665-第三节 电场力所做的功 电势

665-第三节 电场力所做的功 电势
665-第三节 电场力所做的功 电势

第三节电场力所做的功电势

一、电场力所做的功

1、单个点电荷的电场

静止的点电荷位于点,在产生的电场中,把一检验电荷从点沿任意路径移到点,当移动一位移元时,电场力所作的元功为

总功为

可见,电场力对检验电荷所作的功与路径无关,只与起点和终点的位置有关,并与检验电荷的电量成正比。

2、任意带电体系的电场

设有一组点电荷,在它们所激发的电场中,将检验电荷由

点移动到点,在此过程中电场力所作的功为

根据场强叠加原理

其中是单独存在时所激发的场强,所以

结论:电荷在静电场中移动时,电场力所作的功只与该电荷的起点和终点位置有关,而与路径无关。

3、静电场的环路定理

在静电场中取一任意闭合环路,将检验电荷从环路上任一点出发,沿移动一周又回到,电场力作功为

所以

即静电场中场强沿任意闭合环路的线积分恒等于零。这个结论叫静电场的环路定理,它说明静电场是保守力场(位场)。它是反映静电场规律的两条基本定理之一。

二、电势能电势

一、电位能

静电场与重力场相似,是保守力场,所以可以在静电场中引入电位能的概念。当检验电荷在静电场中的一定位置时,具有一定的电位能;当检验电荷的位置改变时,电场力作功,电位能也随着改变。我们可用电场力所作的功来量度电位能的改变。

设在静电场中,把一检验电荷从点沿任意路径移到点,电场力所作的功为。

定义:电位能的减少量等于电场力所作的功。即

其中,是在点时,与静电场所组成的系统的电位能;是在点时,与静电场所组成的系统的电位。电场力作正功,电位能减少;电场力作负功,电位能增加。

若选点为参考点,即在点处电位能,则

若选无限远处为参考点,在点处电位能为

对有限带电体,通常规定无穷远处为电势能零点。

强调:对于无限带电体,不能取无穷远处为电势能零点二、电位

检验电荷在静电场中点的电位能与成正比,但比值是一个与无关的恒量,它反映了静电场中点的性质,我们把它定义为电场中点的电位。

若选点为参考点,即点处的电位,则

若选无限远处为参考点,则点处的电位为

电场中任一点的电位等于把单位正电荷从该点沿任意路径移动到无限远处时电场力所作的功。电场中任一点的电位也等于单位正电荷在该点的电位能。单位:伏特。

电位是一个标量,也是一个相对量,只有先规定某一参考点的电位为零,才能确定其它位置的电位。理论计算上通常取无限远处为参考点,令其电位为零;在实用中通常取大地的电位为零;在电子仪器中常取机壳或公共地线的电位为零。

若电场中点的电位为,则在点的电荷的电位能为

三、电位差

在电场中,当电荷从一点移动到另一点时,电场力所作的功决定于这两点的电位之差。

电场中任意两点的电位之差叫电位差(电压)。两点的电位差为

上式表明,电场中任意两点间的电位差,等于把单位正电荷从点沿任意路径移动到点时,电场力所作的功。两点间的电位差也就等于单位正电荷在的电位能之差。单位:伏特。

在电场中把点电荷从点移动到点时电场力所作的功为

四、电位叠加原理

1、电位叠加原理

设空间有一组点电荷,其中有的是正电荷,有的是负电荷。电场中任一点P的电位为

由场强叠加原理,得

所以

结论:一组点电荷在某点产生的电位等于各个点电荷单独作用时在该点产生电位的代数和。

2、点电荷系的电位

由电位叠加原理,得点电荷系的电位为

3、电荷连续分布的带电体的电位

将带电体分割成无限多个电荷元,每个电荷元产生的电位为

根据电位叠加原理,整个带电体产生的电位为

功函数总结解读

功函数:是体现电子传输能力的一个重要物理量,电子在深度为χ的势阱内,要使费米面上的电子逃离金属,至少使之获得W=X-E F的能量,W称为脱出功又称为功函数;脱出功越小,电子脱离金属越容易。另外,半导体的费米能级随掺杂和温度而改变,因此,半导体的功函数不是常数。 功函测量方法:光电子发射阈值法、开尔文探针法和热阴极发射阻挡电势法、热电子发射法、场发射法、光电子发射法以及电子束(或离子束减速电势(retarding potential法、扫描低能电子探针法等。 紫外光电谱(UPS测量功函数 1.测量所需仪器和条件 仪器:ESCALAB250多功能表面分析系统。 技术参数:基本真空为3×10-8Pa, UPS谱测量用Hel(21.22eV,样品加-3.5 V偏压;另外,测量前样品经Ar+离子溅射清洗, Ar+离子能量为2keV,束流密度为 0.5μA/mm2。运用此方法一般除ITO靶材外, 其它样品都是纯金属标样。 2.原理

功函数:φ=hv+ E Cutoff-E Fermi 3.测量误差标定 E Fermi标定:费米边微分 E Cutoff标定:一是取截止边的中点, 另一种是由截止边拟合的直线与基线的交点。 4.注意事项 测试样品与样品托(接地要接触良好,特别是所测试样的表面与样品托之间不能存在电阻。 用Fowler-Nordheim(F-N公式测定ITO功函数 1.器件制备 双边注入型单载流子器件ITO/TPD(NPB/Cu 原料:较高迁移率的空穴传输材料TPD和NPB作有机层,功函数较高且比较稳定的Cu作电极,形成了双边空穴注入的器件。 制备过程:IT0玻璃衬底经有机溶剂和去离子水超声清洗并烘干后,立即置于钟罩内抽真空,在1×10-3 Pa的真空下依次蒸镀有机层(TPD或NPB和金属电极Cu。

