模电(李国立)3章习题答案
模电模块三习题册答案
模电模块三习题册答案模电模块三习题册是电子工程专业的一门重要课程，通过解答习题可以帮助学生巩固所学的电路分析和设计知识。
在这篇文章中，我将为大家提供一些模电模块三习题册的答案，希望对大家的学习有所帮助。
第一题：给定一个电路，其输入电压为10V，电阻为100Ω，求电路中的电流和电压。
解答：根据欧姆定律，电流可以通过公式I = V/R计算得出，其中V为电压，R 为电阻。
所以，电流I = 10V / 100Ω = 0.1A。
而电压等于电流乘以电阻，即V = I * R = 0.1A * 100Ω = 10V。
因此，电路中的电流为0.1A，电压为10V。
第二题：给定一个电路，其输入电压为5V，电感为0.1H，电容为0.01F，求电路中的谐振频率。
解答：根据谐振频率的公式f = 1 / (2π√(LC))，其中L为电感，C为电容。
将给定的数值代入公式中，可以计算得出谐振频率。
所以，f = 1 / (2π√(0.1H *0.01F)) = 1 / (2π√(0.001)) ≈ 159.15Hz。
因此，电路中的谐振频率约为159.15Hz。
第三题：给定一个放大电路，其输入电压为1V，输入电阻为10kΩ，放大倍数为100，求输出电压和输出电流。
解答：根据放大倍数的定义，输出电压等于输入电压乘以放大倍数。
所以，输出电压Vout = 1V * 100 = 100V。
而输出电流可以通过输出电压除以输出电阻得出，即Iout = Vout / Rout。
由于题目中没有给出输出电阻的数值，无法计算出具体的输出电流。
第四题：给定一个滤波电路，其输入电压为10V，电容为1μF，电阻为1kΩ，求电路中的输出电压。
解答：滤波电路可以通过电容和电阻的组合来实现对输入信号的滤波。
在这个电路中，电容和电阻的组合决定了滤波的特性。
根据滤波电路的公式Vout = Vin / (1 + jωRC)，其中Vin为输入电压，ω为角频率，R为电阻，C为电容。
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
电路与模拟电子技术(第二版)第3章习题解答[1]
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第三章 正弦交流电路3.1 两同频率的正弦电压，V t u V t u )60cos(4,)30sin(1021︒+=︒+-=ωω，求出它们的有效值和相位差。
解：将两正弦电压写成标准形式V t u )18030sin(101︒+︒+=ω V t u )9060sin(42︒+︒+=ω，其有效值为V U 07.72101==，V U 83.2242==︒=︒-︒=150,15021021ϕϕ或︒=-=∆6021ϕϕϕ3.2 已知相量21421321,,322,232A A A A A A j A j A ⋅=+=++=+=，试写出它们的极坐标表示式。
解： ︒∠=⋅=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=︒304421234301j e j A ︒∠=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=604232142j A3122(23(31)()2(13)45A A A j j =+=+++++∠︒ 412443060169016A A A j =⋅=⨯∠︒+︒=∠︒= 3.3 已知两电流 A t i A t i )45314cos(5,)30314sin(221︒+=︒+=,若21i i i +=，求i 并画出相图。
解：A t i )9045314sin(52︒+︒+=，两电流的幅值相量为 1230m I A =∠︒ ，A I m︒∠=13552 总电流幅值相量为)135sin 135(cos 5)30sin 30(cos 221︒+︒+︒+︒=+=j j I I I mm m ︒∠=+-=++-=11285.453.480.1)2251(2253j jA t t i )112314sin(85.4)(︒+= 相量图如右图所示。
3.4 某二端元件，已知其两端的电压相量为V 120220︒∠=U ，电流相量为A I︒∠=305 ，f=50H Z ，试确定元件的种类，并确定参数值。
解：元件的阻抗为449044305120220j IU Z =︒∠=︒∠︒∠==元件是电感，44=L ω，H L 14.05024444=⨯==πω3.5 有一10μF 的电容，其端电压为V )60314sin(2220︒+=t u ，求流过电容的电流i 无功功率Q 和平均储能W C ，画出电压、电流的相量图。
模拟电子技术基础 第三章 习题解答
成 都 信 息 工 程 学 院 实 验 中 心
1
1.4 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管 导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出 幅值。
uO VCC ICQ RC 11V＜UBE 饱和，Uce＝Uces＝0.7V
5
1.11 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和 管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电 压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
