电力电子器件的发展分析
电力电子的发展方向
电力电子的发展方向请根据自己的实际情况对本文进行修改：电力电子作为现代电力系统的重要组成部分，关系到我国能源战略的实施和电力行业的可持续发展。
随着科技的不断进步和电力市场的日益繁荣，电力电子技术的发展方向也日益明确。
以下是我对未来电力电子技术发展方向的一些思考。
一、提高电力电子器件的性能1. 发展高性能、低损耗的电力电子器件。
随着硅基电力电子器件性能逐渐接近其理论极限，新型宽禁带半导体材料如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等逐渐成为研究热点。
未来发展方向应着重于提高这些材料的晶体质量、降低成本，并实现批量生产。
2. 研究新型电力电子器件拓扑结构。
通过创新器件结构，进一步提高电力电子器件的性能，降低损耗，减小体积，降低成本。
二、提升电力电子装置的智能化水平1. 发展具有自适应、自诊断、自优化功能的电力电子装置。
利用现代通信技术、大数据分析、人工智能等手段，实现对电力电子装置的实时监测、故障诊断和性能优化。
2. 推动电力电子装置与电网的深度融合。
通过智能化技术，实现电力电子装置与电网的协同优化，提高电力系统的稳定性和经济性。
三、拓展电力电子技术的应用领域1. 电力电子技术在新能源发电领域的应用。
随着可再生能源的快速发展，电力电子技术在光伏、风能、储能等新能源发电领域的应用将更加广泛。
研究方向包括：高效光伏逆变器、风力发电变流器、储能系统等。
2. 电力电子技术在电力系统中的应用。
电力电子技术在电力系统中的应用包括：柔性直流输电、无功补偿、电力电子变压器等。
未来发展方向应关注这些技术的可靠性、经济性和适用性。
四、促进电力电子技术的标准化和产业化1. 加强电力电子技术的标准化工作。
制定和完善电力电子器件、装置和系统的相关标准，推动产业链上下游的协同发展。
2. 推动电力电子技术的产业化进程。
加大政策支持力度，培育具有竞争力的电力电子企业，推动产业技术创新和产业升级。
五、加强人才培养和国际合作1. 培养电力电子领域的高端人才。
电力电子的发展趋势
电力电子的发展趋势
1. 高功率密度和高效率
电力电子的发展趋势是朝高功率密度和高效率的方向发展。
这可以通过使用新型的半导体材料和拓扑结构、优化的控制算法和散热技术等手段实现。
2. 多功能性和智能化
电力电子系统的应用领域越来越广泛，需要具备多种不同的功能。
同时，随着智能电网的发展，电力电子系统在协调能源的调度和优化方面也需要具备更高的智能化水平。
3. 集成化和模块化
随着电力电子系统的功能和复杂度不断提高，对系统集成化和模块化的需求也越来越强烈。
这可以加快系统开发和调试的速度，降低整体成本和维护难度。
4. 新能源技术的应用
随着新能源技术的不断发展，电力电子系统在太阳能、风能、储能等方面应用越来越广泛。
未来电力电子系统将需要更好地适应这些新能源技术的要求。
5. 绿色环保和可持续发展
在电力电子系统的设计和应用中，环保和可持续发展的考虑也越来越重要。
这包括降低系统的能耗、减少对环境的影响等方面。
新型电力电子器件的开发
新型电力电子器件的开发随着科技的进步和人们对环保的关注，越来越多的关注被聚焦在电力领域，尤其是电力电子器件的研发和应用。
电力电子器件的出现进一步优化了电力传输、转换和变换的效率，对改善能源的可持续利用和增强电网的安全稳定起到了至关重要的作用。
在本文中，我们将探讨新型电力电子器件的开发，并介绍一些已经研发成功的电力电子器件。
一、背景在传统的电力系统中，由于缺乏有效的控制和保护，存在一些问题，如电力质量的差异、电网安全的隐患等。
而电力电子器件的出现使得电力系统变得智能化和高效化。
电力电子器件是电力电子技术的核心之一，它通过将电能分割成不同的电压、频率、相位和波形等来完成电能之间的转换。
电力电子器件对于实现新能源高效清洁利用、提高电力系统可靠性和优化电力资源配置等方面都具有重要的作用。
二、电力电子器件的分类电力电子器件可以根据不同的参数进行分类，比如电压等级、功率等级、应用领域等，为了方便，可以将其分为以下几类：1、变流器变流器是指功率电子器件通过前端的电压变换，把直流电能转化成为变幅、变频、变相位的交流电能，也可以把交流电能转化成为直流电能供电。
变流器的应用范围非常广泛，如传动控制、成套设备、通信、医疗、航空、航天、军事等。
2、逆变器逆变器是一类可以将电源信号转换成为高频交流电源的功率电子器件，也可以将交流电源转换成为直流电源。
