电力电子总复习
电力电子技术复习总结
电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三局部组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的根本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发那么导通、反向电压那么截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_〔如何连接〕在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE〔th〕随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术复习总结(判断题答案)
电力电子技术复习一、选择题（每小题10分,共20分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°，B、60°，c、360°，D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
`A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变B的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30º-35º，B、10º-15º，C、0º-10º，D、0º。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCDA、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选B为最好。
A、=90º∽180º，B、=35º∽90º，C、=0º∽90º，8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U，B、V相换相时刻电压u V，C、等于u U+u V的一半即：9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择B。
10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变C的大小，可使直流电动机负载电压U d=0，使触发角α=90º。
达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
B、同步电压，B、控制电压，C、偏移调正电压。
最全的电力电子复习(有答案)
第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由主电路、驱动电路、控制电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L大于I H。
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM小于Ubo。
11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的阴极和门极在器件内并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而略有下降，开关速度低于电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲。
20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使基极驱动电流不进入放大区和饱和区。
电力电子技术复习资料
电力电子技术复习资料第一章 电力电子器件及驱动、保护电路1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术。
P12、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
P13、电力电子技术的主要功能：1）、整流与可控整流电路也称为交流/直流（AC/DC ）变换电路；2）、直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路；3）、逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路；4）、交流变换电路（AC/AC 变换）。
P14、电力电子器件的发展方向主要体现在：1）、大容量化；2）、高频化；3）、易驱动；4）、降低导通压降；5)、模块化；6）、功率集成化。
P25、电力电子器件特征：1）、能承受高压；2）、能过大电流；3）、工作在开关状态。
P46、电力电子器件分类：1)、不可控器件，代表：电力二极管；2）、半控型器件，代表：晶闸管；3）、全控型器件，代表：电力晶体管（GTR ）。
P57、按照加在电力电子器件控制端和公共端之间的驱动电路信号的性质又可以将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
P68、晶闸管电气符号。
P19、晶闸管关断条件：阴极电流小于维持电流；晶闸管导通条件：阳极加正压，门极加正压。
导通之后门极就失去控制。
