DK5V45R20同步整流芯片规格书V1

DSS36二极管规格书(常州星海)

DSS32 THRU DSS310 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 3.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.0007 ounce, 0.02 grams FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension DSS32D32SYMBOLS UNITS DSS310 D310 201420V RRM V RMS V DC I (AV)I FSM V F 3.080.0 0.70Operating junction temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C I R 0.5 T J T STG Storage temperature range DSS33D33DSS35D35DSS34D34DSS36D36DSS38D38DSS37D37DSS39 D3******* 40284050355060426080568010070100 704970906390VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts C mA C -65 to +150 -65 to +125 -65 to +150 20.010.00.55 0.850.52SOD-123FL Dimensions in millimeters

软件需求规格说明书-模板

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目录 1 引言 (5) 1.1 目的与范围 (5) 1.2 预期的读者 (5) 1.3 系统的范围 (5) 1.4 参考资料 (5) 1.5 术语、缩写词 (6) 2 当前系统 (6) 2.1 当前系统概述 (6) 2.2 当前系统存在的问题................................... 错误！未定义书签。 3 建议的系统 .............................................................. 错误！未定义书签。 3.1 建议系统概述......................................... 错误！未定义书签。 3.2 功能性需求概述....................................... 错误！未定义书签。 3.3 非功能性需求......................................... 错误！未定义书签。 3.3.1 用户界面与人员因素............................ 错误！未定义书签。 3.3.2 硬件考虑..................................... 错误！未定义书签。 3.3.3 性能特征..................................... 错误！未定义书签。 3.3.4 错误处理与极端情况............................ 错误！未定义书签。 3.3.5 系统接口..................................... 错误！未定义书签。 3.3.6 质量要求..................................... 错误！未定义书签。 3.3.7 物理环境..................................... 错误！未定义书签。 3.3.8 安全问题..................................... 错误！未定义书签。 3.3.9 资源问题..................................... 错误！未定义书签。 3.4 系统变更............................................. 错误！未定义书签。 3.5 约束( Constraints ) ................................................................................. 错误！未定义书签。 3.6 系统模型............................................. 错误！未定义书签。 3.6.1 用例模型 (6) 3.6.2 对象模型..................................... 错误！未定义书签。 4 附录 .................................................................... 错误！未定义书签。 4.1 NEMA 0183 格式简介 ................................... 错误！未定义书签。

同步整流技术分享

江苏宏微科技股份有限公司 Power for the Better
同步整流技术及主要拓扑电路
宏微科技市场部
2015-9-16

Contents
? 同步整流电路概述 ? 典型电路及其特点 ? 损耗分析 ? 同步整流电路中常见问题 ? MOSFET选型设计参考
Power for the Better
1 CONFIDENTIAL
力
求
更
好

Contents
? 同步整流技术概述 ? 典型电路及其特点 ? 损耗分析 ? 同步整流电路中常见问题 ? MOSFET选型设计参考
Power for the Better
2 CONFIDENTIAL
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同步整流技术概述
由于中低压MOSFET具有很小的导通电阻，在有电流通过时产生的电压降很 小，可以替代二极管作为整流器件，可以提高变换器的效率。
diode
MOSFET
MOSFET作整流器时，栅源极间电压必须与被整流电压的相位保持同步关系才 能完成整流功能，故称同步整流技术。 MOSFET是电压控制型开关器件，且没有反向阻断能力，必须在其栅-源之 间加上驱动电压来控制器漏-源极之间的导通和关断。这是同步整流设计的难 点和重点。 根据其控制方式，同步整流的驱动电路分为 ?自驱动方式； ? 独立控制电路他驱方式； ? 部分自驱+部分他驱方式结合；
Power for the Better
3 CONFIDENTIAL
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LED产品规格书

珠海市宏科光电子有限公司
产品规格书
样品单号：XY1704008
客户名称: 产品型号: HK-XB002ST12E-30(E2)
地址：珠海市金鼎镇拱星路 102 号 电话：+86-756-3382828/3810386 E-mail:sales@https://www.360docs.net/doc/1911243717.html, 传真：+86-756-3380859 https://www.360docs.net/doc/1911243717.html,
1

