TLE5012B英飞凌Infineon 360°角度传感器GMR巨磁阻
TLE5012
7 7 8 8
Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 Pin Configuration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Pin Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Functional Block Description . . . . . . . .
英飞凌IGBT模块型号参数大全
EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EconoPACK 2B EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 3B EconoPACK 3B EconoPACK 3B
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FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 BSM200GD60DLC FS200R06KE3 FS400R06A1E3 FS400R07A1E3 FS800R06A2E3 FS800R07A2E3 FS200R07N3E4R FS200R07N3E4R_B1 1 FP50R06W2E3 BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60 FP10R06KL4 FB10R06KL4G FB15R06KL4 FB15R06KL4B1 FB20R06KL4 FB20R06KL4_B1 FP10R06KL4_B3 FP10R06W1E3 FP10R06YE3 FP10R06YE3_B4
飞思卡尔推出三款高敏感度传感器
ＭＭＡ ６ ２ ７ ０ Ｑ、ＭＭＡ ６ ２ ８ ０ Ｑ 和 ＭＭＡ ７ ２ ６ １ Ｑ 的 功 能 特 性包
为单体锂 离子电池组实现更快速充 电：４ ． ５ Ａ输 出 ２ ０ Ｖ输入
充 电器可通过独特 的电池路径 阻抗 补偿 将充 电时间锐 减一 半；
坠落 、倾斜 、移动 、定位和振动 。
ＭＭ Ａ ６ ２ ７ ０ Ｑ （Ｘ Ｙ 一 轴 ）、 ＭＭＡ ６ ２ ８ ０ Ｑ（ Ｘ ｚ 一 轴 ）和
ＭＭＡ ７ ２ ６ １ Ｑ（ Ｘ Ｙ Ｚ 一 轴 ）传感 器设 备根据 应用 需要 提供２ 或
３ 个 感应 轴 。ＭＭＡ ６ ２ ８ ０ Ｑ 是业 界第 一个Ｘ Ｚ 轴加 速计 ，可 在 横 向和垂 直平面 上感 应 ，无需 子卡 。因此在 不需要 三轴设
阳能电池的组件 ，体积最小 ，但可将能源采集能力发挥到最 大。此外 ，简化 的布线解决方案可提高安装商的效率 ，缩短 了安装时间 ，从而也节约了成本。机架式的微型逆变器 已经
通过 了欧洲 、北美 和澳大利亚等主要市场的认证 。
德ｋ ＇ ｌ ｔ Ｉ 仪器 ４ ． ５ Ａ锂 离子 电池 充电器 支 持更 快 、更低 温度 的充 电
日前 ，德州 仪器 （ ｒ Ｉ ’ Ｉ ） 宣布推 出新 型锂离子 电池 充电器 集成 电路 （ Ｉ ｃ ）与其它充 电器解 决方 案相 比，其可将智能手
机 及 平板 电脑充 电时 间缩 短一 半 。该 ｂ ｑ ２ ４ １ ９ ｘ系 列额 定 ４ ． ５ Ａ输 出、２ ０ Ｖ输入开关模式 充 电器具有 Ｉ ２ Ｃ接 口并 提供
Ｅ ｎ ｅ ｅ ｓ ｙ ｓ 新一 代微型逆变 器附带新 一代 Ｅ ｎ ｅ ｅ ｓ ｙ ｓ网关 ，
TLE5012B_Register_Setting_AN_Rev1.5 (Chinese)( )
角度传感器GMR 角度传感器TLE5012B寄存器设置版本 2012-11-15由 Infineon Technologies AG 出版81726 Munich, Germany©2012Infineon Technologies AG保留所有权利法律免责声明在任何情况下均不得将本文件所提供的信息视为对条件或特征的担保。
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英飞凌 FP50R12N2T7P EconoPIM 2 模块 数据表
EconoPIM ™2 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管 带有温度检测NTC 和预涂导热介质特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 50 A / I CRM = 100 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-预涂导热介质-焊接技术可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068标准的相关测试，符合工业应用的要求。
描述FP50R12N2T7PEconoPIM ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4二极管,整流器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5IGBT, 斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6Diode-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 7负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 9电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 10封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 