光敏三极管的结构及工作原理和磁敏三极管

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光敏三极管 原理

光敏三极管 原理

光敏三极管原理光敏三极管是一种光电转换元件,通过光照射引起内部电流变化,从而实现光信号的电信号转换。

它广泛应用于光控开关、光电自动、通信设备等领域。

光敏三极管的原理是基于内部PN结的光生效应。

它由一个N型半导体和两个P 型半导体组成。

N型区域连接到一个正极(集电极),两个P型区域旁边连接到两个负极(发射极和基极)。

当光照射在PN结的表面时,光子的能量将导致电子从价带跃迁到导带,从而产生电子-空穴对。

这些电子和空穴会在电场作用下分别向发射极和集电极移动。

由于基极正向偏置,电子会被基极吸收,而空穴则会通过P型区域的PN结向发射极移动。

由于光的照射是随机的,光敏三极管的输出电流也是随机的。

因此,在实际应用中,我们需要对光敏三极管的输出进行放大和滤波,以提高信噪比和稳定性。

光敏三极管的工作原理可以通过光敏三极管的电特性曲线来理解。

在光敏三极管中,光照强度与输出电流之间存在着直接的线性关系。

当光照强度增加时,输出电流也随之增加。

这种线性关系可以通过光敏三极管的光电流-光照强度曲线来体现。

光敏三极管的光电流-光照强度曲线呈现出S型曲线,即当光照强度较小时,曲线较平缓,而当光照强度较大时,曲线则变得陡峭。

这是因为在较低的光照强度下,光敏三极管的敏感部分仍然存在着少量的电子和空穴,因此增加光照强度对输出电流的影响相对较小。

而在较高的光照强度下,光敏三极管的敏感部分会产生更多的电子和空穴,从而导致输出电流大幅增加。

光敏三极管还具有快速响应的特点。

当光照结束后,光敏三极管的输出电流会迅速恢复到初始状态。

这种快速响应的特性使光敏三极管在光噪声较高的环境下具有较好的性能。

在实际应用中,我们可以通过调整工作电压和外部电阻来控制光敏三极管的灵敏度。

较高的工作电压和较低的外部电阻可以提高光敏三极管的灵敏度,而较低的工作电压和较高的外部电阻则可以减小灵敏度。

总之,光敏三极管通过光的照射使得内部产生电子和空穴对,从而产生电流,实现光信号转换为电信号。

三极管的结构及工作原理

三极管的结构及工作原理

三极管的结构及工作原理三极管(transistor)是一种半导体器件,是现代电子技术中最重要的基本元器件之一、它是通过控制输入信号来操控输出信号的电子元件。

三极管的结构是由两个PN结组成的。

三极管通常由三个层次组成,分别是发射极、基极和集电极。

其中发射极和集电极是N型半导体材料,基极是P型半导体材料。

这种结构被称为NPN型三极管。

与之相反,如果集电极和发射极是P型半导体材料,而基极是N型半导体材料,则为PNP型三极管。

三极管的工作原理基于PN结的特性。

当PN结处于正向偏置时,P区多数载流子(空穴)向N区扩散,N区多数载流子(电子)向P区扩散,通过复合过程,形成电流。

而当PN结处于反向偏置时,少数载流子扩散的数量相对较小,形成的电流相对较小。

利用这种特性,三极管可以控制输入信号和输出信号之间的电流关系。

三极管的工作可以分为放大作用和开关作用两种。

在放大作用中,输入信号通过串联在发射极和基极之间的电阻器Rbase,这个输入信号可以将P区的耗尽层翻转,从而减小了基极电流IB,这种作用称为电流放大作用。

当IB减小时,由于基极电流与集电极电流的关系,集电极电流IC也随之减小。

因此,可以通过控制输入信号来放大输出信号。

在开关作用中,当输入信号为高电平时,通过Rbase传入基极的电流IB增大,使得三极管被打开,集电极电流IC流向负载电阻,控制开关的导通。

相反,当输入信号为低电平时,基极电流IB减小,三极管关闭,集电极电流IC消失,控制开关的断开。

除了发射极、基极和集电极之外,三极管还有个重要的参数是放大因子(β)。