P1110、晶闸管的主要参数（选管用）重复峰值电压——额定电压U Te ；晶闸管的通态平均电流I T(A V)——额定电流。
P1311、K f =电流平均值电流有效值===2)(πAV T T I I 1.57。
P14 12、根据器件内部载流载流子参与导电的种类不同，全控型器件又分为单极型、双极性和复合型三类。
P1713、门极可关断晶闸管（GTO ）具有耐压高、电流大等优点，同时又是全控型器件。
P1814、电力晶体管(GTR)具有自关断能力、控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。
P1915、GTR 发生二次击穿损坏，必须具备三个条件：高电压、大电流和持续时间。
电力电子复习知识点
电力电子复习资料一、简答题1、晶闸管导通和关断的条件是什么？解：晶闸管导通条件是：1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压；2）晶闸管门极和阴极之间必须加上适当的正向脉冲电压和电流。
在晶闸管导通后，门极就失去控制作用，欲使其关断，只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下，可采用阳极加反向电压、减小阳极电压或增大回路阻抗等方式。
2、有源逆变实现的条件是什么？（1）晶闸管的控制角大于90度，使整流器输出电压Ud为负（2）整流器直流侧有直流电动势，其极性必须和晶闸管导通方向一致，其幅值应大于变流器直流侧的平均电压3、什么是逆变失败，造成逆变失败的原因有哪些？如何防止逆变失败?4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点？答：按照逆变电路直流测电源性质分类，直流侧是电压源的称为逆变电路称为电压型逆变电路，直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变电路电压型逆变电路的主要特点是：①直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。
直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。
②由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。
而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
电流型逆变电路的主要特点是：①直流侧串联有大电感，相当于电流源。
直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。
②电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流侧输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。
而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电感起缓冲无功能量的作用。
因为反馈无功能量时直流电流并不反向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。
5、换流方式有哪几种？分别用于什么器件？6、画出GTO,GTR ,IGBT,MOSFET 四种电力电子器件的符号并标注各引脚名称7、单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的，两者的区别？答：区别在于是：1）、单相全波可控整流电路中变压器的二次绕组带中心抽头，结构复杂；2）、单相全波可控整流电路中只用2个晶闸管，比单相全控桥式可控整流电路少数民族个，相应地，晶闸管的门极驱动电路也少数民族个；但是在单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大电压为22U 2，是单相全控桥式整流电路的确倍；3）、单相全波可控整流电路中，导电回路只含1个晶闸管，比单相桥少1个，因而也少了一次管压降。
电力电子复习资料
一、填空题1.正弦脉冲宽度调制(SPWM)电路中，调制波为。
2.有源逆变电路中控制角α与逆变角β之间的关系应该是。
3 在电力电子器件中，有电流控制型器件，电压控制型器件，GTO为器件。
4. 晶闸管的导通条件是，，门极正偏，阳极电流大于维持电流 .5. 在PWM控制中，载波比为。
6. 电力电子器件的损耗主要有、断态损耗和开关损耗。
7.三相桥式全控整流电路中，同一相两个晶闸管的触发脉冲相位关系为。
8. PWM控制电路中，异步调制是。
9.单相全控桥式整流电路，纯电阻负载，脉冲的移相范围是。
10.直流斩波电路的三种控制方式为频率调制，和混合调制。
11.在交--交变频电路中，阻感负载。
在逻辑无环流情况下，哪组桥工作，由方向决定。
12. 三相半波整流电路的自然换相点（α=0o，触发脉冲始发点）是。
13. 无源逆变电路多重化的目的是。
14.电力电子电路中的换相方式主要有强迫换相，电网换相，器件换相，。
15.零电流开关是开关关断前迫使其降为零，则不会产生损耗和噪声。
二.简答题：（共4题，每题5分，计20分）1.什么是电压型逆变电路，有什么特点？2.试述单相交流调压电路与单相交流电力电子开关的异同。
