光电子低维结构材料和器件的发展
低维材料的光学性质与应用前景
低维材料的光学性质与应用前景随着科学技术的不断发展，低维材料作为一种新兴的材料形态，吸引了广泛的科研关注。
其独特的光学性质使其在光学领域具有巨大的应用潜力。
本文将介绍低维材料的基本概念和特点，并探讨其在光电子学、光催化等领域的应用前景。
首先，什么是低维材料? 低维材料是指具有类似二维或一维结构的材料，如二维石墨烯、二维硒化钼等。
与传统的三维材料相比，低维材料具有较大的比表面积和高度可调控的光学性质。
这使得低维材料在光学领域具有更广泛的应用前景。
其次，低维材料的光学性质具有独特的特点。
首先，低维材料的光学吸收率较高。
由于其具有较大的比表面积，低维材料能较好地吸收光线并转化为电子激发态，从而提高了其在光电子学中的应用效率。
其次，低维材料的光致发光性能优异。
某些低维材料在受到光激发后，能够发射出特定波长的光，这使得它们在光电子学和荧光探针等领域具有潜在应用。
此外，低维材料还具有非线性光学效应和量子限制效应等特性，进一步拓展了其在光学领域的应用范围。
接下来，低维材料在光电子学中的应用前景不容忽视。
首先，低维材料可以用于高效的光电转换器件。
如利用二维材料制备的光电池具有高光电转换效率和较长的寿命，这是由于二维材料具有优异的光吸收性能和载流子传输性能。
其次，低维材料还可以用于高性能的光探测器件。
由于低维材料的高吸收率和高灵敏度，基于低维材料的光探测器件能够实现更高的信号检测精度和更低的噪声水平。
值得一提的是，低维材料还可以与纳米光学结构相结合，实现更高级的光探测功能，如超分辨显微镜、光子晶体等。
此外，低维材料在光催化领域也有着广泛的应用前景。
光催化是一种利用光能激发材料产生电子-空穴对，从而促进催化反应的方法。
由于低维材料具有较高的光吸收能力和较短的电子传输距离，使得其在光催化反应中具有更高的光催化效率。
例如，二维薄层过渡金属硫化物材料在分解有机污染物、水分解制氢等催化反应中展示了良好的催化效果。
因此，低维材料在环境治理、新能源等方面具有广阔的应用前景。
MBE发展现状及未来趋势分析与前景
MBE发展现状及未来趋势分析与前景MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）是一种重要的材料生长技术，广泛应用于半导体器件制造、纳米材料研究以及光电子领域。
本文将对MBE的发展现状进行分析，并展望其未来的趋势与前景。
在过去的几十年中，MBE作为一种高度控制的薄膜生长技术，取得了巨大的进展。
其独特之处在于，在超高真空环境中，利用分子束的定向沉积原理，以原子层为单位在基底上生长晶体。
由于其能够精确地控制材料的组成、晶体质量和厚度，MBE被广泛应用于半导体器件制备，如激光器、光电探测器、太阳能电池等。
随着科技的不断进步，MBE在材料研究中的应用也在不断扩展。
传统的MBE主要关注半导体材料的生长，但现在已经可以实现对复杂的多元化合物材料和纳米结构的生长。
这种延伸使得MBE成为研究低维材料、量子结构以及纳米材料的重要工具。
此外，MBE还可以在不同类型材料之间形成交界面，从而产生新的物理性质和器件特性，如二维材料的异质结构，获得宽禁带材料等。
此外，随着光电子领域的不断发展，MBE在光电子器件制备中也有着广泛的应用。
例如，MBE可以用于生长高质量的激光二极管结构，可应用于激光、光通信和传感等领域。
此外，具有周期性结构的光子晶体也可以通过MBE进行制备，这对于光子学和光电子学的发展具有重要意义。
未来，MBE技术将继续发展并扩展其应用领域。
