单向晶闸管HCR2C60
各种晶闸管(可控硅)的检测方法
各种晶闸管(可控硅)的检测方法1．单向晶闸管的检测(1)判别各电极：根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A 与门极之间有两个反极性串联的PN结。
因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。
若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。
在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。
也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。
普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。
例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。
平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。
金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。
塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。
图1为几种普通晶闸管的引脚排列。
(2)判断其好坏：用万用表R×1 kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2 kΩ)，反向电阻值较大(大于80 kΩ)。
若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。
晶闸管的参数说明
晶闸管（thyristor）其派生器件有，快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，V，Vt ，旧标准中用的是SCR，重要参数说明1．断炉重复峰值电压，udrm ,，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A,K 间的电压。
此电压为不重复峰值电压udsm的90%。
2．反向重复峰值电压urrm，在控制极断路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。
此电压约为不重复峰值电压udsm的90%。
udrm ,和urrm在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压，通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定电压值，由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的乖宝宝电压应选为正常工作峰值电压的，2-3倍以确保安全。
3．额定正向平均电流if在规定的标准散热条件和环境温度40度下，晶闸管的阳极和阴极间允许连接贯通过的工频正统半波电流的平均值。
称为额定正向平均电流。
由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的1.5-2倍以留有一定的余地。
4．维持电流ih：在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，称为维持电流，当正向电流于ih值时，晶闸管就自行判断，ih值一般为几十至一百多毫安。
5．控制极触发电压VG，触发电流IG在室温下，阳极加正向电压为直流6V 时，使晶闸管由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。
VG一般为1/ 23.5-5V，IG约为几十至几百毫安。
实际应用时，加到控制极的触发电压和触发电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。
6．电压上升率DV/DT，晶闸管阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导通，因此对管子的最大正向电压上升率，必须加愉限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。
7．电流上升率DI/DT，晶闸管开通时电流是从靠近门极区的阴极开始然后逐渐2/ 2。
常见电子元件晶闸管的定义、参数及注意事项介绍
常见电子元件晶闸管的定义、参数及注意事项介绍
晶闸管是电子元件的一种，它能在高电压、大电流的条件下工作，旧称可控硅，是一种以小控大的功率电流型器件。
