2019华南理工模拟电子技术平时作业答案-

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《模拟电子技术基础》平时作业-华南理工大学网络教育

《模拟电子技术基础》平时作业-华南理工大学网络教育

2020年下半年度模拟电子技术基础作业1.集成运算放大器的基本组成有哪几个部分?并详细介绍各部功能及主要作用。

答:由输入级、中间级、输出级三部分组成。

作用如下: 输入级:采用差分放大电路以消除零点漂移和抑制干扰。

中间级:一般采用共发射极电路,以获得足够高的电压增益。

输出级:一般采用互补对称功放电路,以输出足够大的电压和电流,其输出电阻小,负载能力强。

2.测得放大电路中两个三极管中的两个电极的电流如图1试求:①另外一个电极电流的大小,并确定各电极的管脚。

②判断是NPN 型管还是PNP 型管。

③估算β值。

解:根据三极管电流关系I E = I C +I B ,I E >I C >>I B I E ≈I C ;确定①脚是基极;②脚是发射极, ③脚是集电极I E= I C +I B=1.86+0.03=1.89mA 发射极电流方向是流出。

根据管脚电流与方向确定NPN 型管Β= I C / I B =1.86/0.03=61图1 三极管管脚示意图3电路如图2所示,参数选择合理,若要满足振荡的相应条件, (1)将其正确连接成RC 桥式振荡电路。

(2)已知电路参数R=7.5K Ω,C 1=C 2=0.02μF,R 2=50 K Ω,估算振荡频率。

(3)已知电路参数R 2=50 K Ω,为保证电路起振,电阻R 1如何选取?解:5与7相连,3与1相连,4与2 相连,可组成RC 桥式振荡电路。

如图所示:(2)f o =2πRC =2×3.14×7.5×103×0.02×10−6=10.942×10−3≈1.06KHz(3)根据RC 桥式振荡电路的起振条件R 2>2R 1 50>2R 1 25KΩ>R 1图2 振荡器电路图。

《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)

《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)

诚信应考,考试作弊将带来严重后果!华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚;2. 闭卷考试;所有题均直接答在试卷纸上;选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每小题2分,共20分) .二极管D 的正偏电压D 0.62V U =,电流D 1mA I =,其交流电阻d r = ( )。

A .620ΩB .13ΩC .26ΩD .310Ω.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。

A .抑制温漂B .增大放大倍数C .展宽频带D .降低输出电阻 .已知图1所示电路中 V CC =12V ,R c =3kΩ,静态管压降 CEQ =6 V ;输出端负载电阻 R L =3 kΩ,若发现电路输出电( )。

A .R W 减小 B .R c 减小C .V CC 减小D .R b 减小.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ,将使电路的( )。

A .差模放大倍数增大B .对共模信号抑制能力增强C .差模输入电阻增大D .输出电阻降低.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放( ) 。

A .耦合电容和旁路电容的存在B .半导体管极间电容和分布电容的存在。

C .半导体管的非线性特性D .放大电路的静态工作点不合适图16.欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入 ( )。

A .电压串联负反馈B .电压并联负反馈C .电流串联负反馈D .电流并联负反馈7.欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用( );将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。

A .积分运算电路B .微分运算电路C .反相比例运算电路D .乘方运算电路8.如图2所示框图,要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡,其起振条件是( )。

(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=,1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=,1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=,1=F AD. πA F n ϕϕ+=,1>F A9.若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │, 则最大输出功率 P om =( )。

华南理工电路与电子技术平时课后复习-计算题

华南理工电路与电子技术平时课后复习-计算题

《电路与电子技术》计算题1.在图所示电路中,求各支路电流。

解:2I = 4A 3I = 1I +2I 3I = 1I + 4 1R *1I +3I *3R = 10 联立求解,得1I = 2A3I = 6A2.电路如图所示,已知CC U =12V, 1B R =68kΩ, 2B R =22kΩ, C R =3kΩ,ER =2kΩ,L R =6kΩ晶体管β=60。