珠海市宏科光电子有限公司
■ 产品特点 1、可自由搭配和组合，组装方便 2、可靠性高，无闪灯，无斑块 3、高显指高光效，低热阻 4、散热好寿命长 5、节能环保
■ 产品应用 主要应用于 LED 射灯、LED 筒灯、LED 轨道灯、LED 舞台灯、LED 球泡灯、 LED 景观灯等家居及高空照明场所.
宏科 COB 光源是一款革命性、高效能，使用安装方便，降低灯具安装成 本、性能稳定的光源。COB 光源具有低运行温度、提高产品功率密度和可靠 性，延长光源使用寿命。为中功率集成封装低热阻,具有高光通量，高显色 性，高光效利用率等特性。
2

珠海市宏科光电子有限公司
■ 产品命名规则
产品系列：XB Series 承认日期：2018.05.04 版 本：1.0Page B 002 S T 12 E 30 (E2)
HK - X
注：1、显指代码 CIR
B:70 以下
C=70
E=80
G=90
H=95
2、色温代码: 27=2700K 30=3000K
40=4000K ……
3、发光颜色: W:白色(5000K 以上), N:中性白(3800K-5000K), S:暖白(3800K 以下) 4、封装工艺: B:常规耐温工艺 P:快速热疏通工艺 T:超高耐温工艺 C.专属光色工艺
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BAT54WS贴片肖特基二极管规格书

BAT54WS SCHOTTKY DIODE Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case Marking : L9 FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS 21100200300600200625125 -65 to +150 30 Low forward voltage drop Fast switching time Surface mount package ideally suited for automatic insertion Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @T A =25C SYMBOLS UNITS V R DC Blocking voltage Average rectified output current Forward continuous current Repetitive peak forward current Forward surge current Power dissipation Termal resistance,junction to ambient air Junction temperature Storage temperature Non-Repetitive peak reverse voltage R ΘJA T j T STG LIMITS I FRM Pd A =25C PARAMETER I FSM I FM V RM I O V mA mA mA mA mW K/W C C V SOD-323 Dimensions in millimeters and (inches)

档案管理系统业务需求规格书

档案管理系统业务需求规格书2.1.1.2实体分类配置

2.1.1.3档案库配置

2.1.1.4数据字典配置

2.1.2流程管理 2.1.2.1文书档案 ?移交工作流程 文员（申请）---本部门领导（审批）---综合档案管理员（审批） 具体说明如下： 1、OA系统定时推送文书档案到档案管理系统文书档案收集库。 2、各部门收发文文员对本部门文件应于次年3月份前在档案管理系统中提起移交申请， 由本部门领导进行审批，审批通过后由档案馆综合档案管理员进行审批。 3、审批通过后各部门文员带着纸质档案去档案馆，综合档案管理员根据移交的电子档 案检查纸质档案，无误后打印移交清单，并在移交清单上双方手工签字，档案馆接 收纸质档案。 4、纸质档案移交过程不在系统中体现。 5、对于没有人移交的电子条目数据，由综合档案管理员自行从收集库移交到整理库。?鉴定销毁审批流程 档案管理员（申请）---鉴定小组（审批）---综合档案管理员（销毁） 具体说明如下：

档案管理员提交申请到鉴定小组进行审批，鉴定小组所有人员审批通过后再提交到综合部领导进行审批，审批通过后销毁人进行销毁。 鉴定小组成员包括：办公室主任、文件所属部门的负责人、分管总经理等。 ?电子借阅审批流程 借阅人（申请）--借阅人部门领导（审批）--综合档案管理员（审批） 备注：对于综合档案管理员决定不下的借阅由综合档案管理员根据实际情况提请档案主管或其他领导审批，对于其他的档案借阅综合档案管理员可直接审批。 ?实体借阅审批流程 借阅人（申请）--借阅人部门领导（审批）--综合档案管理员（审批） 备注：对于综合档案管理员决定不下的借阅由综合档案管理员根据实际情况提请档案主管或其他领导审批，对于其他的档案借阅综合档案管理员可直接审批。 2.1.2.2合同档案 ?移交工作流程 合同管理员（申请）---本部门领导（审批）---综合档案管理员（审批） 具体说明如下： 1、合同系统定时推送合同档案到档案管理系统合同档案收集库。 2、合同管理员对合同文件应于次年3月份前在档案管理系统中提起移交申请，由本部 门领导进行审批，审批通过后由档案馆综合档案管理员进行审批。 3、审批通过后合同管理员带着纸质档案去档案馆，综合档案管理员根据移交的电子档 案检查纸质档案，无误后打印移交清单，并在移交清单上双方手工签字，档案馆接收纸质档案。 4、纸质档案移交过程不在系统中体现。 5、对于没有人移交的电子条目数据，由综合档案管理员自行从收集库移交到整理库。?鉴定销毁审批流程 档案管理员（申请）---鉴定小组（审批）---综合档案管理员（销毁） 具体说明如下： 档案管理员提交申请到鉴定小组进行审批，鉴定小组所有人员审批通过后再提交到综合部领导进行审批，审批通过后销毁人进行销毁。 鉴定小组成员包括：办公室主任、文件所属部门的负责人、分管总经理等。 ?电子借阅审批流程 借阅人（申请）--借阅人部门领导（审批）--综合档案管理员（审批）

