答：理想运算放大器具有以下特性：无限增益、无限输入阻抗、零输出阻抗、零输入偏置电流和电压、无限带宽以及无饱和。
2. 解释什么是负反馈，并说明其在放大器设计中的作用。
答：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分或全部反馈到输入端，形成闭合回路。
(完整word版)模拟电子技术基本练习题(解).doc
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N 型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P 型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α =0.98，当发射极电流为 2mA ，其基极电流为0.04mA ，该管的β值为49 。
6．某三极管，其β =100，当集电极极电流为 5mA，其基极电流为0.05mA ，该管的α值为0.99 。
7．某三极管工作在放大区时，当 I B从 20μA 增大到 40μA ，I C从 1mA 变成 2mA 。
则该管的β约为50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9. 晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
A =20；A =-100； Av3=1，则可知这三级放13．在一个三级放大电路中，已知大电路中 A1是共基极v1 v2 组态； 3 是共集电极组态。
模拟电子技术试题(一)---答案
模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。
（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。
（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。
（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。
（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。
（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。
（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。
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杭州电子科技大学《模拟电子技术基础》试题（1）
一、填空（共30分，1分/空）
1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体，加入 价元素可形成P 型半导体。
2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位：①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ，则①端为 极、②端为 极、②端为 极，该管子为 型。
3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。
通常由 、 、 和 等四部分组成。
4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
5、为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈；为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。
6、电路如图1.1所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V 。
填空：电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈，电路的输入电阻趋近于 ，电压放大倍数=f u A 。
设V U I 1=，则=O U ；若1R 开路，则O U 变为 V ；若1R 短路，则O U 变为 V ；若2R 开路，则O U 变为 V ；若2R 短路，则O U 变为 V 。
图1.1
7、 比例运算电路的输入电流等于零，而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。
8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈 ；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈 ；其余情况下石英晶体呈 。
9、已知电路如图1.2所示，电路中D 1和D 2管的作用是消除 。
图1.2
10、整流的目的是 ；直流稳压电源中滤波电路的目的是 。
二、 判断题（20分，1分/题） 1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）
2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。
（ ）
3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（ ）
4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（ ）
5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。
（ ）
6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（ ）
7、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ ）
8、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ ）
9、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（ ）
10、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
（ ）
11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（ ）
12、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（ ）
13、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（ ）
14、凡是振荡电路中的集成运放均都工作在线性区。
（ ）
15、只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。
（ ）
16、当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电乎，就是低电平。
（ ）
17、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（ ）
18、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）
19、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（ ）
20、电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负数电流。
（ ）
三、分别改正图3.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法、共源接法及
耦合方式。
（10分）
（a ） （b ）
（c ） （d ）
图3.1
四、电路如图4.1所示，晶体管的80=β，Ω=k r be 1。
(1)、求出Q 点； (2)、分别求出∞=L R 和Ω=k R L 3时电路的Q 点、u A 和i
R ； (3)、求出o R 。
（10分）
图4.1
五、在图5.1所示电路中，已知V u I 41=，V u I 12=。
回答下列问题：
（1）、当开关S 闭合时，分别求解A 、B 、C 、D 点和O u 的电位；
（2）、设0=t 时S 打开，问经过多长时间0=O u ？（10分）
图5.1
六、分别求解图6.1所示电路的电压传输特性，并画出相应传输特性曲线。
（10分）
（a ） （b ）
图6.1 七、在图7.1所示电路中，已知Ω==k R R 2521，Ω=k R 53，Ω=k R w 100，F C μ1.0=，V U Z 8±=±。
试求：
（1）、输出电压的幅值和震荡频率约为多少？
（2）、占空比的调节范围为多少？（10分）
图7.1
浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（1）答案
一、填空题
1、五；三
2、发射极；集电极；基极；NPN
3、输入级；中间级；输出级；偏置电路
4、半导体管极间电容和分布电容的存在；耦合电容和旁路电容的存在
5、串联；电流
6、电压串联负反馈；无穷大；11；11；1；14；14；1
7、同相；反相
8、阻性；感性；容性
9、消除交越失真
10、将交流变为直流；将交、直流混合量中的交流成分滤掉
二、判断题
1、×；
2、×；
3、√；
4、×；
5、√；
6、×；
7、×；
8、×；
9、×；10、×；
11、√；12、×；13、×；14、×；15、×；16、√；17、×；18、√；19、×；20、√
三、解：（a ）、在＋V CC 与基极之间加R b ； （2.5分）
（b ）、在V BB 支路加R b ，在－V CC 与集电极之间加R c ；（2.5分）
（c ）输入端加耦合电容，漏极加电阻R D ；（2.5分）
（d ）在R g 支路加－V GG ，＋V DD 改为－V DD 。
（2.5分）
四、解：（1）求解Q 点：
V
17.7mA 61.2)1(A
μ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ e
b BEQ
CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ
（3分） （2）求解电压放大倍数和输入电阻：
992
.0)
)(1()
)(1( k 76)])(1([k 3996
.0)1()1( k 110])1([L e be L e L e be b i L e
be e e be b i L ≈+++=Ω
≈++=Ω=≈+++=
Ω
≈++=∞=R R r R R A R R r R R R R r R A R r R R R u u ∥∥∥∥：∥：ββββββ
（5分） （3） 求解输出电阻：Ω≈++=371be
s e o βr R R R R b ∥∥
（2分） 五、解: （1）U A ＝7V ，U B ＝4V ，U C ＝1V ，U D ＝－2V ，u O ＝2 U D ＝－4V 。
（5分）
（2）u O ＝2 U D －u O3
mS 6.28471010501
163A 1O3≈-=⨯⨯⨯⨯-
=⋅⋅-=-t t t u C R u
（5分）
六、解：（每图5分）
七、解：（1）输出电压
V U o
8±= 振荡周期
Hz
T f ms
R R C R R T w 83/11.1221ln )2(213===⎪⎪⎭⎫
⎝⎛++≈
（5分） （2）矩形波的宽度
⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++≈2
131121ln )(R R C R R T w
其中Ω-=k Rw 10001，其中1T 的最小值
s
R R C R R T w 32131min 110
55.021ln )(-⨯≈⎪⎪⎭⎫
⎝⎛++≈ 1T 的最大值
s
R R C R R T w 32
131max 1105.1121ln )(-⨯≈⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++≈ 占空比
95.0045.0/1-≈T T
（5分）。