逆变器一般主要用于交流电能的变换，广泛应用于交流调速驱动、电动汽车充电桩等。
3、稳压器稳压器是一种用于稳定电压的电子器件，可以使电源输出的电压保持恒定，并抵消掉电源波动或负载变化所引起的电压波动。
稳压器广泛应用于各种稳压电源、电子计量设备、航空、航天、武器、电信、铁路等领域。
三、新型电力电子器件的开发随着电力电子器件的发展，新型电力电子器件也得以研发，以解决传统电力电子器件的不足和应对新的需求。
1、智能变流器智能变流器是一种将控制模型引入变流器设计中，实现良好交流稳定输出的变流器。
电力电子器件及其应用的现状和发展的分析
电力电子器件及其应用的现状和发展的分析摘要：随着时代的发展，我国电力电子器件在各行业中得到了广泛的应用。
但相较于国外，我国电力电子器件的发展仍存在许多不足。
本文针对电力电子器件行业目前的应用现状做简要分析，再通过对高素质人才的培养，碳化硅、太阳能光伏发电、氮化镓等材料的应用来对电力电子器件行业的发展前景做简要分析。
关键词：电子器件；电子器件原材料；碳化硅引言：近年来，我国经济得到快速的推动，电力电子器件的广泛应用为人们的生活提供的极大的便利。
但在原材料的选择性、产品的创新能力上，迟迟没有得到突破。
电力电子行业需要在目前的基础上寻求更进一步的突破，才能跟上该行业在国际上发展的水平。
一、电力电子器件的应用现状（一）电子器件的原材料难求电力电子器件被广泛应用于个领域的设备中，在我国当下生产制造行业中占据了重要的位置。
但用于生产电力电子器件的原材料较为难找，而要想研究出符合要求的制造材料，则需要一定的资金投入，大量的人力投入，经过专业的技术实验，才能得以实现。
而在制造出器件之后，还需要投入制作，在经过较长的一段时间测试后，针对可能存在的问题进行修正，确保没有问题之后，才能正式投入市场。
这无疑大大限制了电力电子技术的发展速度。
电力电子器件制造材料的研究过程极为繁琐，是一个周期长、收益慢的研究项目。
大量的财力、物力投入到无法立即投放到市场的项目中，在短期内无法收获效益，这无疑需要研究项目组有雄厚的资金做支持。
因此，若要推动电力电子技术的高效发展，首先要在电子器件的原材料研发上有所收获。
（二）产品创新力较低在现代不断进步的当下，各行各业的高速发展，不同设备、仪器的升级速度也越来越快。
而电力电子器件的升级工作却变得渐渐难以跟上时代的发展，除了受到生产原材料的限制外，国内针对电力电子技术的研发创新能力也有待提升。
由于受项目资金限制，电力电子器件的研究迟迟难以有所进展。
而从研究、到生产、再到试用，这一过程周期较长的原因，也大大拖慢了研究人员对后续技术的研发。
电力电子器件的最新发展现状
静电感应晶体管 SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小旳负栅压 时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，接近源极一侧旳沟道中出现呈马 鞍形分布旳势垒，由源极流向漏极旳电流完全受此势垒旳控制。在漏极 上加一定旳电压后，势垒下降，源漏电流开始流动。漏压越高,越大,亦即 SIT旳源漏极之间是靠漏电压旳静电感应保持其连接旳,所以称为静电感 应晶体管。
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和双极型晶体管相比,SIT具有下列旳优点：①线性好、噪声小。用 SIT制成旳功率放大器,在音质、音色等方面均优于双极型晶体管。②输 入阻抗高、输出阻抗低，可直接构成OTL电路。③SIT是一种无基区晶体 管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。④它是一种多子器件， 在大电流下具有负温度系数，器件本身有温度自平衡作用，抗烧毁能力 强。⑤无二次击穿效应，可靠性高。⑥低温性能好，在-19℃下工作正常。 ⑦抗辐照能力比双极晶体管高50倍以上。
电子技术旳开端。今后，晶闸管(SCR)旳派生器件越来越多， 到了70年代
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已经派生了迅速晶ห้องสมุดไป่ตู้管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等半 控型器件，功率越来越大，性能日益完善。但是因为晶闸管本身工作频 率较低（一般低于400Hz），大大限制了它旳应用。另外，关断这些器 件，需要逼迫换相电路，使得整体重量和体积增大、效率和可靠性降低。 全控型器件——第二代电力电子器件
