第三章 传感器

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15第3章_电气式传感(1)

15第3章_电气式传感(1)
Rx kl x s xp Rp R
x
B
C
A
x
xp
灵敏度
dR dx
kl

e0 ey
e0
x
ey
x
x pey e0
1.1 变阻器式传感器

x x pey e0 kley
e0
ey
0
x
Hale Waihona Puke xp1.1 变阻器式传感器
后接分压电路
R p Rx
e0
Rx
ey
RL
V
ey

A
dl
l
A
2
dA
l A
d
代入 R l / A
dR R

dl l

dA A

d

1.2 电阻应变式传感器
金属丝 A r 2 金属丝体积不变
dR dl l
dr r dl l
2 d

2 dr r

d

R


器(differential transformer))
2.1 自感型(self-inductance)(可变磁阻式)
原理:电磁感应
线圈
由电磁学原理可知: L W m i 其 中 : L 电 感 ; W 线 圈 匝 数 ; i 电 流 ;
m 电 流 i产 生 的 磁 通
基于金属导体的应变效应(strain effect),即
金属导体在外力作用下发生机械变形时,其电 阻值随着所受机械变形(伸长或缩短)的变化而 发生变化象。
1.2 电阻应变式传感器

第三章 传感器的静态特性和动态特性讲解

第三章  传感器的静态特性和动态特性讲解

例1:一阶传感器的频率响应,系统输入量(压力) F 为F(t)= b0 x(t ),输出 量为位移y( t ),不考虑运动。
解:①列出微分方程
a1
dy dt

a0
y

b0
x
②作拉普-拉斯变换
Y (S )(a1S a0 ) b0 X (S )
③令H(S )中的S =jω,即σ= 0
H ( j ) Y (S ) b0 X (S ) ja1 a0
ΔLj=(b+kxj)-yj
均方差函数为: 取其极小值,有:
4)总精度 系统的总精度由其量程范围内的基本误差与满度值Y(FS)之
比的百分数表示。基本误差由系统误差与随机误差两部分组成, 迟滞与线性度所表示的误差为系统误差,重复性所表示的误差 为随机误差。
总精度一般可用方和根来表示,有时也可用代数和表示。
统示值范围上、下限之差的模。当输入量在量程范围以内 时,系统正常工作并保证预定的性能。
对于4-20mA标准信号,零位值 yo=so=4mA,上限值 yfs=20mA,量 程 y(FS)=16mA。
3)灵敏度 S 输出增量与输入增量的比值。即
① 纯线性传感器灵敏度为常数:S=a1。
② 非线性传感器灵敏度S与x有关。
4)分辨率
在规定的测量范围内,传感器所能检测出输入量 的最小变化值。有时用相对与输入的满量程的相对 值表示。即
2、静态特性的性能指标
1) 迟滞现象(回差EH )
回差EH 反映了传感器的输 入量在正向行程和反向行程全 量程多次测试时,所得到的特 性曲线的不重合程度。
2) 重复性 Ex (不重复性) 重复性 Ex 反映了传感器在输入量按同一方向(增或减)全

常用传感器与敏感元件

常用传感器与敏感元件
d
第三章常用传感器
1
x x
x
b
传感器灵敏度 SdCee0b常数 a直线位移型 2 dx d
✓角位移型 C e e0 r2
2d
1
传感器灵敏度 SdCe e0r2 常 数 d 2d
2
b角位移型
测试技术基础
第三章常用传感器
✓圆柱体线位移型
C
e0eA d
电容量
C
2e x
In D / d
当覆盖长度 x 变化时;C电容量 发生变化;
缺点:固有频率低;可测频带窄;适用于测量缓慢变化或者 静态被测量; 为了提高频带;常与其它形式的传感器联合 运用
测试技术基础
第三章常用传感器
3 3 电阻式传感器
电阻式传感器 是把被测量转换为电阻变化的一种传
感器;
• R l
A
按工作的原理可分为:
♠变阻器式
♠电阻应变式
♠热敏式
♠光敏式
♠湿敏式
测试技术基础
LL0 dd0 1 dd0 dd0 2
d/d0 1 d /d0 0.1
SLL0
d d0
W22d002A0
测量范围允许在0 001mm~1mm之间;
衔铁
lδ Δδ
测试技术基础
第第四三章章常常用用传传感感器器
差动式电感传感器
d 1 d 2 L1 L2 L0 LL1L20
d
L1 L0L1 L2 L0L2
➢声: 声压;噪声; ➢磁: 磁通;磁场; ➢温度: 温度;热量;比热; ➢光: 亮度;色彩