首先，以高性能计算、云计算、人工智能等为代表的信息技术的快速发展，将对器件制备提出更高要求。
MBE作为一种高精度、高控制性的生长技术，将在这一领域发挥重要作用。
其次，随着半导体材料的不断改进，人们对新型材料的需求也越来越大。
MBE作为一种高质量材料生长技术，将为新材料的开发和应用提供重要支持。
此外，与其他生长技术相比，MBE具有低成本、低污染和高纯度优势，使得其在制备光伏材料等领域也具备广阔的前景。
然而，MBE技术也面临一些挑战。
首先，MBE的生长速度较慢，限制了其在大规模工业化生产中的应用。
光电功能化的低维材料与器件研究
光电功能化的低维材料与器件研究光电功能化低维材料已成为当前材料科学研究和应用开发的热点领域之一。
低维材料是一类在一个或两个维度上尺寸极小的材料，具有独特的物理和化学特性。
与传统三维材料相比，低维材料的电子、光学、热学和力学性能更加优越，具有更宽的光谱响应范围和更高的效率。
光电功能化的低维材料和器件研究已成为国内外研究的热点和难点，其研究成果也已广泛应用于光电信息存储、光电控制、能源转换和生物医学等领域。
一、低维材料的分类与特性低维材料是在一个或两个维度上尺寸极小的材料，主要包括一维纳米线、二维薄膜和量子点等。
这些材料的特性包括：1. 电子性能：低维材料具有载流子与晶格耦合减弱、表面自由能增大、接触电势变化明显等电子性能特征。
这些特征促进了低维材料在太阳能电池、光电控制器等光电器件上的应用。
2. 光学性能：低维材料具有更宽的光响应范围、更高的量子效率和更小的逸出功。
这些特性对实现高效发光器件、太阳能电池、光电传感器等光电器件具有重要意义。
3. 热学性能：低维材料有更小的热容量和更大的界面效应，可用于制造热电转换器件，实现能源和热能的高效转换。
4. 力学性能：低维材料在弯曲和拉伸等情况下，会出现四面体效应和屈曲现象，其力学性能表现更为复杂。
这些特性在制造柔性电子设备和高强度材料等领域有重要应用。
二、光电功能化低维材料的制备低维材料的制备包括物理法、化学法和生物法等多种方式。
其中物理法包括真空蒸发、物理气相沉积和激光热解法等；化学法包括溶液法、气相沉积法和水热法等；生物法则是利用生物体系中的生物分子来制造低维材料或通过仿生学方法来合成低维材料。
近年来，通过表面修饰等手段，光电功能化低维材料多样性不断增强，使得低维材料的应用范围更为广泛。
例如，将金属氧化物、过渡金属硫化物、碳纳米管等多种材料与量子点、纳米线和薄膜等低维材料相结合，可以获得具有特殊性质和高效性能的光电功能化材料。
三、光电功能化低维材料的应用光电功能化低维材料在光电器件、能源转换和生物医学等领域的应用广泛。
未来光电信息功能材料的发展趋势
未来光电信息功能材料的发展趋势信息时代对超大容量信息传输、超快实时信息处理和超高密度信息存储的需求加快了信息载体从电子向光电子和光子的转换步伐，光纤通信、移动通信和数字化信息网络技术已成为信息技术发展的大趋势。
相应地，半导体光电信息功能材料也已由体材料发展到薄层、超薄层微结构材料，并正向集材料、器件、电路为一体的功能系统集成芯片材料、有机/无机复合、有机/无机与生命体复合和纳米结构材料方向发展;同时伴随着材料系统由均匀到非均匀、由线性到非线性和由平衡态到非平衡态发展;材料生长制备的控制精度也将向单原子、单分子尺度发展。
从材料体系上看，除硅和硅基材料作为当代微电子技术的基础在21世纪中叶不会改变之外，化合物半导体微结构材料以其优异的光电性质在高速、低功耗、低噪音器件和电路，特别是光电子器件、光电集成和光子集成等方面发挥着越来越重要的作用;与此同时，近年来硅基高效发光研究取得的重大进展使人们看到了硅基光电集成的曙光。
