三极管练习题

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半导体三极管及其放大电路练习及答案

半导体三极管及其放大电路练习及答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。

三极管的结构与电流放大作用微习题

三极管的结构与电流放大作用微习题

[三极管的结构与电流放大作用]微习题重庆科能高级技工学校刘晓书一、单选题1.三极管的集电极用()表示。

A、字母CB、字母BC、字母ED、以上都不对2.下列关于三极管发射区的说法正确的是()。

A、面积大B、掺杂浓度最高C、厚度很厚D、以上都不对3.三极管的基极用字母()来表示。

A、字母BB、字母EC、字母CD、字母D4. 三极管根据结构的不同可以分为NPN和PNP两种,而根据材料的不同可以分为()两种。

A、硅和磷B、锗和硼C、硅和锗D、以上说法都不对5. 对于三极管,下列说法正确的是()。

A、三极管的基区面积很大B、三极管属于电压放大型元件C、I C=I E+I B D、三极管的集电结面积最大二、判断题(对的打✓,错的划X)1.三极管的内部电流分配关系为I C=βI B,I E=I C+I B。

()2.半导体三极管由基极、集电极和发射极三个电极构成。

()3.三极管由两个PN结组成,因此用两个二极管反向连接起来就可以当三极管使用。

()4. 三极管的发射结、集电结都正偏时具有电流放大作用。

()5.三极管利用基极电流微小的变化去控制集电极电流发生较大的变化。

()三、填空题1. 三极管的()电流发生微小变化,会引起三极管的()电流发生较大的变化。

2.三极管的直流电流放大系数与三极管的交流电流放大系数近似相等,统称电流放大系数,用符号()表示。

3.()电流等于基极电流与集电极电流之和,与()电流近似相等 .4.三极管由两个PN结、三层半导体构成,具有()作用。

参考答案一、单选题1. A2. B3. A4.C5. D二、判断题(对的打✓,错的划X)1. ✓2. ✓3. X4.X5. ✓三、填空题1. 基极,集电极2.β3. 发射极,集电极4. 电流放大。

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是:A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时,其特性是:A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应:A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是:A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中,基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时,______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时,电流会迅速增大。

()2. 三极管工作在饱和状态时,基极电压高于发射极电压。

()3. 二极管具有单向导电性,可以用来实现整流功能。

()4. 三极管放大电路中,集电极电流与基极电流成反比关系。

()四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V,正向电流为10mA,求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中,基极电流为1mA,集电极电流为10mA,求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中,输入信号电压为1V,输出信号电压为10V,求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用,并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系,并解释为什么三极管能够实现信号放大。

三极管基础知识练习(3)

三极管基础知识练习(3)

晶体三极管与单级低频小信号放大器 章节练习(2015.6)一、判断题(对的打“√”,错的打“×” )1、为使三极管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压;( )2、无论是哪种三极管,当处于放大工作状态时,b 极电位总是高于e 极电位,c 极电位也总是高于b 极电位;( )3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体(N 型或P 型)构成的,所以e 极和c 极可以互换使用;( )4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化;( )5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减小;( )6、对于NPN 型三极管,当V BE ﹥0时,V BE ﹥V CE ,则该管的工作状态是饱和状态;( )7、已知某三极管的发射极电流I E =1.36mA ,集电极电流I C =1.33mA ,则基极电流I B =30μA ;( )8、某三极管的I B =10μA 时,I C =0.44mA ;当I B =20μA 时,I C =0.89mA ,则它的电流放大系数β=45;9、三极管无论工作在何种工作状态,电流I E =I B +I C =(1+β)I B 总是成立;( )10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结,因此可以用两个背靠背连接的二极管替换;( )11、三极管是一种电流控制器件;( ) 12、同一只三极管的β和β数值上很接近,在应用时可相互代替;( )13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相;( ) 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大,是由于三极管提供了较大的输出信号能量;( ) 15、放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响;( ) 16、在单管放大电路中,若V G 不变,只要改变集电极电阻R C 的值就可改变集电极电流I C 的值;( )17、三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量用来表示静态工作点,交流分量用来表示信号的变化情况;( )二、选择题1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ,V E =3V ,V B =3.7V ,则该管工作在( )A .饱和区B .截止区C .放大区D .击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V , 则该三极管是( )A .硅材料的NPN 管B .硅材料的PNP 管C .锗材料的NPN 管D .锗材料的PNP 管3、三极管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管( ) A .发射结为反向偏置 B .集电结为正向偏置 C .始终工作在放大区4、在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压可表示为( ) A .0c c v i R = B .0c c v i R =- C .0c c v I R = D .0c c v I R =-5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示,则a 、b 、c 三个电极分别为( )A 、集电极、发射极、基极B 、集电极、基极、发射极C 、发射极、集电极、基极D 、基极、集电极、发射极 6、采用分压式偏置电路可以( )。