半桥同步整流设计报告

\ 半桥倍流同步整流电源的设计 摘要：现如今，微处理器要求更低的供电电压，以降低功耗，这就要求供电系 统能提供更大的输出电流，低压大电流技术越发引起人们的广泛关注。本电源系统以对称半桥为主要拓扑，结合倍流整流和同步整流的结构，并且使用MSP430单片机控制和采样显示，实现了5V，15A大电流的供电系统。效率较高，输出纹波小。 关键词：对称半桥，倍流整流，同步整流，SG3525 一、方案论证与比较 1 电源变换拓扑方案论证 方案一：（如下图）此电路为传统的半桥拓扑。由于MOS管只承受一倍电源电压，而不像单端类的承受两倍电源电压，且较之全桥拓扑少了两个昂贵的MOS 管，因此得到很大的应用。但在低压大电流的设计中，输出整流管的损耗无疑会大大降低效率，而且电感的设计也会变得困难，因此不适合大电流的设计。 方案二：传统半桥+同步整流。将上图半桥的输出整流管改为低导通内阻的MOSFET。如此可大大减小输出整流的损耗，提高效率。比较适合大电流的整流方案，但变压器的绕制和电感的设计较麻烦。 方案三：（如下图）半桥倍流同步整流。倍流整流很早就被人提出，它的特点是变压器输出没有中心抽头，这就大大简化了变压器的设计，并且提高了变压器的利用率。而流过变压器和输出电感的电流仅有输出电流的一半，这使得变压器和电感的制作变得简单。并且由波形分析可以知道，输出电流的纹波是互相抵消的。该电路的不足是电路时序有要求，控制稍显复杂。由上分析我们选择方案三。 2 控制方案选择 方案一：由于控制芯片SG3525输出两路互补对称的PWM信号，则可将控制信号做如下设置（如下图）。 将驱动Q1的信号与Q4同步起来，Q2和Q3的信号同步，则可以实现倍流同步整流的时序同步，方案简单易行，但由于SG3525在输出较小占空比时有较大的死区，则输出MOSFET的续流二极管会产生较大的损耗。 方案二：。。。。。反激变换。。。。将SG3525的驱动信号反向后送入输出整流MOS 管，如此可以极大的减少低占空比时的损耗，且仅需一对反向驱动，故选用方案

LED投光灯规格书技术参数

LED 投光灯规格书 客户代码: 品名: LED 150W投光灯 规格: L425 * W325 * H190 mm 送样日期: 2014年6月30日 本厂型号: HTG06150 档案号: 送样数量: 承认书份数: 1份 一.产品材质： 高纯度铝制反射器，灯壳及散热体；高强度钢化玻璃罩；大功率LED 光源；搭配高效率恒流电源. 二.适用场所： 主要用于户外投光照明、建筑物外墙、港口码头等，户外广告。厂区、体育馆、停车场、广场、码头、工地、广告牌、桥梁、江河堤岸、园林、景观、庭院、草坪、池塘以及其他夜景亮化、照明的场所。 三、特点： 1.采用集成大功率LED（50W）作为光源。运用独特的多颗芯片集成式单模组光源设计，选用进口高亮度半 导体晶片。 2.散热器与灯壳一体化设计，LED 直接与外壳紧密相接，通过外壳散热翼与空气对流散热，充分保证了LED 灯的使用寿命。 3.灯壳采用铝合金压铸成型，可以有效的散热和防水、防尘。灯具表面进行了耐紫外线抗腐蚀处理，整体 灯具达到P65 标准。 4.采用单体椭圆反射腔配合球状弧面来设计，针对性地将LED 发出的光控制在需要的范围内，提高了灯具 出光效果的均匀性和光能的利用率，更能凸显LED泛光灯节能优点。与传统的纳灯相比，可节电70%以上. 5.无不良眩光、无频闪。消除了普通灯不良眩光引起的刺眼、视觉疲劳与视线干扰。 6.启动无延时，通电即亮，无需等待，消除了传统灯具长时间的启动过程。 7.绿色环保无污染，不含铅、汞等污染元素，对环境没有任何污染。

