光电三极管(光电晶体管)
光电三极管
硅
硅的峰值波长为 900nm，锗的峰值波长为 锗 1500nm 。由于锗管的暗 电流比硅管大，因此锗管 的性能较差。故在可见光 或探测赤热状态物体时， 一般选用硅管；但对红外 入射光 线进行探测时,则采用锗管 16000 较合适。 λ/nm
光电三极管的主要特性——伏安特性
光电三极管的伏安特性曲线如图所示。光电三极管在不同 的照度下的伏安特性，就像一般晶体管在不同的基极电流时的 输出特性一样。因此，只要将入射光照在发射极 e与基极b之间 的PN结附近，所产生的光电流看作基极电流，就可将光敏三极 管看作一般的晶体管。光电三极管能把光信号变成电信号，而 且输出的电信号较大。
I/mA
6 4 2
2500lx 2000lx 1500lx
1000lx
500lx
伏安特性
0
20 40
U/V
60
80
光电三极管的主要特性——光照特性
光电三极管的光照特性如图所示。它给出了光敏三极管的 输出电流 I 和照度之间的关系。它们之间呈现了近似线性关系。 当光照足够大(几klx)时，会出现饱和现象，从而使光电三极管 既可作线性转换元件，也可作开关元件。
发射极接地之晶体管的情形也一样，电流 以晶体管之电流放大率(hfe)被放大而成为 流至外部端子之光电流(Ic)，为便于了解 起见，请参照左图所示。
光电二极管的工作原理
为了提高光电三极管的频率响应、增益和减小 体积。将光电二极管、三极管制作在一个硅片上构 成集成器件。
达林顿 光电三极管
光电三极管的主要特性——光谱特性
光电三极管的应用
1．亮通光电控制电路 当有光线照射于 光电器件上时，使继 电器有足够的电流而
动作，这种电路称为
亮通光电控制电路， 也叫明通控制电路。 最简单的亮通电路如 图所示。
光电三极管的工作原理
光电三极管的工作原理光电三极管，也称为光电二极管，是一种电子元件，其工作原理基于光电效应。
其基本原理如下：1.光电效应：当光照射到半导体材料上时，光子会与半导体中的电子发生相互作用。
高能的光子能够将半导体中的某些电子从价带上解离，形成自由的电子和空穴对。
2.pn结：光电三极管的基本结构是由一个n型半导体和一个p型半导体组成的pn结。
当没有光照射时，pn结两侧形成一个内建电场，使得n区电子向p区移动而形成正电荷的空穴流。
3.光电三极管的结构：光电三极管的pn结能带差可决定了其工作方式。
通常，其外界接电极被称为阳极（A），与n区相连的接电极被称为阴极（K），与p区相连的接电极被称为阳极（C）。
4.工作原理：-暗电流：当光电三极管处于没有光照射的状态时，其阴极到阳极之间的电流被称为暗电流，主要由于热电子的扩散和漂移形成。
-光照射下的电流：当光照射到光电三极管的pn结时，光子能量被转化为电子能量，光子能够克服pn结的电场，使电子-空穴对通过电场，从而形成光电流。
该光电流会导致光电三极管的阴极到阳极之间的电流增加。
总结起来，光电三极管的工作原理就是利用光照射到半导体材料上时，光子与半导体中的电子相互作用，从而形成光电流。
通过控制光照射的强度，可以调节光电三极管的电流输出。
光电三极管在光电探测、光电转换等领域中有广泛应用。
光电三极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件，其工作原理基于光电效应。
光电效应是指当光束照射到物质表面时，光子与物质中的电子相互作用，使电子从原子或分子中脱离并产生电流的现象。
光电三极管的结构一般由两个pn结组成，也就是一个npn型的晶体管。
其中，中间的n区被光照射，当光子能量大于半导体的带隙能量时，光子能够打破束缚在原子中的电子，使其成为自由电子。
在光照射下，n区释放出的电子和空穴会在pn结的内建电场影响下发生漂移和扩散运动。
正电荷的空穴由p区向n 区移动，而负电荷的电子由n区向p区移动。
817b芯片原理
817b芯片原理817b芯片原理是一种常用的集成电路芯片，它广泛应用于各种电子设备中。
该芯片具有多种功能和特性，可以实现各种复杂的电路控制和数据处理任务。
本文将从芯片的结构、工作原理、应用领域等多个方面介绍817b芯片的原理。
817b芯片是一种光耦合器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电晶体管）组成。
芯片的结构设计得非常精密，LED和光电晶体管之间通过透明的绝缘材料隔离，以防止光线干扰和电路短路。
此外，芯片还包括反向极性保护二极管，以防止芯片受到过电压的损坏。
在工作过程中，通过对LED端施加电流，LED会发出一定强度的光线。
这些光线会通过绝缘材料传播到光电晶体管的光敏区域，激发光电晶体管中的电子。
光电晶体管中的电子会产生电流，该电流会通过集电极输出给外部电路。
这样，通过控制LED输入电流的大小，就可以实现对输出电流的控制。
817b芯片的原理主要基于光电转换效应。
光电转换效应是指光线照射到光敏材料上时，能量被转化为电子能量的过程。
在817b芯片中，LED发出的光线被光敏三极管吸收后，光子的能量被电子吸收，电子被激发到导带中。
当有外部电压施加到芯片的集电极和发射极之间时，电子就会流动，从而形成输出电流。
817b芯片的应用非常广泛。
