单晶硅设备工艺培训技术资料
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 简介单晶硅和多晶硅是用于制造半导体器件的重要材料。
本文将介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由纯度极高的硅原料制成的。
下面是单晶硅的生产工艺步骤：2.1 原料准备原料准备阶段是整个生产过程的第一步。
常用的硅源包括硅石、三氯化硅等。
在这个阶段，硅源会经过多次加热、冷却和化学处理，以提高其纯度。
2.2 硅棒生长在硅棒生长阶段，通过将高纯度的硅溶液注入到石英坩埚中，然后慢慢降低温度，硅原料会逐渐结晶并形成硅棒。
这个过程需要精确的温度控制和其他参数调节，以确保硅棒的质量。
2.3 硅棒加工硅棒生长完成后，需要将其进行加工。
这个过程包括将硅棒切割成小块、研磨和抛光。
最终得到的是一系列小块的单晶硅片，它们可以用于制造半导体器件。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅与单晶硅不同，它的结晶结构是无序的。
下面是多晶硅的生产工艺步骤：3.1 原料准备多晶硅的原料准备阶段与单晶硅类似，也需要对硅源进行加热、冷却和化学处理，以提高纯度。
3.2 硅片生长在硅片生长阶段，通过将高纯度的硅原料加热至熔化状态，并引入掺杂物，在特定的温度和压力下，硅原料会结晶并形成多晶硅。
这个过程需要精确的温度和压力控制，以确保多晶硅的质量。
3.3 硅片加工多晶硅生长完成后，需要将其进行加工。
与单晶硅类似，多晶硅需要经过切割、研磨和抛光等步骤，以得到最终的多晶硅片。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在性质特点上有一些区别：4.1 结晶结构单晶硅具有有序的结晶结构，原子排列有规律，这使得单晶硅具有较高的电子迁移率和较低的电阻率。
多晶硅的结晶结构是无序的，原子排列无规律，电子迁移率和电阻率相对较低。
4.2 成本由于生产工艺的复杂性，单晶硅的生产成本相对较高。
多晶硅的生产成本相对较低。
4.3 应用范围单晶硅通常用于制造高性能的半导体器件，如集成电路和太阳能电池等。
多晶硅由于成本较低，通常用于制造一些低成本的半导体器件，如显示器件和光电器件等。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训1. 引言单晶硅和多晶硅是半导体行业中常见的材料，它们在太阳能电池、集成电路等领域得到广泛应用。
本文将为您介绍单晶硅和多晶硅的生产工艺以及它们的性质特点。
2. 单晶硅的生产工艺单晶硅是由高纯度硅材料制成的晶体，它具有较高的电子迁移率和较低的杂质浓度，适用于制造高性能的光电器件。
以下是单晶硅的主要生产工艺：2.1. Czochralski法生长单晶硅Czochralski法是目前最常用的单晶硅生长方法之一。
其基本过程如下：1.准备硅原料：将高纯度硅材料溶解在熔融的硅中，制备成硅锭。
2.调节温度和附加剂：控制硅锭的温度和加入适量的掺杂剂，以调节硅材料的电性能。
3.生长晶体：将铜制的拉杆浸入熔融硅中，形成硅锭的结晶核心，通过拉杆的旋转和上拉控制晶体的生长方向、速度和尺寸。
4.切割晶体：待晶体生长到一定程度后，将其从硅锭中切割成片，得到单晶硅片。
2.2. Float-zone法生长单晶硅Float-zone法是另一种单晶硅生长方法，它主要用于生产直径较小的单晶硅。
其生产过程相对复杂，但能够获得较高纯度的单晶硅。
3. 多晶硅的生产工艺多晶硅是由粉末状硅材料制成的，其晶体结构不规则，具有较高的电阻率和较高的杂质浓度。
以下是多晶硅的主要生产工艺：3.1. 气相淀积法制备多晶硅气相淀积法是最常用的多晶硅制备方法之一。
其基本过程如下：1.原料气体制备：将硅材料化为气态，如通过热解硅烷（SiH4）制备硅含氢气体。
2.沉积硅层：将硅含氢气体引入反应室，在衬底上沉积出一层硅薄膜。
3.重复沉积：重复沉积步骤，使硅薄膜逐渐增厚，形成多晶硅。
3.2. 其他多晶硅制备方法除了气相淀积法，还有一些其他的多晶硅制备方法，如溶液法、电化学沉积法等。
这些方法在特定的应用领域有其独特的优势和适用性。
4. 单晶硅和多晶硅的性质特点单晶硅和多晶硅在晶体结构、电子性能和应用方面存在一定的差异。
以下是它们的性质特点：4.1. 晶体结构单晶硅具有有序的晶体结构，晶界较少，晶粒较大。
硅单晶拉制岗位培训材料
单晶拉制岗位培训材料一、单晶基础知识1、单晶硅理论基础知识元素符号Si，旧称矽，原子序数14，相对原子质量28.09，有无定形和晶体两种同素异形体。
晶体硅为蓝灰色，无定形硅为黑色，密度2.55g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。
硅的化学性质比较活泼，在高温下能与氧气等多种元素化合，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液，用于造制合金如硅铁、硅钢等，单晶硅是一种重要的半导体材料，用于制造大功率晶体管、整流器、太阳能电池等。
硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6％，主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。
1.1固态硅密度2.33g/cm3，液态硅的密度：2.55g/cm3。
1.2位错密度（DISLOCATION DENSITY）≤500个/cm2；氧含量（OXYGEN CONTENT）≤1.0E18cm3；碳含量（CARBON CONTENT）≤5.0E16cm3。
1.3太阳能级单晶硅电阻率范围(RESISTIVITY RANGE): 0.5~2Ω.cm 3~6Ω.cm 0.5~3Ω.cm。
1.4少子寿命（LIFE TIME）≥10μs1.5晶向（ORIENTATION） <100>±1°1.6掺杂方式:P型掺B,N型掺P1.7有则公司单晶硅棒规格为6寸、8寸。
二、单晶拉制工艺总述2.1直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根直径只有12mm的棒状晶种（称籽晶）浸入融液中。
在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。
把晶种慢慢旋转并向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。
若整个结晶环境稳定，就可以周而复始地形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。
半导体第三讲：单晶硅生长技术、工艺、设备培训课件
采用钕铁硼永磁体向熔硅所在空间中引入 Cusp磁场后，当坩埚边缘磁感应强度达到 0.15T时，熔硅中杂质输运受到扩散控制， 熔硅自由表面观察到明显的表面张力对流， 单晶硅的纵向、径向电阻率均匀性得到改 善。
2022/5/2
氧浓度的控制
在直拉单晶硅生长过程中, 由于石英坩埚的 溶解, 一部分氧通常会进入到单晶硅中, 这些 氧主要存在于硅晶格的间隙位置。当间隙 氧的浓度超过某一温度下氧在硅中的溶解 度时, 间隙氧就会在单晶硅中沉淀下来, 形成 单晶硅中常见的氧沉淀缺陷。如果不对硅 片中的氧沉淀进行控制, 将会对集成电路造 成危害。
2022/5/2
由于生长过程中熔区始终处于悬浮状态, 不与任何物质接触,生长过程中的杂质分凝 效应和蒸发效应显著等原因, 因此产品纯度 高, 各项性能好。
但由于其生产成本高, 对设备和技术的 要求较为苛刻, 所以一般仅用于军工。太空 等高要求硅片的生长。
2022/5/2
Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶的氧含量 低2～3个数量级，这一方面不会产生由氧 形成的施主与沉积物，但其机械强度却不 如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产 生翘曲和缺陷。在Fz单晶中掺入氮可提高 其强度。
2022/5/2
对1000 ℃、1100℃退火后的掺氮直拉硅中 氧沉淀的尺寸分布进行的研究表明，随着 退火时间的延长，小尺寸的氧沉淀逐渐减 少，而大尺寸的氧沉淀逐渐增多。氮浓度 越高或退火温度越高, 氧沉淀的熟化过程进 行得越快。
2022/5/2
区熔(FZ )法生长硅单晶
无坩埚悬浮区熔法。 原理：在气氛或真空的炉室中，利用高频
另一方面，热屏起到了氩气导流作用。在敞开 系统中，氩气流形成漩涡，增加了炉内气氛流 的的不稳定性，氩气对晶体的直接冷却能力弱， 不利于生长出无位错单晶。增加热屏后，漩涡 消失，氩气流速增加，对晶体的直接冷却和溶 液界面吹拂能力加强。
单晶炉及拉棒培训内容
员工知识培训1 硅的简介1.1半导体材料材料按其电阻率可分为超导体材料、导体材料、半导体材料和绝缘材料.半导体材料的电阻率一般介于导体和绝缘体之间,数值一般在10-4-108之间.半导体的电阻率有如下特点:(1)杂质对半导体电阻率的影响很显著,微量的杂质就能引起较大的变化.(2)温度能引起电阻率较大的变化,一般金属材料的电阻率随温度的上升而增大.半导体材料种类很多,最常见的是硅、锗、硒、砷化镓等.半导体又分为本征半导体和杂质半导体.1.2硅的物理性质及提炼过程硅,又叫做矽,化学符号Si,熔点1412℃,固体密度(20℃)2.33g/cm3,液体密度(1420℃) 2.5g/cm3.硅原子按照一定的顺序排列就形成单晶硅,而局部有规则排列总体却无规则排列的是多晶硅.单晶硅是金刚石结构,具有很高的硬度,脆性高,经不起冲击.硅是地壳中含量第二的元素,约占地壳的26%.多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业硅）、太阳能级、电子级：（1）冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。
