常用高频场效应管参数
场效应管参数大全
场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中应用广泛。
场效应管是由金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）和绝缘栅场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，简称IGFET）两种类型组成，它们具有不同的结构和工作原理，但共同具备一些重要的参数。
下面将对这些参数进行详细介绍。
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压是指场效应管在栅电压达到一定值时，源极-漏极之间形成导通的电压。
它决定了场效应管是否开启。
2. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流是指场效应管在工作时，当栅电压接近阈值电压时，漏极-源极电压达到最小值的电流。
饱和电流对于场效应管的工作状态和性能都具有重要影响。
3. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大漏极电流，超过该值可能会导致管子损坏。
4. 最大漏极-源极电压（Maximum Drain-Source Voltage）：最大漏极-源极电压是指场效应管能够承受的最大漏极-源极电压，超过该值可能会导致管子损坏。
5. 输入电容（Input Capacitance）：输入电容是指场效应管输入端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输入阻抗，越小表示输入阻抗越大。
6. 输出电容（Output Capacitance）：输出电容是指场效应管输出端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输出阻抗，越小表示输出阻抗越小。
7. 漏极电流增益（Transconductance）：漏极电流增益是指场效应管输出电流对输入电压变化的响应程度，它表示了场效应管的放大能力。
8. 寄生二极管（Parasitic Diode）：寄生二极管是指场效应管结构中由于材料和工艺的限制而产生的额外二极管。
k2698场效应管参数
k2698场效应管参数K2698场效应管是一种高频功率场效应管，具有很高的开关速度和低的输入电容。
它是一种N沟道MOSFET，适用于高频功率放大器、开关电源、逆变器等电路。
本文将介绍K2698场效应管的参数及其应用。
一、K2698场效应管的参数1. 静态参数（1）漏极-源极电阻：K2698场效应管的漏极-源极电阻为0.3欧姆。
（2）漏极电流：K2698场效应管的最大漏极电流为10安培。
（3）漏极-源极电压：K2698场效应管的最大漏极-源极电压为600伏。
（4）场效应管转移导纳：K2698场效应管的场效应管转移导纳为30毫西门子。
（5）栅极-源极电容：K2698场效应管的栅极-源极电容为8皮法。
2. 动态参数（1）开关时间：K2698场效应管的开关时间为20纳秒。
（2）关断时间：K2698场效应管的关断时间为20纳秒。
（3）输入电容：K2698场效应管的输入电容为50皮法。
（4）输出电容：K2698场效应管的输出电容为100皮法。
3. 温度特性（1）温度系数：K2698场效应管的温度系数为-0.035%/℃。
（2）温度范围：K2698场效应管的工作温度范围为-55℃至150℃。
二、K2698场效应管的应用1. 高频功率放大器K2698场效应管适用于高频功率放大器，因为它具有很高的开关速度和低的输入电容。
它可以用于射频放大器、微波放大器等高频电路。
2. 开关电源K2698场效应管可以用于开关电源，因为它可以在高频下进行开关。
开关电源是一种节能、高效的电源，可以实现高效的转换。
3. 逆变器K2698场效应管可以用于逆变器，因为它可以实现高频的开关。
逆变器是一种将直流电转换为交流电的电路，可以应用于太阳能发电、风能发电等领域。
三、结论K2698场效应管是一种高频功率场效应管，具有很高的开关速度和低的输入电容。
它适用于高频功率放大器、开关电源、逆变器等电路。
在应用中，需要注意其静态参数、动态参数和温度特性，以实现最佳的电路设计。
5000种场效应管参数
5000种场效应管参数场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路。
与双极性晶体管相比，场效应管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。
根据不同的应用需求，场效应管有很多不同的参数。
以下是5000种场效应管的一些常见参数：1.管子类型：场效应管分为N型和P型两种类型。
N型场效应管是以负电压作用于栅极时导通，而P型场效应管是以正电压作用于栅极时导通。
2.最大漏极电流：场效应管可以通过的最大漏极电流。
不同型号的场效应管具有不同的最大漏极电流。
3.开启电压：场效应管进入导通状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的开启电压。
4.截止电压：场效应管进入截止状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的截止电压。
5.静态漏极电阻：当场效应管工作在饱和状态时，漏极电压变化与漏极电流之间的比值。
6.转导电导：场效应管的输出电流和输入电压之间的比例关系。
7.最大功耗：场效应管能够承受的最大功率。
8.响应时间：场效应管从关态到开态或开态到关态的响应时间。
9.管脚电容：场效应管各管脚之间的电容。
10.峰值电压：场效应管可以承受的最大电压。
此外，还有许多其他参数，如漏极反向电流、漏极与源极之间的电阻、起始电流、迁移率、温度系数等，这些参数也是来描述场效应管性能的重要指标。
需要注意的是，由于场效应管有很多不同型号，每种型号的参数都有所不同。
因此，在实际应用中，需要根据具体的需求选择合适的场效应管型号。
以上仅列举了一小部分场效应管的参数，实际上还有许多其他参数。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ 6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24 可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.332SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55 螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.9 2SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.2 2SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.2 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.8 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065 2SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.65 2SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.25 2SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.8 2SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.0 2SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.65 2SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.035 2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.8 2SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS 用500V15A125W100/230nS0.48 2SK1985 NMOS GDS 开关UPS 用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS 用900V9A150W 85/210nS1.402SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS 用900V6A80W 145/250nS2.82SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.1 2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dBBS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 NMOS GDS 开关600V120AIRF130（铁）NMOS GDS 功放开关100V14A79W75/45nS0.16IRF230（铁）NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF250（铁）NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF440（铁）NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450（铁）NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460（铁）NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2 IRFP915O PMOS GDS 功放开关1OOV25A15OW16O/7OnSO.2IRFP924O PMOS GDS 功放开关2OOV12A15OW68/57nSO.5IRFPF4O NMOS GDS 功放开关9OOV4.7A15OW2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1OOOV3.9A15OW4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1OOOV3.9A15OW4.2 ******* IRFUO2O NMOS GDS 功放开关5OV15A42W83/39nSO.1IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关（铁）500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开（铁）100V55A250W350/400nS0.04MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关（双）60V40A150W/7OnS0.3MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04RFP50N02 NMOS GDS 功放开关50V20ARFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50 RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026 SMP60N06NMOSG 功放开关60V60A125W50nS0.023RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022SMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.02 SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nS GT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W（带阻）SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT 驱动。
常用场效应管参数大全(1)
型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大NMOS GDS 开关2SJ117 PMOS GDS 音频开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速开关 140V8A100W50/2SJ122 PMOS GDS 高速开关 60V10A50W60/2SJ136 PMOS GDS 高速开关 60V12A40W 70/2SJ143 PMOS GDS 开关 60V16A35W90/2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/2SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/2SK30 NJ SDG 低放音频NJ SDG 低放低噪音频NJ SGD 音频激励开关1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大NJ GSD 高频放大NJ DSG 高频低噪放大NJ GSD 高频低噪放大NMOS GSD 高频高速开关2SK241 NMOS DSG 高频放大NJ GSD 音频NMOS GDS 高速开关 400V10A120W100/2SK386 NMOS GDS 高速开关 450V10A120W100/2SK413 NMOS GDS 高速开关(2SJ118)2SK423 NMOS SDG 高速开关NMOS GDS 高速开关 60V10A50W45/2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速开关NMOS GDS 高速开关2SK539 NMOS GDS 开关2SK560 NMOS GDS 高速开关2SK623 NMOS GDS 高速开关2SK727 NMOS GDS 开关 900V5A125W110/2SK734 NMOS GDS 开关 450V15A150W160/2SK785 NMOS GDS 开关 500V20A150W105/2SK787 NMOS GDS 高速开关 900V8A150W95/2SK790 NMOS GDS 高速开关可驱电机2SK791 NMOS GDS 开关可驱电机2SK794 NMOS GDS 开关可驱电机2SK817 NMOS GDS 开关 60V26A35W40/2SK832 NMOS GDS 高速开关 900V4A85W55/2SK899 NMOS GDS 开关 500V18A125W130/2SK962 NMOS GDS 开关 900V8A150W280/2SK940 NMOS SDG 激励.