放大因子是指输出电流IC与输入电流IB之间的倍数关系。

换句话说,它衡量了三极管的放大能力。

β的值取决于三极管的特定材料和制造过程,一般在20-100之间。

在实际应用中,三极管广泛应用于电子电路中,如放大电路、振荡电路、开关电路等。

在集成电路中,三极管作为基本单元,组合成各种逻辑门电路,并且大规模集成电路(LSI)的发展使得数百万甚至数十亿的三极管可以同时制造在一片半导体硅片上,成为现代电子技术的基石之一总结起来,三极管是一种半导体器件,其结构由发射极、基极和集电极组成,通过控制输入信号来操控输出信号。

光敏三极管结构

光敏三极管结构

光敏三极管结构光敏三极管(Phototransistor)是一种光敏元件,具有普通三极管的结构,但其发射极与基极之间没有PN结,而是通过光敏电阻连接。

光敏三极管可将光信号转化为电流信号,广泛应用于光电转换、光电控制等领域。

光敏三极管的结构主要包括发射极、基极和集电极。

其中,发射极和集电极是通过P型半导体材料形成PN结,而基极则是N型半导体材料。

光敏三极管的结构与普通三极管相似,但其基区较宽,以便增加光敏电流的产生。

光敏三极管的工作原理是基于内建电场的作用。

当光照射到光敏三极管的PN结上时,光子的能量会激发PN结上的电子跃迁,从而产生电子空穴对。

电子会被内建电场推向集电极,形成光电流;而空穴则会被内建电场推向发射极,形成光电流的补偿电流。

因此,光敏三极管的集电电流与光照强度成正比。

光敏三极管的特点是具有高灵敏度、快速响应和良好的线性特性。

由于其结构与普通三极管相似,因此可以与普通三极管相同的电路进行连接。

光敏三极管可用作光电转换器,将光信号转化为电信号,如光电耦合器、光电隔离器等。

此外,光敏三极管还可用于光电控制,如光敏开关、光敏电阻等。

在实际应用中,光敏三极管需要注意其工作条件。

首先,光敏三极管对光照强度非常敏感,因此应尽量避免直接阳光照射,以免产生过大的光电流。

其次,光敏三极管的结构较为脆弱,需要注意防护,避免机械损坏。

此外,光敏三极管的工作温度范围也需要注意,过高或过低的温度都会影响其性能。

在光敏三极管的选型中,需要考虑其特性参数。

例如,光敏三极管的光敏电流和光照强度的线性关系、响应时间、频率响应范围等。

根据具体应用需求,选择合适的光敏三极管。

总结一下,光敏三极管是一种光敏元件,具有普通三极管的结构,但其发射极与基极之间通过光敏电阻连接。

光敏三极管利用内建电场的作用,将光信号转化为电流信号。

它具有高灵敏度、快速响应和良好的线性特性,广泛应用于光电转换、光电控制等领域。

在选型和使用过程中,需要考虑其特性参数和工作条件,以确保其正常工作和稳定性能。

实验三 光敏三极管特性实验

实验三  光敏三极管特性实验

实验三:光敏三极管特性实验一、实验目的:.1、熟悉光敏三极管的结构和作用原理;2、了解光敏三极管的特性,当工作偏压一定时,光敏三极管输出光电流与入射光的照度(或通量)的关系。

二、实验原理:光敏三极管是在光电二极管的基础上发展起来的,它和普通的晶体三极管相似——具有电流放大作用,只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制,还受光的控制。

所以光敏三极管的外形有光窗。

有三根引线的也有二根引线的,管型分为PNP型和NPN型两种光敏三极管,NPN型称3DU型光敏三极管,PNP 型称3CU型光敏三极管。

现以3DU型为例说明硅光敏三极管的结构和作用原理,如图3-1所示。

以N 型硅片作为衬底,扩散硼而形成P型,再扩散磷而形成重掺杂N+层,并涂以SiO2作为保护层。

在重掺杂的N+侧开窗,引出一个电极并称作“集电极c”,由中间的P型层引出一个基极b,也可以不引出来(由于硅光敏三极管信号是以光注入,所以一般不需要基极引线),而在N型硅片的衬底上引出一个发射e,这就构成一个光敏三极管。