一般含Si 为90 - 95% 以上，高达99.8% 以上。
（2）太阳能级硅(SG)：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。
一般认为含Si在99.99 %– 99.9999%（4～6个9）。
（3）电子级硅（EG）：一般要求含Si > 99.9999 %以上，超高纯达到99.9999999%～99.999999999%（9～11个9）。
其导电性介于10-4– 1010欧厘米。
将石英砂用焦碳在碳电极的电弧炉中还原可制取金属硅,其反应式为:SiO2 + 3C = SiC + 2CO2SiC + SiO2 = 3Si + 2CO金属硅的纯度一般小于98%,用西门子法可制得半导体级硅(99.999999999%),用西门子法也能制得99.9999%的太阳能级硅.西门子法制得的硅通过单晶炉提拉成单晶硅.另外还有SiHCl3氢还原法(国内主要用此提炼法)、流化床法提炼硅.太阳能级单晶硅经过切断、切方滚圆、切片、扩散、丝网印刷等工序就可制成电池片,然后进行封装、组件。
直拉单晶硅工艺技术
1.9晶体的长大
图1.16固液界面模型.
1.10生长界面结构模型
图1.17原子在光滑界面上所有可能的生长位置
1.19凸界面生长模型
1.20其他几种界面模型
第2章直拉单晶炉
图2.1汉虹CZ-2008型直拉单晶炉部件图
图2.2单晶炉的组成部分
图2.3单晶生长的地方
图2.4直拉单晶炉
图2.5籽晶旋转提升机构示意图
2016
讲师：吕传茂 系别：光伏材料
绪论
图1.1单晶硅的应用领域
几种单晶硅的制备方法
直拉法又称为切克劳斯基法，简称CZ法。CZ法的特点是在一 个直筒型的热系统汇总，用石墨电阻加热，将装在高纯度石英 坩埚中的多晶体熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同 时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放 大、转肩、等径生长、收尾等过程。
图1.2 直拉法装置示意图
区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。 调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一 根单晶，晶向与籽晶的相同。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化 部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。
图1.3 区熔法装置示意图
气相生长法，一般可用升华、化学气相输运等过程来生长 晶体。 外延法，它是指在一块单晶片上再生长一层单晶薄层,这 个薄层在结构上要与原来的晶体(称为基片)相匹配。外延 可分为同质外延和异质外延。像半导体材料的硅片再外延 一层硅是属同质外延；如果在白宝石基片上外延硅，那就 是异质外延了。
图2.6隔离阀
图2.7副炉室升降机构把手
图2.8旋转出的副炉室
图2.9坩埚驱动装置
图2.10真空系统及氩气充气系统
图2.11水冷系统
单晶技能操作培训手册
目录一半导体概况 (2)1、半导体物理基础知识 (2)1.1导体，绝缘体和半导体 (2)1.2半导体材料的类别 (3)1.3晶体与非晶体 (3)1.4多晶体和单晶体 (4)1.5 N型半导体和P型半导体 (4)1.6多数载流子与少数载流子 (4)1.7杂质补偿 (5)1.8电阻率 (5)1.9结晶 (6)2、硅材料 (7)2.1硅石 (7)2.2硅单晶 (8)3、半导体技术 (12)二车间概况 (18)1、生产流程 (18)2、组织结构 (19)3、岗位职责 (19)三硅料简介 (20)四设备概况 (21)1、TDR-70A/B型单晶炉 (21)2、JRDL-800型单晶炉 (22)五生产工艺 (34)1、作业准备 (34)2、设备装载与清洁 (35)2.1真空过滤器清洗 (35)2.2真空泵油检查更换 (35)2.3石墨件清洗 (35)2.4单晶炉室清洗 (36)2.5石墨件安装 (37)2.6石英坩埚安装 (38)3、拉晶工艺 (38)3.1硅料安装 (38)3.2籽晶安装 (39)3.3抽空检漏 (39)3.4充氩气 (40)3.5升功率 (40)3.6熔料 (40)3.7拉晶步骤 (42)3.8降功率 (47)3.9停炉冷却 (47)3.10热态检漏 (47)3.11取单晶和籽晶 (48)4、设备拆卸与检修 (48)4.1石墨件取出冷却 (48)5、母合金 (49)六设备维护 (50)七其他 (51)1、5S管理 (51)一半导体概况1、半导体物理基础知识1.1导体，绝缘体和半导体自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导体具有良好的导电特性，常温下，其内部存在着大量的自由电子，它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。