电场强度和电势

电场强度和电势 编稿:董炳伦审稿:李井军责编:郭金娟 目标认知 学习目标 1.理解静电场的存在,静电场的性质和研究静电场的方法。 2.理解场强的定义及它所描写的电场力的性质,并能结合电场线认识一些具体静电场的分布;能够熟练地运用电场强度计算电场力。 3.理解并能熟练地运用点电荷的场强和场强的叠加原理,弄清正、负两种电荷所产生电场的异同,以此为根据认识电荷系统激发的场。 4.类比重力场理解电场力的功、电势能的变化、电势能的确定方法、电势的定义以及电势差的意义;理解电势对静电场能的性质的描写和电势的叠加原理。 5.明确场强和电势的区别与联系以及对应的电场线和等势面之间的区别和联系。 学习重点 1.用场强和电势以及电场线和等势面描写认识静电场分布。 2.熟练地进行电场力、电场力功的计算。 3.学会认识静电场的描写静电场的方法、手段。 学习难点 1.电势这一概念建立过程的逻辑关系以及正、负两种电荷所导致的具体问题复杂性。 2.用场强和电势以及它们的叠加原理认识电荷系统的静电场等。 知识要点梳理 知识点一:电场强度和电场线 要点诠释: 1.静电场及其特点 (1)电荷间的相互作用力是靠周围的电场产生的。 (2)电场是一种特殊物质,并非分子、原子组成,但客观存在。 (3)电场的基本性质是:对放入其中的电荷(不管是静止的还是运动的)有力的作用,电场具有能量。 2.静电场的性质 (1)电场强度的物理意义是描述电场的力性质的物理量,数值上等于单位电荷量的电荷在电场中受到的电场力,单位是N / C。 (2)电场力的二个性质:

①矢量性:场强是矢量,其大小按定义式计算即可,其方向规定为正电荷在该点的受力方向。 ②唯一性:电场中某一点处的电场强度E的大小和方向是唯一的,其大小和方向取决于场源电荷及空间位置。 电场中某点的电场强度E是唯一的,是由电场本身的特性(形成电场的电荷及空间位置) 决定的,虽然,但场强E绝不是试探电荷所受的电场力,也不是单位正试探电荷所受的电场力,因为电场强度不是电场力,电场中某点的电场强度,既与试探电荷的电荷量q 无关,也与试探电荷的有无无关。因为即使无试探电荷存在,该点的电场强度依然是原有的值。 3.总电荷的电场强度 大小:,Q为场源点电荷,r为考察点与场源电荷的距离。 方向:正点电荷的场中某点的场强方向是沿着场源电荷Q与该点连线背离场源电荷;负的场源电荷在某点产生的场强方向则是指向场源电荷。 4.场强叠加原理 若在某一空间中有多个电荷,则空间中某点的场强等于所有电荷在该点产生的电场强度的矢量和。 说明: (1)点电荷的场强和场强的叠加原理是计算任何电荷系统产生场的理论基础,尽管对复杂的电荷系统计算是不易做到的。 (2)场强的叠加原理必须注意到它的矢量叠加的特点,必须用平行四边形法则计算。 5.关于电场线以及对它的理解 (1)电场线的意义及规定 电场线是形象地描述电场而引入的假想曲线,规定电场线上每点的场强方向沿该点的切线方向,也就是正电荷在该点受电场力产生的加速度的方向(负电荷受力方向相反)。 (2)电场线的疏密和场强的关系的常见情况 按照电场线的画法的规定,场强大的地方电场线密,场强小的地方电场线疏。在图中,E A>E B。 但若只给一条直电场线,如图所示,A、B两点的场强大小无法由疏密程度来确定,对

电场力做功和电势能电势和电势差成果测评题带答案

电场力做功和电势能、电势和电势差成果测评题 基础夯实 1.对于电场中A、B两点,下列说法正确的是() A.电势差的公式,说明两点间的电势差UAB与电场力做功WAB成正比,与移动电荷的电荷量q成反比 B.把正电荷从A点移到B 点电场力做正功,则有UAB>0 C.电势差的公式中,UAB与移动的电荷量q无关 D.电场中A、B两点间的电势差UAB等于把正电荷q从A点移到B点时电场力所做的功2.图中的实线表示电场线,虚线表示只受电场力作用的带正电粒子的运动 轨迹。粒子先经过M点,再经过N点。可以判定 A.M点的电势大于N点的电势 B.M点的电势小于N点的电势 C.粒子在M点受到的电场力大于在N点受到的电场力 D.粒子在M点受到的电场力小于在N点受到的电场力 3.带电粒子以速度v0沿竖直方向垂直进入匀强电场E中,如图所示,经过一段时间后,其速度变为水平方向,大小仍为v0,则一定有() A.电场力与重力大小相等B.粒子运动的水平位移大小等于竖直位移大小C.电场力所做的功一定等于重力所做的功D.电势能的减小一定等于重力势能的增大4.电场中有A、B两点,A点的电势,B点的电势,一个 电子由A点运动到B点的过程中,下列几种说法中正确的是() A.电场力对电子做功20 eV,电子的电势能减少了20 eV B.电子克服电场力做功20 eV,电子的电势能减少了20 eV C.电场力对电子做功20 eV,电子的电势能增加了20 eV D.电子克服电场力做功20 eV,电子的电势能增加了20 eV 5.将一正电荷从无穷远处移入电场中的M点,电势能减小了×10-9 J,若将另一等量的负电荷从无穷远处移入电场中的N点,电势能增加了×10-9 J,则下列判断正确的是() A . B . C .D. 6.如图所示,在矩形ABCD的AD边和BC边的中点M和N各放一个点 电荷,它们分别带等量的正、负电荷。E、F是AB边和CD边的中点,P、 Q两点在MN的连线上,MP=QN。对于E、F、P、Q四点,其中电场强度 相同、电势相等的两点是() A.E和F B.P和Q C.A和B D.C和D 7.如图所示,在y轴上关于O点对称的A、B两点有等量同种点电荷+Q, 在x轴上C点有点电荷-Q,且CO=OD,∠ADO=60°。下列判断正确的是() A.O点电场强度为零B.D点电场强度为零 C.若将点电荷+q从O移向C,电势能增大 D.若将点电荷-q从O移向C,电势能增大8.如图所示,Q1和Q2是两个固定的负点电荷,在它们的连线上有a、b、c三点,其中b点的合场强为零,现将另一正点电荷q由a点沿连线移动到c点,在移动的 过程中,点电荷q的电势能变化是() A.不断减少B.不断增加C.先增加后减少D.先减少后 增加 9.在静电场中,把一个电荷量q=×10-5 C的负电荷由M点移到N点,电场力做功×10-4 J,由N点移到P点,电场力做负功×10-3 J,则M、N、P三点电势高低关系是________。10.如果把q=×10-8 C的电荷从无穷远移到电场中的A点,需要克服电场力做功W=×10-4 J,那么: (1)q在A点的电势能和A点的电势各是多少? (2)q在未移入电场前A点的电势是多少? 11.在场强为4×105 V / m的匀强电场中,一质子从A点移到B点,如 图所示。已知AB间距离为20 cm,AB连线与电场线成30°夹角,求电 场力做的功以及质子电势能的变化。 12.如图所示,为一组未知方向的匀强电场的电场线,把1×10-6 C的负电 荷从A点沿水平线至B点,电场力做了2×10-6 J的功,A、B间的距离为2 cm,问: (1)匀强电场场强是多大?方向如何? (2)A、B两点间的电势差是多大?若B点电势为1 V,则A点电势是多大? 电子处于B点时,具有多少电势能? 13.长以L的绝缘细线下系一带正电的小球,其带电荷量为Q,悬于O点,如图所示。当在O 点另外固定一个正电荷时,如果球静止在A处,则细线拉力是重力mg的两倍。现将球拉至图 B处(=60°),放开球让它摆动,问: (1)固定在O处的正电荷的带电荷量为多少? (2)摆球回到A处时悬线拉力为多少? 14.(2011海南卷)1.关于静电场,下列说法正确的是 A.电势等于零的物体一定不带电B.电场强度为零的点,电势一定为零 C.同一电场线上的各点,电势一定相等D.负电荷沿电场线方向移动时,电势能一定增加 答案及解析 1.BC解析:由电场力功的计算公式WAB=qUAB,因为正电荷q>0又WAB>0,所以UAB >0,选项B正确;电势差由电场中两点决定,与是否移动电荷无关,所以选项C 正确,选项AD错误。 2.AD解析:由电场线的意义,电场线密的地方场强大,电荷在该点受力大,沿电场线方向电势降低所以M点的电势高于N点电势,M点的场强小于N 点的场强,选项AD 正确,BC 错 1

