ITO膜的主要性能参数
电加温用透明导电膜_ITO_玻璃的评价指标及质量检验
电加温用透明导电膜_ITO_玻璃的评价指标及质量检验电加温用透明导电膜（ITO）玻璃是一种广泛应用于电子产品中的材料，具有透明导电性能，常用于触摸屏、电容式触摸屏、LCD显示屏等领域。
评价指标和质量检验对于保证产品的质量和性能至关重要。
下面将对电加温用ITO玻璃的评价指标及质量检验进行详细阐述。
一、评价指标1.电阻率：电阻率是评价ITO膜导电性能的重要指标之一、通常要求ITO膜的电阻率在10-100Ω/□范围内，以满足电流传输要求。
电阻率可以通过测试仪器测得。
2.透光率：ITO膜的透光率是指在可见光范围内，光线透过ITO膜的程度。
高透光率可保证显示屏的亮度和清晰度。
透光率要求通常在80%以上。
3.色散性：色散性是指ITO膜的导电性能随频率的变化。
在ITO膜上，电导率随着频率的增加而降低，色散性越低表示膜层在更宽的频率范围内具有稳定的导电性能。
4.膜层均匀性：膜层均匀性是指ITO膜在玻璃表面均匀覆盖的程度。
通过目测或显微镜观察，检查膜层是否存在划痕、气泡等缺陷。
5.耐久性：耐久性是指ITO膜在使用过程中的稳定性和耐用性。
通过模拟使用环境的实验，检测ITO膜的耐磨损性、耐腐蚀性等。
6.粘附性：粘附性是指ITO膜与玻璃基板之间的粘合情况。
通过剥离实验等方法测定粘结强度，判断粘附性能。
7.导电性能恢复性：导电性能恢复性是指ITO膜在受到压力或变形后，是否能够迅速恢复到原来的导电性能。
通过实验测试，模拟ITO膜在实际使用中的回弹性能。
二、质量检验1.外观检验：对ITO膜的外观进行检查，观察膜层是否完整、均匀，是否有划痕、气泡等缺陷。
2.电阻率测定：使用电阻仪器测量ITO膜的电阻率，确保符合要求的范围。
3.透光率测定：使用光谱仪或透光率测试仪器，测定ITO膜的透光率。
4.膜层附着力测试：使用剥离实验或粘结实验，测试ITO膜与玻璃基板之间的附着力。
5.导电性能恢复性测试：对ITO膜进行压力测试或弯曲测试，观察膜层的导电性能是否迅速恢复。
ito能承受的最大温度
ito能承受的最大温度
【实用版】
目录
1.引言：介绍 ITO 的含义和用途
2.ITO 的最大温度承受能力
3.ITO 的特性和应用
4.ITO 的发展前景
5.结论：总结 ITO 的最大温度承受能力对其应用的重要性
正文
1.引言
铟锡氧化物（ITO）是一种用于制造透明导电薄膜的合金材料，主要应用于太阳能电池、平板显示器、智能手机屏幕等领域。
了解 ITO 的最大温度承受能力，有助于我们更好地利用这一材料，拓宽其在不同领域的应用。
2.ITO 的最大温度承受能力
ITO 的最大温度承受能力约为 150 摄氏度。
当温度超过这一数值时，ITO 的导电性能会受到影响，甚至出现氧化、脱落等问题，导致其失去透明导电特性。
3.ITO 的特性和应用
ITO 具有良好的透明导电特性、较高的导电率和良好的热稳定性。
这些特性使其在众多领域具有广泛的应用前景。
在太阳能电池领域，ITO 作为电极材料，可提高电池的光电转换效率；在平板显示器领域，ITO 作为透明导电层，可实现高清晰度、低功耗的显示效果；在智能手机屏幕领域，ITO 的应用使得屏幕具有更好的触控性能和视觉效果。
4.ITO 的发展前景
随着科学技术的不断进步，ITO 在各个领域的应用将更加广泛。
在未来，研究人员需要继续提高 ITO 的性能，拓宽其应用范围，以满足不断增长的市场需求。
同时，开发新型材料以替代 ITO 也是研究者关注的焦点，如采用氧化锡、氧化锌等材料替代 ITO，以降低成本和提高性能。
5.结论
总之，了解 ITO 的最大温度承受能力对其在各个领域的应用具有重要意义。
ITO薄膜简介与产品介绍
ITO薄膜简介与产品介绍1. ITO薄膜简介1.1 什么是ITO薄膜？ITO薄膜是一种具有透明导电性能的材料，其中ITO指的是氧化铟锡〔Indium Tin Oxide〕的缩写。
该薄膜具有高透过率和低电阻率的特性，被广泛应用在电子显示器、太阳能电池、触摸屏等领域。