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器件中是最高旳。另外，MCT可承受极高旳di/dt和du/dt， 使得其保护电路能够简化。MCT旳开关速度超高GTR,开关 损耗也小。
MCT曾一度被以为是一种最有发展前途旳电力电子器件 。所以，20世纪80年代以来一度成为研究旳热点。但经过十 数年旳 研 究 ，其关键技术问题没有大旳突破，电压和电流容 量都远未到达预期旳数值，未能投入实际应用。而其竞争对 手IGBT却进展飞速，所以，目前从事MCT研究旳人不是诸 多。
电力电子器件的发展、现状和展望
功率MOSFET与IGBT在应用范围上比较广泛，而这合理分 工，前者主要应用干小功率，后者应用于中、大功率。 IGBT、功率MOSFET 的工作频率较高(8kHz 一IMHz )，其 设备的体积大为缩小( 频率提高一个数量级，体积大约减少 一倍)。因此在对体积要求比较高的航天航空、国防和掌上 电器中应用的优越性愈加突出，由于这些器件本身功耗越做 越小，下作时间增加，节能效果明显许多。 鉴于这些高频电力电子器件在工业领域的突出作用，西方国 家多年来一直加大力度发展，而我国却举步为艰，IGBT、 功率MOSFET全部依赖进口，在竞争上受外国跨国公司的挤 压，使采用这些电力电子器件的产品永远比国外慢一步或多 步，受制于国外跨国公司，对我国许多高新产品的研发和安 全造成了严重影响。
汇报完毕
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让我们一起努力， 把最好的教育献给我 们的孩子！
沟槽结构IGBT是高耐压大电流IGBT 器件通常采用的结构， 它避免了模块内部大量的电极引线，减小了引线电感，提高 了可靠性。 从IGBT 的发展过程可以看出：在结构上，器件将复合型、 模块化；在性能上，器件的容量和工作频率将不断提高，通 态压降不断降低。未来电力半导体器件将主要从理论、结构 和工艺等方面进行创新，最终实现电压、电流和开关频率三 大参数的日益提高。 3.2基于新型材料的电力电子器件 以上所述各种电力电子器件一般都是由硅（Si)半导体材料制 成的。此外，近年来还出现了一些性能优良的新型化合物半 导体材料，如砷化镓（GaAs)碳化硅（SiC)）、磷化铟 （InP)）及锗化硅（SiGe）等，由它们作为基础材料制成的 电力电子器件正不断涌现出来。
第二阶段是20世纪70年代后期以GTO、GTR和功率 MOSFET等全控型器件为代表的发展阶段。这一阶段的电 力电子器件开关速度高于晶闸管，它们的应用使变流器的 高频化得以实现。 第三阶段是20世纪80年代后期以IGBT复合型器件为代表 的发展阶段。IGBT是功率MOSFET和GTR的复合。功率 MOSFET的特点是驱动功率小、开关速度快；GTR的特 点是通态压降小、载流能力大。IGBT的优越性能使之成 为电力电子器件应用技术的主导器件。 第四阶段是以PIC、HVIC等功率集成电路为代表的发展阶 段。高速、全控型、大电流、集成化和多功能的电力电子 器件先后问世，开创了现代电力电子集成器件的新阶段。 这一阶段，所使用的电力电子器件是将全控型电力电子器 件与驱动电路、控制电路、传感电路、保护电路、逻辑电 路等集成在一起的高度智能化PIC，它实现了器件与电路、 强电与弱电、功率流与信息流的集成，成为机和电之间的 智能化接口、机电一体化的基础单元。
电力电子元器件制造行业市场前景分析
电力电子元器件制造行业市场前景分析在当今科技飞速发展的时代，电力电子元器件制造行业作为现代工业的重要基石，正发挥着日益关键的作用。
从消费电子到工业设备，从新能源汽车到智能电网，电力电子元器件的身影无处不在。
那么，这个行业的市场前景究竟如何呢？首先，让我们来了解一下电力电子元器件的基本概念和分类。
电力电子元器件是用于电能变换和控制的电子器件，常见的有功率二极管、晶闸管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等。
这些元器件能够实现对电流、电压、频率等参数的精确控制，从而满足各种不同的电力应用需求。
随着全球经济的持续增长和工业化进程的不断推进，对电力的需求也在稳步上升。
特别是在新兴经济体中，基础设施建设、制造业扩张以及城市化发展都需要大量可靠的电力供应。
这就为电力电子元器件制造行业提供了广阔的市场空间。
例如，在电力传输和分配领域，高效的电力电子变压器和无功补偿装置能够有效降低能耗，提高电网的稳定性和可靠性。