3.有源逆变电路中，什么是逆变失败？原因是什么？（至少写出两种）3.画出IGBT关断缓冲吸收电路的原理图，并简述其过压保护原理。
三. 波形分析：1.单相全控桥式整流电路如下图所示，U2=100V，负载中R=1Ω，L极大，反电势E=60V，当α=30°时，作出ud ，id, i2,uVT1的波形；2.单相桥式矩形波逆变电路，RL负载，1800导电型，作出u G1u G4、u G2u G3、u o、i o波形。
四、分析计算题1.在下图所示的降压斩波电路中，已知E=100V，R=1Ω，L值极大，E M=30V，采用脉宽调制方式，当T=50μS，t on=30μS时①计算输出电压平均值U o 、输出电流平均值I o 。
电力电子技术总复习
电力电子技术总复习第一章绪论1、电子开关型电力电子变换有哪四种基本类型？2、第二章课本P6电力电子的应用：要知道是何种电力电子技术的应用。
第二章电力电子器件1、器件按控制方式分为：什么是半控器件？晶闸管是：它的派生类包括：什么是全控器件？它包括：全控器件中，开关频率最高的是：应用最广泛的是：大功率场合广泛应用的是：存在二次击穿现象的器件是：驱动功率小的器件是：2、器件按驱动方式分：SCR、GTR、GTO是：IGBT、MOSFET是：3、SCR在门极开路的情况下正向导通的原因是：在实际应用中为保证SCR的可靠导通脉冲宽度由那个参数决定？用万用表如何区分SCR的三个极？SCR门极所加最高电压、电流、或平均功率超过允许值时会发生：门极所加最高反向电压超过10V以上会造成：第三章整流电路1、什么是控制角？导通角？相位控制方式？2、阻性负载下单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路的移相范围为：阻感负载下为：3、三相桥式整流电路的共阴极组的三只管子脉冲互差：同一相的两个管子脉冲互差：管子的导通顺序为：每只管子工作多少度：4、掌握各种整流电路的计算公式：U d、I d I VT I TA V U FM I2掌握u d i d i vt1u vti的波形画法5、掌握三相桥式整流电路考虑变压器漏抗下的计算：ΔU d、I d U d6、单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路整流输出电压脉动次数分别为：如果脉动次数是12那么，输出电压的最低次谐波是：交流侧最低次谐波是：脉动次数越高，最低次谐波的次数就越，可使尺寸及体积减小。
7、整流电路多重化的主要目的是什么？如何实现？8、何为逆变失败？最小逆变角是：第四章逆变电路1、有源逆变和无源逆变电路有何不同？2、什么是换流？换流方式有哪些？各有何特点？3、什么是电压逆变型和电流逆变型电路？两者各有何特点？4、会画三相电压型桥式逆变电路的工作波形。
电力电子复习材料及答案解析
电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
2、电力变换通常可分为四大类，分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。
3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。
4、电力电子器件一般工作在开关状态，在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时你，功率损耗主要为开关损耗。
5、一个周期内，下列整流电路整流电压波形的脉动次数：单相半波可控电路脉动__1____次；单相全控桥式整流电路脉动__2____次；三相半波可控电路脉动____3__次；三相全控桥式整流电路脉动___6___次。
6、电压型三相逆变器，电路的基本工作方式是___180°__导电方式，任一瞬间，有___3_____个IGBT 同时导通；电流型三相逆变器，电路的基本工作方式是___120°__导电方式，任一瞬间，有____2____个IGBT同时导通。
7、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L＞ I H。
8、电力电子器件一般都工作在开关状态。
9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。
10、按照直流侧电源性质划分，逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。
11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。
12、当发射极电压等于____峰点电压__时，单结晶体管导通。
导通后，当发射极电压小于__谷点电压___时，单结晶体管关断。
13、晶闸管内部是四层半导体结构，它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。
14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。
15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式，外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。
16、IGBT是绝缘栅双极晶体管，是三端器件，三个电极分别是发射极、栅极、集电极。