1.2 ITO薄膜的制备方法常见的ITO薄膜制备方法包括物理蒸镀法和化学溶胶-凝胶法。
物理蒸镀法利用高纯度的ITO靶材，通过真空蒸发沉积在基底上形成薄膜；而化学溶胶-凝胶法那么是通过溶液中的化学反响生成ITO凝胶，再通过烧结得到薄膜。
2. ITO薄膜的特性2.1 高透过率ITO薄膜具有高透过率的特性，可在可见光频段保持较高的透过率。
这使得ITO薄膜在显示器等光学设备中可以提供清晰的图像和文字显示。
2.2 低电阻率ITO薄膜具有较低的电阻率，可以实现电流的良好导电性能。
这使得ITO薄膜在触摸屏、太阳能电池等应用中可以提供可靠的电流传输。
2.3 控制面阻抗通过调整ITO薄膜的厚度和微观结构，可以控制其面阻抗。
这对于触摸屏等电容式传感器应用非常重要，可以实现高灵敏度和快速响应的触摸体验。
2.4 抗氧化性能ITO薄膜具有良好的抗氧化性能，可以在高温环境下长时间稳定运行。
这使得ITO薄膜在高温工艺和特殊环境下的应用具有优势。
3. ITO薄膜产品介绍3.1 ITO玻璃ITO玻璃是将ITO薄膜沉积在玻璃基底上形成的产品。
它具有高透过率、低电阻率和良好的平整度，被广泛应用在液晶显示器、有机发光二极管〔OLED〕等光学设备中。
3.2 ITO膜ITO膜是将ITO薄膜沉积在柔性基底上形成的产品。
由于其柔性特性，ITO膜在可弯曲显示器、柔性电子产品等领域有着广阔的应用前景。
3.3 ITO导电布ITO导电布是利用ITO薄膜材料覆盖在纤维布上形成的产品。
它可以在触摸屏、抗静电材料、导电纤维等领域发挥导电和抗静电的功能，具有良好的耐久性和导电性能。
4. 结论ITO薄膜作为一种具有透明导电性能的材料，具有高透过率、低电阻率和良好的控制面阻抗等特性。
ito的名词解释
ito的名词解释ITO，全称Indium Tin Oxide，即氧化铟锡，是一种广泛应用于电子工业领域的透明导电材料。
在20世纪60年代初被首次发现并应用于薄膜电晶体管的制造过程中，ITO因其良好的导电性能和透明性备受瞩目。
如今，ITO已经成为智能手机、平板电脑、触摸屏、液晶显示器等产品中不可或缺的重要元素。
一、ITO的物理特性ITO具有以下几种独特的物性，使其成为透明导电材料中的佼佼者。
1. 透明性ITO薄膜的光学透射性能非常优异，其可见光透过率可达到90%以上。
因此，ITO广泛应用于需要透明外观的电子设备及显示器件制造中。
2. 导电性ITO薄膜具有良好的电导率，可用于制造导电膜或导电涂层。
ITO薄膜在常温下电阻较低，同时还有较好的抗腐蚀性。
3. 可调控性ITO薄膜的导电和光学性能可通过控制氧化铟和氧化锡的配比以及薄膜的制备工艺进行调控。
这使得ITO材料有很高的灵活性，可以根据不同要求进行调配和应用。
二、ITO的应用领域由于ITO独特的物理特性，其应用范围非常广泛。
以下介绍几个典型的应用领域：1. 电子设备ITO广泛应用于智能手机、平板电脑、电子书等电子设备的触摸屏上。
在触摸屏上，ITO作为导电薄膜能够使设备具备触摸反应功能，并且保持屏幕的清晰透明。
2. 液晶显示器ITO透明电导薄膜在液晶显示器中起着重要角色。
利用ITO薄膜的导电性能，可以在显示器的不同区域形成电场，控制液晶分子的排列，从而实现图像的显示。
3. 光电器件ITO还被广泛应用于LED、光伏电池等光电器件的制造过程中。
其良好的导电性能能够保证设备的正常工作，而高透射率则能够保持器件正常的光传输效果。
4. 薄膜太阳能电池光电转换效率高是薄膜太阳能电池的重要特点之一。
ITO作为薄膜太阳能电池中的透明电极，能够实现高效光电转换。
三、ITO薄膜的制备方法目前，常见的ITO薄膜制备方法主要有磁控溅射、脉冲激光沉积、离子束溅射、溶液法等。
其中，磁控溅射是制备ITO薄膜最常用的方法，其采用了高频率感应磁场，使ITO靶材表面产生碰撞，从而将靶材上的原子释放出来，并沉积在基底上。
ITO膜的主要性能参数
ITO膜的主要性能参数ITO膜（Indium Tin Oxide film）是一种广泛应用于光电子器件中的透明导电薄膜材料。