半导体三极管及其放大电路练习及标准答案

半导体三极管及其放大电路练习及标准答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。

三极管练习题

三极管练习题

( ),VCE 将( ),电压放大倍数AV将(
)。
4
a、增大; b、减小; c、不变; d、无法确定 (2)若换一只 β 值较小的管子,而电路其它元件参数不变,则静态 IB 将 ( ),VCE 将( ),电压放大倍数AV将( )。
a、增大; b、减小; c、不变; d、无法确定
3、放大电路如右图所示,由于 Rb1 和 Rb2
(1)场效应管输入电阻远高于三极管的输入电阻,其放大能力也远高于三
极管。( )
2
(2)场效应管的内部噪声比三极管大,故它不可用于高灵敏度的接收装置。
()
(3)有的场效应管的漏极和源极可以互换使用,而不影响其工作性能。
()
(4)使用 MOS 场效应管应避免栅极悬空及减少外界感应。( )
( 5) 耗 尽 型 场 效 应 管 可 以 采 用 自 给 偏 压 和 混 合 偏 压 两 种 偏 压 方 式 。
交流信号相当于短路,对下面的问题选择
C1
正确的答案填空。
+
(1)在 Vi=0 时,用直流电压表分别 Vi
-
测量管压降 VCE 和输出端电压 Vo,设三
极管工作在线性放大区,则测出的两个数值应该(
+VCC
Rb
Rc
+ C2
RL Vo
-
)。
a、相等; b、不等; c、近似相等。
(2)用示波器观察交流输出波形 vo 和集电极电压波形 vC,则二者应该

)。
a、相同; b、不同; c、反相。
(3)输入 f=1KHz 的正弦电压信号,用示波器观察 vo 和 vi,二者的波形应 该( )。
a、相同; b、相差 45o; c、相差 90o; d、相差 180o。

三极管MOS管复习题

三极管MOS管复习题

习题3客观检测题一、填空题2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高,而基区很薄。

5. 处于放大状态的晶体管,集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。

6. 工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 100 。

8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。

9. 三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。

11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合,可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极 组态的放大电路。

12. 题图3.0.1所示的图解,画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。

由此可以得出:(1)电源电压CC V = 6V ;(2)静态集电极电流CQ I = 1mA ;集电极电压CEQ U = 3V ; (3)集电极电阻C R = 3kΩ ;负载电阻L R = 3kΩ ;(4)晶体管的电流放大系数β= 50 ,进一步计算可得电压放大倍数v A = -50 ;('bb r 取200Ω);(5)放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ;(6)要使放大电路不失真,基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。

13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极-基极偏置电路 。

14. 有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A 放大器的输出电压小,这说明A 的输入电阻 小 。

15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。

16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ,输出电阻很 小 。

17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。

18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用; 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用; 20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用;21. 射极输出器的输入电阻较 大 ,输出电阻较 小 。

二极管三极管练习题(学生用)

二极管三极管练习题(学生用)

