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中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)
2015 学年第 1 学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）考试形式：闭卷一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR 越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
2.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角的移相范围为_0-180O_，随的增大，Uo_降低_，功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角＜(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
201X年《电子技术基础》复习资料(题目)
一、填空题1、多极放大电路常用的耦合方式有三种： 耦合、 耦合和 耦合。
2、半导体中中存在两种载流子： 和 。
纯净的半导体称为 ，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为 。
杂质半导体分为两种： 半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是 。
当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 ，这是制造半导体器件的基础。
3、在本征半导体中加入5价元素可形成 半导体，加入3价元素可形成 半导体。
4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的 通路。
若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。
非线性失真分为 失真和 失真。
5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。
6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数 ；负反馈使放大倍数 ；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是 ，交流负反馈能够 改善放大电路的 。
7、电压负反馈使输出 保持稳定，因而 了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而 了输出电阻。
串联负反馈 了放大电路的输入电阻；并联负反馈则 了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态： 式、 式、 式和 式。
8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的 成分，同时，尽量保留其中的 成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于 电流。
在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低 成分。
9、直流稳压电源一般由变压器电路、 及 和稳压电路四部分组成。
10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是 放大器，Av2是 放大器，Av3是放大器。
11、集成运算放大器在状态和条件下，得出两个重要结论他们是：和( )12、基本门电路有门、门和门。
完整word版数字电子技术基础练习题及参考答案word文档良心出品
第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1．以下代码中为无权码的为。
A. 8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码2．以下代码中为恒权码的为。
A.8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。
A. １B. ２C. ４D. 164．十进制数25用8421BCD码表示为。
A.10 101B.0010 0101C.100101D.101015．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。
A.（256）B.（127）C.（FF）D.（255）1016 10 106．与十进制数（53.5）等值的数或代码为。
10 A.(0101 0011.0101) B.(35.8) C.(110101.1) D.(65.4)8 8421BCD1627．矩形脉冲信号的参数有。
A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期：数为)等值的7.与八进制数(438．8 B.(27.6) C.(27.011)3 ) D. (100111.11).A. (1001112162169. 常用的BCD码有。
码三 D.余421码格 B.雷码 C.8偶A.奇校验码10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。
A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题（正确打√，错误的打×）1. 方波的占空比为0.5。
（）2. 8421码1001比0001大。
（）3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。
（）4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。
（）5．八进制数（18）比十进制数（18）小。
（）108）（。
1为应值上位验校的码验校奇1248在，时5数制进十送传当．6．7．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。
（）8．占空比的公式为：q = t / T，则周期T越大占空比q越小。
（）w9．十进制数（9）比十六进制数（9）小。
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精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
电子技术基础期末复习题
2014级电气自动化技术专业《电子技术基础》复习资料一、填空题。
1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通, 若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。
2、晶体管从内部结构可分为NPN 型和PNP型。
3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为C＞VB＞VE，基极和发射极电位之差约等于0.7。
V4、在晶体管放大电路中，测得IC=3mA，IE=3.03mA，则IB=0.03，= 100 。
5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。
6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。
若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。
7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。
8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。
9、n个输出端的二进制编码器共有2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。
10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。
11、1位加法器分为半加器和全加器两种。
12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。
14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。
15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使净输入量减小的反馈，称为负反馈。
为了判别反馈极性，一般采用瞬时极性法。
16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V。
17、施加深度负反馈可使运放进入线性区，使运放开环或加正反馈可使运放进入非线性区。
18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时与非门。
19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用4位二进制代码。
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发
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5 求下列电路中各点的电位。
(a)答案：（b）答案：
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（a）答案：
图下中，各方框泛指元件。
已知=2A, I= -1A,V a= -10V，V=8V
答案：
t
e
t
uc32
6
6
)(-
-
=
τ=3/2S
6．1．求题图2.1所示各电路的等效电阻R ab,
R1=R2=1 Ω，R3=R4=2Ω，R5=4Ω，G1=G2=1
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已知逻辑符号如图2所示，请写出与它们对应
图2
答案略
图4
7. 用卡诺图化简下列各式：
8．写出图5所示各逻辑电图5
9．组合逻辑电路如图6所示，请写出它的逻辑功能表达式。
B,(4)F(A,B,(3)F(A,CD B (2)A CD B (1)A
11．试用数据选择器74LS151实现逻辑函数Y=AB+BC+AC 答案：由于函数Y 中含有变量A 、B 、函数Y 的最小项表达式为
ABC
C AB C B A BC A )B AC(B )A BC(A )C AB(C AC
BC AB Y +++=+++++=++=我去人也就有人！为UR扼腕入站内信不存在向你偶同意调剖沙。