在过去的几十年里，ITO膜已经成为一种非常重要的材料，特别是在液晶显示器、智能手机、光伏电池和触摸屏等领域。
以下是ITO膜的主要性能参数。
1.透明性能：ITO膜具有很高的透明性，可以高达90%以上。
透射率对于光电子器件的正常工作至关重要，因为ITO膜通常用作透明电极，需要保持较高的透光性。
2. 电阻率：ITO膜的电阻率是指电流在薄膜内的电阻能力。
低电阻率是ITO膜的重要特点，通常在10-4到10-3Ω·cm范围内。
较低的电阻率意味着较低的电阻，这对于电子器件的正常工作和高效率非常重要。
3.厚度均匀性：ITO膜的均匀厚度是其正常工作的关键之一、ITO膜的厚度通常在100到500纳米之间，要求薄膜的厚度在大面积内是均匀的，以确保光电子器件的性能稳定和一致性。
4.光学透射率：ITO膜的光学透射率是指光在通过薄膜时的能量损失程度。
ITO膜具有较高的光学透射率，可以实现高亮度和清晰度的显示效果。
此外，ITO膜还具有较低的散射能力，有助于提高光电子器件的光背景和对比度。
5. 导电性能：ITO膜是一种导电薄膜材料，可以进行电导。
ITO膜的导电性能主要体现在电导率上，电导率通常为10^3到10^4 S/cm。
高导电能力对于电子器件的快速响应和高效能输入输出是必要的。
6.机械稳定性：ITO膜需要具有较强的机械稳定性，以确保其在实际应用中的持久性和可靠性。
这意味着ITO膜需要具有较高的耐磨损性和抗划伤性，以及对化学和环境介质的抗腐蚀性。
7.热稳定性：ITO膜需要具有良好的热稳定性，以承受高温处理和应用中的温度变化。
在一些情况下，ITO膜可能需要承受较高的温度，而不会发生膜的破裂、变形或失效。
8.耐久性：ITO膜需要具有较长的使用寿命，以确保光电子器件的长期稳定性和可靠性。
它需要具有良好的抗氧化性和抗退火性能，以及对环境因素（如湿度、光照等）的较好的耐受性。
氧化铟锡作用
氧化铟锡作用一、引言氧化铟锡（ITO）是一种广泛应用于透明导电领域的材料，其具有优异的光学和电学性能。
自20世纪70年代以来，ITO已经成为平板显示器、智能手机、液晶显示器等电子产品中最重要的透明导电材料之一。
本文将从ITO的基本性质、制备方法、应用领域和未来发展方向等方面进行详细阐述。
二、ITO的基本性质1.光学性能ITO具有高透过率和低反射率的特点，其可见光透过率可达80%-90%，且随着薄膜厚度增加而减小。
在近红外波段（700-2500nm），ITO具有较高的透过率，可达70%以上。
此外，ITO还具有较好的抗紫外线和耐腐蚀性能。
2.电学性能ITO具有良好的导电性能，其电阻率在10-4到10-3Ω·cm之间，因此被广泛应用于透明导电领域。
此外，ITO还具有较高的载流子迁移率和较低的载流子浓度。
3.热稳定性在高温下，ITO薄膜的电学性能不会发生明显的变化，因此可以在高温环境下使用。
三、ITO的制备方法1.物理气相沉积法物理气相沉积法是一种常用的ITO制备方法。
其基本原理是将ITO靶材加热至高温，使靶材表面发生蒸发，然后通过惰性气体（如氩气）将蒸汽输送到基底上进行沉积。
该方法可以得到较高质量的ITO薄膜，但成本较高。
2.化学气相沉积法化学气相沉积法是一种易于控制且成本较低的ITO制备方法。
其基本原理是将ITO前驱体（如铟酸盐和锡酸盐）溶解在有机溶剂中，然后通过喷雾或旋涂等方式将溶液喷洒或涂布到基底上，在高温下使前驱体分解形成ITO薄膜。
3.溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种简单易行、成本低廉的ITO制备方法。
其基本原理是将铟和锡盐以及有机酸等溶解在有机溶剂中，形成溶胶，然后通过热处理和凝胶化过程得到ITO薄膜。
四、ITO的应用领域1.平板显示器平板显示器是ITO最主要的应用领域之一。
ITO作为液晶显示器中透明电极的材料，可以实现液晶分子的定向排列和电场控制，从而实现图像的显示。