电场力做功与电势能

电场力做功与电势能、电势差的关系 一知识归纳: 1.电场力做功与带电体的运动路径无关,只与其初末位置有关。(类比重力势能) 2.电势能:带电体由于处于电场中而具有的能量叫电势能 E p (1)标量 (2)具有相对性:其大小是相对于零势能面的 (3)某点电势能的大小:等于将带电体由该位置移动到零势能面电场力做的功。 3.电场力做功与电势能的关系: 4.电势:带电体在某点的电势能与其电荷量的比值。 φ Φ=E P /q (1)标量 (2)其大小只与电场自身有关,与其它无关。 (3)具有相对性:其大小是相对于零电势面的。 (往往认为无穷远处,大地电势为零) (4)电势沿电场线方向降低最快。 (5)若规定无穷远处为正电荷:正电荷产生的电场其电势均为正,负电荷产生的电场其电势均为负,且越靠近正电荷其电势越大,越靠近负电荷其电势越小。 5.电势差:电场中某两点间电势的差值。 注:E E E W PB PA P AB -=?-= =q q φφB A -=q U A B 又因为匀强电场中 Eqd W AB =(d :沿着电场线的距离) 所以Ed U AB =(仅适用于匀强电场中,非匀强电场可定性分析) 6.计算电场力做功方法:

(1)直接计算:根据公式先计算大小,后判断正负 任意电场:Uq W= 匀强电场:Eqd W AB=(d:沿着电场线的距离) (2)间接计算:动能定理、能量守恒间接推出电场力做的功 7.等势面:电场中无数个电势相等的点所围成的面。 (1)电场线总是有高等势面指向低等势面。 (2)当电势差相同时,两等势面间间距越大则两等势面间平均场强越小。 8.判断电势能变化: (1)电场力做正功电势能降低,反之负功增加。 (2)正电荷在电势越高的地方电势能越大; 负电荷在电势越小的地方电势能越大。 (3)电场线:(当只有电势能和动能间相互转化时) ①正电荷沿着电场线,电场力做正功,电势能降低,动能增加,速度增加 电势降低; ②正电荷逆着电场线,电场力做负功,电势能增加,动能降低,速度降低 电势增加; ③负电荷沿着电场线,电场力做负功,电势能增加,动能降低,速度降低 电势降低; ④负电荷逆着电场线,电场力做正功,电势能降低,动能增加,速度增加 电势降低; 二.习题演练 1.在电场中,A、B两点的电势差 > U AB,那么将一个负电荷从A移动到B的过 程中() A.电场力做正功,电势能增加 B.电场力做负功,电势能增加

《电势差、电势能、电势差与电场强度的关系》练习题

《电势差、电势能、电势差与电场强度的关系》练习题 一、单选题: 1.在电场中,A 、B 两点的电势差U AB >0,那么将一负电荷从A 移到B 的过程中( ) (A )电场力做正功,电势能增加 (B )电场力做负功,电势能增加 (C )电场力做正功,电势能减少 (D )电场力做负功,电势能减少 2.下列说法中正确的是( ) (A )电场线密集处场强大,电势高 (B )沿电场线方向场强减小,电势降低 (C )在电势高处电荷具有的电势能也大 (D )场强为零处,电势不一定为零 3.如图所示,L 1、L 2、L 3为等势面,两相邻等势面间电势差相同,取L 2的电势为零,有一负电荷在L 1处动能为30J ,运动到L 3处动能为10J ,则电荷的电势能为4J 时,它的动能是(不计重力和空气阻力)( ) (A ) 6J (B )4J (C ) 16J (D )14J 4.在点电荷Q 的电场中,一个α粒子(He 42)通过时的轨迹如图实线所示,a 、b 为两个等势面,则下列判断中正确的是( ) (A )Q 可能为正电荷,也可能为负电荷 (B )运动中.粒子总是克服电场力做功 (C )α粒子经过两等势面的动能E ka >E kb (D )α粒子在两等势面上的电势能E pa >E pb 5.如图所示,在沿x 轴正方向的匀强电场E 中,有一动点A 以O 为圆心、以r 为半径逆时针转动,θ为OA 与x 轴正方向间的夹角,则O 、A 两点问电势差为( ) (A )U OA =Er (B )U OA =Ersin θ (C )U OA =Ercos θ (D )θrcos E U OA = 6.如图所示,a 、b 、c 是一条电场线上的三个点,电场线的方向由a 到c ,a 、b 间的距离等于b 、c 间的距离.用U a 、U b 、U c 和E a 、E b 、E c 分别表示a 、b 、c 三点的电势和电场强度,可以断定( ) (A )U a >U b >U c (B )E a >E b >E c (C )U c -U b =U b -U c (D )E a =E b =E c