四、投光灯技术参数 五、使用说明 1.产品使用工作电压：AC 85V～265V 50/60Hz。勿超出工作电压范围。 2.贮存环境温度-50℃～+50℃.工作环境温度：-40℃～+50C℃，最佳工作环境温度为-0℃～+30℃。 3.由于灯具有玻璃配件，在搬运，贮存的时候请注意轻拿轻放，勿重压。

威世二极管规格书

SMBJ5.0 thru SMBJ188CA Vishay General Semiconductor Document Number: 88392For technical questions within your region, please contact one of the following:https://www.360docs.net/doc/1911243717.html, Surface Mount T RANS Z ORB ? Transient Voltage Suppressors FEATURES ?Low profile package ?Ideal for automated placement ?Glass passivated chip junction ? ?cycle): 0.01 % ?Excellent clamping capability ?Very fast response time ?Low incremental surge resistance ?Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ?Solder dip 260 °C, 40 s ?Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer, computer, industrial, automotive and telecommunication. MECHANICAL DATA Case: DO-214AA (SMBJ) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/automotive grade (AEC Q101 qualified) Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3suffix meets JESD 201 class 2 whisker test Polarity: For uni-directional types the band denotes cathode end, no marking on bi-directional types DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS For bi-directional devices use C or CA suffix (e.g. SMBJ10CA). Electrical characteristics apply in both directions. PRIMARY CHARACTERISTICS V WM 5.0 V to 188 V P PPM 600 W I FSM (uni-directional only) 100 A T J max. 150 °C DO-214AA (SMB J-Bend) Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T A = 25 °C per Fig. 2(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform (1)(2) (Fig. 1) P PPM 600 W Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform (1) I PPM See next table A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2) I FSM 100 A Operating junction and storage temperature range T J , T STG - 55 to + 150 °C

管理信息系统需求分析说明书模板

管理信息系统系统 需求分析说明书 文档名称：管理信息系统需求分析说明书 文档编号：AICBS-SAS-子系统模块名-0 版本号：0.0.0 建立日期：2004年xx月xx日 电子版名：需求分析说明书.doc Confidential（机密） 共页

文档修改记录 序号日期版本修改内容说明修改原因作者1 2004 年xx 月0.0.0 新建新建 xx 日

目录 1 引言 (4) 1.1 编写目的 (4) 1.2 背景介绍 (4) 1.3 术语定义 (4) 1.4 参考资料 (4) 2 总体描述 (5) 2.1 系统目标 (5) 2.2 运行环境 (5) 2.3 用户特点 (5) 2.4 系统约束 (6) 3 业务功能需求 (6) 3.1 功能需求 1 (6) 3.1.1 业务定义 (6) 3.1.2 数据信息 (6) 3.1.3 业务流程 (6) 3.1.4 功能要求 (6) 3.1.5 业务实例 (6) 3.1.6 特点(feature) (7) 3.1.7 特殊要求 (7) 3.2 功能需求 2 (7) 3.3 功能需求 3 (7) 3.4 功能需求 4 (7) 4 系统接口需求 (7) 4.1 用户界面 (7) 4.2 各子系统接口需求 (8) 4.3 与其他的接口需求 (8) 5 系统管理需求 (8) 5.1 性能需求 (8) 5.2 安全性需求 (8) 5.3 应用监控需求 (9) 5.4 可靠性需求 (9) 5.5 可扩展性 (9) 5.6 灵活性与可配置性 (9)

1引言 1.1 编写目的 说明编写本软件需求文档的目的,指出预期的读者。 1.2 背景介绍 说明： A．待开发的软件系统的名称； B．本项目的任务提出者、用户及实现该软件的计算中心或计算机网络； C．该软件系统同其他系统或其他机构的基本的相互来往关系。 1.3 术语定义 简要说明本文中涉及的专门术语、容易引起歧义的概念、关键词缩写、外文首字母组词的原词组及其他需要解释的内容。 1.4 参考资料 用列表的形式列出用得着的参考资料，如： 1. 本项目的经核准的计划任务书或合同、上级机关的批文； 2. 属于本项目的其他已发表的文件； 3. 本文件中各处引用的文件、资料，包括所需用到的软件开发标准．列出这些文件 资料的标题、文件编号、发表日期和出版单位，说明能够得到这些文件资料的来 源．