在新能源领域，电力电子元器件更是扮演着不可或缺的角色。
太阳能光伏发电和风力发电系统中，需要通过逆变器将直流电转换为交流电并接入电网。
随着新能源发电规模的不断扩大，对高性能、高效率逆变器的需求也在急剧增加。
同时，在新能源汽车领域，电力驱动系统中的电机控制器、车载充电器等关键部件都依赖于先进的电力电子技术。
未来，随着新能源汽车市场的进一步普及，电力电子元器件的市场规模有望迎来爆发式增长。
消费电子市场也是电力电子元器件的重要应用领域之一。
智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的快速充电技术、电源管理芯片等都离不开电力电子元器件的支持。
而且，随着消费者对电子产品性能和便携性的要求不断提高，对电力电子元器件的小型化、集成化和高效化提出了更高的挑战，也为行业的技术创新提供了动力。
另外，工业自动化和智能制造的发展也为电力电子元器件制造行业带来了新的机遇。
在工业机器人、数控机床、自动化生产线等设备中，精确的运动控制和高效的能量利用都需要依靠电力电子技术来实现。
电力电子器件的发展与趋势
电力电子器件的发展与趋势随着现代电力系统和电子技术的快速发展，电力电子器件在能源转换和电力控制方面的作用日益重要。
本文将探讨电力电子器件的发展历程和当前的趋势。
一、电力电子器件的发展历程电力电子器件起源于20世纪50年代，最早用于电力电子转换器和变频器等领域。
在过去的几十年中，电力电子器件经历了从硅基材料到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料的转变。
这些新材料具有更高的电子迁移率和温度稳定性，能够承受更高的温度和电压，提高了电力电子器件的效率和可靠性。
同时，电力电子器件的封装技术也在不断发展。
最初的器件封装采用普通结构，如二极管、三极管等采用金属外壳，使得器件散热效果相对较差。
而随着电子器件功率密度的提高，高效的封装结构应运而生，如无机封装、有机封装和双轨封装等。
这些封装结构不仅提高了散热性能，还减小了尺寸和重量，满足了电力电子器件高密度集成和散热要求。
二、电力电子器件的当前趋势1. 高频高效率随着电子技术的进步，电力电子器件正朝着高频高效率的方向发展。
新材料的应用和器件结构的改进使得电力电子器件的开关频率不断提高，传输损耗减少，效率更高。
例如，功率MOSFET和晶闸管等器件，其开关频率已经达到数兆赫兹，能够实现更高的电力变换效率。
2. 大功率大电流随着电力电子应用领域的扩大，对于大功率大电流电力电子器件的需求不断增加。
同时，新材料的应用和器件结构的改进也使得电力电子器件能够承受更高的电流和功率，满足更多领域的需求。
例如，碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT等器件，其电流密度和耐压能力大大提高，适用于电力电子交流传输、电机驱动等高功率应用领域。
3. 高可靠性电力电子器件通常在高温、高电压和高电流等恶劣工况下工作，因此高可靠性是其发展的重要方向。
新材料的应用、封装技术的改进和智能控制系统的应用，可以减少器件的故障率、延长器件的寿命、提高系统的稳定性。
例如，采用双轨封装和无机封装等高可靠性封装结构，能够有效降低器件的温度和电压应力，提高器件的工作可靠性。
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电力电子技术课程论文
电力电子器件的发展分析
摘要：电力电子器件发展至今已有近60年的历史，本文简单介绍了电力电子器件的发展历程，然后对IGCT、 IGBT、MCT等新型电力电子器件的发展状况及其优缺点进行了分析，最后, 展望了电力电子器件的未来发展。
关键字：电力电子器件；IGCT；ICBT；MCT；
1、引言
电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面，其中，电力电子器件是电力电子技术的重要基础，也是电力电子技术发展的“机车”。
电力电子器件的发展时间并不长，但是至今已经发展出多个种类的产品，其中最早为人们所应用的是普通晶闸管，普通晶闸管是由美国通用电气公司在1958年时研制并投产的，它为之后的电力电子器件发展奠定了基础，在1964年时，美国公司又成功研制了可关断的GT0；到了二十世纪七十年代，电力电子器件的研究有了又一成果——GTR系列产品，二十世纪八九十年代，以功率M0SFET和IGBT为代表的，集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，标志着传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