2.智能手机智能手机是ITO另一个重要的应用领域。
ITO膜的主要性能参数
ITO膜的主要性能参数ITO膜是一种广泛应用于透明导电领域的材料，其主要性能参数包括透明度、电阻率、粘附性、机械强度、耐环境性等。
首先，透明度是ITO膜的重要性能参数之一、透明度指的是材料对可见光的透过程度，通常用可见光透射率（Visible Light Transmission，VLT）表示，一般要求ITO膜的透光率高于80%。
高透明度是ITO膜应用于透明导电器件中的重要指标，能够保证器件的显示效果和观感。
其次，电阻率是衡量ITO膜导电性能的指标之一、电阻率指的是材料对电流的阻碍程度，一般使用表面电阻率（Sheet Resistance）来表示，单位是欧姆/□。
通常要求ITO膜的电阻率低于100欧姆/□，甚至更低。
低电阻率能够确保ITO膜在导电性能方面的优异表现，使其适用于高性能的电子器件和显示屏。
第三，粘附性是ITO膜的另一个重要性能参数。
由于ITO膜通常是通过物理气相沉积等技术制备在基底材料上的，因此其与基底材料之间的粘附性能直接关系到膜的稳定性和可靠性。
要求ITO膜与基底材料之间具有良好的粘附性，能够耐受摩擦、刮擦等力量的作用，以保证整个器件的稳定工作。
第四，机械强度是ITO膜的另一个重要性能参数，也与粘附性密切相关。
机械强度是指材料在外力作用下抵抗破裂的能力。
ITO膜在实际应用中常常需要经受机械应力的影响，如弯曲、拉伸、挤压等，因此要求ITO 膜具有一定的机械强度，能够抵御外界力量的破坏，并保持其稳定性。
最后，耐环境性是ITO膜的另一个关键性能参数。
在使用过程中，ITO膜会接触到各种环境条件，如高温、湿度、氧化气体等。
因此，要求ITO膜具有较好的耐高温性、耐湿性、耐氧化性等，以确保其在不同环境条件下的稳定性和可靠性。
除了上述主要性能参数外，ITO膜的其他性能参数还包括光学均匀性、表面平整度、可加工性等。
光学均匀性指的是ITO膜在制备过程中的均匀性能，如薄膜厚度均匀性、光学透射率均匀性等。
ITO
7. 玻璃垂直度不良
柯式印刷PI、丝印与合盒对位困难
2-9
四.工艺流程
切 磨
大原片进料
报告供应商处理
NG
调整切割尺寸 NG OK 切割
调整磨边倒角尺寸 NG OK 磨边倒角
报废 NG OK 过程检验 NG OK 成品抽检 OK 抛 光
领料 抛光
NG 表观检验
NG
OK
LCD用ITO玻璃
ITO层
SIO2层 玻璃基板
掺锡氧化铟（IndiumTinOxide），一般简称为 ITO。在薄膜状时，为透明无色。在块状态时， 它呈黄偏灰色。 ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电 率、可见光透过率、机械硬度和化学稳定性。 是液晶显示器（LCD）、等离子显示（PDP）、 触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池及其他电 子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。
二.主要性能参数
透过率：即反射光亮与入射光亮的比值，在 可见光区域 一般要求>80%，掺Sn 的ITO膜透过率可达90% 电阻率：一般在5*10－4 最好的可达5*10
－ 5
透过率和阻值分别由In2O3和Sn2O3之比例 控制，Sn2O3:In2O3=1:9
透光特性
• ITO薄膜的可见光可穿透能隙宽度约为3.5-4.3 eV，可见 光波长范围对应的能量为1.7-3.1 eV，不足以让电子在能 带间躍迁而产生光的吸收，故在可见光的范围內有很高的 穿透度。
ITO薄膜性能及制成技术的发展
ITO薄膜性能及制成技术的发展ITO薄膜，即氧化铟锡（indium tin oxide），是一种广泛应用于电子器件、光电器件和显示器件等领域的透明导电薄膜材料。
随着电子产品和光电器件的快速发展，ITO薄膜的性能和制成技术也在不断改进和发展。
一、ITO薄膜的性能改进：1.透明性能：ITO薄膜具有很好的透明性，可以使光线透过材料而不受太大影响。