图3-1 3DU型光敏三极管结构原理图及符号硅光敏三极管的工作原理:工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同,即需要保证集电极反向偏置,发射极正偏置,由于集电极是反偏置,在结区内有很强的内建电场,对3DU型硅三极管来说,内建电场的方向是由c到b,与硅光电二极管工作原理相同,如果有光照到基极--集电极上,能量大于禁带宽度的光子在结区内激发出光生载流子-电子空穴对,这些载流子在内建电场的作用下,电子流向集电极,空穴流向基极,相当于外界向基极注入一个控制电流I b=I p(发射极是正向偏置和普通晶体管一样有放大作用)。

当基极没有引线,此时集电极电流:I c=β I b=β I p=S E·E·β式中β为晶体管的电流增益系数;E为入射照度;S E为光电灵敏度。

由此可见,光敏三极管的光电转换部分是集-基结区内进行,而集电极、基极、发射极又构成了一个有放大作用的晶体管。

三极管工作原理(详解)

三极管工作原理(详解)

三极管工作原理(详解)三极管,也叫晶体三极管,简称晶体管,是一种能够放大电路中微小信号的电子元器件。

它的原理是通过控制一个区域的电子流,来改变另一个区域的电流。

晶体管最早由贝尔实验室的威廉·肖克利发明,是现代电子技术的基础之一。

本文将详细讲解三极管的工作原理。

一、晶体管的结构晶体管由三个掺杂不同材料的半导体层构成,分别为发射极(EB)、基极(CB)和集电极(CE)。

发射极(E):它是一个P型半导体,它的厚度很少,通常在0.01毫米以上,但是面积很大,通常在平方数分米。

基极(B):它是一个N型半导体,尽管它的尺寸比发射极大,但它的浓度很低,它是晶体管的控制电极。

集电极(C):它是一个N型半导体,通常比基极大几倍,是晶体管的输出电极。

为了保护晶体管的内部结构,晶体管需要封装成小型的金属或塑料外壳。

封装的芯片会被裸露出来,然后通过银色的金属脚连接电路板。

二、晶体管的工作原理晶体管是一种由硅和其他半导体材料构成的小型电子元件。

它的最重要的特性是可以放大信号。

晶体管的三个引脚在应用中被分别用作发射极、基极和集电极。

晶体管通过控制基极的电压,就能够放大电路中的微小信号。

晶体管具有三个工作区,它们分别是截止区、放大区和饱和区。

1. 截止区当基极电压低于截止电压时,晶体管处于截止状态,整个晶体管的结构中没有电流流动。

2. 放大区当基极电压高于截止电压时,晶体管处于放大状态。

此时,基极电压对晶体管的集电极电流产生控制作用。

如果基极电压升高,晶体管中的电流流向集电极方向就会升高,从而放大晶体管输入的电信号。

3. 饱和区当基极电压继续升高,晶体管中的电流达到最大值时,晶体管就会进入饱和状态。

在饱和区,晶体管可以用作开关,输出高电平或低电平。

三、晶体管的偏置要正确使用晶体管,需要对其进行偏置操作。

晶体管的偏置,是指将晶体管连接到电路中,并用一个外部电源提供所需要的电力。

基极电压在适当的电压下,即可使晶体管处于放大状态。

实验六光敏三极管

实验六光敏三极管

五、光敏三极管的光电特性及伏安特性一、实验原理:光注入 用波长比较短的光 照射到半导体光照产生非平衡载流子产生的非子一般都用∆n ,∆p 来表示。

达到动态平衡后: n=n 0+∆n ,p=p 0+∆p ; n 0,p 0为热平衡时电子浓度和空穴浓度,∆n ,∆p 为非子浓度。