11模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .191封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE35nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T H=25°C, 每个开关 5.5mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T H=25°C, 每个开关 4.8mΩ储存温度T stg-40125°C 最高基板工作温度T BPmax150°CM5, 螺丝36Nm 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装重量G180g注:The current under continuous operation is limited to 50 A rms per connector pin.Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-072IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 90 °C50A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms100A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 50 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.50 1.80VT vj = 125 °C 1.64T vj = 175 °C 1.72栅极阈值电压V GEth I C = 2 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.92µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V11.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.039nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.01mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.059µs T vj = 125 °C0.061T vj = 175 °C0.062上升时间(感性负载)t r I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.043µs T vj = 125 °C0.047T vj = 175 °C0.049关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.290µs T vj = 125 °C0.380T vj = 175 °C0.420下降时间(感性负载)t f I C = 50 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 7.5 ΩT vj = 25 °C0.110µs T vj = 125 °C0.200T vj = 175 °C0.270开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 7.5 Ω, di/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 5.07mJ T vj = 125 °C 6.76T vj = 175 °C7.72关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 50 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 7.5 Ω, dv/dt =2900 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.37mJ T vj = 125 °C 5.31T vj = 175 °C 6.58(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C190At P≤ 7 µs,T vj=175 °C180结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material0.777K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F50A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms100A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C465A²sT vj = 175 °C420表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM I F = 35 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C31A T vj = 125 °C39T vj = 175 °C45恢复电荷Q r I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 3.96µC T vj = 125 °C7.37T vj = 175 °C9.89(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 50 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 900A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.31mJ T vj = 125 °C 2.52T vj = 175 °C 