MEMORY存储芯片STM32F103C8T6中文规格书

Features ?ARM? 32-bit Cortex?-M3 CPU Core –72 MHz maximum frequency, 1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) performance at 0 wait state memory access –Single-cycle multiplication and hardware division ?Memories –64 or 128 Kbytes of Flash memory –20 Kbytes of SRAM ?Clock, reset and supply management – 2.0 to 3.6 V application supply and I/Os –POR, PDR, and programmable voltage detector (PVD) –4-to-16 MHz crystal oscillator –Internal 8 MHz factory-trimmed RC –Internal 40 kHz RC –PLL for CPU clock –32 kHz oscillator for RTC with calibration ?Low-power –Sleep, Stop and Standby modes –V BAT supply for RTC and backup registers ? 2 x 12-bit, 1 μs A/D converters (up to 16 channels) –Conversion range: 0 to 3.6 V –Dual-sample and hold capability –Temperature sensor ?DMA –7-channel DMA controller –Peripherals supported: timers, ADC, SPIs, I2Cs and USARTs ?Up to 80 fast I/O ports –26/37/51/80 I/Os, all mappable on 16 external interrupt vectors and almost all 5 V-tolerant ?Debug mode –Serial wire debug (SWD) & JTAG interfaces ?7 timers –Three 16-bit timers, each with up to 4 IC/OC/PWM or pulse counter and quadrature (incremental) encoder input –16-bit, motor control PWM timer with dead-time generation and emergency stop – 2 watchdog timers (Independent and Window) –SysTick timer 24-bit downcounter ?Up to 9 communication interfaces –Up to 2 x I2C interfaces (SMBus/PMBus) –Up to 3 USARTs (ISO 7816 interface, LIN, IrDA capability, modem control) –Up to 2 SPIs (18 Mbit/s) –CAN interface (2.0B Active) –USB 2.0 full-speed interface ?CRC calculation unit, 96-bit unique ID ?Packages are ECOPACK? Table 1. Device summary Reference Part number STM32F103x8 STM32F103C8, STM32F103R8 STM32F103V8, STM32F103T8 STM32F103xB STM32F103RB STM32F103VB, STM32F103CB, STM32F103TB 找Memory、FPGA、二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、滤波器， 上深圳市美光存储技术有限公司 August 2015

ES1JL二极管规格书(常州星海)

SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 600 Volts Forward Current - 1.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.0007 ounce, 0.02 grams Glass passivated device Ideal for surface mouted applications FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS ES1BL SYMBOLS UNITS Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 260 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension Low reverse leakage 10070100400280400150105150600420600 VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts V RRM V RMS V DC I (AV) I FSM V F 1.0 25.0 1.25 Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C I R 5.0100.0A μRatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. ES1AL THRU ES1JL ES1CL ES1DL ES1EL ES1JL EB EC ED EE EJ EG ES1GL Maximum reverse recovery time (NOTE 1)Typical junction capacitance (NOTE 2) C J pF ELECTRONICS CO.,LTD. STAR SEA Operating junction and storage temperature range Note:R θJA T J ,T STG 8510-55 to +150 C Typical thermal resistance (NOTE 3)K/W 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.1.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A. 3.PCB mounted on 0.2*0.2" (5.0*5.0mm) coppeer pad area. 35ns 503550EA ES1AL trr 200140200 3002103000.95 1.7 SOD-123FL Dimensions in millimeters

发光二极管产品规格书(精)

发光二极管产品规格书 发光二极管产品规格书 型号 : H2B01ARD04 注意谨防静电! 制作核准顾客 Page 1 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.360docs.net/doc/1911243717.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 产品特征 直径为3mm圆型 高亮红色,低功耗 外观为有色散射 产品应用 各类仪表指示光源 小区域 产品外型图 注: 所有的尺寸单位为毫米(mm),公差为 0.20mm 产品指南 光强Iv(mcd)@20mA 型号发光颜色芯片材料胶体颜色 Min. Typ. Max. 半功率角度 2θ1/2 H2B01ARD04 红色 ALGaAs 有色散射 40 60 --- 60 注: 中心轴亮度50%时单边的发光角度为θ1/2, 2θ1/2=θ1/2+θ1/2 Page 2 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.360docs.net/doc/1911243717.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 最大限度性能参数(Ta=25℃) 项目符号最大限度单位 功率消耗 PD 80 mW 峰值正向电流 1/10占空比 0.1ms 脉宽 IFP 100 mA 正向电流 IF 20 mA 反向电压 VR 5 V 工作温度 Topr -25℃～+80℃ 储存温度 Tstg -25℃～+100℃ 焊接温度Tsol 260℃下5秒

