三端双向交流开关
双向可控硅的工作原理(全)
双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理1。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以双向可控硅的工作原理双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2.此时,电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2.这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT.在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上,加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大,特性左移越快。
TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC（TRI-ELECTRODE AC SWITCH）为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅. TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 （第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极)和G（控制极）亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。
双向可控硅四象限触发方式介绍
双向可控硅四象限触发方式介绍双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
〔过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路〕双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下列图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分双向可控硅触发电路的设计方案双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。
由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。
1 过零检测电路电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
bt136 600e可控硅参数
bt136 600e可控硅参数BT136 600E三端双向可控硅（TRIAC）是一个三端子五层功率半导体器件，它包括一个受控的SC对，以相反的并联方法连接在类似的IC上。
由于BT136 600E在两个方向上传导电流，因此称为双向器件。
据了解，BT136 600E使用4A等最大终端电流和更低的栅极阈值电压，因此可以通过数字电路驱动。
它是具有双向功能的开关器件，经常用于基于AC的开关应用。
因此，如果希望通过微处理器或微控制器控制使用低于6A的交流负载，那么BT136 600E可控硅应该适合你。
其实，像BT136 600E这样的特殊半导体器件代替了可控硅结构，实现了双向控制。
这是一种双向开关设备，用于准确高效地控制交流电源。
因此，它们经常用于交流电路、电机速度控制器、调光器、压力控制系统和其他交流控制设备。
引脚配置BT136 600E TRIAC引脚配置如下图所示：Pin1（主端子1）：此端子连接到交流电源的中性线/相位Pin2（主端子2）：此端子连接到交流电源的中性线或相位Pin3（Gate）：此端子用于激活可控硅特性和规格BT136 600E TRIAC主要特性和规格包括以下内容：通过端子的最大供电电流为4A导通栅极电压为1.4V栅极触发电流为10mA最大端电压为600V保持电流为2.2mA锁存电流为4mA可用的包是To-220等效的BT136 600E TRIAC是BTA08-600B，替代的BT136 600E TRIAC是BTA16、Q4008、BT139和BT169。
使用注意事项使用BT136 600E TRIAC时需要采取以下预防措施。
处理交流电压的TRIAC电路的设计必须非常小心。
使用TRIAC的电路面临一些称为速率效应的效应，因为一旦TRIAC器件正常切换并且在任何端子上发生突然的高压以损害TRIAC，就会发生这种效应。
因此可以通过缓冲电路将其忽略。
还有一个额外的影响，即由于TRIAC的两个端子（如MT1和MT2）之间的累积电容而发生的反向间隙效应。
(完整版)双向可控硅选型表
双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
另:双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled (取第一个字母)整流器：Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。
--------------双向：Bi-directional (取第一个字母)三端：Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅.代表型号如：PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。
-------------------而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等；四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1、可控硅就是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它瞧作由一个PNP管与一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时,BG1与BG2管均处于放大状态。
此时,如果从控制极G 输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与B G1的基极相连,所以ib1=ic2。
此时,电流ic2再经BG1放大,于就是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱与导通。
由于BG1与BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅就是不可关断的。
由于可控硅只有导通与关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
TRIAC的特性什么就是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRI AC为三端元件,其三端分别为T1(第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极)与G(控制极)亦为一闸极控制开关,与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。
因为它就是双向元件,所以不管T1 ,T2的电压极性如何,若闸极有信号加入时,则T1 ,T2间呈导通状态;反之,加闸极触发信号,则T1 ,T2间有极高的阻抗。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1、可控硅就是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它瞧作由一个PNP管与一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时,BG1与BG2管均处于放大状态。
此时,如果从控制极G 输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与B G1的基极相连,所以ib1=ic2。
此时,电流ic2再经BG1放大,于就是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱与导通。