测试技术基础
第三章常用传感器
3 2 机械式传感器
机械式传感器 一类传感器的统称;指只含有机械的转换方式; 把机械量转换为另一种机械量的传感器; 常常以弹性体作为传感器的敏感元件

第三章 常用传感器的变换原理

第三章 常用传感器的变换原理

根据电阻的定义式: 阻的相对变化为:
R l/A
如果电阻丝在外力作用下产生变化时,其电
dR d 1 2 x R
1 为电阻丝轴向相对变形,或称纵向应变。
dR ( 1 2 ) K x 0 x R
d 引起的。
是由于电阻丝几何尺寸变化引起的; 是由于受力后材料的电阻率发生变化而

蠕变:应力不变的条件下,应变随时间延 长而增加的现象。 横向效应:敏感栅的电阻变化一定小于 纯直线敏感栅的电阻变化的现象。 机械滞后:应变片贴在试件上以后,在 一定温度下,进行循环的加载和卸载,加载 和卸载时的输入-输出特性曲线不重合的现象。
2)箔式应变片 箔式应变片中的箔栅是金属箔(厚为 0.002~0.01mm)通过光刻、腐蚀等工艺制 成的。如图3-10中(d)、(f)、(h)、(k)。箔的 材料多为电阻率高、热稳定性好的康铜和 铜镍合金。
(二)应变片的粘贴 1. 去污:采用 手持砂轮工具除去 构件表面的油污、 漆、锈斑等,并用 细纱布交叉打磨出 细纹以增加粘贴力 , 最后用浸有酒精或 丙酮的纱布片或脱 脂棉球擦洗。
2. 贴片:在应 变片的表面和处理 过的粘贴表面上, 各涂一层均匀的粘 贴胶 ,用镊子将应 变片放上去,并调 好位置,然后盖上 塑料薄膜,用手指 揉和滚压,排出下 面的气泡 。
dR d 1 2 x R
对于金属材料:
d 是个常数,往往很小,可以忽略。
因此,上式可写成为:
dR ( 1 2 ) E 应变-电阻效应 x 1 x R
K0为金属单丝灵敏系数,是单位应变所 引起的电阻相对变化。
对于半导体材料: 对一块半导体材料的某一轴向施加一定的载荷 而产生应力时,它的电阻率会发生变化,这种物理 现象称为半导体的压阻效应。 半导体应变片是根据压阻效应原理工作的。 当沿某一晶轴方向切下一小条半导体应变片, 若只沿其轴向受到应力,其电阻率的变化量可由下 式表示

机械工程测试基础 第三章 传感器

机械工程测试基础  第三章 传感器
R 1 2 E x R
3.3.1 电阻式传感器 R / R Sg E
x
●优点:尺寸、横向效应、机械滞后都很小,灵 敏系数大,输出大,可不需放大器连接,使得测量系 统简化。 ●缺点:电阻值和灵敏系数的温度稳定性差;测 量较大应变时非线性严重;灵敏系数随受拉或压而变, 且分散度大 。 分析表明,金属丝应变片与半导体应变片工作原 理的主要区别在于:前者利用导体形变引起电阻变化, 后者利用半导体电阻率变化引起电阻变化。
3.1 概述 2)按工作的物理基础分类: 见表3-1:机械式,电气式,光学式,流体式等.
3.1 概述 3)按信号变换特征: 能量转换型和能量控制型. 能量转换型:直接由被测对象输入能量使其工作. 例如:热电偶温度计,压电式加速度计. 能量控制型:从外部供给能量并由被测量控制外部 供给能量的变化.例如:电阻应变片.
dR d (1 2 ) x R

dR / R
x
1 2
d /
x
灵敏系数: 令
Sg dR / R
x
1 2 E , (d / E x )
Sg称为金属丝的灵敏系数,表示金属丝产生单 位变形时,电阻相对变化量的大小。 显然,sg 越大,单位变形引起的电阻相对变化 量越大。
机械工程测试技术基础
第三章
常用传感器与敏感元件
本章学习要求:
1.掌握传感器的分类方法 2.掌握常用传感器测量原理、 特点及其应用 3.掌握传感器选用原则
第三章 常用传感器与敏感元件
3.1 概述
1. 传感器定义 传感器是直接感受规定的被测量,并能按一定 规律将被测量转换成同种或别种量值输出的装置。 物理量 电量
Rp
xp