一、填空题1.纯净的具有晶体结构的半导体称为,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

2.本征半导体的主要特性有、、。

3.杂质半导体中有和两种载流子参与导电,其中带正电,而带负电。

4.N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素,其多数载流子是_ ___,少数载流子是__ _。

5.P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素,其多数载流子是____ _,少数载流子是__ __ _。

6.已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示,请指出各为何种类型的杂质半导体:(a)为;(b为。

图0001 杂质半导体中的载流子和离子7.PN结正向偏置时,内、外电场方向;PN结反向偏置时,内、外电场方向。

8.PN结具有性,______偏置时导通,______偏置时截止。

9.PN结的电击穿包括和两类。

10.按材料不同,二极管可分为和两类。

11.按制造工艺及结构不同,二极管可分为、两类。

12.二极管P区接(高,低)电位端,N区接(高,低)电位端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有性。

13.U T为温度的电压当量,当温度为室温时,U T≈mV。

14.三极管属控制型器件。

15.在构建放大电路时,双极型三极管应工作于区,即发射结应为偏置,集电结应为偏置。

16.根据器件的符号填上器件的名称:7.某三极管,当测得A I B μ30=时,mA I C 2.1=,则发射极电流=E I mA18.根据图0014填空(设晶体管处于放大状态)。

图001419.某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ,U 2=-6V ,U 3=-6.2V ,则三极管为 型管。

单项选择题1.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2.当环境温度降低时,二极管的反向电流( )A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3.用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1k Ω,说明该二极管( )。

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第二章 基本放大单元电路一、填空题1、三极管具有电流放大作用的内部条件是:( 基区 )区很薄;( 发射 )区的多数载流子浓度很高;( 集电 )区的面积较大。

2、三极管具有放大作用的外部条件是:( 发射 )结正向偏置;(集电 )结反向偏置。

3、三极管电流放大作用是指三极管的( )电流约是( )电流的β倍,即利用( )电流来控制( )电流。

4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ,换算成电压放大倍数为( )倍;另一个放大电路的电压放大倍数为150倍,换算成对数电压增益应是( )dB 。

5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ,接入3K的负载电阻后,输出电压降为3V ,则该放大电路的输出电阻R o =( )KΩ。

6、FET 管属于( )控制器件;BJT 管则可以认为是( )控制器件。

7、已知某基本共射放大电路V 6V ,V 4R I CEQ 'L CQ ==,现在输入一个正弦信号,若逐渐增大信号的幅度,首先出现的失真是( );若要使该电路具有最大的动态范围应使( )=( )。

8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图所示。

根据图填空回答下列问题:V o-+-+V CCR bR c R LV i C 1 C 2 0μA10μA 20μA 30μA 40μA i B =50μAi C (mA)v CE (V)1 2 3 4 5 6(1)电源电压VCC=();(2)静态集电极电流ICQ =();静态管压降VCEQ=();(3)集电极负载电阻RC =(),负载电阻RL=();(4)放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为();(5)当输入信号幅度逐渐增大时,将首先出现()失真现象;(6)要使放大电路不出现失真,基极正弦电流的振幅应小于()。