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电力电子总复习2013.4一、电力电子器件1. 按可控性分：不可控-----功率二极管，用于工频整流的功率二极管也称为整流管，整流二极管属不控型器件，功率二极管在电力电子电路中的用途有整流．续流．能量反馈．隔离。
半控型-----晶闸管（SCR）．双向晶闸管电力电子器件。
全控型-----达林顿管、电力晶体管（GTR）．可关断晶闸管（GTO）．电力场效应晶体管（MOSFET）、绝缘柵双极型晶体管IGBT。
其中达林顿管、电力晶体管（GTR）、可关断晶闸管（GTO）属电流驱动型，电力场效应晶体管（MOSFET）、绝缘柵双极型晶体管IGBT属电压驱动型。
2. 晶闸管（SCR）（1）当晶闸管同时满足阳极和阴极之间加上正向电压．控制极加正向电压时，处于导通状态。
其他状态时晶闸管处于关断状态。
（2）当已导通的普通晶闸管满足阳极和阴极之间电流近似为零或小于维持电流、阳极和阴极之间加上反向电压．阳极和阴极之间电压为零时，晶闸管将被关断。
（3）在晶闸管的电流上升到其擎住电流后，去掉门极触发信号，晶闸管仍能维持导通。
（4）维持电流和擎住电流都表示使晶闸管维持导通的最小阳极电流，但它们应用的场合不同，分别用于判别晶闸管是否会被关断．是否能被触发导通。
（5）当晶闸管分别满足导通条件．关断条件时，可处于导通或阻断两种状态，可作为开关使用。
（6）晶闸管的额定电压是在正向重复峰值电压．反向重复峰值电压中取较小的一个。
若晶闸管正向重复峰值电压为500 V，反向重复峰值电压为700 V，则该晶闸管的额定电压是500V。
（7）若流过晶闸管的电流波形分别为全波、半波、导通角为1200或900的方波时，则其对应的电流波形系数分别为1.11．1.57．1.73．1.41。
（8）.将万用表置于R×l kΩ或R×10 kΩ挡，测量晶闸管阳极和阴极之间的正反向阻值时，原则上其值越大越好。
二、三相可控整流电路（一）、三相半波可控整流电路1. 电阻负载时，控制角α的移相范围为00～1500。
（1）在α<300其输出直流电压的波形是连续的、在每个周期中有相同形状的3个波头、导通角120°30°＜α≤150°波形断续不会出现瞬时负电压；导通角θ = 150°- α，在控制角为300、600及900时，导通角分别为1200．900．600。
（2）晶闸管承受的最大正向电压是1.414 U2，最大反向电压是2.45U2（3）若触发脉冲(单窄脉冲)加于自然换相点之前，则输出电压波出现缺相现象。
2. 电感负载时，控制角α的移相范围为00～900，其输出波形是连续的。
α＞30°会出现負电压，每只晶闸管的导通角为120°，最大正反向峰值电压2.45U2 (6U2)。
(1) 电感负载两端可接也可不接续流二极管，接续流二极管、提高输出电压平均值。
无续流二极管时输出U d = 1.17U2cosα，(2) 若变压器次级相电压为100V，当α＝60°时的输出电压为58.5V，相电压为200 V，输出电压为117V。
(3) 变压器二次相电压有效值为100 V，负载中流过的最大电流有效值为157 A，考虑2倍安全裕量，晶闸管应选择KP200—5 (500V200A)。
若次级相电压有效值为200V，晶闸管应选择KP200-10(1000V200A)。
(4) 三相半波可控整流电路的输出电压与变压器二次相电压．负载性质．控制角大小．是否接续流二极管等因素有关；晶闸管可能承受的最大反向电压与变压器一次电压幅值．变压器变比等因素有关。
3.共阳极接法的三相半波可控整流电路，其自然换相点的位置和共阴极接法时相差180°，即共阳极接法在ωt = 300，共阴极接法在ωt = 2100处。
(二)、三相桥式全控整流电路1．三相桥式全控整流电路可看做是共阴极接法的三相半波可控整流电路．共阳极接法的三相半波可控整流电路，2组三相半波电路是同时串联工作的。
2．三相桥式全控整流电路晶闸管的导通规律为每隔600换相一次，每个管子导通1200．同一相中两个管子的触发脉冲相隔1800．同一组中相邻两个管子的触发脉冲相隔1200。
3．三相全控桥式整流电路带电阻性负载，控制角α≤600时，其输出直流电压平均值U d =2.34U 2cos α， 控制角α>600时，其输出直流电压平均值U d =2.34U 2〔1+cos(600+α)〕，其移相范围是00～1200； 带大电感负载，U d =2.34U 2cos α，其移相范围是00～900。
4．三相全控桥式整流电路带大电感负载，已知U 2 = 200 V ，R d =5 Ω，则流过负载的最大电流平均值为93.6A ，若R d =10Ω，则流过负载的最大电流平均值为 46.8A 。
5．三相全控桥式整流电路带大电感负载(无续流二极管)，当负载上的电流平均值为I d 时，流过每个晶闸管的电流有效值及平均值为I T =31I d = 0.577I d ．I dT = 31I d = 0.333I d 。
6．三相桥式全控整流电路晶闸管应采用单宽脉冲．双窄脉冲触发。
不能采用单窄脉冲方式(三)、三相半控桥式整流电路1. 三相桥式半控整流电路，带电阻性负载，一般都由三个二极管和三个晶闸管组成。
带大电感负载由三个晶闸管．四个二极管组成。
共阴极组晶闸管的触发脉冲之间的相位差为1200 ，所以U g3与U g5之间及U g1与U g5之间的相位差分别为1200．2400。