光敏三极管是一种光生伏特器件,用高阻P 型硅作为基片,然后在基片表面进行参杂形成PN 结。

N 区扩散得很浅为1μm 左右,二空间电荷区,(即耗层区)()g E h >γ较宽,所以保证了大部分光子入射到耗层区内。

光子入射到耗层内被吸收而激发电子-空穴对,电子-空穴对在外加反向偏压V CB的作用下,空穴流向正极,形成了三极管的反向电流即光电流。

光电流通过外加负载电阻R L后产生电压信号输出。

光敏三极管原理与结构:下图给出了NPN 型光敏三极管基本线路。

基极开路,基极-集电极处于反偏状态。

当光照射到PN 结附近时,由于光生伏特效应,产生光电流。

该电流相当于普通三极管的基极电流,因此将被放大(1+ β )倍,所以光敏三极管具有比光敏二极管更高的灵敏度。

实验目的:1、了解光敏三极管光电特性,当光电管的工作偏压一定时,光电管输出光电流与入射光的照度(或通量)的关系。

2、当入射光的照度(或通量)一定时,光电管输出的光电流与偏压的关系(伏安特性)。

实验步骤:见讲义下图为光敏晶体管的光照特性曲线。

它给出了光敏晶体管的输出电流Ic 和照度Ee 之间的关系。

从图中可以看出它们的曲线近似地可以看作是线性关系。

下图为锗光敏晶体管的伏安特性曲线.光敏晶体管在不同照度Ee 下的伏安特性,就象一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。

只要将入射光在发射极与基极之间的PN 结附近所产生的光电流看作基极电流,就可将光敏晶体管看成一般的晶体管。

光敏晶体管的伏安特性六、光敏三极管的光谱响应特性一、实验原理:光电器件的灵敏度是入射辐射波长的函数。

以功率相等的不同波长的单色辐射入射于光电器件,其光电信号与辐射波长的关系为光电器件的光谱响应。

光敏三极管结构

光敏三极管结构

光敏三极管结构光敏三极管是一种基于光电效应的电子元器件,常用于光电传感、光电转换和光信号放大等应用中。

它的结构简单,由P型半导体、N型半导体和P型半导体组成,具有敏感度高、响应快、抗干扰能力强等特点。

光敏三极管的主要结构包括发射极、基极和集电极。

发射极为P型半导体,基极为N型半导体,集电极为P型半导体。

发射极和基极之间形成一个PN结,基极和集电极之间形成一个PN结,这两个PN结共同构成了光敏三极管的结构。

光敏三极管的工作原理是基于光电效应的。

当光照射到光敏三极管的发射极和基极之间的PN结上时,光子的能量会将PN结中的电子激发,使其跃迁到价带中,形成电子空穴对。

由于PN结的特殊结构,电子空穴对会在PN结中分离,电子向基极方向移动,空穴向发射极方向移动。

这样就产生了电流,即光敏三极管的输出信号。

光敏三极管的输出信号与光照强度呈正比关系,光照强度越大,输出信号越强。

在光照强度不变的情况下,光敏三极管的输出信号也会受到温度、电压等影响。

因此,在实际应用中,需要对光敏三极管进行校准和调整,以保证输出信号的准确性和稳定性。

光敏三极管具有敏感度高、响应快、抗干扰能力强等优点,因此在光电传感、光电转换和光信号放大等领域得到了广泛应用。

例如,在光电传感领域,光敏三极管可以用于检测光线的强弱,实现光的定量检测;在光电转换领域,光敏三极管可以将光信号转换为电信号,方便信号的处理和传输;在光信号放大领域,光敏三极管可以放大微弱的光信号,提高信号的可靠性和稳定性。

