TLP521-4中文资料(光电耦合器 电流不大)
TLP521-4中文资料(光电耦合器 电流不大)
V
集电极发射极电压
Emitter−collector voltage
VECO
7
V
发射极集电极电压
接收侧
Collector current 集电极
IC
50
mA
电流
Collector power
dissipation (1 circuit) 集 PC
150
100
mW
电极功耗
Collector power dissipation
Characteristic 参数
Min Typ Max Unit
Symbol Test Condition 测试
最典最 单
符号
条件
小型大 位
50
— 600
Current transfer ratio 经常转移
IF=5mA, VCE =5V
IC/IF
%
的比率
Rank GB
100 — 600
Saturated CTR 饱和率
Characteristic 参数
Symbol 符号
Rating 数值
TLP521−1
TLP521−2 TLP521−4
Uni t 单位
Forward current 正向电流 IF
70
50
mA
Forward current derating 正向电流减率
ΔIF/ ℃
−0.93(Ta ≥50℃)
−0.5(Ta≥25 ℃)
−55~100
Lead soldering temperature 无铅焊接温度
Tsol
260 (10 s)
Total package power dissipation 整体功耗
TLP521中文资料
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图：应用电路：图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C∙扇出（驱动）能力： (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多∙HC Types- 工作电压：2V到6V- 高抗扰度: N IL = 30%, N IH= 30% of V CC at V CC = 5V∙HCT Types- 工作电压：4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, V IL= 0.8V (Max), V IH = 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, I l1μA at V OL, V O该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。
四通道晶体管输出光耦TLP521-4,LTV-847,PS2501-4
四通道晶体管输出光耦TLP521-4，LTV-847，PS2501-4
关键词：集体管输出光耦，4通道光耦
TLP521-4，LTV-847，PS2501-4均是4通道晶体管输出光耦，每个通道各自独立，因此相当于4颗普通的晶体管输出光耦，比如TLP521、PC817等等。
基于其多通道因此主要用在一些工控板，驱动板上以及PLC的I/O接口的隔离上。
优点：
这几款光耦的优点无疑就是其四通道集成封装，这对于一些多通道隔离方面的应用上是非常合适的，甚至可以从装配上相对单通道光耦能提升4倍的安装时间以及降低人工成本。
我们可以看到，下面是采用TLP521进行隔离的步进电机驱动板，需要用户到4颗TLP521，在设计时需要为各个光耦之间保留一定的间隙方便材料上板，并且需要安装4次，如果采用四通道光耦，就没必要预留间隙，从而减少PCB使用面积，并且只要安装一次就好，尤其对于工厂批量上生产来说是非常有利的。
这几款光耦从参数上来看是可以相互替换的，价格方面台系的会比较便宜，如果要从综合性价比上考虑，从下表我们可以看到ISOCOM的TLP521-4是性价比最高的。
型号TLP521-4(ISO) TLP521-4(东芝) LTV-847 PS2501-4
厂商ISOCOM Toshiba LITEON Renesas
价格（RMB） 1.60 (特价) 2.95 1.10 2.65。
tlp521光耦参数
tlp521光耦参数
TLP521是一种可编程场效应晶体管（FET）光耦，其主要用途是将输入信号转换为输出信号并进行隔离。
本文将详细介绍TLP521的参数和特性。
1. 输入电流
TLP521的最大输入电流为50mA，这是光耦工作的关键参数之一。
输入电流过大可能会导致光电元件过热或损坏，因此需要在使用时仔细控制。
2. 工作温度
TLP521光耦的工作温度范围为-55℃到100℃。
正常情况下，光耦应该在其指定的工作温度范围内运行，以免影响性能或寿命。
3. 灵敏度
TLP521的最小发光电流（IFLH）为5mA，这是光耦的灵敏度的关键参数。
发光电流越低，光耦的灵敏度就越高。
因此，TLP521是相对较敏感的光耦。
4. 输出电压
TLP521的最大输出电压为80V，这是光耦输出电信号的关键参数。
如果需要更高的输出电压，可以考虑其他光耦型号。
5. 响应时间
TLP521的最大响应时间为4微秒，这也是光耦的关键参数之一。
响应时间越短，光耦的应用范围就越广。
6. 绝缘电阻
TLP521的最小绝缘电阻为10^10欧姆，这是光耦进行隔离的关键参数之一。
绝缘电阻越高，光耦进行隔离的效果就越好。
总之，TLP521是一种功能强大的光耦，适用于许多应用，包括自动化控制、通信、电力等领域。
了解TLP521的参数和特性有助于更好地选择和使用这种光耦。
(整理)TLP521中文资料.
摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。
文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。
关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。
近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。
1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。
光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
TLP521资料
TLP521资料1、TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）经常转移的比例：50 ％（最小）隔离电压：2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
*1: Ex. rank GB: TLP521 1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521 1 (GB): TLP521 1, TLP521 2 (GB): TLP521 2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)voltage 集电极发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压(sat)mA ― ― 0.2 ― ― 0.4IC=0.2mA, IF=1mA Rank GBIsolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃) ℃ Characteristic 参数Symbol 符号CS RS Test Condition 测试条件Min 最小― ― 2500 ― ―output)电容输入输出) 电容( Capacitance(input to output)电容(输入输出) Isolation resistance 隔离电阻Isolation 隔离电阻VS = 0, f = 1 MHz VS = 500 V, R.H.≤ 60% R.H.≤ AC, 1 Min 最小uteIsolation voltage 隔离电压BVSAC, 1 second, in oil DC, 1 Min 最小ute, in oil25℃ Switching Characteri stic 开关特性参数(Ta = 25℃) Symbol 符号Min 最小― ― RL=100 VCC=10V IC=2mA RL=100 ― Typ 典型2 3 3 Max 最大― ― μ ― s Unit 单位Characteristic 参数Test Condition 测试条件Rise time 上升时间Fall time 下降时间tr tfTurn Turn on time 开启时间ton Turn Turn off time 关断时toff 间Turn Turn on time 开启时间Storage time 存储时间ts―3―tON1.9kΩ RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC = 5V, IF = 16mA―2― sμ―15―图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图。
卓 睿 CYTLP521 可控制光电藕合器件说明书
概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
四引脚封装，三种形式（DIP 、DIP-M 、SMD ）特性∙ 电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （I F =5mA ,V CE =5V ） ∙ 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) ∙ 集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥80V ∙ UL 和cUL 认证（NO.:E497745） ∙符合EU REACH 和RoHSApplications光电特性 (Ta=25 C)Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit 正向电压 V F1 I F =10mA 1.0 - 1.3 V 正向电压V F2 I F =20mA 1.1 - 1.4 V 反向电流 I R V R =5V - - 10 µA 输入终端电容 C t V=0, f=1kHz - 30 250 pF 集电极暗电流I CEO V CE =50V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BV CEO I C =0.1mA, I F =0 80 - - V 输出发射极-集电极击穿电压 BV ECO I E =10µA, I F =0 7 - - V 电流转换比 CTR I F =5mA, V CE =5V 130 - 600 % 隔离电阻V CE(sat) I F =2mA, I C =5mA - 0.25 0.8 V 集电极-发射极饱和压降 R ISO DC500V, 40~60%R.H. 1x1012 - - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 传输特性截止频率 Fc V CE =5V, I C =2mA, R L =100Ω, -3dB - 80 - kHz 上升时间 Tr - 2 - µs 下降时间 Tf - 3 - µs 开启时间Ton - 3 - µs 关断时间 Toff V CE =10V, I C =2mA,R L =100Ω- 3 - µs 开启时间 Ton - 2 - µs 存储时间Ts - 15 - µs 开关时间关断时间ToffR L = 1.9 kΩV CC = 5 V, I F = 16 mA-25-µs* CTR=I C /I F x 100%CTR 分级表电流转换率(%)(I C /I F )IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C 型号 分级标准MinMax标志分类A 50 600 Rank Y50 150 Rank GR 100 300 Rank BL 200 600 CYTLP521 Rank GB100600外形尺寸回流焊温度曲线图T e m p e r a t u r e ()℃25℃包装■ 汇总表 封装形式 包装方式 盘/管 数量 盒数量 箱数量静电袋 盒规格 箱规格备注SMD-4 卷盘 (ϕ330m 蓝盘)2千只/盘 2 盘/盒 10 盒 /箱 380*380mm 340*60*340mm 620*360*365mm 首尾端空至少200mm min. DIP-4 管装(500*12*11mm) 100只 /管 60 管/盒 6 盒 /箱NA 525*128*56mm 535*275*300 mm DIP-4(M)管装 (500*13*11mm)100只 /管60 管/盒 6盒 /箱 NA525*136*58mm 535*295*310 mm■ DIP-4 条管包装1) 每箱数量：36000只 2) 内包装：i. 每条管100 只，采用防静电条管，条管上有商标、防静电标志。