随着技术的进步，ITO薄膜的透明度得到了显著提高，目前常见的ITO薄膜透明度可达到90%以上。
2. 导电性能：ITO薄膜具有良好的导电性能，可用于制作导电膜、电极、传感器等。
随着研究的深入，不仅提高了ITO薄膜的导电性，使其电阻率降低到了10-4 Ω·cm以下，而且还改善了薄膜的稳定性和可靠性。
3.光学性能：ITO薄膜不仅具有透明性，还具有一定的光学性能，如折射率和反射率。
通过调整材料成分和制备工艺参数，可以改变ITO薄膜的折射率和反射率，以满足具体的应用需求。
4.力学性能：ITO薄膜的力学性能直接影响其耐用性和可靠性。
随着研究的深入，研究人员提出了一些改善ITO薄膜力学性能的方法，如控制薄膜的晶体结构和晶界形貌，以提高其硬度和耐磨性。
二、ITO薄膜的制成技术发展：1.真空蒸发法：真空蒸发法是一种常用的制备ITO薄膜的方法。
通过在真空环境下加热ITO靶材，使其蒸发并沉积到基底上形成薄膜。
该方法操作简单、成本较低，但对于大面积均匀性要求较高。
2.磁控溅射法：磁控溅射法是一种利用靶材表面离子轰击溅射出材料并沉积到基底上的方法。
通过控制溅射时间、功率和沉积温度等参数，可以得到具有不同性能的ITO薄膜。
磁控溅射法能够得到高质量、均匀性好的薄膜，但设备较为复杂、成本较高。
3.溶胶凝胶法：溶胶凝胶法是一种通过溶解或胶化ITO前驱体，然后沉积到基底上并经过热处理得到薄膜的方法。
该方法具有工艺灵活、适用于大面积薄膜制备的优点，同时还可以通过添加掺杂剂来调控薄膜的性能。
ITO薄膜
实习（调研）报告一、 ITO薄膜的性能氧化铟锡（ITO）薄膜是一种重参杂、高简并n型半导体氧化物薄膜，由于其具有低电阻率、抗擦伤、良好的化学稳定等优点[9]，已经广泛应用于平板显示器、太阳能电池、汽车挡风玻璃以及电子屏蔽等诸多领域。
是按照质量比为的比例为In2O3：SnO2=9:1的比例,在氧化铟中掺杂氧化锡,并采用一定的热处理工艺得到的一种超细粉体材料。
该材料是一种型宽禁带半导体, 禁带宽度Eg=3.5eV, 禁带宽度值对应的波数为2.8×104cm-1,波长为365nm,已经在紫外线的范围内。
用其制作的薄膜仃膜对可见光的透过率超过90%,对紫外线的吸收率大于85%,对红外线反射率大于70%。
其晶体结构属于立方铁锰矿结构【1】。
二、 ITO薄膜的应用IT O 薄膜具有优良的光电性能,对可见光的透过率达95%以上,对红外光的反射率70%,对紫外线的吸收率≥85%,对微波的衰减率≥85%,导电性和加工性能极好,硬度高且耐磨耐蚀,因而在工业上应用广泛,在高技术领域中起着重要作用。
主要用途有:2. 1用于平面显示ITO薄膜的透明导电性及其良好的电极加工性能,所以它作为液晶显示器用的透明电极获得高速发展,约占功能膜的50%以上,例如液晶显示(LCD)、电致发光显示( ELD)、电致彩电显示(ECD)等。
目前,在各类显示器中,LCD的产值仅次于显像管(CRT)。
随着液晶显示器件的大面积化、高等级化和彩色化,LCD将超过CRT 成为显示器件中的主流产品。
因而ITO 薄膜主要用于高清晰度的大型彩电、计算器、计算机显示器、液晶和电子发光屏幕等。
2. 2用于交通工具风挡ITO 薄膜能除雾防霜,是一种典型的透明表面发热体,可以用作汽车、火车、电车、飞机等交通工具的风挡,用于陈列窗、溜冰眼镜、双引自行战车及医疗喉镜。
还可以用作烹调用加热板的发热体,也可以用于炉门、冷冻食品的显示器及低压钠灯等。
2. 3用于太阳能方面ITO 薄膜用于异质结SIS太阳能电池顶部氧化物层,可以得到高的能量转换效/P-Si太阳能电池可以产生13%～16%的转换效率。
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ITO膜具有较强的化学和机械特性 ITO膜具有较强的化学和机械特性