生活中常见的晶闸管类型多样，主要有单向晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管、光控晶闸管等。
在未加说明的情况下，通常晶闸管或可控硅指的是单向晶闸管，且应用较多的是单向晶闸管和双向晶闸管。
今天小编将主要对单向晶闸管的一些常识进行详细地解说。
单向晶闸管
单向晶闸管，简称SCR，常见的单向晶闸管在可控整流、交流调压、逆变器和开关电源电路中广泛应用，其外形结构和等效电路如图1、图2 所示。
单向晶闸管
单向晶闸管三个电极，分别为阳极(A)、阴极(K)和控制极又称门极(G)。
由图1 可见，它是一种PNPN 四层半导体器件，其中控制极是从P 型硅层上引出，供触发晶闸管用。
晶闸管一旦导通，即使撤掉正向触发信号，仍能维护通态。
欲使晶闸管关断，必须使正向电流低于维持电流，或施以反向电压强迫其关断。
普通晶闸管的工作频率一般在400 Hz 以下，随着频率的升高，功耗将增大，器件会发热。
快速晶闸管一般可工作在5 kHz 以上，最高达40kHz
单向晶闸管特性参数
表征单向晶闸管性能的参数也很多，在实际应用中，最关心的是它在阻断状态下能承受多大正向与反向电压，它在导通时能够通过多大的电流，要使它触发导通控制极需加多大的电压(电流)，要使它关断时阳极电流要减小到多少等。
1.额定通态平均电流I T(AV)。
双向晶闸管
三、在功率管领域，逐步有国内的企业技术水平上升到MOS工艺，MOSFET的产业有一定规模，进入21世纪后， 这类器件的产品已批量进入市场，几十安培、200V的器件在民用产品上获得了广泛应用，进口替代已然开始。
工作原理
结构示意图双向晶闸管与单向晶闸管一样，也具有触发控制特性。不过，它的触发控制特性与单向晶闸管有 很大的不同，这就是无论在阳极和阴极间接入何种极性的电压，只要在它的控制极上加上一个触发脉冲，也不管 这个脉冲是什么极性的,都可以使双向晶闸管导通。由于双向晶闸管在阳、阴极间接任何极性的工作电压都可以实 现触发控制，因此双向晶闸管的主电极也就没有阳极、阴极之分，通常把这两个主电极称为T1电极和T2电极，将 接在P型半导体材料上的主电极称为T1电极，将接在N型半导体材料上的电极称为T2电极。由于双向晶闸管的两个 主电极没有正负之分，所以它的参数中也就没有正向峰值电压与反同峰值电压之分，而只用一个最大峰值电压， 双向晶闸管的其他参数则和单向晶闸管相同。
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产品简介
双向晶闸管的伏安特性曲线具有对称性，如图1所示 。 图1结构图
的伏安特性曲线
由于双向晶闸管正、反特性具有对称性，所以它可在任何一个方向导通，是一种理想的交流开关器件。 伏安特性曲线
检查方法
检查双向晶闸管的好坏：双向晶闸管作电子开关使用，能控制交流负载(例如白炽灯)的通断，根据白炽灯的 亮灭情况，可判断双向晶闸管的好坏。将220V交流电源的任意一端接T2，另一端经过220V、100W白炽灯接T1。触 发电路由开关S和门极限流电阻R组成。S选用耐压220VAC的小型钮子开关或拉线开关。R的阻值取100~330Ω，R 值取得过大，会减小导通角。
单相半控桥式晶闸管整流电路设计(反电势、电阻)
单相半控桥式晶闸管整流电路设计(反电势、电阻)1. 背景在电力系统中，直流电源是非常重要的一种电源。
晶闸管在电力控制方面拥有广泛的应用，因为它能够提供高效的控制机制，包括在半导体设备上实现电流开关，以及实现定时控制等功能。
单相半控桥式晶闸管整流电路是一种非常常见的整流电路类型，也非常适合用于小功率应用。
本文将介绍如何设计一种单相半控桥式晶闸管整流电路，同时还会探讨反电势电路和电阻的设计问题。
2. 基本原理单相半控桥式晶闸管整流电路是一种将交流信号转换为直流信号的电路。
它通过将半桥整流电路和反电势电路组合在一起，完美地解决了整流电流方向的问题。
在这种电路中，半桥整流电路利用两个反相并联的晶闸管实现半波整流，而反电势电路则通过电感、电容的组合实现对负载电流的控制。
3. 电路设计3.1 半桥整流电路如图所示，首先需要设计半桥整流电路。
在这种电路中，使用两个反相并联的晶闸管V1和V2以及两个并联的负载电阻R1和R2实现单向导电性。
在负载电阻R1和R2上加上一个串联电感L1，可以有效地抑制负载电流的突变。
+---->Vout|Vin ---+--->V1------+| || R1 || |+-----+------+------>GND| || || L1| || |+------+------>Vout|R2||GND3.2 反电势电路接下来需要安装反电势电路。
反电势电路通过控制电感、电容并结合晶闸管V3的使能脚，实现对负载电流的控制。