成 解：在空载和带负载情况下，
都
信 电路的静态电流、rbe均相
息 工
等，它们分别为:
程
学
院
实 验 中
I BQ
VCC
U BEQ Rb
U BEQ R
22μ
A
心 I CQ I BQ 1.76mA
rbe
rbb' EQ
1.3k
9
成
都
信
息
工 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出
RL Rc RL
I CQ (Rc ∥ RL ) 2.3V
中 心
A u
RL'
rbe
115
Ri Rb ∥rbe rbe 1.3k
A us
rbe Rs rbe
Au
47
Ro Rc 5k
11
2.9 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得ui和uo的有效值分别为1mV和100mV，则负载电
模拟电子技术第三章习题答案
11.已知共基放大电路如题3-21图所示。
已知晶体管VT 的h fe =50，r bb’=50Ω，U BEQ =0.7V ,电路中的电容对交流可视为短路。
1．求静态工作点。
2．画出h 参数等效电路；求中频电压增益ＡU ,输入电阻和输出电阻。
分析：题3-21图电路为CB 组态放大电路。
在进行低频小信号分析时，可以使用CB 组态的h 参数模型，也可以使用比较熟悉的CE 组态的h 参数模型。
解： 方法一：1． 直流电路如题3-21图a 所示。
R L 3k Ω题3-21图V CC +12v题3-21图a2．利用CB 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图b 所示。
方法二：1． 静态工作点的计算方法同方法一，略2． 利用CE 组态的h 参数模型进行交流特性分析。
交流等效电路如题3-21图c 所示。
()())V (75.32365.112)mA (03.050)mA (62.1)mA (62.165.151501)mA (65.1k 27.04)V (412301515E C CQ CC CEQ f eBQ EQ f e f e CQ E BE B CC B2B1B2B =+⨯-=+-==≈==⨯=+==-=-==⨯+=+=R R I V U h I I I h h I R U U I V R R R U CQ EQ题3-21图b+u o-+u i-()()()()bb'ie fe EQ ie ib fe fefb fe2626150150853Ω1.6585316.7Ω15111h r h I h h h h h h =++=++⨯====+-==≈-+()()()()E ib o c fb C L fb C L o U i e ib ib //16.7Ω//2k Ω16.5Ω3k Ω////13//38816.7i e r R h r R h i R R h R R u A u i h h =====⨯⨯-⨯==-=-=-=⨯输入电阻输出电阻中频电压增益为输入电阻输出电阻10.共集放大电路如题3-19图所示。
模电第三章习题答案
模电第三章习题答案模电第三章习题答案模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要学科，它研究的是模拟电路的设计与分析。
模电的第三章主要涉及放大器的基本概念和特性，包括放大器的分类、放大器的增益计算、放大器的频率响应等内容。
在学习模电的过程中，习题是巩固知识和提高解题能力的有效工具。
下面将给出模电第三章习题的详细解答。
1. 问题：计算电压放大倍数Av。
解答：电压放大倍数Av的计算公式为Av = Vout / Vin，其中Vout为输出电压，Vin为输入电压。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过欧姆定律和基尔霍夫定律来计算。
2. 问题：计算共模抑制比CMRR。
解答：共模抑制比CMRR的计算公式为CMRR = 20log10(Ad / Ac)，其中Ad为差模增益，Ac为共模增益。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
3. 问题：计算输入阻抗Zin。
解答：输入阻抗Zin的计算公式为Zin = Vin / Iin，其中Vin为输入电压，Iin为输入电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
4. 问题：计算输出阻抗Zout。
解答：输出阻抗Zout的计算公式为Zout = Vout / Iout，其中Vout为输出电压，Iout为输出电流。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
5. 问题：计算最大输出功率Pmax。
解答：最大输出功率Pmax的计算公式为Pmax = Vout^2 / (4Rl)，其中Vout为输出电压，Rl为负载电阻。
根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。
通过以上习题的解答，我们可以加深对模电第三章内容的理解。