首先，它可以用作电路隔离器，将输入电路与输出电路隔离开来，从而保护电路的稳定性和安全性。
其次，它可以用作电压测量器，通过测量输出电流的大小，可以准确地获取输入电压的信息。
此外，817b芯片还可以用于电子开关、电子调光、电子计数器等多种应用场景。
总结起来，817b芯片是一种光耦合器件，它通过LED发出的光线来激发光敏三极管中的电子，并将电子能量转化为输出电流。
该芯片具有结构精密、工作稳定的特点，广泛应用于各种电子设备中。
通过对817b芯片原理的了解，我们可以更好地理解其工作机制和应用价值，为电子技术的发展做出贡献。
光耦的作用及工作原理
光耦的作用及工作原理
光耦是一种使用光电效应的器件，主要用于电气信号的隔离和传输。
它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电晶体管）组成，通过光的转换将电信号转化为光信号，再通过光信号传递给另一端的光敏三极管而恢复为电信号。
光耦的工作原理如下：当给LED端加上正向电压时，LED会发出光。
这个时候，光会穿过耦合区域进入光敏三极管。
光敏三极管的光电效应会使该器件的电阻发生变化，形成一个等效的电流。
当光强足够强时，光敏三极管的电流将接近最大值；当光强足够弱时，电流接近于零。
根据光敏三极管的输出电流变化，可以实现对输入信号的隔离和传输。
光耦主要有两个作用：隔离和传输。
首先，光耦能够实现输入信号和输出信号之间的电气隔离，能够有效地防止噪声、干扰和电流尖峰等问题对系统的影响。
其次，光耦能够将输入信号转化为光信号，并可通过光纤等光介质进行传输。
光信号具有较高的传输速率和抗干扰能力，适用于远距离传输和高速传输需求。
需要注意的是，在使用光耦时，应根据实际需求选择适当的型号和参数，确保所选光耦的输入电流和输出电流能够满足系统要求，并保证光信号的传输质量和稳定性。
光电三极管工作原理
光电三极管工作原理光电三极管（Phototransistor）是一种可以将光信号转换为电信号的电子元件。
它是由光敏电阻和晶体管组成的二极管。
光电三极管常用于光电传感器和光电隔离器等应用中。
本文将对光电三极管的工作原理进行详细介绍。
光敏电阻是光电三极管的主要组成部分之一。
光敏电阻是一种对光敏感的电阻，它的电阻值会随着光照强度的变化而发生相应的变化。
当没有光照射到光敏电阻时，其电阻值较高；而当光照射到光敏电阻时，其电阻值会下降。
晶体管是光电三极管的另一个重要组成部分。
晶体管通常由三个区域构成，分别是发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
光电三极管中的晶体管是PN结型晶体管，基区和发射区之间形成一个P型到N型的结，而集电区与基区之间形成一个N型到P型的结。
光电三极管的工作原理基于光敏电阻与晶体管之间的相互作用。
当光照射到光敏电阻上时，光敏电阻的电阻值下降。
这会导致光电三极管整体电阻的变化。
当电阻值下降到一定程度时，会导致基区和发射区之间的电压发生变化，从而控制晶体管的导电电流。
在光照较弱的情况下，光电三极管中的晶体管处于饱和状态，大量的电流可以流过晶体管。
而在光照较强的情况下，光敏电阻的电阻值下降，导致基区和发射区之间的电压降低，晶体管进入截止状态，电流无法通过。
因此，光电三极管可以根据光强的变化来调节导电电流的大小，实现对光信号的转换。
光电三极管的工作原理可以进一步被应用于光电传感器中。
光电传感器通过将光电三极管与其他电子元件结合起来，可以实现对光信号的检测和测量。
光电传感器通常可以用于光电开关、光电计数器、光电编码器等应用中。
在实际应用中，光电三极管需要适当的电源电压来保证其正常工作。
同时，还需要注意光敏电阻的光照范围和特性曲线，以便与所需应用相匹配。
总之，光电三极管是一种能够将光信号转换为电信号的电子元件。
它由光敏电阻和晶体管组成，通过光敏电阻与晶体管之间的相互作用实现对光信号的转换。
光电三极管参数
光电三极管参数
光电三极管（PhotoelectricTransistor）是一种能将光信号转换为电信号的器件。
它由一个PNP或NPN型晶体管与敏感光电二极管组成。
以下是光电三极管的一些参数解释：
1.最大漏极电压（Vceo）：光电三极管允许的最大电压跨越漏极和发射极之间的值。
2.最大光电流（Icmax）：光电三极管在最大光照条件下，可承受的最大光电流。
3.放大倍数（β）：光电三极管的放大倍数是指负载电流与基极电流之间的比率。
它衡量了光电三极管的放大效果。
4.光电电流（Iph）：在光照条件下，从光电二极管产生的电流。
5.光照强度光流特性曲线（ILIF）：表示光电三极管在不同光照强度下接收到的光照强度与光电流之间的关系。
6.相关噪声等参数：与其他传感器一样，光电三极管也会受到一些噪声的影响。
这些噪声包括热噪声和光热噪声等。
在选择光电三极管时，需要考虑这些噪声参数。
需要注意的是，光电三极管的具体参数可能因不同的厂家和型号而有所不同。
在选择和使用光电三极管时，需要根据具体的应用需求和技术要求仔细考虑这些参数。
光敏三极管发展历史
光敏三极管发展历史
光敏三极管，也称为光敏三极管，是种光电晶体管，其工作原理与普通晶体管类似，只是集电极采用光敏结构。
光敏三极管的发展历史可以追溯到20世纪50年代，当时它被发明并开始应用于光电检测和光通信领域。