第三章 电容式传感器

第三章 电容式传感器

C d 2 C0 d0 非线性误差为: d 3 2 d0 d r 100% 100% d d0 d0
减小
C C0 A 2 2 2 灵敏度: S d d0 d0
提高一倍
18
差动式比单极式灵敏度提高一倍,且非线性误差大为减 小。由于结构上的对称性,它还能有效地补偿温度变化所 造成的误差。
弹性体
绝缘材料 定极板
极板支架
动极板
36
在弹性钢体上高度相同处打一排孔,在孔内形成一排平行 的平板电容,当称重时,钢体上端面受力,圆孔变形,每
个孔中的电容极板间隙变小,其电容相应增大。由于在电
路上各电容是并联的, 因而输出反映的结果 是平均作用力的变化, 测量误差大大减小 F
(误差平均效应)
电容式称重传感器
T1 T2 UA U 1 ,U B U1 T1 T2 T1 T2
UA、UB—A点和B点的矩形脉冲的直流分量; T1、T2 —C1和C2充电至Ur的所需时间; U1—触发器输出的高电位。
29
C1、C2的充电时间T1、T2为:
U1 T1 R1C1 ln U1 U r U1 T2 R2C2 ln U1 U r
0 A
dg
g
d0
云母片的相对介电常数是空气的7倍,其击穿电压不小于 1000 kV/mm,而空气的仅为3kV/mm。 有了云母片,极板间起始距离可大大减小,同时传感器的输 出特性的线性度得到改善。
12
13
14பைடு நூலகம்
差动电容式传感器
定极板 动极板 C1 d1 C2 d2 定极板
15
初始位置时,
3

电容式传感器可分为变极距型、变面积型和变介质型三 种类型。

传感器与检测技术第三章电感式传感器

传感器与检测技术第三章电感式传感器
架。二节式差动变压器的铁芯长度为全长的60%-80%。铁 芯采用导磁率高,铁损小,涡流损耗小的材料 (4)在不使线圈过热的条件下尽量提高激励电压。
感•传式感传器感与器检测技术
第二节 互感式传感器
三、转换电路 1.反串电路
•2.桥路
感•传式感传器感与器检测技术
第二节 互感式传感器
3.差动整流电路
感•传式感传器感与器检测技术
感•传式感传器感与器检测技术
一、高频反射式涡流传感器
•线圈上通交变高频电流 •线圈产生高频交变磁场
•产生高频交变涡流 •涡流产生反磁场 •阻碍线圈电流交换作用 •等效于L或阻抗的改变
感•传式感传器感与器检测技术
二、低频透射式涡流传感器
• U L1 • 同频交变电流 • 产生一交变磁场 • 磁力线切割M • 产生涡流I • 到达L2的磁力线
传感器与检测技术第三章电 感式传感器
感•传式感传器感与器检测技术
原理
电感式传感器最基本原理是电磁感应原理。
•位 移 •被测物理量 •振 动 •压 力 •流 量 •比
•传感 •的变 器 化
•自感系数 L
•电路 •电
•互感系数
•的变 化

M
•电

感•传式感传器感与器检测技术
电感传感器优点
▪ 灵敏度高,分辨力高,位移:0.1m ; ▪ 精度高,线性特性好,非线性误差:0.05%0.1 % ; ▪ 性能稳定,重复性好 ; ▪ 结构简单可靠、输出功率大、输出阻抗小、抗干扰能力
感•传式感传器感与器检测技术
第一节 自感式传感器
四、影响传感器精度的因素分析 1.电源电压和频率的波动影响 ▪ 电源电压的波动一般允许为5%~10%。 ▪ 严格对称的交流电桥是能够补偿频率波动影响的 2. 温度变化的影响 ▪ 为了补偿温度变化的影响,在结构设计时要合理选择零件