几种典型带电体的场强和电势公式

几种电荷分布所产生的场强和电势 1、均匀分布的球面电荷(球面半径为R ,带电量为q ) 电场强度矢量:?? ???<=>=)(球面内,即。)(球面外,即R r r E R r r r q r E 0)( , 41)( 3 επ 电势分布为:()()??? ???? ==(球内)。(球外), 41 41 0 0 R q r U r q r U επεπ 2、均匀分布的球体电荷(球体的半径为R,带电量为q ) 电场强度矢量:??? ? ??? >=<=)(球体外,即。)(球体内,即,R r r r q r E R r R r q r E 41)( 41)( 3030 επεπ 电势分布为:()()() ??? ? ??? <-=>=即球内)(。即球外)(, 3 81 41 3 2 20 0 R r R r R q r U R r r q r U επεπ 3、均匀分布的无限大平面电荷(电荷面密度为σ) 电场强度矢量:离无关。)(平板两侧的场强与距 ) (2)(0 i x E ±=εσ 电势分布为: ()()r r r U -= 00 2εσ 其中假设0r 处为零电势参考点。若选取原点(即带电平面)为零电势参考点。即00=U 。那么其余处的电势表达式为: ()()??? ? ??? ≤=≥-=0 2 0 2 00x x x U x x x U εσ εσ 4、均匀分布的无限长圆柱柱面电荷(圆柱面的半径为R ,单位长度的带电量 为λ。) 电场强度矢量 ?? ??? <=>=,即在柱面内)(。即在柱面外)(,R r r E R r r r r E 0)( , 2 )( 2 επλ

665-第三节 电场力所做的功 电势

第三节电场力所做的功电势 一、电场力所做的功 1、单个点电荷的电场 静止的点电荷位于点,在产生的电场中,把一检验电荷从点沿任意路径移到点,当移动一位移元时,电场力所作的元功为 总功为 可见,电场力对检验电荷所作的功与路径无关,只与起点和终点的位置有关,并与检验电荷的电量成正比。 2、任意带电体系的电场 设有一组点电荷,在它们所激发的电场中,将检验电荷由 点移动到点,在此过程中电场力所作的功为 根据场强叠加原理 其中是单独存在时所激发的场强,所以 结论:电荷在静电场中移动时,电场力所作的功只与该电荷的起点和终点位置有关,而与路径无关。

3、静电场的环路定理 在静电场中取一任意闭合环路,将检验电荷从环路上任一点出发,沿移动一周又回到,电场力作功为 所以 即静电场中场强沿任意闭合环路的线积分恒等于零。这个结论叫静电场的环路定理,它说明静电场是保守力场(位场)。它是反映静电场规律的两条基本定理之一。 二、电势能电势 一、电位能 静电场与重力场相似,是保守力场,所以可以在静电场中引入电位能的概念。当检验电荷在静电场中的一定位置时,具有一定的电位能;当检验电荷的位置改变时,电场力作功,电位能也随着改变。我们可用电场力所作的功来量度电位能的改变。 设在静电场中,把一检验电荷从点沿任意路径移到点,电场力所作的功为。 定义:电位能的减少量等于电场力所作的功。即 其中,是在点时,与静电场所组成的系统的电位能;是在点时,与静电场所组成的系统的电位。电场力作正功,电位能减少;电场力作负功,电位能增加。 若选点为参考点,即在点处电位能,则

若选无限远处为参考点,在点处电位能为 对有限带电体,通常规定无穷远处为电势能零点。 强调:对于无限带电体,不能取无穷远处为电势能零点二、电位 检验电荷在静电场中点的电位能与成正比,但比值是一个与无关的恒量,它反映了静电场中点的性质,我们把它定义为电场中点的电位。 若选点为参考点,即点处的电位,则 若选无限远处为参考点,则点处的电位为 电场中任一点的电位等于把单位正电荷从该点沿任意路径移动到无限远处时电场力所作的功。电场中任一点的电位也等于单位正电荷在该点的电位能。单位:伏特。 电位是一个标量,也是一个相对量,只有先规定某一参考点的电位为零,才能确定其它位置的电位。理论计算上通常取无限远处为参考点,令其电位为零;在实用中通常取大地的电位为零;在电子仪器中常取机壳或公共地线的电位为零。 若电场中点的电位为,则在点的电荷的电位能为

电场力做功与电势能 教案

电场力做功与电势能》教学设计 一、教学目标 1.通过电场力做功与重力做功对比,使学生掌握电场力做功的特点。 2.通过与重力势能对比,使学生掌握电势能这一概念。 3.了解电场力做功与电势能能量转化和功之间的关系。 4.复习加深能量转化和功之间的关系。 二、重点、难点分析 1.重点是明确电场力的功和电势能的变化之间的关系。 2.难点:电势能概念的建立. 三、主要教学过程 (一)引入新课 前面我们从电荷在电场中受到力的作用出发,研究了电场的力学性质。我们引入电场强度矢量E描述电场强弱及方向。规定单位正电荷在某点所受电场力的方向为该点场强方向,大小为场强大小。这样表示出电场力的性质。 电场对放入其中的电荷有力的作用,此力可以做功,所以电场也有能的性质。下面我们研究电场的能量特性。 复习:1.功的定义 W=Fscosθ力和物体在力的方向上位移的乘积。(θ为F与s的夹角) 2.重力功 (1)重力功只与物体的起末位置有关而与路径无关。如图1所示,物体沿不同路径经由A到B,重力功仅与AB两点竖直方向高度差有关,与所走路径无关。W=mgh (2)重力功与重力势能的关系 重力对物体做正功,物体重力势能减小;物体克服重力做功,即重力做负功,物体重力势能增加。重力做多少正功,重力势能就减少多少,反之也成立。重力所做的功等于重力势能增量的负值,即:W G=-△E p(3)重力势能是相对的,有