然而,光敏三极管也存在一些局限性,如对光照强度的范围有限、对环境温度和电压的要求较高等。

此外,光敏三极管的输出信号受到光照强度和环境条件的影响较大,容易受到干扰。

因此,在实际应用中,需要根据具体的需求和环境条件选择合适的光敏三极管,并进行适当的校准和调整,以保证其性能和稳定性。

光敏三极管是一种基于光电效应的电子元器件,具有敏感度高、响应快、抗干扰能力强等优点。

它的结构简单,包括发射极、基极和集电极。

光敏三极管的结构及工作原理和磁敏三极管

光敏三极管的结构及工作原理和磁敏三极管

光敏三极管的结构及工作原理说明:光敏三极管与二极管不同的是有两个背对相接的PN结。

与普通三极管相似的是,它也有电流增益。

图21-7示出了NPN型光敏兰极管的结构。

需要指出的是,因光敏三极管无须电参量控制,所以一般没有基极引出线,只有集电极C和发射极e两个引脚,而且外形和光敏二极管极为相似,很难区别开,需认真看清管壳外缘标注的型号,以免混淆。

有时为了提高电压放大倍数,生产商将光敏三极管与另一普通二极管制作在一个管芯内,连结成复合管形式,称为达林顿型光敏三极管。

它的电压放大倍数很高(β=βlβ2),且允许输出较大电流,即电流放大倍数也很高(α=α1α2)。

但达林顿型光敏三极管的暗电流较大,非线性严重,温漂大以及抗干扰能力差,需在电路中增加抑制回路方能正常工作。

网名: sels光敏三极管基础知识光敏三极管和普通三极管相似,也有电流放大作用,只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,同时也受光辐射的控制。

通常基极不引出,但一些光敏三极管的基极有引出,用于温度补偿和附加控制等作用。

当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时,形成光电流,由此产生的光生电流由基极进入发射极,从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。

不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性,与光敏二极管相比,具有很大的光电流放大作用,即很高的灵敏度。

通过对半导体二极管和三极管的学习,我了解了晶体管的基本结构和工作原理,晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。

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光敏三极管的结构及工作原理
说明:光敏三极管与二极管不同的是有两个背对相接的PN结。

与普通三极管相似的是,它也有电流增益。

图21-7示出了NPN型光敏兰极管的结构。

需要指出的是,因光敏三极管无须电参量控制,所以一般没有基极引出线,只有集电极C和发射极e两个引脚,而且外形和光敏二极管极为相似,很难区别开,需认真看清管壳外缘标注的型号,以免混淆。

有时为了提高电压放大倍数,生产商将光敏三极管与另一普通二极管制作在一个管芯内,连结成复合管形式,称为达林顿型光敏三极管。

它的电压放大倍数很高(β=βlβ2),且允许输出较大电流,即电流放大倍数也很高(α=α1α2)。

但达林顿型光敏三极管的暗电流较大,非线性严重,温
漂大以及抗干扰能力差,需在电路中增加抑制回路方能正常工作。

网名: sels
光敏三极管基础知识
光敏三极管和普通三极管相似,也有电流放大作用,只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,同时也受光辐射的控制。

通常基极不引出,但一些光敏三极管的基极有引出,用于温度补偿和附加控制等
作用。

当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时,形成光电流,由此产生的光生电流由基极进入发射极,从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。

不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性,与光敏二极管相比,具有很大的光电流放大作用,即很高的灵敏度。

通过对半导体二极管和三极管的学习,我了解了晶体管的基本结构和工作原理,晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