因而导体的电阻率很小，只有金属一般为导体，如铜、铝、银等，它们的电阻率一般在10–4欧姆·厘米以下。
绝缘体几乎不导电，如橡胶、陶瓷、塑料等。
单晶清洗间工艺培训教程
单晶清洗间工艺培训教程概要1、半导体材料硅的晶体结构 2、单晶制绒原理 3、绒面结构及形貌 4、制绒机各槽的作用 5、清洗各槽的作用 6、常见异常 7、制绒机设备结构介绍一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• • 晶体结构 固体可分为晶体和非晶体两大类。
原子无规则排列所组成的物质为非晶 体。
而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。
晶体有确定的熔点，而 非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化。
单晶和多晶 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。
由许多取向 不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。
• •一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• • 硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。
硅原子的4个价电子和 它相邻的4个原子组成4对共有电子对。
这种共有电子对就称为“共价键”。
如 下图所示。
一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• • 晶面和晶向 晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就 称为晶面。
每个晶面的垂直方向称为晶向。
下图是几种常用到的晶面和晶 向。
ZYX (100晶面 晶面) 晶面(110晶面 晶面) 晶面(111晶面 晶面) 晶面一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• 原子密排面和解理面： • 在晶体的不同面上，原子的疏密程度是不同的，若将原子看成是一些硬的球 体，它们在一个平面上最密集的排列方式如下图所示，按照这样方式排列的 晶面就称为原子密排面。
。
一、半导体材料硅的晶体结构 半导体材料硅的晶体结构• 按照硬球模型可以区分在(100)(110)(111)几个晶 面上原子排列的情况，如下图所示。
(a)由于(111)密排面本身结合牢固而相互间结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着 (111)晶面劈裂，晶体中这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。
(b)由于(111)密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，而(100)面原子排列密度 比(111)面低。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
目录
1.Si的介绍 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
目录
1.Si的介绍 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
晶体速度控制界面：
加热器是热场中很重要的部件， 是直接的发热体，温度最高的 时候可以达到1600℃以上。 常见的加热器有三种形状，筒 状、杯状、螺旋状。目前绝大 多数加热器为筒状，硅单晶厂 房使用的是直筒式形状的加热 器。右图为加热器。
安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器
单晶硅片工艺流程：
1.酸洗：使用稀硝酸HNO3,进行清洗，去除表面杂质及提炼时产生的四氯化硅。
2.清洗：清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。
3.单晶硅料烘干：去除水分。
4.挑料：区分P型，N型硅料。
5.配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。
6.单晶炉拉晶：
7.硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。
8.开断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
单晶炉种类：
• 单晶炉，目前可以分为：小松炉；642炉；70炉；莱宝炉；80炉；85 炉；90炉；95炉；97炉。 • 目前现在国内普遍使用的单晶炉型号为80炉；85炉；90炉。 • 各个单晶炉的工作原理相同，都是根据4的速度进行晶体直径控制及 可控硅整流提供50V直流电源，进行加热。 • 小松炉；642炉；70炉，电气控制部分为按钮式；莱宝炉产生后，以 后的单晶炉都采用触摸屏式。