(其中Cbe I r 26200β+≈进行计算)。

(1)计算静态值B I ,C I ,CE U (BE U =0.7V ); (2)画出微变等效电路,求电压放大倍数•u A 、输入电阻i r 和输出电阻o r解:(1)I BQ = (V CC - U BEQ ) / R b = (12 - 0.7)/ 68 *310 = 17µA I CQ = β I BQ= 60 * 0.17 = 10 mA U CEQ = V CC – I CQ * R C= 12 - 10* 3 = -18VU CEQ << U BEQ ,即V C < V B <V E ,晶体管工作在作在饱和区。

(2)Cbe I r 26200β+≈ = 200 + 100* 26 / 10 = 0.45kΩ •u A = Uo/U I = - β (R C //R L ) / (R b +r be )= -100*0.45/ (68+0.45) = -0.66r i = U i / I i = R b +r be = 68.45kΩ r o = Uo / Io = R C = 68k Ω3.在图所示电路中,开关S 在t =0时刻合上,试求: (1)S 闭合瞬间各支路的电流和各元件上的电压; u L =U ;u R =0;u C =0(2)电路达到新的稳定状态后各支路电流和各元件上的电压。

u L =0;u R =U ;u C =U4.电路如图所示,求各支路电流。

华南理工大学 电工与电子技术 随堂练习及参考答案

华南理工大学 电工与电子技术 随堂练习及参考答案

第1章电路的基本概念与基本定律??1.(单选题)? 如图所示电路中,电流实际方向为__A___。

A. e流向d B. d流向e C. 无法确定?2.(单选题)? 如图所示电路中,电流实际方向是由d流向e,大小为4A,电流I数值为__ C____。

A. 4A???????? B. 0A???????? C. ―4A?3.(单选题)? 电流与电压为关联参考方向是指??A????。

A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致4.(单选题) 下面说法正确的是C。

A.电压源与电流源在电路中都是供能的。

B. 电压源提供能量,电流源吸取能量。

C. 电压源与电流源有时是耗能元件,有时是供能元件。

D. 以上说法都不正确。

5.(单选题) 计算元件功率时应注意和的正方向,当和的正方向一致时,计算公式=,当和的正方向相反时,计算公式=-,计算结果若>0表示元件(吸收)功率,表明此元件起(负载)作用。

CA. 吸收,电源B. 发出,电源C. 吸收,负载D. 发出,负载6.(单选题) 额定值为110V,60W的一个白炽灯和额定值为110V,40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上,后果是(B)的白炽灯烧坏。

A. 40WB. 60WC. 40W和60W7.(单选题) 如图所示电路中,供出功率的电源是(A )。

A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源8.(单选题) 如图所示电路,电压源和电流源释放的功率分别为( B )A. 12W,-4WB.–12W,4WC. 12W,4WD.–12W,-4W9.(单选题) 电源电动势为3V,内电阻为0.3Ω,当外电路断开时,电路中的电流和电源端电压分为 A 。

A. 0A,3VB. 3A,1VC. 0A,0V10.(单选题) 电源电动势为3V,内电阻为0.3Ω,当外电路短路时,电路中的电流和电源端电压分为D。

华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4

华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4

华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(25分)1.二极管最主要的特性是 。

2.三极管是 控制型器件,而场效应管是 控制型器件。

3.射极输出器具有______________恒小于1、接近于1,______________ 和__________同相,并具有_____________高和_______________低的特点。

5.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ,经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。

6、在门电路中,最基本的三种门电路是 门 门和 门。

7.时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。

二、单项选择题 (每小题 2分,总共20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为,则这只三极管是( )。

A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( )。

A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( )。

A .不用输出变压器B .不用输出端大电容C .效率高D .无交越失真 5.稳压二极管稳压时,其工作在( ),发光二极管发光时,其工作在( )。

A .正向导通区 B .反向截止区 C .反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。

(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。

最基本的逻辑关系有 、 、 三种。

华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案

华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案

《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:4.(单选题) 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sintV时,输出电压最大值为10V 的电路是( )。

答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:5.(单选题) 电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:7.(单选题) 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。

2019华南理工模拟电子技术平时作业答案

2019华南理工模拟电子技术平时作业答案

教材 模拟电子技术基础(第四版) 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示,设D 1,D 2均为理想元件,已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示,试画出电压u O 的波形。

D D u O+- 图1图2答:u i u i5电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O 的波形,并说明t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。

u I2D 1图1图2u I1u答:t 1:D 1导通,D 2截止t 2:D 2导通,D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