3.46结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.13K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4二极管,整流器表 7最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1600V 最大正向均方根电流(每芯片)I FRMSM T H = 60 °C70A最大整流器输出均方根电流I RMSM T H = 60 °C100A 正向浪涌电流I FSM t P = 10 ms T vj = 25 °C560AT vj = 150 °C435I2t-值I2t t P = 10 ms T vj = 25 °C1570A²sT vj = 150 °C945表 8特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 50 A T vj = 150 °C 1.05V 反向电流I r T vj = 150 °C, V R = 1600 V1mA 结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.10K/W 允许开关的温度范围T vj, op-40150°C5IGBT, 斩波器表 9最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 110 °C25A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms50A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 10特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 25 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.60 1.85VT vj = 125 °C 1.74T vj = 175 °C 1.82栅极阈值电压V GEth I C = 0.525 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.395µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 4.77nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.017nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.004mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.041µs T vj = 125 °C0.043T vj = 175 °C0.044上升时间(感性负载)t r I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.025µs T vj = 125 °C0.028T vj = 175 °C0.030关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.230µs T vj = 125 °C0.320T vj = 175 °C0.350下降时间(感性负载)t f I C = 25 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 9.1 ΩT vj = 25 °C0.140µs T vj = 125 °C0.220T vj = 175 °C0.280(待续)表 10(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 9.1 Ω, di/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.47mJ T vj = 125 °C 2.05T vj = 175 °C 2.39关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 25 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 9.1 Ω, dv/dt =3120 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.65mJ T vj = 125 °C 2.58T vj = 175 °C 3.13短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C90At P≤ 7 µs,T vj=175 °C85结－散热器热阻R thJH每个 IGBT, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.19K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.6Diode-斩波器表 11最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F25A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms50A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C125A²sT vj = 175 °C95表 12特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 25 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.83 2.30VT vj = 125 °C 1.70T vj = 175 °C 1.63(待续)表 12(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C21.7A T