a) 耐碱性 镀层在温度为60±2℃, 浓度为10%的氢氧化钠(分析纯)溶液中浸泡5分钟, ITO 镀层在温度为60± 60 浓度为10%的氢氧化钠(分析纯)溶液中浸泡5分钟, 10%的氢氧化钠 膜的方电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。 膜的方电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。 110% b) 耐酸性 在25±2℃, 6%盐酸(分析纯)溶液中浸泡2分钟, ITO膜的方电阻与浸泡前的方电 25± 6%盐酸(分析纯)溶液中浸泡2分钟, ITO膜的方电阻与浸泡前的方电 盐酸 阻相比不得超过110%。 阻相比不得超过110%。 110% c) 耐溶剂性能 将镀膜玻璃放入丙酮(分析纯)、无水乙醇(分析纯) 中浸泡5分钟后，ITO膜的方 将镀膜玻璃放入丙酮(分析纯) 无水乙醇(分析纯) 中浸泡5分钟后，ITO膜的方 电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。 电阻与浸泡前的方电阻相比不得超过110%。 110% d）热稳定性:在空气中经30分钟300±5℃（触摸屏用ITO玻璃是在200±5℃）高 热稳定性:在空气中经30分钟300±5℃（触摸屏用ITO玻璃是在200±5℃） 30分钟300 ITO玻璃是在200 温后，ITO膜的方阻的变化率小于300% 温后，ITO膜的方阻的变化率小于300% 膜的方阻的变化率小于 e）附着力: 附着力: 用3M胶带粘在玻璃表面迅速撕开,ITO层无明显开裂现象 3M胶带粘在玻璃表面迅速撕开,ITO层无明显开裂现象 胶带粘在玻璃表面迅速撕开,ITO f）摩擦力 在1KG条件下用橡片摩擦ITO层表面1000次,无明显开裂现象., 1KG条件下用橡片摩擦ITO层表面1000次 无明显开裂现象., 条件下用橡片摩擦ITO层表面1000
氧氩气对ITO膜的透过率的影响:
氧氩气的含量对透过率的影响不大， 氧氩气的含量对透过率的影响不大， 主要影响电阻率， 主要影响电阻率，过多的氧气会是ITO 的氧化， 结构中的氧空位下降和Sn的氧化，使 电阻率迅速曾大
影响导电性能的因素有： 影响导电性能的因素有： ITO薄膜的面电阻（R□）、膜厚（d）和电阻率（ρ）三 薄膜的面电阻（ ）、膜厚（ 膜厚 和电阻率（ 者之间是相互关联的 方块电阻（sheet电阻）: 电阻） 方块电阻（ d为膜厚，I为电流，L1为膜厚在电流方向上的长度，L2为 为膜厚， 为电流， 为膜厚在电流方向上的长度， 膜层在垂直电流方向的长度，ρ为导电膜的体电阻率。ρ 膜层在垂直电流方向的长度， 为导电膜的体电阻率。 和d可以认为是不变的定值，当L1=L2时，为正方形的膜 可以认为是不变的定值， 层，无论方块大小如何，其电阻率为定值ρ/ d，这就是方 无论方块大小如何， 块电阻的定义，即R□= ρ/ d R=ρ×L1/(d×L2) 块电阻的定义，
金属特性 金属导电：金属键结合能力不强，在外加电 金属导电：金属键结合能力不强， 场的作用下，自由电子可以自由移动，从 场的作用下，自由电子可以自由移动， 而形成电流 金属不透明:光波大部分被高密度的电子吸收 金属不透明: 和反射
透明导电氧化物 导电的原因：氧化物的晶格结构中含有氧原子的缺 导电的原因： 陷，因此自由电子可以在这些缺陷中运动，从而 因此自由电子可以在这些缺陷中运动， 可以导电，但是这样氧化物中自由的含量相当的 可以导电， 少，所以它的导电能力远不如金属 透明的原因：由于氧化物中原子键间隙，自由电子 透明的原因：由于氧化物中原子键间隙， 的密度不高，因此光波可以较高的穿透氧化物 的密度不高，
膜的品质相关参数
1.金属和金属氧化物的简介 1.金属和金属氧化物的简介 2.ITO膜的定义 2.ITO膜的定义 3.ITO膜的主要相关品质性能 3.ITO膜的主要相关品质性能 参数 4.ITO膜的应用及发展之路 4.ITO膜的应用及发展之路