U oCCU CCU (c)(d)-ou o2图示电路,已知晶体管β=60,U BE .V =07,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。

(a)480k(b)120k(c)240k(d)360k++C 2C 1R BR Cu u i+-+-+12V3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。

(a)增加(b)减少 (c)基本不变4分压式偏置放大电路如图所示,晶体T 的β=40,U BE .V =07,试求当RB1,RB2分别开路时各电极的电位(U B ,U C ,U E )。

并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。

+++R B1R B2R CR E R L u o u i TC 1C 2C E+U CC +12V39.k Ω1k Ω20k Ω2k Ω1k Ωβ=40+-+-解:(1)当R B1开路时,偏置电路如图1所示: U BE =0,I B =0,I C =0,I E =0 U B =0U C =U CC =12V U E =0此时晶体管处于截止状态。

计算机应用基础本科·平时作业2019秋华南理工大学网络教育答案

计算机应用基础本科·平时作业2019秋华南理工大学网络教育答案

1.按照电子元件划分,计算机经历了几代? (8分)答:经历了四代,第一代:电子管计算机。

主要由电子管器件组成,用于科学计算,使用机器语言为主。

第二代:晶体管计算机。

主要由晶体管元器件组成,可以使用汇编语言。

第三代:集成电路计算机。

采用了中小规模集成电路作为主要器件,出现了高级语言和操作系统。

第四代:大规模和超大规模集成电路计算机。

目前广泛使用的计算机,应用于各种领域现在就属于第四代。

2.冯·诺依曼计算机体系机构的主要思想是什么? (8分)答:冯·诺依曼简化了计算机的结构,提出了“存储程序”的思想,大大提高了计算机的速度。

后人按照这种思想和结构设计的计算机成为冯·诺依曼计算机。

“存储程序”思想可以简化概括为3点:(1)计算机硬件组成应为五大部分包括运算器、控制器、存储器、输入/输出设备。

(2)计算机运算基础采用二进制。

(3)将编好的程序和数据送会内存储器,然后计算机自动地逐条取出指令和数据进行分析、处理和执行。

人们把冯·诺依曼的这个理论称为冯·诺依曼体系结构。

从EDVAC到当前最先进的计算机都采用的是冯·诺依曼体系结构。

所以冯·诺依曼是当之无愧的数字计算机之父。

根据冯·诺依曼体系结构构成的计算机,必须具有如下功能:把需要的程序和数据送至计算机中。

必须具有长期记忆程序、数据、中间结果及最终运算结果的能力。

能够完成各种算术、逻辑运算和数据传送等数据加工处理的能力。

能够根据需要控制程序走向,并能根据指令控制机器的各部件协调操作。

能够按照要求将处理结果输出给用户。

3.说明计算机的工作原理。

(8分)答:计算机的工作原理:计算机在运行时,先从内存中取出第一条指令,通过控制器的译码,按指令的要求,从存储器中取出数据进行指定的运算和逻辑操作等加工,然后再按地址把结果送到内存中去。

接下来,再取出第二条指令,在控制器的指挥下完成规定操作。

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教材模拟电子技术基础(第四版)清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。

(a)变宽(b)变窄(c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压4电路如图 1所示,设D1,D2均为理想元件,已知输入电压u i=150sintV如图2所示,试画出电压u O的波形。

D1D2++u i/V15040k 40ku Ou I+ +20V 100V t - - - -图1 图2u i/V150100600 tu i/V100600 t 答:5电路如图1所示,设输入信号uI1,uI2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O的波形,并说明t 时间内二极管D,D2的工作状态。

1,t2 1uI1/V D12uI1+ 0t1tD2t2R Lu I2 uO -2u I2/V- 2图10 t-2图2答:u O/V0t1t t2-2t1:D1导通,D2截止t2:D2导通,D1截止第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

+ U CC+ U CC+ ++ + + ++u o+u i u i u o-- - -(a)(b)+ U CC+ U CC+ ++ ++ ++ +u ou i u ou i----(c) (d)2图示电路,已知晶体管60,UBE0.7V ,R C 2k,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。