驱动螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 开关 450V5A60W60/2SK1010 NMOS GDS 高速开关 500V6A80W70/2SK1011 NMOS GDS 高速开关 450V10A100W110/2SK1012 NMOS GDS 高速开关 500V10A100W110/ 2SK1015 NMOS GDS 开关 450V18A125W170/2SK1016 NMOS GDS 开关 500V15A125W170/2SK1017 NMOS GDS 开关 500V20A150W250/2SK1019 NMOS GDS 开关 450V35A300W360/2SK1020 NMOS GDS 开关 500V30A300W360/2SK1060 NMOS GDS 开关 100V5A20W50/2SK1081 NMOS GDS 激励,驱动 800V7A125W 145/ 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动 900V8A125W 145/ 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动 60V15A25W80/2SK1101 NMOS GDS 开关 450V10A50W165/2SK1117 NMOS GDS 开关2SK1118 NMOS GDS 开关 600V6A45W65/2SK1119 NMOS GDS 开关2SK1120 NMOS GDS 开关2SK1161 NMOS GDS 开关 450V10A100W75/2SK1170 NMOS GDS 开关 500V20A120W147/2SK1180 NMOS GDS 投影机用 500V10A85W60/ 2SK1195 NMOS GDS 电梯用 100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关 700V2A35W20/2SK1217 NMOS GDS 开关 90V8A100W280/2SK1221 NMOS GDS 开关 250V10A80W60/2SK1247 NMOS GDS 开关 500V5A30W50/2SK1250 NMOS GDS 开关-感性 500V20A150W130/2SK1254 NMOS GDS 低噪放大 120V3A20W25/2SK1271 NMOS GDS 开关 1400V5A240W55/2SK1272 NMOS GDS 高速开关2SK1329 NMOS GDS 开关 500V12A60W90/2SK1358 NMOS GDS 开关 900V9A150W65/2SK1374 NMOS 贴片NMOS GDS 激励, 开关 60V50A150W78/ 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关 60V35A40W66/2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关 30V35A60W125/2SK1419 NMOS GDS 高速开关 60V15A25W55/2SK1445 NMOS GDS 高速开关 450V5A30W45/。
irfpg50场效应管参数
irfpg50场效应管参数IRFPG50场效应管是一种常用的功率场效应管，具有许多重要的参数。
本文将介绍IRFPG50场效应管的主要参数及其意义。
首先，IRFPG50场效应管的最大漏极电流（ID）是一个重要的参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管可以承受的最大漏极电流。
这个参数决定了场效应管的功率处理能力。
如果超过了最大漏极电流，场效应管可能会过热并损坏。
其次，IRFPG50场效应管的漏极-源极电压（VDS）也是一个关键参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个电压，场效应管可能会发生击穿，导致损坏。
因此，在设计电路时，需要确保VDS不超过IRFPG50的额定值。
另一个重要的参数是IRFPG50场效应管的栅极-源极电压（VGS）。
它表示在特定的工作条件下，场效应管的栅极-源极电压范围。
超过这个范围，场效应管可能无法正常工作。
因此，在使用IRFPG50场效应管时，需要确保VGS在规定的范围内。
此外，IRFPG50场效应管的导通电阻（RDS(on)）也是一个重要的参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管导通时的电阻。
导通电阻越小，场效应管的导通能力越好，功率损耗也越小。
因此，在功率放大电路中，选择低导通电阻的场效应管可以提高效率。
最后，IRFPG50场效应管的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也是需要考虑的参数。
输入电容表示场效应管的栅极和源极之间的电容，输出电容表示场效应管的漏极和源极之间的电容。
这些电容会影响场效应管的频率响应和开关速度。
因此，在高频应用中，需要选择具有较小输入和输出电容的场效应管。
综上所述，IRFPG50场效应管的参数对于电路设计和性能优化非常重要。
最大漏极电流、漏极-源极电压、栅极-源极电压、导通电阻、输入电容和输出电容都需要在设计中合理考虑。
只有充分理解和正确使用这些参数，才能充分发挥IRFPG50场效应管的优势，实现高效、稳定的电路设计。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ 6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB高频低噪放大2SK192 NJ DSG2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机可驱电机900V5A150W2.5 开关电源2SK794 NMOS GDS2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.9 2SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.2 2SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.2 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.8 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065 2SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.65 2SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.25 1000V4A100W3.8开关电源2SK1119 NMOS GDS2SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.035 2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.0222SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.4900V2.5A30W40/160nS6.0高速开关2SK1459 NMOS GDS2SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.8 2SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.482SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS5900V9A150W 