虽然重点学习了晶体管的放大作用,但是我对晶体管的开关作用更感兴趣。

半导体就像
一个开关,可以通过导通与截止来控制电路。

半导体通过添加一部分微量元素会使其特性发生翻天覆地的变化。

光敏晶体管就是一种重要的衍生物。

视觉是人体最重要的感觉,因此,我觉得通过光来控制电路真是太精妙了,而光敏的二极管三极管恰好就完成这个任务。

因为光敏三极管由于还具有放大作用,因此应用比二极管更加广泛。

光敏三极管用于测量光亮度,经常与发光二极管配合使用作为信号接收装置。

下面用事例说明介绍一下各种功能。

一测量光亮度
在教室图书馆,很多时候日光灯白天也亮着,在宿舍里面,日光灯经常是昼夜不息,同学们对这种浪费已经麻木不仁了。

有的同学早晨去教室,虽然教室很明亮但还要开灯,虽然一盏日光灯不会浪费多少资源,但积少成多,浪费就是很大了。

因此,我们可以在教室安装一个控制电路,当亮度达到一定程度的时候,使得教室里面和宿舍里面日光灯将无法启动。

我们可以利用光敏三极管附加电磁继电器来完成这个电路。

采光点的选取是一个关键,因为并不是每一个教室的明亮程度都是相同的,我们可以采用多点取样来达到这个要求。

例如在20个教室中都安放光敏三极管,我们可以设置,如果他们全部或者大部分亮度都很高,那么,日光灯就无法正常启动,达到节约能源的目的。

还有一种情况,就是如果有一天天空布满了乌云,亮度不够,那么日光灯可以开启了。

但是不久云开雾散,天气放晴,日光灯不会自动关闭。

同样造成很大浪费。

可以在采光点所在的教室外面再安装一个采光点,当室内外强度的差值缩小到一定范围是,我们可以认为日光灯的作用可以忽略了,日光灯就会自动
关闭。

另外一种情况,如果教室外面正下雨,教室里面日光灯亮着,此时窗外一个闪电,使得外面很亮,日光灯就关闭了,这会造成麻烦。

因此要避免这种问题。

方法就是在电路中安装计数器,使得亮度差维持一
定时间才可以使日光灯强制关闭。

综上所述,我们可以利用光敏三极管设计一个电路,使得日光灯无法正常启动或者被强制关闭从而达到节约能源的目的。

当然,这种方法的可行性从现在看并不是很高,电路要改装费用可能很高都会影响实施。

不过我认为的确可以通过光敏三极管的特性来得到节约的目的。

二光电隔离
光敏三极管的另一个作用是传输信号,光耦合器(optical coupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器,简称光耦。

光耦合器以光为媒介传输电信号。

它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,所以,它在各种电路中得到广泛的应用。

目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。

光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。

输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。

这就完成了电—光—电的转换,从而起到输入、输出、隔离的作用。

由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。

又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。

所以,它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。

在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大增加计算机工作的可靠性。

光耦合器的主要优点是:信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强,工作稳定,无触点,使用寿命长,传输效率高。

光耦合器是70年代发展起来产新型器件,现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控
制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。

光耦合器工作原理
用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。

当有电流通过发光二极管时,便形成一个光源,该光源照射到光敏三极管表面上,使光敏三极管产生集电极电流,该电流的大小与光照的强弱,亦即流过二极管的正向电流的大小成正比。

由于光耦合器的输入端和输出端之间通过光信号来传输,因而两部分之间在电气上完全隔离,没有电信号的反馈和干扰,故性能稳定,抗干扰能力强。

发光管和光敏管之间的耦合电容小(2pf左右)、耐压高(2.5KV左右),故共模抑制比很高。

输入和输出间的电隔离度取决于两部分供电电源间的绝缘电阻。

此外,因其输入电阻小(约10Ω),对高内阻源的噪声相当于被短接。

因此,由光耦合器构成的模拟信号隔离电路具有优良的电气性能。

三非接触测量转速
转矩传感器在旋转轴上安装着60条齿缝的测速轮,在传感器外壳上安装的一只由发光二极管及光敏三极管组成的槽型光电开关架,测速轮的每一个齿将发光二极管的光线遮挡住时,光敏三极管就输出一个高电平,当光线通过齿缝射到光敏管的窗口时,光敏管就输出一个低电平,旋转轴每转一圈就可得到60个脉冲,因此,每秒钟检测到的脉冲数恰好等于每分钟的转速值。

磁敏三极管
磁敏三极管是在磁敏二极管的基础上研制出来的。

它的一端为集电极c和发射极e(n+区)、另一端P+区为基极b(图3)。

磁场的作用使集电极的电流增加或减少。

它的电流放大倍数虽然小于1,但基极电流和电流放大系数均具有磁灵敏度,因此可以获得远高于磁敏二极管的灵敏度。

磁敏三极管是尚处于研制阶段的新型器件,凡是应用霍耳元件,磁阻元件和磁敏二极管的地方均可用磁敏三极管来代替。

磁敏三极管尤其适用于某些需要高灵敏度的场合,如微型引信、地震探测等方面。

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