(a)480k (b)120k(c)240k(d)360kRC 12VRB + C1C 2 + + + u iu o--3固定偏置放大电路中,晶体管的 β=50,若将该管调换为 β=80的另外一个晶体管,则该 电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。

(a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示,晶体T 的 40,UBE0.7V,试求当RB1,RB2分别开路时各电极的电位( U B ,U C ,U E )。

并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。

UCCR C 2k12V RB120k + C 2 + C 1+T 40 +RB2R L1ku i 3.9kR E +C E u o - 1k -解:(1)当 R B1开路时,偏置电路如图 1所示:U BE =0,I B =0,I C =0,I E =0 UB=0UC=UCC=12VUE=0此时晶体管处于截止状态。

(2) 当R B2开路时,偏置电路如图2所示: IUCC12IBSICS01.mACSR C R EmA4mA 3I B UCC 12 0.7I B IBSR B(1)R E 20 41mA0185.mA1此时晶体管处于饱和状态,UE4V ,UB4.7V ,UC4VUCCUCC12V12VRCR C 2k2kRB1 20k U CU C i CI B U B β=40UB RB I B U E U E 3.9k UBE R E 1k RE 1k图1 图25放大电路如图所示 ,已知晶体管的输入电阻rbe 1k,电流放大系数 =50,要求:(1) 画出放大器的微变等效电路;(2) 计算放大电路输入电阻ri及电压放大倍数Au。

12VR CRB12.5k Ω22k Ω+C2 C C 1 + B ++ E R L RB2 u o R E +ui 4.7k -1k Ω C E 2.5kΩ -解: (1)i bCi c B+ +rbei bu i RB1Eu oRCR B2R L--(2)riRB//rbe 0.79k R B R B1//R B2A u R C//R L502.5//2rbe625.1第三章多级放大电路1由两管组成的无射极电阻R E简单差动放大电路,欲在双端输出时能很好的抑制零点漂移必须使得( a )。

(a)电路结构对称,两管特性及对应的电阻元件参数相同。

(b)电路结构对称,但两管特性不一定相同。

(c)两管特性及对应的电阻元件参数相同,但电路结构不一定对称。

2在多级直接耦合放大电路中,导致零点漂移最为严重的是( c )。

(a) 第一级的漂移(b)中间级漂移(c)末级漂移3在直接耦合放大电路中,采用差动式电路结构的主要目的是( b )。

(a)提高电压放大倍数(b)抑制零点漂移(c)提高带负载能力4 电路如图所示,微安表的读数为100A,AB 支路的总电阻R L2k,1 2=50,U BE 0.6V,计算时忽略Rp的影响,且不计微安表的内阻。

要求:(1)指出电路的输入,输出方式;(2)电路是如何抑制零点漂移的?(3)计算输入电压u I的大小。

R C R C6V10kR L10kA A B1kR BT1T2R B+R PuI10k 10k-RE 5.1k6V解:(1)电路是单端输入,双端输出;(2)电路通过共模反馈电阻R E及对称的电路结构抑制零点漂移;(3)u O1002mV200mVI E (1)I B (1 UEEUBE 51(6 0.6) mV0.519mA))R E10 2R B 2(15151. 51 26 u O R L 50 10rbe 1135.300 2.85k rbe R B102.85 0.519 u I200R LR C 11010 u I 57mV 其中:R L2 35. R L R C 11011 25差动放大电路如图所示,问 RE对差模信号有无影响?为什么?UCCR Cu ORCRB2RB2T 1R T 2+ RB1PRB1 +uI 1 RE u I 2- UEE-- +答:R E 对差模信号无影响。

因为通过R E 的差模电流信号 i E1和 i E2的大小相同,方向相反,故 i E = i E1+ i E2=0,所以差模信号在 R E 上的总压降为零。

6电路如图所示,其中两个晶体管特性完全相同。

试回答: (1)RE ,RC ,RZ 各起什么作用?(2)此电路是否能将交流信号u I 放大为u O ?(3)u I 和uO 的相位关系怎样,是同相还是反相? UCC RCR Z+ -uo T 2+ T 1u IRE uZ -答:(1)R C将变化的电流信号转换为电压信号,R E起抑制零漂的作用,R Z起限流作用(2)此电路能将u I放大为u O。

