电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术课后习题及答案1
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B.T U U I e S C. )1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）一、单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B ）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C ）状态。
A ．正向导通；B ．反向截止；C ．反向电击穿 ；D ．反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C ）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A ）。
A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN 结加正向电压时，有（A ）形成电流，其耗尽层（D ）；加反向电压时，由（B ）形成电流，其耗尽层（C ）。
A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。
A.增大； B.不变； C.减小6.一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ B ）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加； B.下降； C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A ）。
A ．放大状态B ．截止状态C ．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B ）。
A ．发射结正偏、集电结反偏；B ．发射结、集电结均正偏；C ．发射结反偏、集电结正偏；D ．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B ）造成的。
A ．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A ）组态。
A ．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ，V b =2.8V ，V c =4.4V ，说明此三极管工作在（A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区；D ．反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B ）。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术第一章 习题与答案
第一章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。
二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。
把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。
2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。
硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。
硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。
3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。
而普通二极管反向击穿后就损坏了。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。
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142.欲将正弦电压證加上一个直流电压,应选用（B）电路。
IA .比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路
:
!
■
I43.已躺入信号嬲页率为]0kHz~ 20kHz,为了防止干扰信爭勺混入,缠用（C）漏皮器。
:
!
I A・低通；B•高通；C•带通；D•带阻
• • • II
!!
A・9V；B.18V；C.24V；D. 28V
!!
••
!!
| 52•三端集成稳压器CW7812的输出电压是（A L
!:
••
!!
|A.12V;B.5V;C.9V|
::
[53.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（C ）UzI
ii
••
II
i A.0.45 ;B.0.9C.1.2
:
:
I
!34.欲减小放大电路向信号源的索取流电,增大带负载能力，应在放大电路中引入（A）负反馈。
!
:
•
I A・电压串联；B.电压并联;C•电流串联；D•电流并联
!
:
•
I 35•为了使放大器带负载能力强f—般引入（A）负反馈。
!
:
•
IA.电压；B.电流;C.串联
•
!
:
I36.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入（A）;为了展宽频带,应在放大电路中引入（D\
!
:
| 28•功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（CI
!
!
IA.都放大电压；B.都放大电流；C.都放大功率
•
:
!
| 29•当集成运放线性工作时,有两条分析依据（A）（B\
I
A・U・uU+ B.I^I+^0 C. U0=Ui D.Au=l
I
I30.为了稳定静态工作点，应引入（B L
:
IA.交流负反馈；B.直流负反馈；C.电压负反馈；D•电流负反馈
:
I
I
i31•为了展宽频带，应引入（A L
:
!
|A•交流负反馈；B.直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈
:
:
|32.为了稳定输出电压，应引入（C）.
:
A.交流负反馈；B.直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈
i33.为了稳定输出电压，应引入（D）.
:
I A.交流负反馈；B.直流负反馈；C.电压负反馈；D•电流负反馈
ii
!!
ii
j54•振荡器的输出信号最初由（C）而来的。]
!!
::
••
IA、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号|
II
!!
••
I55.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（A）|
II
!!
:；
IA. 5v; B. 9v;C. 12v|
::
••
I56.三端集成稳压器CW7906的输出电压是（A）|
II
!!
••
I A. -6V;B. -9v; C・-12v!
ii
!!
!!
1
if = f0=
157.RC串并联网络在’2方?C时呈（B）。1
!
!
I39为了实现电流-电压转换，应引入（B '
:
!
!A・电压串联负反馈；B.电压并联负反馈；C•电流串联负反馈；D•电流并联负反馈
I
140.欲将方波转换成三角波,应选用（C\
IA.比例运算电路；B.求和运算电路；C.积分电路；D.模拟乘法器
|41.为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用（D）滤波电路。
A.共射;B.共集;C共基
i18 .为了提高差动放大电路的共模抑制比，可用（B）替代公共发射极电阻Re。iA•恒压源；B.恒流源;C.大电容
119.为了减小零点漂移，集成运放的输入级大多采用（C1
I
!
:
IA.共射电路；B.共集电路；C.差分放大电路；D .乙类放大电路
!
| 20.减小零点漂移最有效的方法是采用（C1
:
144.欲将矩形波变换成三角波,应选用（C）电路。
IA .比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路
:
I45.能将输入的模拟信号转换为矩形波的电路是（AX
!
:
|A .电压比较器;B.乘法器;C.除法电路;D.平方电路
I
!
!46.抑制频率高于20MHz的噪声,应选用（A）滤波器。
!
!
|A .低通；B.高通;C.带通;D.带阻
:
| 23.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路（A）能力。
:
IA.放大差模抑制共模;B.输入电阻高;C.输出电阻低
!
:
| 24•差分放大电路Re上的直流电流Ieq近似等于单管集电极电流Icq（B）倍。
!
:
•
A.1;B.2 ;C.3
:
I25.差分放大电路是为了（C）而设置的。
I
!
:
[47. RC桥式正弦波振荡电路的起振条件是（CI
i A・>1B・>2 C・A >3 D・A =3
e
148 .在下列1:匕较器中，抗干扰能力强的是（C1
I
:
!A .过零比较器；B.单限比较器；C.滞回比较器；D.双限比较器
[49 .单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V,则整流二极管承受的最大反向电压为（D）。
::
••
II
[ A・5V;B・7V ; C・10V ; D・14VI
::
|50 .下列三端集成稳压器输出直流电压为・5V的是（C '|
JI
IA.7915;B.7815;C.7905;D.78051
::
!!
I51.在桥式整流电容滤波电路中,若变压器副边电压有效值S=20V,则正常情况下,输出的直流电压为（C）V。I::
!
:
•
|A.电流负反馈；B.电压负反馈；C.直流负反馈；D•交流负反馈
:
|37为了减小输出电阻,应在放大电路中引入（B）。
•
!
:
|A.电流负反馈；B.电压负反馈；C.直流负反馈；D•交流负反馈
I
! 38•为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入（C）。
!
:
SA .电压串联负反馈；B.电压并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈
|A .共射电路;B.共集电路；C.差分放大电路；D .乙类放大电路
«
!
!
!
:
:
I21•图1.2所示集成运算放大器的Uopp二±20V,则输出电压Up（C）V。
:
A.0V；B.+4V；C.+20V；D. -20V
:
I
I22.对功率放大器的要求主要是（B 1（C1 （EX
!
:
:
1A.Uo高；B.Po大；C.功率大；D.Ri大；E.波形不失真
!
:
IA.稳定Au;B.放大信号;C.抑制零点漂移
I
!
:
| 26.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（C）
:
|A.电阻阻值有误差;B.晶体管参数的分散性;C.晶体管参数受温度的影响
I
!
I27•互补输出级采用共集接法是为了使（D\
:
!
!A.电压放大倍数增大；B.抑制共模信号能力增强；C.最大不失真输出电压增大；D.带负载能力强