vj = 125 °C26.7T vj = 175 °C29.8恢复电荷Q r I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.69µC T vj = 125 °C 3.29T vj = 175 °C 4.29反向恢复损耗（每脉冲）E rec I F = 25 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 810A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.63mJ T vj = 125 °C 1.28T vj = 175 °C 1.69结－散热器热阻R thJH每个二极管, Valid with IFX pre-appliedThermal Interface Material1.63K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.7负温度系数热敏电阻表 13特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定7 负温度系数热敏电阻9电路拓扑图图 110封装尺寸图 211模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002022-02-01Initial version商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。
英飞凌推出采用超小型SOT23封装的高精度高能效TLE496x霍尔传感器
稳压器也非常适合在汽车环境 中工作 ，能承受电池 传感器。 全新 Ｔ Ｌ Ｅ ４ ９ ６ ｘ 传感器提供全球最小的霍尔 反接情况 、 ＋ ４ ３ Ｖ负载突降瞬变和双 电池跳 接起动 传感器封装 （ Ｓ Ｏ Ｔ ２ ３ ） 。 该产品以英飞凌开发的全新 （ ｊ ｕ ｍ ｐ ｓ ｔ ａ ｒ ｔ ） 。 这种鲁棒性有助于在恶劣环境中实现
集成的、 不会 过 时的解 决方 案 。 （ 来 自欧胜微 电子 ）
ＭＣ Ｐ ２ ０ ５ ０ Ｌ Ｉ Ｎ系 统基 础 芯 片
Ｐ Ｉ Ｃ １ ６ Ｆ １ ８ ２ ９ Ｌ Ｉ Ｎ系统 级封 装 （ Ｓ ｉ Ｐ） ，扩 大 了其 Ｌ Ｉ Ｎ
产品组合。这些器件包括稳压器 、窗式看门狗定时
器、 电池监视器输 出和 Ｍ Ｃ Ｕ等高集成选项。此外 ，
调。其 同步 ｓ ｕＭ ｂ ｕ ｓ ＠和 Ｉ ２ Ｓ接 口功能为原始设备
制造商 （ Ｏ Ｅ Ｍ） 提 供 了平 台架 构 灵 活 性 ， 可 支Ｓ Ｐ ） ， 并确保 了同一音 频解决方案可以在任何平台上重复使用而无需考虑 音频接 口； 这节省了开发成本和时间， 并提供了易于
Ｔ Ｌ Ｅ ４ ９ ６ ｘ家族 的典 型应 用为 位置 感 测 、无刷 电 ８位 和 ｌ ６位 Ｐ Ｉ Ｃ ￣ 单 片机 。增 强 型 Ｕ Ｓ Ａ Ｒ Ｔ外 设 能
机换相和指数计算。Ｔ Ｌ Ｅ ４ ９ ６ ｘ 单／ 双极开关或锁存 够方便地连接到 Ｌ Ｉ Ｎ物理层收发器和 Ｓ Ｂ Ｃ 。无论是 器可用于 电动车窗 、 天窗 、 后备箱锁 、 雨刷器 、 安全 Ｓ ｉ Ｐ还是独立解决方案 ， Ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｃ ｈ ｉ ｐ 的Ｘ Ｌ Ｐ ＭＣ Ｕ低至
０ ． ３ ５ ｍ工艺技术为基础 。 凭借这种全新技术 ， 英飞 可靠通信 ，高集成度在节省空间的同时也降低了成 凌现在可使霍尔传感器在超小封装内具备不同的磁 本 和复 杂性 。 开关阈值。这不仅可实现极低的 电流消耗 （ 不到
TLE5012B_Register_Setting_AN_Rev1.5 (Chinese)( )
角度传感器GMR 角度传感器TLE5012B寄存器设置版本 2012-11-15由 Infineon Technologies AG 出版81726 Munich, Germany©2012Infineon Technologies AG保留所有权利法律免责声明在任何情况下均不得将本文件所提供的信息视为对条件或特征的担保。
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汽车电子底盘控制-GMR角度传感器+TLE5012寄存器设置应用攻略
引言1 引言本文件是电气规格的第二部分。
TLE5012B 最新数据手册一般是有效的。
TLE5012B 的主接口是同步串行通信接口 (SSC) ，以下是关于配置位的说明。
2 SSC 寄存器表 1 列出了 SSC 寄存器使用的不同位型。
表 1 位型2.1 寄存器章节本节介绍TLE5012B 的寄存器，此外还定义了具体寄存器的读/写访问权限。
表2 列出了符号对应的值。
通过SSC 接口访问寄存器。
表 2 寄存器概述寄存器章节，寄存器说明表 2 寄存器概述（续）寄存器按字寻址。
配置寄存器校验和为监控传感器配置的完整性，TLE5012B 对 08H 至 0F H 地址范围内的配置寄存器进行循环冗余检查。
8 位 CRC 存储在寄存器 CRC_PAR（地址 0FH）中。
对这些寄存器中的一个或多个寄存器进行修改时，利用TLE5012B 数据手册提供的生成器多项式计算寄存器 08H 至0FH的新校验和，然后将其写入CRC_PAR 寄存器。
否则会发生 CRC 失败错误（状态位 S_FUSE = 1）。
将寄存器 AS_FUSE 设为 0 就可以禁用 CRC 检查。
启用自动校准后，CRC 检查自动禁用，因为自动校准会对数个配置寄存器进行周期性调节。
基于导数的复位：可以通过TLE5012B 所用导数（Exxxx 号）专用的激光引信，设置某些寄存器（例如接口设置）的复位。
本例中，寄存器表中的复位被标志为“基于导数”。
所有导数的具体复位列表参见第 3 章。
工厂校准的复位值：校准寄存器（例如偏移校准）的复位由传感器工厂校准阶段写入的激光引信来设置。
这些值是每个器件专有的。
本例中，寄存器表中的复位被标志为“基于导数”对这些寄存器中的一些进行修改时，应先读取寄存器内容，只修改相关的位，然后再将内容写回寄存器中，以避免意外改写校准值。