零势能面。(人为选定) (4)物体在某处的重力势能(可正可负),数值上等于把物体从该点移到零势能面处时,重力所做的功,如前图1中,如设E pA=0,则E pB=-mgh,如设E pB=0,则E pA=mgh。 (5)重力势能应归物体与地球所共有。一般我们只提物体不说地球,但不等于归物体自己所有,原因是如没有地球对物体的吸引力则谈不上物体受重力,所以也谈不上重力势能。 以上为重力功的特点及它与重力势能的关系。 下边我们首先来看看电场力做功的特点。 (二)教学过程设计 1.电场力做功的特点 上节课我们了解了几种典型电场,为了便于理解,今天我们就用匀强电场来研究电场力功的特点。 在场强为E的匀强场中,令电荷q沿任意一条曲线由A移至B(如图2),可将AB分成若干小段AA1、A1A2……,若小段的数目足够多,每一小段都足够短,则可用折射AB1、A1B1、A1B2、A2B2……代替曲线,电荷在AB1、A1B2……段上移动时,电场力的功为Eq·AB1、Eq·A1B2……,电荷在B1A1、B2A2……段上移动时,电场力不做功,所以电荷由A移至B的过程中电场力做功W=Eq·(AB1+A1B2+…)=Eq·AB'即W为电场力与AB在电场力方向上投影的乘积,与路径无关。 由上可知:电场力做功与路径无关,仅与电荷运动的起末位置有关。此结论不仅适用于匀强电场而且适用于任何电场。(在中学阶段不必学习其证明方法) 例如:如图3所示,在场源电荷+Q的电场中试探电荷q由A移至B,电场力做的功为W。以OA为半径画弧交OB于C,则q由A沿弧到C到B电场力做功为W1,q由C到B电场力做功为W2,则有:W=W1=W2。 原因是q由A到C,电场力做功为零,W ACB=W AC+W CB=W1=W2=W 小结:重力做功与路径无关,所以物体具有由位置决定的重力势能。 类似的电场力做功也与路径无关,仅与电荷起末位置有关,所以电荷在电场中也具有与位置有关的势能——电势能。

几种典型电场线分布示意图及场强电势特点

匀强电场 等量异种点电荷的电场 等量同种点电荷的电场 - - - - 点电荷与带电平+ 孤立点电荷周围的电场 几种典型电场线分布示意图及场强电势特点表重点 一、场强分布图 二、列表比较 下面均以无穷远处为零电势点,场强为零。 孤立 的 正点 电荷 电场 线 直线,起于正电荷,终止于无穷远。 场强 离场源电荷越远,场强越小;与场源电荷等距的各点 组成的球面上场强大小相等,方向不同。 电势 离场源电荷越远,电势越低;与场源电荷等距的各点组成的球面是等势面,每点的电势为正。 等势面 以场源电荷为球心的一簇簇不等间距的球面,离场源电荷越近,等势面越密。 孤立的 负点电荷 电场线 直线,起于无穷远,终止于负电荷。 场强 离场源电荷越远,场强越小;与场源电荷等距的各点 组成的球面上场强大小相等,方向不同。

电势 离场源电荷越远,电势越高;与场源电荷等距的各点 组成的球面是等势面,每点的电势为负。 等势面以场源电荷为球心的一簇簇不等间距的球面,离场源电荷越近,等势面越密。 等量同种负点电荷电场 线 大部分是曲线,起于无穷远,终止于负电荷;有两条 电场线是直线。 电势每点电势为负值。 连 线 上 场 强 以中点最小为零;关于中点对称的任意两点场强大 小相等,方向相反,都是背离中点;由连线的一端 到另一端,先减小再增大。 电 势 由连线的一端到另一端先升高再降低,中点电势最 高不为零。 中 垂 线 上 场 强 以中点最小为零;关于中点对称的任意两点场强大 小相等,方向相反,都沿着中垂线指向中点;由中 点至无穷远处,先增大再减小至零,必有一个位置 场强最大。 电 势 中点电势最低,由中点至无穷远处逐渐升高至零。 等量 同种 电场大部分是曲线,起于正电荷,终止于无穷远;有两条

选修3-1电场力做功与电势能教学设计

选修3-1“电场力做功与电势能”教学设计 【设计理念】 电场是一种客观存在的物质,但它又是看不见、摸不着的,描述它的电势能、电势和电势差等物理概念都较为陌生和抽象,很难被学生接受,如果借助于类比的方法,可以将陌生的对象与熟悉的对象相比较,寻找不同事物变化中所具有的共性,给这些陌生的、抽象的、不易理解的事物(概念、规律)赋予间接的、形象的、通俗易懂的形象,有利于启发学生思路,化难为易,使学生顺利而全面地认识物理现象和物理规律,达到知识的正迁移,形成物理概念和掌握物理知识。在物理概念的学习中把电势能、电势和电势差与重力场中的重力势能、高度和高度差进行科学的类比,达到掌握知识的目的。在物理规律的教学中,也可通过类比进行迁移。利用重力做功的规律,可知重力做功与路径无关,只与重力和初、末位置的高度差有关,即W=mgh,而且重力做多少功,重力势能就改变多少,去适时引导,与电场力做功的规律相类比,告诉学生电场力做功与重力做功的特点相似,也与路径无关,只与电荷量和初、末位置的电势差有关,即W=qU,这样就不难理解电场力做多少功电势能就改变多少这一物理规律,将大大减轻课堂教学的压力。 【教学内容】《普通高中课程标准物理教科书 物理(3-1)》(司南版)。【教材分析】 本节内容为普通高中课程标准实验教科书物理(司南版)选修3-1中第2章静电场中第1节的教学内容,它是在学生学完电场力的性质之后认识电场能的性质引入的,它处在电场强度之后,位于电势差之前,起到承上启下的作用。它是课程教学中利用物理思维方法较多的一堂课,尤其是用类比的方法达到对新知识的探究,同时让学生就具体的物理知识迁移埋下思维铺垫。 教材从电场对电荷做功的角度出发,推知在匀强电场中电场力做功与移动电荷的路径无关。进而指出这个结论对非匀强电场也是适用的,并与重力势能类比,说明电荷在电场中也是具有电势能。电场力做功的过程就是电势能的变化过程,而不能决定电荷在电场中某点的电势能的数值,因此有必要规定电势能零点。对学生能力的提高和对知识的迁移、灵活运用给予了思维上的指导作用。 【教学目标】 1.知识与技能 (1)理解静电力做功的特点、电势能的概念。 (2)明确电势能与电场力做功的关系。 2.过程与方法