在实际应用中，我们需要熟练掌握放大器的基本概念和特性，以便能够正确设计和分析模拟电路。
同时，通过解题过程，我们也可以培养自己的逻辑思维和问题解决能力。
模电作为电子工程的重要学科，对于电子工程师的培养具有重要意义。
第3章习题解答
第3章作业3.4.2 电路如图题3.4.2所示，电源v s为正弦波电压，试绘出负载R L两端的电压波形。
设二极管是理想的。
解v s〉0时，D2、D4导通，v L= v s；v s〈0时，D1、D3导通，v L=-v s。
故v L波形如图解所示。
3.4.3 电路如图题3.4.3所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D和V o的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=×=Ω××−=−=− V V V V D O 4.17.022=×==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DD O 6)02.321000(02.32122±=Ω×+Ω××±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆−∆+，即1.406V ～1.394V 。
3.4.6 试判断图题 3.4.6中二极管是导通还是截止，为什么？解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=×Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=×Ω+Ω+×Ω+Ω= D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有V V k k V A 115)10140(10=×Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=×Ω+Ω+−×Ω+Ω=3.5.1 电路如图题3.5.1所示，稳压管D Z 的稳定电压V Z =8V ，限流电阻R =3k Ω，设v I =v i =15sin ωt V ，试画出v o 的波形。
《模拟电子线路》各章节习题答案
各章节部分习题答案第一章半导体器件【练一练1】1. 导体绝缘体2. N P3. 电子空穴4. 空穴电子5. 电子空穴6. 正负7. 单向导电导通截止【练一练2】1. 正向；反向；0.7V；0.2V2. 最大整流电流IF；最高反向工作电压UR3. 硅，锗；点接触型，面接触型；N；硅；整流4. 小；大5. R=U/I；也要改变【练一练3】1. 发射；基; 集电，ｅ；b; c2. 正向，反向3. 截止区；放大区；饱和区4. 集电结，发射结5. PNP；NPN；NPN；PNP6. 发射；集电；基；发射；集电7. I E=ＩB＋ＩC；直流电流放大系数； ；交流电流放大系数，β8. 基极；集电极；微弱；较大9. 反向；反向；零10. 正向；正向；零【习题1】一、选择题1.ａ2.ｃ３.ｂ４.ｃ 5.ｃ 6.C 7.b 8.ｂ 9.ｂ 10.a 11.c 12.c三、问答题14. 从晶体二极管的伏安特性曲线上看，导通电压低的为诸管，导通电压高的为硅管。
16. 晶体三极管电流放大作用的实质是用微弱的电流控制较大的电流。
晶体三极管具有电流放大作用必须给它的各级加上适当的电压，即：发射结正偏，集电结反偏。
18. 用万用表欧姆挡置“R×100Ω或R×1ｋΩ”处，将红、黑表笔对调分别接触二极管两端，表头将有两次指示。
若两次指示的阻值相差很大，阻值大的那次红笔所接为正极，黑笔所接为负极。
19. 因为在测量阻值时，为使测试棒和管脚接触良好，用两只手捏紧进行测量，相当于给所测元件并联一个人体电阻，所以测量值比较小，认为不合格，但用在设备上却工作正常。
20.（a）截止区（b）放大区 (c) 饱和区第二章放大电路【练一练1】1. 180o;放大器的倒相作用 2. 共发射极；共集电极；共基极 3. 发射极；基极；发射极；集电极；电流；电压 4. 隔直流作用；交流 5. 发射结；集电结6. 不能放大交流信号的电路为（a ）、（b ）、（c ）、（f ）能放大交流信号的电路为 （d ）、（e ） 【练一练2】1. 没有输入信号；估算；图解2. I BQ 、I CQ 和U CEQ3. 减小；增加4. 右移5. 陡6. 晶体管的特性曲线；放大电路的工作状态 【练一练3】1. 倒相；反相器2. 特性曲线；输入电阻；输出电阻3. 输入电阻；r be4. 输出电阻；r o5. LR '1；陡一些；R ’L =R C //R L 6. 大；小 7. 直流负载线的中心 8. 短【习题2】 一、选择题1. b2. a3. b4. c5. b6. c7. c 二、计算题8．I BQ =11 A ，I CQ =0.9mA ，U CEQ =4.2V ，A u = –61，r be =2640 ，r o =2k ； 9．I CQ =3mA ，U CEQ =6V ；10．r i =1668Ω，r o =2kΩ，A u = –72；第三章 含负反馈的放大电路【练一练1】1. B2.B3.A4.C5.C6.A ；B ；B ；B7. 图3.2-11所示电路中，通过R3和R7引入的是：直流电压并联负反馈； 通过R4引入的是：交、直流电流串联负反馈。
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3 场效应管