第三章 电感式传感器

第三章 电感式传感器

所以
a L L' L0 L0 a
L L0 1 K0 a a
其灵敏度系数K0为
但是,由于漏感等原因,变面积式自感传感器在A=0时,仍 有一定的电感,所以其线性区较小,为了提高灵敏度,常将 δ做得很小。这种类型的传感器由于结构的限制,它的量程 也不大,在工业中用得不多。
3 螺管型自感传感器
有单线圈和差动式两种结构形式。 单线圈螺管型传感器的主要元件为一只螺管线圈和一根圆柱形铁 芯。传感器工作时,因铁芯在线圈中伸入长度的变化,引起螺管 线圈自感值的变化。当用恒流源激励时,则线圈的输出电压与铁 芯的位移量有关。
螺旋管
l r 铁心 x
单线圈螺管型传感器结构图
铁芯在开始插入(x=0)或几乎离开线圈时的灵敏度, 比铁芯插入线圈的1/2长度时的灵敏度小得多。这说明 只有在线圈中段才有可能获得较高的灵敏度,并且有 较好的线性特性。
U SC
Z1 Z2 Z1 Z 2 E E L1 L2 (Z1 Z2) 2 (Z1 Z2) 2
δ δ δ 2 δ 3 L1 L0 [1 ( )( ) ( ) ] δ0 δ0 δ0 δ0
L2 L0 δ δ δ 2 δ 3 [1 ( )( ) ( ) ] δ0 δ0 δ0 δ0
R
L L1 L2 2 L0 [1 0 0
L 2 L0 0
2
]
4
L L0 2 K0 0
①差动式自感传感器的灵敏度比单线圈传感器提 高一倍。 ②差动式自感传感器非线性失真小。
第三章 电感式传感器
电感式传感器是利用电磁感应原理将被测非 电量如位移、压力、振动、流量等转换成线圈自 感系数L或互感系数M的变化,再由测量电路转换 为电压或电流的变化量输出的传感器。
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第三章常用的传感器§3.1传感器的分类一、传感器的定义通俗的讲,传感器就是将被测信息转换成某种信号的器件。

也就是将被测物理量转换成于之相对应的、容易检测、传输或处理的信号的装置,称之为传感器。

传感器通常直接作用于被测量。

传感器是对信号进行感受与传送的装置,它是测试装置的输入环节,因此传感器的性能直接影响着整个测试装置的工作可靠性。

近来,随着测量、控制及信息技术的发展,传感器作为这个领域内的一个重要构成因素,被视为90年代的重要技术之一受到了普遍的重视。

深入研究传感器的原理和应用,研制新型传感器,对于社会生产、科学技术和日常生活中的自动测量和自动控制的发展,以及在科学技术领域里实现现代化都有重要意义。

二、传感器的组成传感器一般由敏感元件、传感元件和测量电路三个主要部分组成,有时还加上辅助电源。

通常可用图表示如下:图4-1 传感器的组成由于其用途的不同或是结构原理的不同,其繁简程度相差很大。

因此,传感器的组成将依不同情况而有差异。

敏感元件——传感器的核心,它直接感受被测量(一般为非电量)并转换成信号形成,即输出与被测量成确定关系的其它量的元件,如膜片、热电偶,波纹管等。

传感元件——又称变换器,是传感器的重要组成部分。

传感元件可以直接感受被测量(一般为非电量)而输出与被测量成确定关系的电量。

如热电偶和热敏电阻等。

传感元件也可以不只感受被测量,而只是感受与被测两或确定关系的其它非电量;如应变式压力传感器的电阻片,并不直接感受压力,只是感受与被测压力成确定关系的应变,然后输出电量,在多数情况下,使用的就是这种传感元件。

测量电路——能把传感元件输出的电信号转换为便于显示、记录、控制和处理的有用电信号的电路。

测量电路视传感元件的类型而定。

三、传感器的分类在生产和科研中应用的传感器种类很多,一种被测量有时可以用集中传感器来测量,用一种传感器往往可以测量多种物理量。

为了对传感器有一个概括的认识,对传感器进行研究是很必要的。

传感器的分类方法很多。

目前还找不到尽善尽美的分类方法(使用者多与厂家通常习惯于按被测对象分类,而对于一些从事检测技术的专业学者、工程技术人员,则习惯于按传感器的变换原理及结构进行分类)。

可以按被测量、传感器工作原理、信号变换特征、敏感元件与被测对象之间的能量关系、输出信号分类等等进行分类。

按被测量分类,可分为传移传感器、力传感器、温度传感器等;按传感器工作原理可分为机械式、电气式、光电式、流体式等;按信号变换特征可概括分为物理型和结构型;根据敏感元件与被测对象之间的能量关系,可以分为能量转换型与能量控制型;按输出信号分类可分为模拟式和数字式等等。