(3)I和u O的相位相反。

u第四章集成运算放大器1从外部看,集成运放可等效成高性能的( b )A.双端输入双端输出的差分放大电路B.双端输入单端输出的差分放大电路C.单端输入双端输出的差分放大电路D单端输入单端输出的差分放大电路2集成运放的输出级多采用( C )共射放大电路 B.共集放大电路 C.互补输出电路第5章放大电路的频率响应1低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( a )(a)耦(b)半导体管极间电容和分布电容的存在(c)半导体管的非线性特性(d)放大电路的静态工作点不合适2高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( b )(a)耦合电容和旁路电容的存在(b)半导体管极间电容和分布电容的存在(c)半导体管的非线性特性(d)放大电路的静态工作点不合适3单级阻容耦合共射放大电路中,当输入信号的频率等于上限频率时,UO和US的相位差为(b ).(a)45(b)225(c)45(d)135第六章负反馈放大电路1放大电路如图所示, RF支路引入的反馈为 ( b )。

(a)串联电压负反馈(b)串联电流负反馈(c)并联电压负反馈(d)正反馈R C U CC R FC1++C2+R Su O+-u S-2两级放大电路如图所示,第二级与第一级之间的R F支路引入的反馈为(a)。

(a)串联电压负反馈(b)串联电流负反馈(c)并联电压负反馈(d)并联电流负反馈R C1U CC R C2+R'R B1 B1 ++ T1T2u ou i R E2R B2R E1CE- R'B2-RF3在串联电压负反馈放大电路中,若将反馈深度增加,则该电路的输出电阻将(a)。

(a)减小(b)增加(c)不变4对两极共射阻容耦合交流放大器,希望稳定其输出信号电压,并提高其输入电阻,要求从第二级至第一级引入的反馈为(a).(a)串联电压负反馈(b)串联电流负反馈(c)并联电压负反馈(d)并联电流负反馈5在串联电压负反馈放大电路中,若将反馈深度增加,则该电路的输出电阻将( a ).(a)减小(b)增加(c)不变(d) 不定6两极阻容耦合放大电路如图所示,试指出其交流反馈支路及反馈的类型(电压,电流;串联,并联),并在图上用瞬时极性判别反馈的极性(正,负反馈)。

R5UCC R1R9R2++ C2++C1C4u oR3ui R6+ R8+- R4C3R7答:R3构成第一级串联电流负反馈R3,R7构成级间串联电压负反馈7某负反馈放大电路的开环放大倍数为50,反馈系数为0.02,问闭环放大倍数为多少?A5025解:Af1500.021AF第7章信号的运算1运算放大器接成图示电路后,其输入输出方式为( a )。

(a)双端输入双端输出(b)双端输入单端输出(c)单端输入单端输出(d)单端输入双端输出RFuI R1-∞u O++R22理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零,其原因是( b )。

(a)同相端和反相端的输入电流相等而相位相反(b)运放的差模输入电阻接近无穷大(c)运放的开环电压放大倍数接近无穷大3比例运算电路如图所示,该电路的输入电阻为( b )。

(a)零(b)R1 (c)无穷大R FR1- ∞ui ++u oR4具有高输入阻抗和接地负载的电压控制电流源电路如图所示,设图中明:iL 2uI/R1。

R2i2R uO1 R R uO2 R1i1- ∞-∞R L++u I++证明:i L(i1i2)i2u O u IR2u O1 i2Ru I R1R2uIR uO R2R2uO2 uO1i1u O uO2 u O RR2uI R u OR1R1R1R2R1R2因此i L(u O R u O u O)(RR2 1 )u I R1R1R2R2R1R2R2将RR1R2代入:得i L 2 u IR1R R1R2,试证u Oi L5电路如图所示,求负载电流i L与电压u S之间关系的表达式。

R2iR2 R1-∞u S+uO +i LR LRR F iF解:i L(R2R F)/(R F R1)u Si L与R L无关,为反相式恒流源。

要点:u' R2u i i iO R S L R2 F1i u S I R2u 1R2 R F R S R1 1 Fi L i F iR2=R2uS u SR1R F R1R2 RF uSR1R F6试用集成运放组成运算电路,要求实现以下运算关系,请画出电路,并在图中标出各电阻的阻值。

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