1.金属和金属氧化物的简介 1.金属和金属氧化物的简介 2.ITO膜的定义 2.ITO膜的定义 3.ITO膜的主要相关品质性能 3.ITO膜的主要相关品质性能 参数 4.ITO膜的应用及发展之路 4.ITO膜的应用及发展之路
1.金属和金属氧化物的简介 1.金属和金属氧化物的简介 2.ITO膜的定义 2.ITO膜的定义 3.ITO膜的主要相关品质性能 3.ITO膜的主要相关品质性能 参数 4.ITO膜的应用及发展之路 4.ITO膜的应用及发展之路
锡氧化铟（ 简称ITO 材料是一种n ITO） 掺锡氧化铟（即Indium Tin Oxide, 简称ITO）材料是一种n型半 导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率，In2O3里掺 导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率，In2O3里掺 Sn后 Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形 元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2 入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形 式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2 In2O3中的In元素是三价 SnO2时将贡献一 式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一 个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴， 个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成 1021cm- 的载流子浓度和10 10至 30cm2/vs的迁移率 的迁移率。 1020 至1021cm-3的载流子浓度和10至 30cm2/vs的迁移率。这 个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄 个机理提供了在10- .cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄 10 .cm数量级的低薄膜电阻率 ITO 膜具有半导体的导电性能。 ITO是一种宽能带薄膜材料 是一种宽能带薄膜材料， 膜具有半导体的导电性能。 ITO是一种宽能带薄膜材料，其 带隙为3.5 4.3ev。 3.5带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为 3.75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO 330nm的波长 ITO薄膜的光穿透 3.75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透 率极低。 率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生 反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的， ITO薄膜的光透过率也是很低的 反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见 光区ITO薄膜的透过率非常好.同时ITO还具有高的机械硬度和 光区ITO薄膜的透过率非常好.同时ITO还具有高的机械硬度和 ITO薄膜的透过率非常好 ITO还具有 化学稳定性。 化学稳定性。