电场强度和电势的关系

电势差与电场强度的关系 非匀强电场的定性分析 【典例1】某电场中等势面分布如图所示,图中虚线表示等势面,过a、b两点的等势面电势分别为40 V和10 V,则a、b连线的中点c 处的电势应为( ) A.一定等于25 V B.大于25 V C.小于25 V D.可能等于25 V 【通型通法】 1.题型特征:非匀强电场中电势差与电场强度的定性分析。 2.思维导引: 【解析】选C。因为电场线与等势面垂直,根据等势面的形状可知,电场线从左向右由密变疏,即从a到c,电场强度逐渐减弱,而且电场线方向从a→b。ac段电场线比bc段电场线密,ac段场强较大,根据公式U=Ed可知,a、c间电势差U ac大于c、b间电势差U cb,即φa-φc>φc-φb,得到: φc<= V=25 V。 如图所示的同心圆是电场中的一簇等势线,一个电子只在电场力作用

下沿着直线由A→C运动的速度越来越小,B为线段AC的中点,则下列说法正确的是( ) A.电子沿AC方向运动时受到的电场力越来越小 B.电子沿AC方向运动时它具有的电势能越来越大 C.电势差U AB=U BC D.电势φA<φB<φC 【解析】选B。该电场为负点电荷产生的电场,电子沿AC方向运动时受到的电场力越来越大,选项A错误;根据电子只在电场力作用下沿直线由A→C运动时的速度越来越小,它具有的电势能越来越大,选项B正确;由于电场为非匀强电场,由U=Ed可以定性判断电势差U ABφB>φC,选项D错误。 匀强电场的定量计算 如图所示的匀强电场中,有A、B、C三点,AB=5cm, BC=12cm, 其中AB沿电场方向,BC和电场方向成60°角。一个电荷量为 q=4×10-8C的正电荷从A移到B,电场力做功为W1=1.2×10-7J。 求: (1)匀强电场的电场强度E的大小。 (2)电荷从B到C,电荷的电势能改变多少? 【解析】(1)由W1= qE·AB得,该电场的电场强度大小为: E==N/C=60 N/C (2)电荷从B到C,电场力做功为:

肖特基接触与欧姆接触

欧姆接触 是指金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触,有二个先决条件: (1)金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) (2)半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄,电子有更多的机会直接穿透(Tunneling),而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶,而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs),则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用),必须于半导体表面掺杂高浓度杂质,形成Metal-n+-n or Met al-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级(Fermi level)(或者严格意义上,化学势)必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函。接触金属和半导体具有不同的工函,分别记为φM和φS。当两种材料相接触时,电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而,低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中,为了克服势垒,半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体,φB = φM ? χS当中χS是半导体的电子亲合能(electron affinity),定义为真空能级和导带(CB)能级的差。对于p型半导体,φB = Eg ? (φM ? χS)其中Eg是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的,这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形,耗尽区宽度决定了厚度,其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度W可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算: 在MKS单位制ρ 是净电荷密度而ε是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分,我们得到 积分常数根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有 其中V(0) = Vbi被用于调整剩下的积分常数。这一V(x)方程描述了插图右手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置V(W) = 0来决定,结果为

浅谈电场强度与电势的关系

浅谈电场强度与电势的关系 贠锦鹏 摘要:运用电势梯度法和矢量代数法两种方法证明了电场强度与电势的关系,归纳出已知电场 强度求电势和已知电势求电场强度的方法. 关键词:电场强度; 电势;关系 引言 电场强度和电势是物理知识中的重要内容,是理解、掌握电磁学知识的基础。在国内比较经典的几种电磁学教材中,对电场强度和电势关系的推导由于对等电势面法线方向规定的不一致,证明方法也有明显的差异[]21- ,这使得在具体教学中学生对推导过程的理解产生困难。为此,我们运用电电势梯度法和矢量代数法两种方法给出了电场强度和电势关系的推导过程,这对实际教学有指导意义。 1.电场强度与电势的关系 1.1 电势梯度法 设在电场中,取两个十分临近的等势面1和2(如图1所示),其电势为V 和V+dV (dV >0)。设1p 为等势面1上的一点,过1p 点 作等势面1的法线n ,规定其指向电势增加方向,它 与等势面2交于2p 点,场强E 与n 的方向相反。再由1p 点向等势面2任作一条直线交于3p 点。 从1p 向3p 引一位移矢量l d ,根据电势差的定 义,并考虑到两个等势面非常接近,因此:≈E 常矢 量,则有:dl E l d E dV V V θcos )(=?=+- 即:dl E dV θcos =-,令θcos E E l =为场强在l d 方 向上的投影,则有:dl dV E l -= (图1) 电场中某点的场强沿任意l d 方向的投影等于沿该方向电势函数的空间变化率(电势函数的方向导数)的负值。 两个特殊方向: (1)当πθ=时,l d 沿n 方向,与E 方向相反,dl dV 有最大值,则该点电场强 度的大小为: dn dV E E n = = (2)当2/πθ=时,l d 沿τ 方向,与E 方向相垂直, dl dV 有最小值,则该点电 场强度的大小零,即: 0=x E 定义电势梯度(gradient )矢量: n dn dV V gradV = ?=

功函数基本概念

《负电子亲和势光电阴极及应用》贾欣志编著. ——北京:国防工业出版社,2013.5 第二章功函数与电子亲和势P20 固体物理中,功函数定义为将一个电子从固体中移到紧贴固体表面外一点所需的最小能量(或者从费米能级将一个电子移动到真空所需的能量)。 与功函数定义类似,半导体电子亲和势定义为将一个电子从导带底移到固体表面真空能级所需的最小能量。 固体的电子亲和势一般是正值,它是一个电子势垒,防止电子逸出体外。 功函数的测试方法 1开尔文探针方法 2交流阻滞场方法 3 紫外光电发射能谱(UPS)法 4 扫描隧道显微镜测试法 功函数的基本概念 1. 什么是功函数 把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV

(功函数结构示意图。参考:M.S.Xue et al.,Physica B 406 (2011) 4240--4244)功函数(work function)又称功函、逸出功,在固体物理中被定义成:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。 真空能级:电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。 功函数:真空能级与费米能级之差。 2. 功函数的分类 一般情况下功函数指的是金属的功函数,非金属固体很少会用到功函数的定义,而是用接触势来表达。 功函数与金属的费米能级密切关联,但并不完全相等。这是由于固体自身具有表面效应,原包中靠近表面的电荷分布与理想的无限延伸重复排列的布拉菲格子固体想必严重扭曲。 一般将功函数按照电子能量的来源,或者说是电子受激发的方式将功函数分为“热功函数”和“光电功函数”。 (1)当电子从热能中吸收能量,激发到达表面我们称之为热功函数。 (2)当电子从光子中吸收能量,激发到达表面时我们称之为光电功函数。 3. 功函数的作用 (1)当金属与半导体接触,金属与半导体之间功函数差相对很小时(同时半导体有高浓度的杂质),也就是说接触面势垒很窄的情况下,形成欧姆接触。 (2)当半导体与金属功函数相差较多,形成势垒,在金半接触面形成势垒结,形成肖特基二极管(也叫做整流二极管)的结构基础。

电势、电势差、等势面、电场强度与电势的关系测试题(附答案)

电势、电势差、等势面、电场强度与电势的关系测试题 A 卷 (满分:100分 时间:45分钟) 一、选择题 1.从电势差定义式q W U 可以看出 ( ) A .电场中两点间的电势差与电场力做的功W 成正比,与移送的电量q 成反比 B .电场力在电场中两点间移动的电荷越多,电场力做的功越大 C .将1 库的负电荷从一点移到另一点电场做了1焦的功,这两点间的电势差的大小是1伏 D .两点间的电势差,等于把正点电荷从一点移到另一点电场力做的功 2.如图1所示,a 、b 为某电场线上的两点,那么以下的结论正确的是 ( ) A .把正电荷从a 移到b ,电场力做正功,电荷的电势能减少 B .把正电荷从a 移到b ,电场力做负功,电荷的电势能增加 C .把负电荷从a 移到b ,电场力做正功,电荷的电势能增加 D .把负电荷从a 移到b ,电场力做负功,电荷的电势能增加 3.如图2所示,电场中a 、b 、c 三点,ab=bc ,则把点电荷+q 从a 点经b 移到c 的过程中, 电场力做功的大小关系有 ( ) A .Wab >Wbc B .Wab =Wbc C .Wab <Wbc D .无法比较 4.如图3所示,在真空中有两个等量正电荷Q 1和Q 2,分别置于a 、b 两点,dc 为ab 连线的中 垂线,d 为无穷远处,现将另一正电荷由c 点沿cd 移向d 点的过程中,下述中正确的是( ) A . q 的电势能逐渐增大 B . q 的电势能逐渐减小 C . q 受到的电场力一直在减小 D .q 受到的电场力先增大后减小 5.关于电势与电势能的说法,正确的是 ( ) A.电荷在电势越高的地方,电势能也越大 B.电荷在电势越高的地方,它的电量越大,所具有的电势能也 越大 C.在正点电荷电场中的任一点处,正电荷所具有的电势能一定大于负电荷所具有的电势能 D.在负点电荷电场中的任意点,正电荷所具有的电势能一定小于负电荷所具有的电势能 6.在静电场中,关于场强和电势的说法正确的是 ( ) A .电场强度大的地方电势一定高 B .电势为零的地方场强也一定为零 C .场强为零的地方电势也一定为零 D .场强大小相同的点电势不一定相同 7.若带正电的小球只受电场力的作用,则它在任意一段时间内 ( ) A .一定沿着电场线由高电势向低电势运动 B .一定沿着电场线由低电势向高电势运动 C .不一定沿电场线运动,但一定由高电势向低电势运动

高二物理电场力做功和电势能

电场力做功和电势能、电势和电势差 审稿:李井军责编:郭金娟 目标认知 学习目标 1.类比重力场理解电场力的功、电势能的变化、电势能的确定方法、电势的定义以及电势差的意义;理解电势对静电场能的性质的描写和电势的叠加原理。 2.明确场强和电势的区别与联系以及对应的电场线和等势面之间的区别和联系。 学习重点 1.用电势及等势面描写认识静电场分布。 2.熟练地进行电场力、电场力功的计算。 学习难点 电势这一概念建立过程的逻辑关系以及正、负两种电荷所导致的具体问题的复杂性。 知识要点梳理 知识点一:电势与等势面 要点诠释: 1.电场力的功与电势能 (1)电场力做功的特点 在电场中将电荷q从A点移动到B点,电场力做功与路径无关,只与A、B两点的位置有关。 (2)静电场中的功能关系 静电力对电荷做了功,电势能就发生变化,静电力对电荷做了多少功,就有多少电势能转化为其他形式的能,电荷克服静电力做了多少功,就有多少其他形式的能转化为电势能,也就是说,静电力做的功是电势能转化为其他形式的能的量度,静电力做的功等于电势能的减少量,即W AB=E pA-E pB。 即静电力做正功,电荷电势能一定减少,静电力做负功,电荷电势能一定增加。 (3)电势能的特点和大小的确定 ①零势点及选取 和计算重力势能一样,电势能的计算必须取参考点,也就是说,电势能的数值是相对于参考位置来说的。所谓参考位置,就是电势能为零的位置,参考位置的选取是人为的,通常取无限远处或大地为参考点。 ②电势能的计算 设电荷的电场中某点A的电势能为Ep A,移到参考点O电场力做功为W AO,即W AO=E pA-E pO,规定O为参考点