2、电力电子器件发展史
电力电子器件又称作开关器件，相当于信号电路中的A-D采样，称之为功率采样，器件的工作过程就是能量过渡过程，其可靠性决定了装置和系统的可靠性。
根据可控程度以及构造特点等因素可以把电力电子器件分成四类：
(1)半控型器件——第一代电力电子器件
2O世纪5O年代，由美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世，标志着电力电子技术的开端。
到了2O世纪7O年代，已经派生出了许多半控型器件，这些电力电子器件的功率也越来越大，性能日渐完善，但是由于晶闸管的固有特性，大大限制了它的应用范围。
(2)全控型器件一一第二代电力电子器件
从2O世纪7O年代后期开始，可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR或BJT)及其模块相继实用化。
此后，各种高频率的全控型器件不断问世，并得到迅速发展。
这些器件主要有：电力场控晶体管(即功率MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)等，这些器件的产生和发展，已经形成了一个新型的全控电力电子器件的大家族。
(3)复合型器件——第三代电力电子器件
前两代电力电子器件中各种器件都有其本身的特点。
近年来，又出现了兼有几种器件优点的复合器件。
如：绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。
它实际上是MOSFET驱动双极型晶体管，兼有M0sFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两者的优点。
它容量较大、开关速度快、易驱动，成为一种理想的电力电子器件。
(4)模块化器件——第四代电力电子器件
随着工艺水平的不断提高，可以将许多零散拼装的器件组合在一起并且大规模生产，进而导致第四代电力电子器件的诞生。
以功率集成电路PIC(Power Intergrated Circuit)为代表，其不仅把主电路的器件，而且把驱动电路以及具有过压过流保护，甚至温度自动控制等作用的电路都集成在一起，形成一个整体。
3、电力电子器件的最新发展
现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。
其中，电力电子模块化是电力电子器件向高功率密度发展的重要一步。
下面介绍几种新型电力电子器件：
3.1 IGCT
IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件[1]。
它是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，它是结合了晶体管和晶闸管两种器件的优点，即晶体管的稳定的关断能力和晶闸管的低通态损耗的一种新型器件。
IGCT在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈类似晶体管的特性。
IGCT具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低的特点。
此外,IGCT还像GT0一样，具有制造成本低和成品率高的特点，有极好的应用前景。
采用晶闸管技术的GT0是常用的大功率开关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上有更高的性能，但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不
均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的门极驱动单元，因而造成可靠性下降和价格较高的缺点。
3.2 IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种MOS栅控的双极晶体管。
自1985年IGBT进入实际应用以来．IGBT已经成为功率晶导体器件的主流，在10—100kHz的中压、中电流应用范围占有十分重要的地位。
IGBT及其模块(包括IPMs)已经涵盖了600 V—6．6 kV的电压和(I-3500)A的电流范围．应用IGBT 模块的100MW级的逆变器也已有商品问世。