9、判断下列说法是否正确,正确的在括号中画√,错误的画x。

(1)利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。

()(2)三极管的输入电阻rbe是一个动态电阻,故与静态工作点无关。

()(3)在基本共射放大电路中,为了获得较高的输入电阻,在Rb固定不变的条件下,三极管的β应该尽可能大些。

()(4)在基本共射放大电路中,若三极管的β增加一倍,则电压放大倍数也将相应增大一倍。

()(5)电压放大器的输出电阻越小,意味着放大器带负载的能力越强。

()10、以电压控制(),属于()控制电流型半导体器件。

11、场效应管的导电过程仅仅取决于()载流子的运动,故称场效应管为()晶体管;而三极管的导电过程取决于()载流子的运动,所以称三极管为()晶体管。

12、场效应管的栅极电流为(),所以输入电阻为()。

13、判断下列说法是否正确,正确的在括号中画√,错误的画x。

(1)场效应管输入电阻远高于三极管的输入电阻,其放大能力也远高于三极管。

( )(2)场效应管的内部噪声比三极管大,故它不可用于高灵敏度的接收装置。

( )(3)有的场效应管的漏极和源极可以互换使用,而不影响其工作性能。

( ) (4)使用MOS 场效应管应避免栅极悬空及减少外界感应。

( ) (5)耗尽型场效应管可以采用自给偏压和混合偏压两种偏压方式。

( ) (6)增强型MOS 管也可以采用自给偏压和混合偏压两种偏压方式。

( ) 14、从下图各三极管电极上的实测对地电压数据中,分析各管的情况,把结论在表中用√标出。

8V 2V3V(a) (b)(c)(d)0V3V 2V (e)e15、在射极偏置电路中,测得I CQ =2mA ,I BQ =40A 。

现换一只=80的三极管,I CQ( )mA ,I BQ ( )A 。

二、选择题1、 电路如图所示,设电容C 1、C 2对 交流信号相当于短路,对下面的问题选择 正确的答案填空。

(1)在V i =0时,用直流电压表分别 测量管压降V CE 和输出端电压V o ,设三极管工作在线性放大区,则测出的两个数值应该( )。

a 、相等;b 、不等;c 、近似相等。

(2)用示波器观察交流输出波形v o 和集电极电压波形v C ,则二者应该( )。

a 、相同;b 、不同;c 、反相。

(3)输入f=1KHz 的正弦电压信号,用示波器观察v o 和v i ,二者的波形应该( )。

a 、相同;b 、相差45o ;c 、相差90o ;d 、相差180o 。

2、电路如上图所示,在线性放大状态下调整电路元件的参数,试分析电路V o-+-+V CCR b R c R LV i C 1C 2状态和性能的变化。

(1)若Rb 的阻值减小,而电路其它元件参数不变,则静态的IB将(),V CE 将(),电压放大倍数AV将()。

a、增大;b、减小;c、不变;d、无法确定(2)若换一只β值较小的管子,而电路其它元件参数不变,则静态IB将(),VCE 将(),电压放大倍数AV将()。

a、增大;b、减小;c、不变;d、无法确定3、放大电路如右图所示,由于R b1和 R b2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。

(a) 适当增加R b2,减小R b1(b) 保持R b1不变,适当增加R b2(c) 适当增加R b1,减小R b2(d) 保持R b2不变,适当减小R b14、放大电路如右图所示,已知:Rb=240 k,Rc=3 k,晶体管β=40, VCC=12V, 现该电路中的三极管损坏,换上一个β=80的新管子,若要保持原来的静态电流I CQ 不变且忽略VBE,应把Rb 调整Vo-+-+V CCR b R cR LV iC1C2++R eC2C eC1R LR b1R b2R c+V CC+_+_V iV o为( )。

(a) 480 k (b) 120 k(c) 700 k(d) 240 k5、放大电路如图所示,设晶体管β=50,R C =,V BE =为使电路在可变电阻R W =0 时,晶体管刚好 进入饱和状态,电阻R 应取( )。

(a) 75 k (b) 100 k(c) 25 k6、某固定偏置单管放大电路、三极管特性曲线以及静态工作点Q 如图所示,根据下列问题选择填空。

(1)欲使工作点Q 移至Q 1需使( )。

(a) 偏置电阻R b 增大。

(b) 集电极电阻R c 减小 (c) 偏置电阻R b 减小 (2)欲使静态工作点Q 移至 Q 2需使( )。

(a) 偏置电阻R b 增加 (b) 集电极电阻R c 减小 (c) 集电极电阻R c 增加 7、某固定偏置单管放大电路的静态工作点RR WR cC+9V i C (mA)v CE (V)Q 1Qi BQ 2V o - +- +V CCR bR c R LV iC 1 C 2Q如右图所示,若将直流电源VCC适当降低,则Q点将朝着()方向移动。

(a) Q1(b)Q2(c) Q38、固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如右图所示,当温度升高时工作点Q将( )。