其中,物理型传感器是依靠敏感元件材料本身物理化学性质的变化来实现信号的变换的。

水银温度计(热胀冷缩)、压电测力计(压电效应)。

结构型敏感器则是依靠传感器结构参量的变化而实现信号转换的。

能量转换型传感器,也称无源传感器,是直接由被测对象输出能量使其工作的。

如热电偶温度计、弹性压力计等。

能量控制型传感器,也称有源传感器,是从外部供给辅助能量使传感器工作的,并且由被测量来控制外部供给能量的变化。

四、对传感器的性能要求由于传感器的种类很多,因此对传感器的性能要求不可能相同,现给出几项基本的性能要求:1、测量范围——是指该传感器在测量中使用的上下界限;(上限和下限的代数差称为电量程)2、超载能力——表示传感器在不致造成所规定性能指标永久改变的条件下,使用时允许超过测量范围的能力。

一般用允许超过测量上限(或下限)的被测量值与量程的百分比表示,但这只是说,出现此种情况时,传感器不致损坏,并不保证规定的性能。

3、灵敏度——传感器输出的变化值与相应的被测量的变化值之比。

4、分辩力——它是传感器可能检测出的被测信号的最小变化量。

5、误差——是指传感器之测量值与被测量之真实值的偏差程度。

这里指静态误差,常用非线性误差、滞后性误差和重复性误差三项指标来表示。

6、动态性能——是指传感器对于随时间变化的输入信号的影响能力。

通常用频率响应特性或阶跃响应特性来表示,在选用传感器时,应根据测量的具体情况来适当地提出指标要求。

除上述主要指标外,还应考虑使用的环境要求、使用寿命等。

对于特定情况下使用的传感器,还有特定的性能指标要求。

§3.2电阻式传感器及应变仪电阻式传感器是把被测的量,如位移、力等转换为电阻变化的一种传感器。

按其工作原理可分为变阻器式和电阻应变式两类。

一.变阻器式传感器变阻式传感器也称为电位计式传感器,其工作原理是通过改变电位计触头位置,实现将位移转换为电阻的变化。

常用的有直线位移型、角位移型和非线性等。

见书59P 图3-5对于直线型,当被测位移变动时,触点C 沿变阻器移动,若移动x,则C 点与A 点之间的电阻值为:x k R l =那么传感器的灵敏度为:l k dxdk S == (3-1) 式中l k ——单位长度的电阻值。

当导线分布均匀时,为常数,此时传感器的输出(电阻)与输入(位移)成线性关系。

对于位移型变阻式传感器,它是将角度的变化转换为电阻的变化。

故其灵敏度为: ααk d dk S == (3-2) 式中α——转角[rad]αk ——单位弧度对应的店阻值变阻器式传感器的优点是结构简单、性能稳定、使用方便。

缺点:分辩率不高,因为受电阻丝直径的限制。

提高分辨率使用更细的电阻丝,很细的电阻丝绕制困难,并要求绕制时保持恒张力,所以此类传感器的分辨率很难优于20m μ。

另外,由于电刷和电阻元件之间接触面的变动和摩擦、尘埃附着等,都会使电刷在滑动中的接触电阻发生不规则的变化,从而产生噪声。

变阻式传感器被用于线位移、角位移的测量。

二.电阻应变式传感器电阻应变式传感器是用应变片粘贴在弹性元件上,通过被测量对弹性元件的使用,使弹性元件产生变形(应变),由这应变通过应变片转化为电阻的变化,即完成由非电量转化为电量过程。