85/210nS1.40用UPS开关2SK2082 NMOS GDS2SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.8 2SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.1 2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40 FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6600V120A开关H120N60 NMOS GDSIRF130(铁)NMOS GDS 功放开关100V14A79W75/45nS0.16 IRF230(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3200V6.5A75W100/80nS0.8开关功放IRF9630 PMOS GDSIRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 100V19A150W100/70nS0.2开关功放IRFP9140 PMOS GDSIRFP9150 PMOS GDS 功放开关100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10NMOSGDS功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3)60V40A150W/70nS0.3双( 开关功放MTP40N06 NMOS GDSMTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04 RFP50N02 NMOS GDS 功放开关50V20ARFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03 RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06NMOSG功放开关60V60A125W50nS0.023RFP50N05NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 SMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026 SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.02 SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125W800V7A75W开关电源高速SSP7N80 NMOS GDSSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nS GT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻)SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400W TN2460L35N120 1200V35A250W驱动EXB841 IGBT．。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，常被用于放大、开关和调节电流等应用中。
它具有许多重要的参数，这些参数对于理解和设计电路至关重要。
本文将介绍场效应管的一些主要参数，并解释它们的作用和特点。
1. 漏极截止电压（VDS(off)）：漏极截止电压是指当场效应管关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off)为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于关闭状态。
VDS(off)的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的工作状态和电路的稳定性非常重要。
2. 饱和漏极电压（VDS(sat)）：饱和漏极电压是指当场效应管完全开启时，漏极和源极之间的最小电压。
在饱和区，场效应管的导通状态稳定，电流可以通过管子流动。
VDS(sat)的值取决于场效应管的特性和工作状态。
这个参数对于确定场效应管的工作范围和电路的性能至关重要。
3. 置零漏极电压（VDS(off) zero）：置零漏极电压是指当场效应管完全关闭时，漏极和源极之间的电压。
当VDS(off) zero为正值时，漏极电压高于源极电压，此时场效应管处于完全关闭状态。
VDS(off) zero的值取决于场效应管的工作状态和特性。
这个参数对于确定场效应管的截止状态和电路的稳定性非常重要。
4. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当场效应管开始导通时，栅极和源极之间的电压。
在阈值电压以上，场效应管开始导通，电流可以通过管子流动。
Vth的值取决于场效应管的类型和制造工艺。
这个参数对于确定场效应管的导通状态和电路的性能至关重要。
5. 压缩因子（K）：压缩因子是指栅极电压变化与漏极电流变化之间的比率。
K的值取决于场效应管的类型和特性。
较大的K值意味着场效应管具有较好的放大能力和线性特性。
这个参数对于确定场效应管的放大能力和电路的线性度至关重要。
6. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的栅极和源极之间的电容。
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NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
BF994
超低噪声
0.2
20
20
15
1.0
18
200MHz
SOT143
3SK194
超低噪声
0.2
15
35
17
1.0
30
200MHz
SOT143
3SK122
－
0.2
20
25
28
1.2
24
200MHz
SOT143
3SK131
－
0.2
20
25
28
1.3
24
200MHz
－
1.0
13
50
23
1.5
19
0.9GHz
SOT143
3SK191
－
1.0
12
80
>10
1.5
12
0.9GHz
SOT143
3SK121
－
1.0
10
50
17
1.5
20.5
0.9GHz
N-02
3SK129
－
1.0
13
50
25
1.2
17
1GHz
N-02
MOS双栅场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
四、高频场效应管
GaAs微波低噪声场效应管适用于卫星接收及微波通信等
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
FHX04X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
FHX05X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
－
－
－
10
2GHz
－
GaAs双栅场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
*3SK240
超低噪声
1.0
9
50
19
1.0
20.5
0.8GHz
SC-82
*3SK228
－
1.0
12
50
34
1.3
19.6.