由于BG1与BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅就是不可关断的。
由于可控硅只有导通与关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
TRIAC的特性什么就是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRI AC为三端元件,其三端分别为T1(第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极)与G(控制极)亦为一闸极控制开关,与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。
因为它就是双向元件,所以不管T1 ,T2的电压极性如何,若闸极有信号加入时,则T1 ,T2间呈导通状态;反之,加闸极触发信号,则T1 ,T2间有极高的阻抗。
双向可控硅的特性和使用
双向可控硅的特性和使用普通可控硅(VS)实质上属于直流控制器件。
要控制交流负载，必须将两只可控硅反极性并联，让每只SCR控制一个半波，为此需两套独立的触发电路，使用不够方便。
双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。
其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
构造原理尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。
小功率双向可控硅一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。
典型产品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A ／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。
大功率双向可控硅大多采用RD91型封装。
双向可控硅的主要参数见附表。
双向可控硅的结构与符号见图2。
它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。
因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。
表示，不再划分成阳极或阴极。
其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。
反之，当G极和T2 极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。
双向可控硅的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。
检测方法下面介绍利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法，同时还检查触发能力。
1.判定T2极由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。
因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。
在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。
这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。
，另外，采用TO—220封装的双向可控硅，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
三端双向可控硅原理及在家电产品原应用电路
需求
* 高质量 * 高温度保证 * 简化电路
点火器, 漏地断路器, 电 子熔断器, 逆变照明装置
* 高电流控制 * 小型封装 * 高质量
特点
* 150 ℃ ，平面工艺 * 容忍高电压 * 下一代 (开发中)
* 平面工艺 * 容忍高电压 * 开发小型封装
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(1(1995577:G:GEE) )
SRCSCRioelioeilnccincctotirtotfniorifneo（ilel（rlelre硅（d硅（d（（）整）整控控流流制制器器））））
2
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三端双向可控硅开关的工作原理
符号
端口 2 (T2)
电风扇 ( 电动机, 电磁开关)
电风扇电机
M
电磁开关
S
三端双向可控硅开关的特点
DIP(16P4)封装简化了装配 支持高成本效益系统
~
微处理器
电风扇用三端双向可控硅开关
输入电压
风扇电机
AC100V to 120V
BCR1AM-12
AC200V to 240V
BCR08AM-12A
水平摆动风扇
BCR1AM-12 AY08B4-12 BCR08AM-12A AY08B4-12
α = 1.8 @Ta =-20℃
( 栅极触发电流 – 栅极电流脉宽特性 )
β：Temperature dependability of VGT
VGT(ratings)=1.5V (max)
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α=1.2 @Ta=-20℃
( 栅极触发电压 – 结温特性 )
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三端双向交流开关(TRIAC=TRIode（三端）AC semiconductor switch）实质上是双向晶闸管,它是在普通晶闸管的基础上发展起来的，它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管，而且仅用一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。
其英文名称TRIAC就是三端双向交流开关的意思。
尽管从形式上可以把双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合，但实际上它是由七只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。
小功率双向晶闸管一般采用塑料封存装，有的还带小散热极。
典型产品有BCM1AM（1A/600V）、BCM3AM
（3A/600V）、2N6075（4A/600V）、MAC218-10（8A/800V）等。
大功率双向晶闸管大多采用RD91型封装，例如 BTA40-700型的主要参数是：IT=40A，VDRM=700V，IGT=100mA。
编辑本段组成材料
双向晶闸管（TRIAC）是由NPNPN五层半导体材料构成的，相当于两只普通晶闸管反相并联，它也有三个电极，分别是主电极T1、主电极T2和栅极G。
与单向晶闸管相比较，双向晶闸管的主要区别是：在触发之后是双向导通的；触发电压不分极性，只要绝对值达到触发门限值即可使双向晶闸管导通。
与单向晶闸管相比较，双向晶闸管的主要区别是：
①在触发之后是双向导通的；
②触发电压不分极性，只要绝对值达到触发门限值即可使双向晶闸管导通。
双向晶闸管可广泛用于工业、交通、家电领域，实现交流调压、交流调速、交流开关、舞台调光、台灯调光等多种功能。
此外，它还被用在固态继电器和固态接触器的电路中。
编辑本段选用须知
在选用三端双相可控硅（TRIAC）,需要考虑以下4个方面的因素：
1、三端双相可控硅的耐压：Vdrm=电源电压的2-3倍，如电源电压
AC=220V,则Vdrm>=600V。
2、三端双相可控硅的允许电流：在无浪涌冲击电流（如加热器负载）必须至少>=1.3-1.5倍的负载电流；但当有浪涌冲击电流（如马达负载）时，必须综合考虑环境温度、冲击电流的峰值、散热器的尺寸等。
3、合理选择CR吸收电路，当控制电感性负载时，如在转换期间由于电流延迟的作用,(di/dt)c和(dv/dt)c 超过某个值时，(di/dt)c 和
(dv/dt)c 可能不需栅极信号而Z直接进入导通状态，从而变得无法控制。
如电源电压AC=220V,一般选取C=0.01--0.47uF, R=47--100Ω.
4、三端双向可控硅开关在施加正向或反向电压时均可通过栅极信号打开，因此在设计栅极触发电路是需要注意：触发电流，触发电压，栅极电阻。