硅的提炼：
硅，Si,地球上含硅的东西多的很好像90%以上都是晶硅的，也就是单晶硅。 太阳能级别的硅纯度6N以上就可以了。 开始是石头，（石头都含硅），把石头加热，变成液态，在加热变成气态，把 气体通过一个密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住的，气体 通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢就变粗了，因为 是气体变固体，所以很慢，一个月左右，箱子里有就很多长长的原生多晶硅。
• 2.热态检漏：检查上一炉功率关闭时间，在停炉冷却2小时后，关闭
• 3.取单晶和籽晶：关闭2个速度，关闭氩气。打开翻板阀，将单晶替
4.石墨件取出冷却：升炉盖，取出导流罩，保温盖。石英坩埚等放在指定位置。
5.真空过滤器清洗：用 洗尘管清理各个真空管道，并将真空过滤箱中的过滤器取出
清理完毕后，按原位置安装。
12.冲氩气，升功率，融料：打开主室阀，打开氩气流量阀，使氩气流量在20-30L/mi
使炉内压力在1000—1500帕。功率每0.5小时加一次。
13.引晶，放大，放肩，转肩，等径：
引晶
放大
放肩
转肩
等径
收尾
取硅棒
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
籽晶
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
单晶炉工艺流程：
准备作业 热态检漏 取单晶和籽晶 石墨件取出冷却 石墨件清洗 装硅料 单晶炉室清洗 抽空，检漏 等径生长
1.提拉头：
提拉头：晶升电机，晶转电机，离合器，钢丝绳，光感 限位，磁流体等部件组成。 作用 ：在拉晶过程中，提供晶升与晶转速度，通过PCC控 制模块 的开关量变化，来控制晶体直径。
2.副室，翻板阀，主室：
炉盖：
整体锻造，超低碳不锈钢法兰
CCD测径仪
水路接头
观察窗
主室内部：
籽晶夹
单晶棒 三瓣埚 石棉碳粘 石英坩埚 加热器
单晶硅设备工艺培训
人员安全部分
大纲
• • • • • • • • • • • 1. 硅料的提炼 2.单晶硅片工艺流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分 ……………………………………………………..
9.包装：将开断后的单晶硅棒进行包装，送至下一道工序
10.磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨圆。
线切割原理：
12.清洗：
13.单晶硅片检测：
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩 →导气孔→保温盖板制示意图：
SL自动等径原理：
晶升伺服电机：
晶升系统调试详解：1.将引晶器归0。
2.给定速度0.5，等待2—3分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节Z (SL A/D)，使数值一样。 3.给定数值2，等待1—2分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节F (SL A/D) ，使数值一样。 4.重复2.3步骤，使给定0.5和2时，都于平均拉速相同。 5.给定0.5，调节Z (SL SP) ，使之相等。 6.给定2，调节Z (SL SP) ，使之相等。 7.调节DIS，调节引晶器数值。
6.真空泵注油：当油标高于1/2时，禁止注油。
7.单晶炉室清洗：
8.石墨件安装：
9.硅料安装：
10.籽晶安装：将副室旋出，重锤安装后，将籽晶安装，插好销头。
钢丝绳 重锤
籽晶
11.抽空检漏：先用副泵抽到2700帕以下后，关闭副室球阀和副泵电源
打开真空泵球阀，打开真空主泵。炉压达到<20帕时， 冲氩气，打开主，副室流量计，调节到30L/min，过5分钟后， 关闭氩气，流量计仍保持原来的位置，待炉压<5帕时关闭主室 球阀，关闭真空泵电源。在流量计调节阀保持原来位置时，漏速 <0.34帕/分。如达不到，需重复上述操作。
真空过滤器清洗 石墨件安装
真空泵油检查更换 石英坩埚安装
籽晶安装
充氩气，升功率，融料 收尾 降功率 停炉冷却
引晶，放大，放肩，转肩
详细介绍：
• 1.准备作业：穿戴好洁净工作服，鞋，带好一次性手套，耐高温手套，
• • • • • • • • • 研磨巾，酒精，吸尘器，防尘口罩。准备好扳手等各类 工具。准备好取晶和放石墨件的小车。并确认水，电， 气等正常。 氩气总阀，开始愁高空，并记录时间。炉压到3帕 以下， 关闭主室球阀和真空泵电源。如0.5小时不到3帕，需 通知维修人员处理。 升至副室，慢慢旋转出副室，用晶快降下降单晶，在 地面放木板，使单晶尖头垂直接触到木板，剪短籽晶 连接，将单晶放入专用小车上。