(a) 不改变 (b) 向Q1移动 (c)向 Q2移动9vCE(V)vCE(V)Vo-vCE(V)(avCE(V)(bvCE(V)(cvCE(V)(d图210、某一固定偏置NPN 管共射放大电路,其输入和输出电压波形如图所示,这种失真是( )。

a 、饱和失真b 、截止失真c 、线性失真11(1)该电路是()组态。

a 、 共发射极b 、 共基极c 、 共集电极 (2)三极管的偏置电路是( )。

a 、固定偏置电路b 、分压式稳定偏置电路c 、电压反馈偏置电路 (3)输出交流信号和输入交流信号的相位( )。

a 、相同b 、相反c 、相差90o(4)该电路的电压放大倍数的绝对值与( )相同。

a 、共发射极b 、共集电极c 、共栅极 12、 微变等效电路法适用于( )。

(a) 放大电路的动态分析 (b) (c) 放大电路的静态和动态分析13、电路如图所示,管子的临界饱和电流I CSV o +为( ) 。

(a) 2 mA (b) 5 mA(c) 60 μA(d) 40 μA14、放大电路如右图所示,其输入电阻r i正确表达式是( )。

(a)()[]b e be s R //R 1r R β+++ (b)()[])R //R (1r //)R //R (L e be b s β++ (c)()[]e be b R 1r //R β++ (d)()[])R //R (1r //R L e be b β++15、射极输出器电路如上图所示,根据下列问题选择填空。

(1)与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。

a 、输入电阻高,输出电阻低 b 、输入电阻低,输出电阻高 c 、输入,输出电阻都很高 d 、 输入,输出电阻都很低 (2)就放大作用而言,射极输出器是一种 ( )。

a 、有电流放大作用而无电压放大作用的电路 b 、有电压放大作用而无电流放大作用的电路 c 、电压和电流放大作用均没有的电路(3)正常工作的射极输出器,电压放大倍数近似等于1,那么电路中的三极管一定工作在( )。

a 、 饱和区b 、 截止区c 、 放大区(4)射极输出器的输入输出公共端是( )。

a 、集电极 b 、发射极c 、基极v(5)射极输出器电路中,输出电压v o与输入电压v i之间的关系是( )。

a、两者反相,且输出电压大于输出电压b、两者同相,输出电压近似等于输入电压c、两者相位差90,且大小相等16、场效应管放大电路如图所示,根据下列问题选择填空。

(1)耦合电容C2约几十微法,则C1的取值通常( )。

a、大于C2 b、等于C2c、比C2小得多,约~μF(2)静态时该电路的栅极电位等于( )。

a、零b、 ID Rdc、 - IDRd(3)动态时该电路的漏极电流i d取决于( )。

a、输入端电流i i的大小b、输入端电压v i的大小c、输入端电压vi和电流i i的大小三、简答题1、放大电路如图所示,晶体管为硅管,VBEQ =,β=45,若要求静态时VCEQ= 5V,R b 的数值应该调到多少C1C2R L+V DDR s C sR d+4KΩR g v ov i+_Ω++R eC2C1R LR b270ΩR c+24V+_+_V iV o10KΩ2、某集成电路的局部电路如右图所示,T1、T2的参数完全相同且β足够大。

问:(1)T1、T2和R组成什么电路(2)IC2与IR有什么关系,写出IC2的表达式。

四、分析计算题1、如图所示,已知:VCC =12V、Rb=45k 、R c =3K、=50、VBE=。

(1)判断电路静态工作点位于哪个区;(放大区、饱和区、截止区)(2)若要使电路不处于饱和区,而Rb又要求不变,则Rc的数值最大不超过多大(3)若Rc =3K,为使电路能正常放大,Rb至少应选多大2、基本共射电路仍然如上题图所示,已知VCC=12V、=60、三极管的饱和管压降VCES可忽略,试计算:(1)设Rc =1K,求基极临界饱和电流IBS。

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