同步整流技术总结

同步整流总结 1概述 近年来，为了适应微处理器的发展，模块电源的发展呈现两个明显的发展趋势：低 压和快速动态响应，在过去的10年中，模块电源大大改善了分布式供电系统的面貌。即使是在对成本敏感器件如线路卡，单板安装，模块电源也提供了诱人的解决方案。然而，高速处理器持续降低的工作电压需要一个全新的，适应未来的电压方案，尤其考虑到肖特级二极管整流模块不能令人满意的效率。同步整流电路正是为了适应低压输出要求应运而生的。由于一般的肖特基二极管的正向压降为0.3V以上，在低压输出时模块的效率 就不能做的很高，有资料表明采用肖特基二极管的隔离式DC-DC模块电源的效率可以 按照下式进行估算： V out V out (0.1 V out V cu V f) 0.1 V out—原边和控制电路损耗 V cu —印制板的线路损耗 V f —整流管导通压降损耗 我们假设采用0.4V的肖特基整流二极管，印制板的线路损耗为0.1V，则1.8V的模 块最大的估算效率为 72%。这意味着28%的能量被模块内部损耗了。其中由于二极管导通压降造成的损耗占了约15%。随着半导体工艺的发展，低压功率MOS管的的有着越 来越小的通态电阻，越来越低的开关损耗，现在IR公司最新的技术可以制作30V/2.5m Q的MOS管，在电流为15A时，导通压降为0.0375,比采用肖特基二极管低了一个数量级。所以近年来对同步整流电路的研究已经引起了人们的极大关注。在中大功率低压输出的DC-DC变换器的产品开发中，采用低压功率MOSFET替代肖特基二极管的方案 得到了广泛的认同。今天，采用同步整流技术的ON-BOARD 模块已经广泛应用于通讯 的所有领域。 2同步整流电路的工作原理 图1采用同步整流的正激电路示意图(无复位绕组)

100V 同步整流芯片ZCC6709C

快速关断智能型整流器概述 ZCC6709C是一个模拟低压降二极管集成电路，内置一个MOS开关管，取代在高效率反激电压转换器中的肖特基二极管。该芯片将外部同步整流器(SR) MOSFET 的正向压降控制在40mV左右，当电压为负时立即将其关闭。在低输出电压电池充电或高边整流的应用中ZCC6709C可以为自己产生供电电压。可编程的振铃检测电路，防止ZCC6709C在DCM和准谐振工作期间的错误开启。 特点 ●可低至0V的宽输出电压范围工作 ●无辅助线圈低输出整流下自供电工作。 ●逻辑电平SR MOSFETS方式工作。 ●符合能源之星1W待机的要求。 ●快速关闭和打开延迟时间。 ●静态电流。 ●支持DCM, Quasi-Resonant 和CCM 工作方式。 ●支持高边和底边整流。 ●典型笔记本适配器中电能节约达1.5W。 ●SOP8封装 应用 ● 工业电力系统。 ●分散电力系统。 ●电池电力系统。 ●反激式电源变换器。

快速关断智能型整流器典型应用 封装形式 极限值 VDD to VSS ........................................................................... –0.3V to +14V VD to Vss .................................................................. .... ..... –1V to + 80V HVC to VSS ................................................................... .... ..–1V to + 80V SLEW to VSS ..................................................................... –0.3V to +6.5V 连续功率损耗(TA = +25°C) 结温................................. ....... ........................ 150°C 引脚温度(焊接) ............................................... 260°C

DSR1M二极管规格书(常州星海)

SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : S olderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.006 ounce, 0.02 grams Glass passivated device Ideal for surface mouted applications FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension Low reverse leakage Note: 3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted ELECTRONICS CO.,LTD. LING JIE STAR SEA Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. DSR1A THRU DSR1M 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 1.Averaged over any 20ms period. DSR1B SYMBOLS 10070100400280400200140200 600420600800560800 V RRM V RMS V DC I (AV) I FSM V F 1.0 25.01.1Operating junction and storage temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current at T A =65 C (NOTE 1) Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =125 C Typical junction capacitance (NOTE 2)I R 10.050.0R θJA C J T J ,T STG 1804-55 to +150 Typical thermal resistance (NOTE 3) UNITS VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts pF C A μK/W DSR1D DSR1G DSR1J DSR1K S1B S1D S1G S1J S1K T L =25 C 503550S1A DSR1A 10007001000 DSR1M S1M SOD-123FL Dimensions in millimeters