所以应变片是一种变换器,是应变传感器中的基本元件。

应用应变片直接粘贴在受试材料的表面,配用专用仪器——应变仪可以直接测出受试材料表面的应变,是目前实验、应力分析、结构强度实验的主要测试手段。

应变片就其材料来分,可分为金属电阻应变片和半导体应变片两类。

〈一〉金属电阻应变片常用的金属电阻应变片有丝式和箔式两种,其工作原理基于电阻丝的“应变效应”。

1.电阻丝的应变效应应变效应——金属导体(电阻丝)的电阻值随变形(伸长,缩短)而发生变化的物理现象,称为“应变效应”。

在物理中,金属丝的电阻R 可由下式确定:sl R ρ= (3-3)式中:l ——金属丝长度 )(m ;s ——金属丝截面积)(2mρ——金属丝的电阻率)/(2m cm ⋅Ω当在使用过程中,电阻丝变形,其中l 、s 、ρ均随电阻丝的变形而变化,而l 、s 、ρ的变化又将引起R 的变化,所以当每一可变因素分别有一增量dl 、ds 、ρd 时,电阻增量为:ρρd R ds s R dl l R dR ∂∂+∂∂+∂∂= (3-4) 其中:2r s π=,r 为电阻丝半径,所以:⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=+-=ρρρππρπρd r dr l dl R d r l dr r l dl r dR 22232 电阻的相对变化为:ρρd r dr l dl R dR +-=2 (3-5) 式中:ε=l dl ——电阻丝轴向相对变形,或称纵向应变; rdr ——电阻丝径向相对变形,或称横向应变。

当电阻丝沿轴向伸长是,必沿径向缩小,两者之间的关系为:ldl r dr μ-= (3-6) 式中:μ——电阻丝材料的泊松比。

将(3-6)代入(3-5)式,则:()ldl d l dl l dl d R dR μρρμρρ212++=++= (3-7) 由物理学可知,材料电阻率的变化与其体积的变化有线性关系即:VdV c d =ρρ式中:V ——金属丝体积;c ——比例常数,由材料性质决定(可由实验测定)。

由于 l r V 2π=()dl r rldr dV 22+=π()ldl r dr l r dl r rldr V dV +=+=2222ππ 又因l dl r dr μ-= 所以 ()μ21-=ldl V dV因此:()ldl c d μρρ21-= (3-8) 将(3-8)代入(3-7),有: ()()ldl l dl c R dR μμ2121++-= (3-9) 由上式可得: ()()常数=-++=μμ2121l dlR dR(3-10) 或ε⋅=∆sg RR (3-11) sg 称为灵敏度或应变系数(3-11)式表明金属丝的变形(纵向应变)与电阻相对变化⎪⎭⎫ ⎝⎛∆R R 成线性关系,由于对某一种金属丝来说,μ值在弹性区与塑性区是不同的,所以一般说来弹性区的灵敏度与塑性区不同。

在塑性区sg 接近于2,在弹性区μ值在0.25~0.5之间,与材料性质有关。

例如:钢30.0~24.0=μ,铜42.0~32.0=μ。

但在塑性区,则与材料性质无关,μ=0.5。

如果选择适当的材料,如康铜经过一定的工艺处理使式(3—10)c 值等于1,则无论塑性区还是弹性区,2=s ,这样就可以用来测量大变形,无论弹性区还是塑性区都保持线性关系,其灵敏度s 都等于2,由于这个原因,目前市场上出售的应变片的灵敏度都在2左右。

2.金属丝式带内阻应变片结构见60P 图 3-7把一根具有高电阻率的金属丝1绕成栅形,粘贴在绝缘的基片2和覆盖层3之间,由引出导线4接于电路上。

基片常用纸或者胶膜两种。

在较高温度工作的应变片,有用金属薄片或石棉、玻璃纤维增强塑料薄片做基片的,不同的基片有不同的使用范围。

所以采用的金属直径在0.025mm 左右,允许电流25mA (毫安)左右,如散热条件好,可适当提高。

3.金属薄式应变片它的基本工作原理与丝式相同,只是它的丝栅是有很薄的箔片制成。

金属箔片的材料是康铜或镍铬合金等。

其厚度在1~10之间,该应变片散热好,允许通过较大的电流。

其制造方法是先将箔片与胶膜放在一起,用照相方法或光刻技术形成线栅图形,然后进行腐蚀,获得所需要的线栅。

<二>半导体应变片半导体应变片是以半导体小条作为敏感栅的应变片,其典型结构见62P 图3-9。

半导体应变片的使用方法与金属电阻应变片相同,即将其粘帖在弹性元件上或被测物体上,随被测试件的应变,其电阻发生相应的变化。

半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的压阻效应。

所谓压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时,其电阻率ρ发生变化的现象。

不同材料的半导体,施加载荷的方向不同,其压阻效应也不一样,当一块半导体小条沿其纵向受到应力σ时,其电阻率的变化率为:σπρρe =∆ (3-12)式中e π ——半导体材料的压阻系数,与半导体材料、晶体取向和应力的方向有关。

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