多功能寄存器：有些配置寄存器有不止一个任务，可以根据 IFA、IFB、IFC 引脚所选的接口（通过 IF_MD 寄存器，地址 0EH选择）更换不同的设置。
电动汽车方向盘绝对角位置传感器的研究
传感器与微系统(T ransducer and M i c rosyste m T echno l og i es) 2011年第30卷第3期电动汽车方向盘绝对角位置传感器的研究李 浩,徐衍亮(山东大学电气工程学院,山东济南250061)摘 要:方向盘 720绝对角位置的测量是轮式驱动电动汽车转矩协调控制解决方案的关键之一。
通过16位处理器dsP IC30F6010A与两片TLE5012通信,设计了一种基于i G M R的 720绝对角位置非接触式传感器,并可通过外部中断设置方向盘的回正零点。
给出了该传感器的具体实现方案,包括2个从动齿轮的齿数设计,绝对角位置的计算方法;并对单SP I接口通信在调试时存在的问题,给出了解决办法;最后试制了样机,进行了实际转角检测,并对实验结果进行了误差分析。
实验证明:该传感器能达到方向盘720绝对角位置的测量要求,为轮式驱动电动汽车转矩协调控制打下了基础。
关键词:转矩协调控制;电动汽车;角度传感器;i GMR中图分类号:U463;TP231 文献标识码:B 文章编号:1000!9787(2011)03!0032!03Study on the steering wheel angle sensor usedfor electric vehicleLI H ao,XU Y an liang(School of E lectr ica l Engineeri n g,Shandon g Un iversity,Ji nan250061,Ch ina)Abstract:T he detection o f stee ri ng angular pos i tion range is 720,is one o f t he key part of soluti on to torquecoo rdina ti ng contro l o f i n w hee l m otor driven e l ec tric veh icle(EV).A nove l senso r structure based ondsP I C30F6010A co mmunicati ng w ith t w o TLE5012is adopted.A 720abso l u te angu l ar positi on contactlesssenso r based on i G M R i s desi gned,and zero po int can be set t h rough ex terna l i nte rrupti on.T he i m ple m entati ons o fthe senso r is g iven,i nclud i ng t he design of t w o gears,ca lcu l a ti on m et hod o f abso l ute angu lar po siti on,and som edebugg i ng prob l ems are a l so d iscussed i n de tai.l The error ana l ysis o f experi m enta l resu lts is presented.The resultproofs tha t th i s sensor can mee t t he de m ands o f 720abso l ute angular pos ition detec ti on,laying the f oundati onfor to rque coord i nati ng con tro l of in whee lm otor driven EV.K ey word s:torque coo rd i nati ng contro;l e lectr i c vehicle(E V);ang l e sensor;i G M R0 引 言随着能源危机和环境污染的加剧,电动汽车日益受到关注。
基于TLE5012B的多圈绝对角度传感器设计
基于TLE5012B的多圈绝对角度传感器设计周秀;牛勃;马飞越;刘刚;孙大伟;伍弘【摘要】多圈绝对角度传感器是机器人、汽车电子核心部件之一.TLE5012B角度传感器基于集成巨磁阻(iGMR)技术,可检测封装磁场表面360°的变化,实现角度的非接触式测量.提出了三齿轮机械结构与TLE5012B角度传感器相结合的分段函数算法,实现对转轴旋转位置高精度、大量程的非接触式检测,完成角度传感器检测量程与检测精度的解耦.实验证明:利用该机械结构的分段函数算法所设计的绝对角度传感器可以实现检测量程可调,检测精度达到0.5°.%Multi-circle absolute angular sensor is one of the electronic core parts of robots and automobiles. TLE5012B angular sensor,based on integrated giant magneto-resistive (iGMR)technology,can detect 360° variation of encapsulated magnetic field surface and accordingly realize non-contact angle measurement. A piecewise function algorithm integrating three-gear mechanical structure and TLE5012B angular sensor is proposed to realize the high-precision and large-range non-contact measurement of the rotation position of the rotating shaft, accordingly decouple the detection range and the detection precision of the angular sensor. The experiment proves the proposed algorithm,based on piecewise function algorithm integrating three-gear mechanical structure,can realize adjustable measurement range,with the de tection precision achieve 0. 