0.9GHz
SC-82
*3SK239
－
1.0
12GHz
N-02
FSC11LF
－
12
8
90
40
1.0
13
4GHz
N-02
SGH5612
－
12
4
70
50
1.05
10.5
12GHz
N-02
NE72084
－
12
5
150
40
0.8
－
4GHz
N-02
MGF1302
－
12
6
60
45
<1.4
>11
4GHz
N-02
MGF1303
－
12
6
40
40
<1.0
>12
4GHz
SOT143
3SK151
变频适用
0.25
15
30
27
5.5
24.5
245MHz变频
SOT143
3SK197
变频适用
0.25
12
35
27
5.5
24
230MHz变频
SOT143
3SK195
－
0.2
13
30
13
1.1
27
200MHz
SOT143
3SK123
－
0.9
18
25
18
2.8
17
900MHz
SOT143
3SK132
－
0.9
20
25
22
2.8
22
900GHz
SOT143
3SK146
－
0.8
13
30
16
2.6
17.5
800MHz
SOT143
3SK199
－
0.8
13
30
21.5
1.9
19.5
800MHz
SOT143
3SK207
－
0.8
13
30
21.5
1.9
19.5
800MHz
SOT143
小信号高频场效应管
12
50
31
1.3
19
0.9GHz
SC-82
3SK229
－
1.0
12
50
34
1.3
20
0.9GHz
SOT143
3SK184
－
1.0
13
50
23
1.2
16
0.9GHz
SOT143
3SK165
－
2.0
8
80
22
1.6
17
2GHz
SOT143
CF930
－
2.0
10
80
25
1.5
17
2GHz
SOT143
3SK241
N-02
MGF1423－Biblioteka 12660
35
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF4310
－
12
4
50
－
<1.4
>9.5
12GHz
N-02
MGF1423
－
12
3
80
－
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF1902
－
12
3
100
－
<4.0
>5
12GHz
N-02
MGF1903
－
12
3
80
－
<2
>8
12GHz
N-02
型号
用途
构造
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
2SK507
振荡用
结型
0.8
15
50
26
－
－
－
SOT-23
2SK508
振荡用
结型
0.8
15
50
26
－
－
－
SOT-23
2SK302
高放
MOS
0.2
20
30
14
1.7
28
100MHz
SOT-23
2SK238
GaAs微波中功率场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
MGF1601
Po=21dBm
12
12
250
90
－
8
8GHz
N-02
ATF10136
Po=20dBm
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
Po=20dBm
12
2
25
高放
结型
0.2
20
10
3.5
3.0
21
100MHz
SOT-23
2SK210
高放
结型
0.2
18
10
7.0
1.8
24
100MHz
SOT-23
2SK360
高放
MOS
0.2
20
12
14
2.0
30
100MHz
SOT-23
2SK168
高放
结型
0.2
30
20
10
1.7
27
100MHz
TO-92
2SK241
高放
MOS
0.2
20
30
10
1.7
28
100MHz
TO-92
2SK192
高放
结型
0.2
18
10
7
1.8
24
100MHz
TO-92
FHX06X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
ATF10136
超低噪声
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
超低噪声
12
2
25
－
0.8
13
4GHz
N-02
ATF20136
超低噪声
12
2
25
－
1.2
13
4GHz
N-02
SGM5102