自我检测题
一．选择和填空
1. N沟道和P沟道场效应管的区别在于C 。
（A．衬底材料前者为硅，后者为锗，B．衬底材料前者N型，后者为P型，C．导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴）
2. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。
3．结型场效应管的栅源之间通常加反向偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层S i O2绝缘层，因此栅极静态电流几乎等于零。
4. 图选择题4中，（a）电路中场效应管的类型是N沟道增强型绝缘栅场效应管，V DD 的极性为正；（b）电路中场效应管的类型是N沟道结型场效应管，V DD的极性为正；（c）电路中场效应管的类型是P沟道耗尽型绝缘栅场效应管，V DD的极性为负。
g
g
g
( a )( b )( c )
DD
图选择题4
5.在放大状态下，双极型晶体管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置；结型场效应管的栅源之间加有反向偏置电压，栅漏之间加有反向偏置电压。
6.双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了基极电流对集电极电流的控制能力；而单极型场效应管常用跨导g m 参数反映栅源电压对漏极电流的控制能力。
7. 场效应管的栅极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻。
8．结型场效应管利用半导体器件的内部电场效应进行工作，MOSFET利用半导体器件的表面电场效应进行工作。
9．双极型晶体管从结构上可以分成_NPN和PNP两种类型，工作时有多子和少子两种载流子参与导电。
场效应管从结构上可以分成结型和绝缘栅型两大类型，因导电沟道的不同每一大类又可分为N沟道和P沟道两类，无论哪一类场效应管的导电过程都仅仅取决于多数载流子的运动。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻。
（√）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
（√）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。
（×）
4．用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比，前者的输入电阻比后者大。
（ × ）
5. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换（ √ ）；双极型晶体管具有NPN 或PNP 对称结构，所以发射极和集电极也可以互换。
（ × ）
6. 场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。
（ √ ） 7．N 沟道结型场效应管的GS v 越负，D i 越小，GS v 不可为正（ √ ）；N 沟道增强型绝缘栅场效应管的GS v 也一样。
（ × ）
8．场效应管是单极型电压控制器件，即使栅极电流为零，也可正常放大。
（ √ ）
9．场效应管是电压控制器件，GS m D v g i =，这是个线性方程，所以它是线性器件。
（ × ） 10．场效应管的输出电阻特别高。
（ × ）
习题
3.1定性画出图题3.1两种场效应管的转移特性曲线，并说明曲线与横坐标交点的含义。
D
i
D
g
( b )
( a )
图题3.1
解：
( a )
( b )
3.2已知场效应管的输出特性如图题3.2所示。
试求管子的下列参数： （1）夹断电压P V 或开启电压T V ； （2）饱和漏极电流DSS I 或DO I
（3）V 4GS =v 时的漏源击穿电压BR(DS)V ； （4）V 10DS =v 、mA 3D =i 附近时的跨导m g 。
246/V
图题3.2
解：N 沟道增强型MOSFET （1）开启电压T V =3V
（2）T GS V v 2==6V 时，I DO ≈5.5mA （3）V 4GS =v 时的漏源击穿电压BR(DS)V ≈18V （4）g m ≈
GS
D U I ∆∆≈5
5.54.28.3--mS ＝2.8mS
3.3图题3.3所示是三种不同类型的场效应管的转移特性曲线，试判断它们各属于什么类型的场效应管。
i D
( a )
( b )
g
( c )
图题3.3
解：
（a ）N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管 （b ）
P
沟道结型场效应管
（c ）P 沟道增强型绝缘栅场效应管
3.4在由一个双极型晶体管和一个MOS 场效应管组成的共射和共源放大电路中，测得T 1和T 2管的各电极对地静态电位如图题3.4所示，试判断T 1和T 2管的类型，用相应的管子符号填入图中。
T 1
T 2
图题3.4
解： T 1为PNP 型三极管，发射极接地，基极电位为-0.7V ；T 2为场效应管，源极接地，
栅极电位为-0.7V。
T2
1
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