5°.【期刊名称】《传感器与微系统》【年(卷),期】2017(036)011【总页数】4页(P90-92,95)【关键词】角度传感器;非接触式;大量程;高精度;分段函数算法【作者】周秀;牛勃;马飞越;刘刚;孙大伟;伍弘【作者单位】国网宁夏电力公司电力科学研究院,宁夏银川750011;国网宁夏电力公司电力科学研究院,宁夏银川750011;国网宁夏电力公司电力科学研究院,宁夏银川750011;国网宁夏电力公司电力科学研究院,宁夏银川750011;国网宁夏电力公司电力科学研究院,宁夏银川750011;国网宁夏电力公司电力科学研究院,宁夏银川750011【正文语种】中文【中图分类】U463随着电机电器、机器人及汽车工业的发展，人们对电机性能及汽车行驶中安全性、舒适性等的不断追求，高精度、大量程的角度传感器成为了相应工业领域研究的一个热点。
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TLE5012B英飞凌Infineon 360°角度传感器GMR巨磁阻
Infineon TLE5012B GMR-Based Angle Sensors
英飞凌TLE5012B 基于GMR 的角度传感器是一款360°角度传感器，可检测磁场的方向。
这是通过使用单片式集成巨磁阻（iGMR）元件测量正弦和余弦角分量来实现的。
可对原始信号（正弦和余弦）在内部进行数字处理以计算磁场（磁铁）的角方向。
TLE5012B 是经过预校准的传感器。
校准参数存储在激光引信中。
启动时引信值被写入双稳态多谐振荡器触发电路中，在其中这些值可由具体应用的参数进行修改。
数据通信通过一个兼容SPI 的双向同步串行通信接口(SSC)实现。
传感器配置存储在寄存器中，可由SSC 接口进行访问。
特点
巨磁阻（GMR）原理
集成磁场感应用于角度测量
360°角度测量，有转数表和角速度测量
两个单独的高精度单位SD-ADC
绝对角度值在输出端的15 位表示( 0.01°的分辨率)
正弦/余弦值在接口上的16 位表示
使用周期和温度范围内最大为1.0°的角度误差，并有激活自校准功能
达8Mbit/s 的双向SSC 接口
有诊断功能和状态信息，支持安全完整性等级（SIL）
接口：SSC、PWM、增量接口(IIF), 霍尔开关模式(HSM), 短PWM 码(SPC, 基于SAE J2716 中规定的SENT 协议)
输出引脚可配置（编程或预配置）为推挽或开漏
SSC 或SPC 接口为开漏配置时，可以实现一条线上多个传感器的总线模式工作
0.25μm CMOS 技术
汽车级：-40°C 到+ 150°C（结温）
ESD > 4kV (HBM)
符合RoHS（无铅封装）
不含卤素
应用：电换向电机，旋转开关，转向角测量，通用角测量
方框图Block Diagram
Infineon Technologies AG（英飞凌）近日宣布推出了其首款基于TMR（隧道磁阻）技术的磁传感器系列产品。
该产品的发布，使英飞凌成为全球第一家供应所有4种主要磁传感技术（霍尔效应HALL、巨磁阻GMR、隧道磁阻TMR和各向异性磁阻AMR）的传感器制造商。
英飞凌在本月于德国纽伦堡举办的Sensor+Test 2018（2018年传感器、测试测量展览会）上发布新款XENSIV TLE5501角度传感器系列产品。
就功能安全而言，这是一个新的里程碑：英飞凌将成为市场上第一家实现最高汽车功能安全等级ASIL D级的单芯片角度传感器供应商。
根据Yole发布的《磁传感器市场与技术-2017版》报告，2016年，全球磁传感器市场规模为16.4亿美元，汽车是其中最大的磁传感器业务板块，占据2016年整体市场50%以上的份额。
目前，传统的内燃机（ICE）车辆中使用了20~30个磁传感器。
在混合动力汽车中，由于需要更多的电流传感器，因此磁传感器的使用数量可能上升至35个。
数据来源：《磁传感器市场与技术-2017版》
基于iTMR技术的角度传感器
英飞凌推出的新款产品是专用于汽车应用的快速模拟TMR角度传感器。
其应用范围包括从具有最高功能安全要求的转向角应用，到雨刮器、泵和执行机构的马达，以及电动机等。
它们也可以适用于工业类和消费类应用，例如机器人或者万向节等。
TMR技术提供了极高的传感灵敏度，同时具有高输出电压，所有XENSIV TLE5501产品都可实现高达0.37 V/V的信号输出。
有别于其它磁传感技术，TMR传感器可以直接连接微控制器，无需任何放大，因此为客户节约了成本支出。
此外，TMR技术还展现了非常低的温度漂移，因而减少了外部校准和补偿工作。
另外，TMR技术以其低电流消耗而闻名，XENSIV TLE5501系列产品的电流消耗低至2 mA。
XENSIV TLE5501系列产品将提供两种不同的认证产品。
其中，TLE5501 E0001满足AEC Q100认证。
该型号与英飞凌的成熟产品TLE5009的引脚兼容，但凭借无需额外的放大器，可以实现成本更经济的系统。
另一款TLE5501 E0002提供了符合ISO26262标准的产品开发，仅
需一颗单芯片即可实现最高汽车功能安全等级ASIL D级。
TLE5501 E0002包含了用于冗余外部角度计算的解耦桥，并按照功能安全法规的要求提供最高的诊断覆盖率。
TLE5501两款型号的参数对比表
主要应用
- 转向角度传感器
- BLDC电机换向
- 角度位置感测
- 安全应用
供货情况
英飞凌计划于2018年8月向大众市场推出XENSIV TLE5501系列产品。
样品从2018年8月起，可从英飞凌官网获取。