电场力和能的性质总结

电场巩固总结 基本知识: 1.电场强度E的计算方法: 2.电势差U的计算方法: 3.电势 的计算方法: 4.电势能Ep的计算方法: 5.电场力做功的计算方法: ①匀强电场中W= ②由功能关系W= ③与电势差关系W= ④多个力做功(变力)W= 6.高中阶段的几个功能关系 ①重力做功与重力势能: ②弹力做功与弹性势能: ③电场力做功与电势能: ④合外力做功与动能: ⑤其他力做功与机械能: 7.能量守恒定律的应用 类型一:电场线与轨迹问题 1.如图所示,虚线a、b、c表示电场中的三个等势面与纸平面的交线,且相邻等势面之间的电势差相等。实线为一带正电荷粒子仅在电场力作用下通过该区域时的运动轨迹,M、N是这条轨迹上的两点,则下列说法中正确的是() A.三个等势面中,a的电势最高 B.对于M、N两点,带电粒子通过M点时电势能较大 C.对于M、N两点,带电粒子通过M点时动能较大 D.带电粒子由M运动到N时,加速度增大 2.一粒子从A点射入电场,从B点射出,电场的等势面和粒子的运动轨迹如图所示,图中左侧前三个等势面彼此平行,不计粒子的重力。下列说法正确的有() A.粒子带负电荷 B.粒子的加速度先不变,后变小 C.粒子的速度不断增大 D.粒子的电势能先减小,后增大 3.如图中虚线为匀强电场中的等势线,两粒子M、N质量相等,所带电荷的绝对值也相等。

现将M、N从虚线上的O点以相同速率射出,两粒子在电场中运动的轨迹分别如图中两条实线所示。点a、b、c为实线与虚线的交点,已知O点电势高于c点。若不计重力,则( ) 带负电荷,N带正电荷 带正电荷,N带负电荷 在从O点运动至a点的过程中电势降低 在O点和b点电势能相同 类型二:几种功能关系的应用 1. 带电小球在从A点运动到B点的过程中,重力做功为3 J,电场力做功1 J,克服空气阻力做功为J,则在A点的() A.重力势能比B点大3 J B.电势能比B点小1 J C.动能比B点小J D.机械能比B点小J 2.质量为m的带电小球射入匀强电场后,以方向竖直向上、大小为2g的加速度向下运动,在小球下落h的过程中( ) A.小球的重力势能减少了2mgh B.小球的动能减少了2mgh C.电场力做负功2mgh D.小球的电势能增加了3mgh 3.如图所示,在O点放置一个正电荷,在过O点的竖直平面内的A点,自由释放一个带正电的小球,小球的质量为m、电荷量为q。小球落下的轨迹如图中虚线所示,它与以O为圆心、R为半径的圆(图中实线表示)相交于B、C两点,O、C在同一水平线上,∠BOC=30°,A距离OC的竖直高度为h。若小球通过B点的速度为v,试求: (1)小球通过C点的速度大小。 (2)小球由A到C的过程中电势能的增加量。 类型三:电场中的图像类问题 1.电场中某三条等势线如图中实线a、b、c所示。一电子仅在电场力作用下沿直线从P运动到Q,已知电势φa>φb>φc,这一过程电子运动的v -t图像可能是下列各图中的() 2.如图甲所示,A、B为某电场中一条直线上的两个点,现将正点电荷从A点静止释放,仅在电场力作用下运动一段距离到达B点,其电势能E p随位移x的变化关系如图乙所示。从A到B过程中,下列说法正确的是()

功函数总结

功函数:是体现电子传输能力的一个重要物理量,电子在深度为χ的势阱内,要使费米面上的电子逃离金属,至少使之获得W=X-E F的能量,W称为脱出功又称为功函数;脱出功越小,电子脱离金属越容易。另外,半导体的费米能级随掺杂和温度而改变,因此,半导体的功函数不是常数。 功函测量方法:光电子发射阈值法、开尔文探针法和热阴极发射阻挡电势法、热电子发射法、场发射法、光电子发射法以及电子束(或离子束)减速电势(retarding potential)法、扫描低能电子探针法等。 紫外光电谱(UPS)测量功函数 1.测量所需仪器和条件 仪器:ESCALAB250多功能表面分析系统。 技术参数:基本真空为3×10-8Pa, UPS谱测量用Hel(21.22eV),样品加-3.5 V偏压;另外,测量前样品经Ar+离子溅射清洗, Ar+离子能量为2keV,束流密度为0.5μA/mm2。运用此方法一般除ITO靶材外, 其它样品都是纯金属标样。 2.原理 功函数:φ=hv+ E Cutoff-E Fermi 3.测量误差标定 E Fermi标定:费米边微分 E Cutoff标定:一是取截止边的中点, 另一种是由截止边拟合的直线与基线的交点。 4.注意事项 测试样品与样品托(接地)要接触良好,特别是所测试样的表面与样品托之间不能存在电阻。 用Fowler-Nordheim(F-N)公式测定ITO功函数 1.器件制备 双边注入型单载流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu 原料:较高迁移率的空穴传输材料TPD和NPB作有机层,功函数较高且比较稳定的Cu作电极,形成了双边空穴注入的器件。

制备过程:IT0玻璃衬底经有机溶剂和去离子水超声清洗并烘干后,立即置于钟罩内抽真空,在1×10-3 Pa的真空下依次蒸镀有机层(TPD或NPB)和金属电极Cu。 2.功函测量方法 运用Fowle~Nordheim(F-N)公式变换,消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响,提高了测量的精度,可以简单准确地测定了ITO的功函数。 其中TPD和NPB的电离势IP值分别为5.37eV、5.46 eV。 α:ln(J/V2)-1/V的关系图,然后用直线模拟出了高场下的线性关系,α代表直线的斜率。 3.ITO功函测量值 测得值分别为4.85 eV、4.88 eV;ITO薄膜表面功函数一般是4.5eV左右,如果功函数提高到5.0eV或者更大,那么可进一步提高空穴的注入率。 新型功函数测量系统 1.1测量方法 采用接触势差法 1.2系统组成及原理 系统组成:信号发生单元、振动单元和检测单元组成。 工作原理:信号发生单元输出低频正弦信号使参比电极振动, 调节振动单元偏压使检测单元输出信号为零, 通过计算加载偏压和标准参比电极的偏差可得样品功函数值。 1.3功函计算 样品与参比电极通过导线连接相接触,两者的费米能级不同, 因此样品与参比电极间将会存在势差CPD。 CPD=(φc-φs)/e 样品与参比电极之间距离为d0,音频震荡线圈使参比电极发生微小振动,两者之间距离为: D(t) = d0+d1sin(wt)

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