+----+-------+| | |C1| | || L2 G|+----|---TT-+--->Vout| |V3-----D-+| |+-------+值得一提的是，在选择元器件时，需要注意反电势电路的电感和电容的选取，因为它们显著影响反电势电路的性能。
3.3 电阻最后需要考虑的是电阻。
这个简单的部分是整个电路设计的最后一步。
需要根据设计参数以及所需功率和工作电压等因素来确定电阻的取值，并按照电路图所示的方式将其安装在负载电路的两端。
几种特殊的晶闸管介绍
几种特殊的晶闸管介绍晶闸管是一种电子器件，常用于控制交流电谷值以上的电流，也被称为可控硅或二极晶闸管。
在普通的直流控制电路中，晶闸管工作得很好，但在噪声和电磁干扰的严重环境下，最好使用一些特殊的晶闸管。
1. 反并连通晶闸管反并联通晶闸管（Reverse Parallel Thyristor，RPT）是一种特殊的晶闸管，由两个晶闸管反向并联而成。
这种晶闸管的引出端在正向电压下的电阻很低，同时在反向电压下则会被击穿，变成高阻态。
反并连通晶闸管广泛应用于交流电控制装置，可以通过其引出端对交流负载进行可控的加工和开关，具有很高的稳定性和可靠性。
此外，这种晶闸管还有较高的速度，使其能够对快速变化的电压响应。
2. 闸流触发二极管闸流触发二极管（Gated Current Triggered Diode，GCT）也被称为双读指挥者（Bidirectional Reading Conductor，BRC）。
它和其他晶闸管不同在于，它是一种由三个PN结组成的二极管结构。
这个结构允许该晶闸管能够双向导通，并且还允许它通过其控制端被“打开”或浪费让其导通。
闸流触发二极管能够在回路中起到保护电路的作用，并且承载着不同电源的电流量。
这种晶闸管无需连续电流触发即可控制，其独特的设计还使它能够在工作时具有很高的速度和控制精度，在很多交流电控制电路中得到了广泛的应用。
3. 光闸晶闸管光闸晶闸管是一种采用光耦合器来触发的晶闸管，它通过发射的光线信号从LED到光敏传感器中的光触发电路来控制电流的导通。
这样的方案使其能够在高噪声和高频率环境下运行，并有望克服由于电磁干扰引起的异常工作。
光闸晶闸管应用领域广泛，特别是在电力电路中。
它的响应速度很快，而且能够在非对称、多级、复合及混和触发方式中选择，进一步改善了适应性和广泛性。
以上三种晶闸管都是在特定情况下需要使用的，它们在电路中有丰富的应用。
在控制负载，对于电磁干扰抵抗，以及在高频率环境下工作时，这些晶闸管都表现出了其优异的特性。
单向晶闸管的基础常识
单向晶闸管的基础常识
晶闸管(Thyristor)是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。
单向晶闸管是其中的一种，通常也叫可控硅或整流元件，它既有单向导电的整流作用,又有可以控制的开关作用.利用它可用较小的功率控制较大的功率。
以下内容，我们主要看看晶闸管有什么特性及作用。
单向晶闸管的特性及作用
单向晶闸管属于PNPN 四层半导体器件，共有三个电极，即控制极(门极) G、阳极A 和阴极K，只能单向导通。
单向晶闸管种类很多，常用的有3CT 系列和KP 系列，广泛地用于可控整流、交流调压、逆变器和开关电源电路中。
常见单向晶闸管的外形见图1(a)，其内部结构及电路符号见图(b)。
单向晶闸管的导通条件是：除在阳、阴极间加上一定大小的正向电压外，还要在控制极和阴极间加正向触发电压。
一旦管子触发导通，控制极即失去控制作用，即使控制极电压变为零，单向晶闸管仍然保持导通。
要使单向晶闸管关断，必须去掉阳极正向电压，或者给阳极加反向电压，或者降低阳极正向电压，使通过单向晶闸管的电流降低到维持电流(单向晶闸管导通的最小电流)以下。
单向晶闸管按功率大小，可分为小功率、屮功率和大功率三种。
一般从外观上即可进行识别：小功率管多采用塑封或金属壳封装;中功率管控制极引脚比阴极引脚细，阳极带有螺栓;大功率管控制极上带有金厉编织套，像一条辫子。
一般额定电流小于200A 的多为螺栓形晶闸管，大于200A 的多为平板形晶闸管。
由于螺栓形和平板形单向晶闸管的三个电极外部形状有很大的区别，因此可。
双向晶闸管(triac)说明
双向晶闸管(triac)说明引言双向晶闸管（Tr ia c）是一种用于交流电路的半导体器件。
它具有双向导通的特性，可以在正半周和负半周均实现导通，广泛应用于调光、速度控制、温度控制等领域。
本文将全面介绍双向晶闸管的结构、工作原理、特性以及应用。
一、双向晶闸管的结构双向晶闸管是一种四层P NP N结构的器件，由两个晶闸管串联组成。
它有三个电极：主端子M T1、M T2和门控端子G。
这些电极通过金属触点与P NP N结构连接。
二、双向晶闸管的工作原理1.双向导通当M T1和M T2之间施加正向电压时，两个晶闸管中的一个将进入导通状态，电流可以从MT1流向MT2，也可以从MT2流向M T1。