IGBT常常封装成模块形式。
一个IGBT模块实际包含很多的IGBT芯片，这些并联的lGBT裸芯片固定在同一块陶瓷衬底上以保证良好的绝缘和导热，这类模块可以很容易地安装在散热器上。
但是，这种封装结构限制了lGBT模块只能采取单面冷却，由此，进一步发展了陶瓷封装的双面制冷模块．这样可以在中压大功率应用中提供与圆盘形密封、双面压接的晶闸管和GTO一样的可靠性。
IGBT的开通和关断可以通过门极驱动实现，它相对比较容易驱动且具有低的门极驱动功率[2]。
IGBT的最大优点是它无需缓冲电路就能工作，并具有限制短路电流的能力。
虽然高功率的IGBT模块具有一些优良的特性，例如：能实现di/dt和dv／dt的有源控制、易于实现短路电流的保护和有源保护等。
但是，高的导通损耗、低的硅有效面积利用率、损坏后会造成开路等缺点局限了高功率IGBT模块在高功率变流器中的实际应用。
3.3 MCT
MCT是由功率MOSFET与普通晶闸管(Thyristor)组合而成的复合器件，它充分利用了Thyristor良好的通态特性和功率MOSFET高输入阻抗、快开关速度之优点，用MOSFET来控制Thyristor的开通和关断，使之具有优良的动态特性和通态特性，及较高的导通di/dt和阻断dv/dt能力。
最新提出的一种MCT结构是DC—EST(Dualchannel Emitter Switched Thyristor)[3]，它是在常规IGBT结构的基础上派生而来的，于是形成一个新的MOS控制晶闸管。
该结构有较宽的FBSOA，并可较好的折衷通态压降与功耗之间的关系。
但由于其中Thyristor电流会流过串联的MOSFET，使压降仍高于Thyristor的压降。
为了确保FBSOA，进一步改善功耗与通态压降之的关系，提出的另一种新结构为DG-BRT，它既可按Thyristor模式工作，又可按IGBT模式工作。
目前，采用与VLSI相容的设计规则已研制出2kV的DG—BRT器件191，其中采用了250A的栅极氧化层来减小P基区电阻，通态压降为2V，约为常规IGBT 的1／2。
在现有的MCT结构中，以DG—BRT的特性为最佳。
3.4 IPEM——集成电力电子模块
IPEM(Intergrated Power Elactronics Modules)[4]已经不是传统意义上的电力电子器件的概念，它是将电力电子装置的诸多器件集成在一起的模块。
它的组成过程如下：首先将半导体器件MOSFET、IGBT或MCT与二极管的芯片封装在一起组成一个积木单元，然后将这些积木单元叠装到开孔的高电导率的绝缘陶瓷衬底上，在它的下面依次是铜基板、氧化铍瓷片和散热片。
在积木
单元的上部则通过表面贴装将控制电路、门极驱动、电流和温度传感器以及保护电路集成在一薄层绝缘层上。
IPEM实现了电力电子技术的智能化和模块化，并大大降低了电路接线电感，提高了系统的效率。
进一步提高了可靠性，降低了系统的噪音和寄生振荡。
4、电力电子器件的发展趋势
随着电力电子装置不断向大功率、高频化等方向发展，市场对新型器件的供不应求，以及VLSI技术为新型器件的发展提供的微细加工技术，可以预测，现代电力电子器件未来发展趋势是：
(l) 各种电力电子器件用驱动器将取长补短,共同存在一个时期, 其存在时间的长短和使用量的多少,取决于被驱动电力电子器件在电力电子器件领域中的兴衰与消亡。
(2 ) 各种电力电子器件驱动器将高频化、模块化、系列化、智能化, 其驱动全控型功率器件的容量有望进一步扩大, 频率进一步提高。
(3 ) 新材料将在电力电子器件驱动器中获得应用。
新型材料砷化稼(GaAs)、稼铝砷(GaAlAs)、碳化硅和金刚石等将成为全控型电力电子器件驱动器生产的选用材料。
它们的使用将极大地缩小电力电子器件驱动器的尺寸, 并提高其工作频率和效率。
(4 ) 各种电力电子器件驱动器单独使用量将逐步缩小, 它在智能功率集成电路、高压集成电路中与电力电子器件共同使用的数量会越来越多。
(5 ) 各种电力电子器件驱动器的工作电源将日益简化, 其消耗功率将下降。
先进技术将极大地简化电力电子器件驱动器的工作电源结构。
参考文献：
[1]钱照明、何湘宁电力电子技术最新发展(一) 中国电机工程学报．1997.6
[2]杨旭、裴云霞、王兆安开关电源技术机械工业出版社，2004.2
[3]王彩琳、高勇新型电力电子器件及其进展 2003 .11
[4]李现兵、牛忠霞、张峰、黄娟现代电力电子器件 2006.8。