随着科技的不断发展和进步，光敏三极管的应用范围越来越广泛。
在20世纪60年代，随着光纤技术的出现，光敏三极管在光纤通信领域得到了广泛应用。
在20世纪70年代，随着集成电路技术的发展，光敏三极管开始被集成到各种电路中，成为光电转换的重要器件之一。
进入21世纪以来，随著物联网、智能家居等领域的快速发展，光敏三极管的应用前景更加广阔。
目前，光敏三极管已经广泛应用于光电检测、光电控制、光通信、医疗仪器等领域，成为现代光电技术中的重要组成部分。
总的来说，光敏三极管的发展历史经历了从最初的简单应用到现在的高度集成化和多样化应用的过程。
未来，随若技术的不断进步和应用需求的不断增长。
光敏三极管将会在更多领域得到应用和推广。
光电三极管
三极管放大时管子内部的工作原理1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。
同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。
管芯基区面积做得较大，发射区面积却做得较小，入射光线主要被基区吸收。
与光电二极管一样，入射光在基区中激发出电子与空穴。
在基区漂移场的作用下，电子被拉向集电区，而空穴被积聚在靠近发射区的一边。
由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压，从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入，这就是硅光电三极管的工作原理。
光敏三极管(光电三极管)基础知识什么叫光敏三极管以接受光的信号而将其变换为电气信号为目的而制成之晶体管称为光敏三极管,也叫光电三极管,英文名是Photo Transister。
光敏三极管的原理及作用光敏三极管一般在基极开放状态使用(外部导线有两条线的情形比较多)，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。
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3.3.4 光电三极管（光电晶体管）
一. 工作原理
光电三极管的工作原理分为两个过程：
一是光电转换；二是光电流放大。
集电极输出的电流为：
为提高光电三极管的增益，减小体积，常将光电二极管或光电三极管及三极管制作到一个硅片上构成集成光电器件。
二. 光电三极管特性
1.伏安特性
光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。
偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。
随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。
光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。
这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。
2.时间响应（频率特性）
光电三极管的时间响应由以下四部分组成：
① 光生载流子对发射结电容C be 和集电结电容C bc 的充放电时间； ② 光生载流子渡越基区所需要的时间；
③ 光生载流子被收集到集电极的时间；
④ 输出电路的等效负载电阻R L 与等效电容C ce 所构成的RC 时间。
总时间为上述四项和。
比光电二极管的时间响应长。
通常，硅光电二极管的时间常数一般在0.1µs 以内，PIN 和雪崩光电二极管为ns 数量级，硅光电三极管长达5～10µs。
3.温度特性
硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流I d 和光电流I L 均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流I d 和亮电流I L 受温度的影响要比硅光电二极管大得多。
4.光谱响应
光电二极管与硅光电三极管具有相同的光谱响应。
图所示为典型的硅光电三极管3DU3的光谱响应特性曲线，它的响应范围为0.4~1.0μm ，峰值波长为0.85μm 。
对于光电二极管，减薄PN 结的厚度可以使短波段波长的光谱响应得到提高，因为PN 结的厚度减薄后，短波段的光谱容易被减薄的PN 结吸收（扩散长度减小）。
因此，可以制造出具有不同光谱响应的光伏器件，例如蓝敏器件和色敏器件等。
蓝敏器件是在牺牲长波段光谱响应为代价获得的（减薄PN 结厚度，减少了长波段光子的吸收）。
光电三极管
无基极引线的光电三极管。
它是依靠光的“注入”，把集电结光电二极管的光电流加以放大，从而在集电极回路中得到一个被放大的光生电流。
注入的光强不同，得到的光生电流也不同。
无基极引线光电三极管实际使用时有电流控制和电压控制两种电路。
有基极引线的光电三极管。
具有基极引线的光电三极管，可以在基极上提供一定偏流，以减少器件的发射极电阻，改善弱光条件下的频率特性，P C I I β=
同时使光电三极管的交流放大倍数β进入线性区，有利于调制光的探测。
适用于高速开关电路和调制光的探测。