双向晶闸管因此可以实现双向导通。
2.门控信号双向晶闸管的工作状态由门控信号控制。
当门控端施加正脉冲电压时，晶闸管进入导通状态；当门控端施加负脉冲电压时，晶闸管进入关断状态。
3.触发方式的选择双向晶闸管可以通过两种方式触发：-零电压触发：只有在交流电压的绝对值为零时，才能实现双向晶闸管的导通。
触发方式简单，但对电压变化敏感，容易误触发。
-零电流触发：只有在电流为零时，才能实现双向晶闸管的导通。
它能够减少对电压变化的敏感度，更为可靠。
三、双向晶闸管的特性1.导通特性双向晶闸管具有低导通压降和高调制深度的特点。
在导通状态下，双向晶闸管的电压降低，从而减少了功耗；同时，它还具有较高的调制深度，可以实现更精确的控制。
2.关断特性双向晶闸管在关断状态下具有较高的绝缘耐压和快速关断能力。
在关断状态下，它可以有效地隔离电路，防止电流的回流。
3.温度特性双向晶闸管的导通能力随着温度的升高而改变。
在高温环境下，它的导通能力会降低，因此在实际应用中需要考虑散热措施。
四、双向晶闸管的应用双向晶闸管广泛应用于以下领域：1.调光控制：双向晶闸管可以通过控制导通时间来实现调光功能，被广泛应用于家庭照明和舞台灯光等领域。
2.电动工具调速：利用双向晶闸管的调光特性，可以实现电动工具的调速和输出功率控制。
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█ 主要用途
单向可控硅, 用于继电器与灯控制、小型马达控制、较大晶闸管的门极 驱动、传感与检测电路等
对应国外型号 SCN2C60,MCR22-8
█ 极限值（Ta=25℃）
Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压…………………………………………… 600V IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）…………………………… 1.5A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=45℃）…………………… 1.0A
█ 外形图及引脚排列
ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 15A
VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM ——正向峰值门极电流 ……………………………………………1.0A PGM——峰值门极功耗……………………………………………………2W
█ 电参数（Ta=25℃）
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
IDRM
重复峰值断态电流 10 200 uA uA V uA V 0.8 1.2
VAK=VDRM, RKG=1000 ohm Ta=25℃ Ta=125℃
VTM IGT
峰值通态电压（1） 门极触发电流（2）
1.2
1.7 200 500
ITM=3.0A, 峰值
VAK =6V, RL=100 ohm Ta=25℃
Ta=-40℃
VAK =6V, RL=100 ohm Ta=25℃
VGT
门极触发电压（2）
Ta=-40℃ V mA
VAK =12V, RL=100 ohm
VGD
门 极 不 触 发 电 压 0.2 （1） 维持电流 2 5 10
50.0 160
Ta=125℃
VAK =12V，门极开路 Ta=25℃
IH
Ta=-40℃
℃/W ℃/W
Rth(j-c) Rth(j-a)
热阻 热阻
结到外壳 结到环境
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对应国外型号
SCN2C60,MCR22-8
HCR2C60
█ 特性曲线
图一、栅极特性 图二、最大外壳温度
栅极电流(mA)
最大允许外壳温度(°c)
栅极电压(V)
平均通态电流(A)
图三、典型正向压降
图四、热
响
应
通态电流（A）
通
态
电
压（V）
瞬态热阻（°c/W）
时
间（sec）
图五、典型栅极触发电压----结温
图六、典型栅极触发电流----结温
结
温（℃）
结
温（℃）
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对应国外型号 SCN2C60,MCR22-8
HCR2C60
█ 特性曲线
图七、典型维持电流 图八、功
耗
结
温（℃）
最大平均功耗（W）
平均通态电流(A)
注： 1、 2、 脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1% 测量时不包括 RGK 电流
。