2．移相范围是00～1800。
U d =1.17U 2(1+cos α)，其输出电压最大值及最小值时，对应的控制角是00．1800。
3．当控制角α= 00时，输出平均电压为234 V ，则 变压器二次电压有效值U 2为100 V 。
α为600时，输出平均电压分别为175.5 V 。
4．电阻负载，每个晶闸管流过的平均电流是负载电流的1／3。
带电感负载，每个晶闸管流过的平均电流是负载电流的1／3或不到1／3。
5．带电感负载的三相桥式半控整流电路(接有续流二极管)，当控制角α分别为300和900时，每个晶闸管流过的平均电流分别是负载电流的1／3．1／4。
(四)、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路1. 带平衡电抗器的三相双反星形可控整流电路中，平衡电抗器的作用是使两组三相半波可控整流电路以1800相位差相并联同时工作．降低晶闸管电流的波形系数使得可选用额定电流较小的晶闸管。
6个晶闸管按其序号依次滞后600被触发导通．每个晶闸管导通120°，任何时刻都有2个晶闸管同时导通。
2．带平衡电抗器的三相双反星形可控整流电路中，每个晶闸管流过的电流平均值及有效值分别是负载电流平均值的0.167（1／6）．0.289。
3．在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中不存在直流磁化问题。
输出电压与三相半波可控整流电路相比，脉动减小．每周期中波头数增加．平均值不变。
(五)、換相压降、外特性和晶闸管保护1．变压器存在漏抗是整流电路中换相压降产生的原因，输出电压波形中出现缺口．平均值降低。
2．整流电路在换流过程中，两个相邻相的晶闸管同时导通的时间用电角度表示称为换相重叠角3．相控整流电路对直流负载来说是一个带内阻的．可变(可调节的)．直流电源。
4．晶闸管可控整流电路承受的过电压为关断(換相)过电压、交流侧过电压(操作过电压．浪涌过电压)与直流侧过电压等几种。
(1) 晶闸管装置常采用的过电压保护有压敏电阻．硒堆．阻容吸收。
(2) 晶闸管装置常用的过电流保护措施有直流快速开关．快速熔断器．电流检测和脉冲移相限流．过电流继电器。
(3) 可控整流电路中用快速熔断器对晶闸管进行保护，若快速熔断器的额定电流为I RD ，晶闸管的额定电流为I T(A V)，流过晶闸管电流的有效值为I T ，则应按I T < I RD <1.57 I T(A V)的关系来选择快速熔断器，快速熔断器可安装在直流侧．交流侧．桥臂上与晶闸管串联。
5. 电压和电流上升率限止(1) 造成晶闸管误导通的主要原因有干扰信号加于控制极，加到晶闸管阳极上的电压上升率过大。
(2) 通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，三、晶闸管触发电路1．为保证晶闸管装置能正常可靠地工作，触发电路应满足触发信号应具有足够的功率．触发脉冲应有一定的宽度．触发脉冲前沿应陡峭．触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步．触发脉冲应满足一定的移相范围要求等要求。
2．常用的晶闸管触发电路按同步信号的形式不同，分为正弦波．锯齿波触发电路。
3．晶闸管触发电路一般由同步移相．脉冲形成．脉冲放大输出等基本环节组成。
4．在晶闸管触发电路中，直接与直流控制电压进行叠加实现脉冲移相的是同步信号。
同步信号与同步电压有密不可分的关系．同步信号是由同步电压进行变换而产生的，二者不是同一个概念。
5．采用正弦波同步触发电路的可控整流装置具有可看成一个线性放大器．可实际使用的移相范围达1500．能对电网电压波动的影响自动进行调节．同步电压易受电网电压波形畸变的影响等优缺点。
6．同步信号为锯齿波的晶体管触发电路，以锯齿波为基准．串人直流控制电压的方法实现晶闸管触发脉冲的移相，锯齿波同步触发电路具有强触发．双脉冲．脉冲封锁等辅助环节。
7．用TC787集成触发器组成的六路双脉冲触发电路具有在Pi端口．高电平有效的脉冲封锁功能。
8．在大功率晶闸管触发电路中，常采用脉冲列式触发器，其目的是减小触发电源功率．减小脉冲变压器的体积．提高脉冲前沿陡度。
9．晶闸管整流电路中“同步”的概念是指触发脉冲与主回路电源电压在频率和相位上具有相互协调配合的关系(频率的一致性．相适应的相位)。
电路中通常采用主电路与触发电路并配合使用同一电网电源．同步变压器采取不同的接线组别．阻容移相的方法来实现同步。
10．触发电路中脉冲变压器的作用是阻抗匹配，降低脉冲电压增大输出电流．电气上隔离．可改变脉冲正负极性．必要时可同时送出两组独立脉冲。
11．防止整流电路中晶闸管被误触发的措施有门极导线用金属屏蔽线．脉冲变压器尽量靠近主电路，以缩短门极走线．触发器电源采用RC滤波以消除电网高频干扰．同步变压器及触发器电源采用静电屏蔽．门极与阴极之间并接0.01～0.1μF小电容等。
四、晶闸管有源逆变和变频1．实现有源逆变的条件是直流侧必须外接与直流电流I d同方向的直流电源E. │E│>│U d│．α> 900（输出负的直流电压）。
2．在分析晶闸管三相变流电路的波形时，控制角的大小是按下述不论是整流电路还是逆变电路，都是从自然换相点开始向右计算方法计算的或控制角及逆变角的大小是按下述α从自然换相点开始开始向右计算．β从距自然换相点1800处开始向左计算方法计算的。