由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备ITO薄膜的过程中，会产生 薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备 薄膜的过程中， 由于 薄膜本身含有氧元素 薄膜的过程中 大量的氧负离子,氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击 大量的氧负离子 氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击 到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结 薄膜表面， 到所沉积的 薄膜表面 薄膜的结晶结构和晶体状态造成结 构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大， 构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那 么造成这种结构缺陷的几率就越大， 么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重而导 致了ITO薄膜的电阻率上升 薄膜的电阻率上升 致了
1.金属和金属氧化物的简介 1.金属和金属氧化物的简介 2.ITO膜的定义 2.ITO膜的定义 3.ITO膜的主要相关品质性能 3.ITO膜的主要相关品质性能 参数 4.ITO膜的应用及发展之路 4.ITO膜的应用及发展之路
ITO薄膜的主要性能参数 透过率， 薄膜的主要性能参数： ITO薄膜的主要性能参数：透过率， 面电阻率导电性， 面电阻率导电性，机械性能及化学 性能。 性能。 透过率：既反射光量与入射光量的 透过率： 比值，在可见光区域一般要求＞ 比值，在可见光区域一般要求＞ 80% 影响透过率的因素主要有： 影响透过率的因素主要有：光的种 ITO的厚度和材料 的厚度和材料， 类，ITO的厚度和材料，折射率及 氧氩气的影响
ITO的发展之路
1.高透光率 1.高透光率 2.极低的面电阻及高透过率 2.极低的面电阻及高透过率 3.超平坦透明导电膜 3.超平坦透明导电膜 4.在塑料基本成膜（室温成膜） 4.在塑料基本成膜（室温成膜） 5.靶材的回收再利用 5.靶材的回收再利用
光的种类对ITO的透过率的影响： 的透过率的影响：
ITO膜厚度对透光率的影响： ITO膜厚度对透光率的影响： 膜厚度对透光率的影响 在＞70nM时一般膜的厚度越TO结构 ITO 是体心立方结构，厚度增加，晶粒度逐渐增大，晶化程度 是体心立方结构，厚度增加，晶粒度逐渐增大， 也逐渐提高，薄膜的密度变得非常致密，晶面的取向行变 也逐渐提高，薄膜的密度变得非常致密， 的更加随机，所以透过率和电阻率也是逐渐变小的 的更加随机，
L2 I
d L1
电阻率：ρ=m*/ne2τ式中，n、τ分别表示载流子浓 电阻率： 式中，
度和载流子迁移率。当n、τ越大，薄膜的电阻率 度和载流子迁移率。 越大， （ρ）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与 就越小，反之亦然。而载流子浓度（ ITO薄膜材料的组成有关，即组成ITO薄膜本身的 薄膜材料的组成有关， 锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓 锡含量和氧含量有关， 度（n）可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧 含量来实现;而载流子迁移率（τ）则与ITO薄膜的 而载流子迁移率（ 结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为 结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关， 了得到较高的载流子迁移率（τ）可以合理的调节 了得到较高的载流子迁移率（ 薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件 薄膜沉积时的沉积温度、 等因素。 等因素。