(完整版)TPL521中文资料 光耦
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）经常转移的比例：50 ％（最小）隔离电压：2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Characteristic 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2TLP521−4LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
(Note): Application type name for certification test, please use standard producttype name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2。
TLP521-4中文说明
TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−(Ta≥50℃)−(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−−mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围Topr−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−−mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, .≤60%)Vrms注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
TLP521-4中文资料
—3
—
Turn−on time 开启时
tON
间
—2
—
Storage time 存储时间 ts
RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC = 5V,
IF = 16mA
— 15 —
μs
Turn−off time 关断时间 tOFF
— 25 —
图 3 TLP521-1 封装图
图 4 TLP521-2 封装图
Symbol 符 号
Test Condition 测试条件
Capacitance(input to output)电容（输入输出）
CS
VS = 0, f = 1 MHz
Isolation resistance 隔离电阻
RS
VS = 500 V, R.H.≤ 60%
Isolation voltage 隔离电压
集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值） 经常转移的比例： 50 ％（最小） 隔离电压： 2500 Vrms （最小）
图 1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图
图 2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图
Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)
ΔPC/
circuit Ta ≥ 25℃) 集电 ℃
−1.5
−1.0
极功耗减率
Junction temperature
Tj
125
结温
Storage temperature range 储存温度范围 Tstg
−55~125
Operating temperature range 工作温度范 Topr 围
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Characteristic 参数
Symbol 符号
Min Typ Max Unit 最典最 单 小型大 位
Supply voltage 电源电压
VCC
―5
24
V
Forward current 正向电流
IF
― 16 25
mA
Collector current 集电极电流
IC
―1
10
mA
Operating temperature 操作温度
mA/℃
LED
Pulse forward current 瞬间
IFP
正向脉冲电流
1 (100μ pulse, 100pps) A
Reverse voltage 反向电压 VR
5
V
Junction temperature 结温 Tj
125
℃
Collector−emitter voltage
VCEO
55
Rank GB 100
600
Blank, GR, BL, GB GR, BL, GB
*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)
(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name,
集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值） 经常转移的比例： 50 ％（最小） 隔离电压： 2500 Vrms （最小）
图 1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图
图 2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图
Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)
Topr
−25 ― 85
℃
型号
Classi− fication (*1)分级
Current Transfer Ratio (%)(IC/IF) 经常转移率
(%)(IC/IF)
Marking Of Classification 标志的 分类
标准
IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25℃
Switching Characteristic 开关特性参数 (Ta = 25℃)
Characteristic 参数
Symbol 符号
Test Condition 测试条件
Min Typ Max Unit
最典最 单位
小型大
Rise time 上升时间 tr
—2
—
Fall time 下降时间 tf Turn−on time 开启时间 ton
Isolation resistance 隔离电阻
RS
VS = 500 V, R.H.≤ 60%
AC, 1 Min 最小 ute
Isolation voltage 隔离电压
BVS
AC, 1 second, in oil
DC, 1 Min 最小 ute, in oil
Min 最小 — — 2500 — —
i.e.
TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2
Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数 (Ta = 25℃)
Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数 s(Ta = 25℃)
—
60 —
IC/IF IF=1mA, VCE=0.4V
%
(sat)
Rank GB
30
——
Collector−emitter saturation
VCE
IC = 2.4 mA, IF = 8 —
— 0.4
V
voltage 集电极-发射极饱和电压 (sat)
mA
— IC=0.2mA, IF=1mA Rank GB
Characteristic 参数
Symbol 符号
Rating 数值
TLP521−1
TLP521−2 TLP521−4
Uni t 单位
Forward current 正向电流 IF
70
50
mA
Forward current derating 正向电流减率
ΔIF/ ℃
−0.93(Ta ≥50℃)
−0.5(Ta≥25 ℃)
Characteristic 参数
Min Typ Max Unit
Symbol Test Condition 测试
最典最 单
符号
条件
小型大 位
50
— 600
Current transfer ratio 经常转移
IF=5mA, VCE =5V
IC/IF
%
的比率
Rank GB
100 — 600
Saturated CTR 饱和率
最小
最大
A
50
600
Blank, Y, Y■, G, G■, B, B■, GB
Rank Y
50
150
Y, Y■
TLP521
Rank GR 100
300
G, G■
Rank BL 200
600
B, B■
Rank GB 100
600
G, G■, B, B■, GB
A
50
600
TLP521−2
TLP521−4
V
集电极发射极电压
Emitter−collector voltage
VECO
7
V
发射极集电极电压
接收侧
Collector current 集电极
IC
50
mA
电流
Collector power
dissipation (1 circuit) 集 PC
150
100
mW
电极功耗
Collector power dissipation
VCC=10V IC=2mA RL=100Ω
—3
—
—3
—
μ s
Turn−off time启时 tON
间 Storage time 存储时间 ts
—2
—
RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC =
5V, IF = 16mA
— 15 —
μ s
Turn−off time 关断时间 tOFF
derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) ΔPC/℃ −1.5
−1.0
集电极功耗减率
Junction temperature 结温 Tj
125
Storage temperature range 储存温度范围
Tstg
−55~125
Operating temperature range 工作温度范围 Topr
— 25 —
图 3 TLP521-1 封装图
图 4 TLP521-2 封装图
图 5 TLP521-4 封装图
特性曲线图：
图 6 开关时间测试电路
应用电路： 图 7 打开或关闭 12V 直流电动机的 TTL 控制信号输入电路图
—
0.2 — — 0.4
Isolation Characteristic 耦合电气特性参数 (Ta = 25℃)
Characteristic 参数
Symbol 符号
Test Condition 测试条件
Capacitance(input to output)电容（输入输出） CS
VS = 0, f = 1 MHz
1、TLP521 是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系 统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等 电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰， 减化电路设计。
东芝 TLP521－1，－2 和－4 组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。 该 TLP521－2 提供了两个孤立的 光耦 8 引脚塑料封装，而 TLP521－4 提供了 4 个孤立的 光耦中 16 引脚塑料 DIP 封装
(Ta≥25℃) 整体功耗减率
Isolation voltage 隔离电压
2500(AC,1Min 最小, BVS
R.H.≤60%)
mW/℃
℃ ℃ ℃ ℃ mW mW/℃
Vrms
注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导
致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions 建议操作条件
−55~100
Lead soldering temperature 无铅焊接温度
Tsol
260 (10 s)
Total package power dissipation 整体功耗
PT
250
150
Total package power dissipation derating
ΔPT/℃ −2.5
−1.5