有机半导体发光材料以其低廉的成本和良好的柔性，已成为全色高亮度发光材料研发的另一个重要发展方向，可以预料它将成为下一代平板显示材料的佼佼者。
GaN基紫、蓝、绿异质结构发光材料和器件的研制成功，不仅将使光存储密度成倍增长，而更重要的是它将会引起照明光源的革命，社会经济效益巨大。
航空、航天以及国防建设的要求推动了宽带隙、高温微电子材料和中远红外激光材料的发展。
探索低维结构材料的量子效应及其在未来纳米电子学和纳米光子学方面的应用，特别是基于单光子光源的量子通信技术，基于固态量子比特的量子计算和无机/有机/生命体复合功能结构材料与器件发展应用，已成为材料科学目前最活跃的研究领域，并极有可能触发新的技术革命，从而彻底改变人类的生产和生活方式。
另外，从半导体异质结构材料生长制备技术发展的角度看，已由晶格匹配、小失配材料体系向应变补偿和大失配异质结构材料体系发展。
如何避免和消除大失配异质结构材料体系在界面处存在的大量位错和缺陷，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题之一，它的解决将为材料科学工作者提供一个广阔的创新空间。
低维材料光电性质的研究及其应用前景分析
低维材料光电性质的研究及其应用前景分析随着科技的不断发展，人类对材料的需求越来越高，特别是在高科技领域，对于材料的要求显得尤为严苛。
低维材料的发现与研究为人类提供了一个新的解决方案，这种新型材料具备许多特殊的性质，比如超高的比表面积、优异的电学性能、出色的光电性能等。
在实际应用中，这些性能为低维材料赋予了无限的潜力。
随着现代科技的快速发展，人们对材料越来越追求的不仅是稳定性和可靠性，而且更加注重它在物理学和化学方面的性质。
低维材料是现代材料科学研究的一个新方向，因其优异的物理和化学性质已成为研究的热点。
这种材料主要指二维材料（如石墨烯和石墨烯衍生物）、一维纳米线和零维纳米颗粒，它们具有超高的比表面积以及极其特殊的光电性能。
其中，对于低维材料光电性质的研究是目前的重点方向之一。
其一是光学谷物质的发现，如石墨烯谷，已经成为了一个新的研究领域，另外，具有巨磁阻效应的石墨烯磁隧道晶体管也成为了当前电子学最为热门的研究方向。
总的来说，低维材料的光电性能备受研究人员的青睐，其潜力正在被不断挖掘。
在研究中，科研人员发现低维材料可以通过调节其结构和组成实现对其光电性质的调控，从而实现对其性能的优化。
例如，人们通过对石墨烯的功能化，将其改性为新型电极材料，继而为锂离子电池等电子器件的高功率应用提供支持。
另一方面，对低维材料的研究也表明，这种材料作为一种理想的光电转换器材料，在太阳能电池和光电器件方面具有很好的应用前景。
除了上述领域之外，低维材料还在其他领域展现出了巨大的应用潜力。
例如，其在传感器和生物医学等领域的应用也引起了人们的广泛关注。
该材料在生物医学方面应用广泛，例如，当用于化学或药物分析时可以大幅降低成本，还可以利用其良好的生物相容性实现在生物诊断、药物递送和治疗方面的应用。
不过，低维材料要想在这些领域中得到应用也需要面临一些挑战。
其中最为关键的问题是低维材料的制备难度较大，有些材料需要通过高温、高压等条件来制造，难以实现规模化生产。
未来材料的发展方向
未来材料的发展方向日新月异的现代技术的发展需要很多新型材料的支持。
自从第三次科技浪潮席卷全球以来，新型材料同信息、能源一起，被称为现代科技的三大支柱。
新材料的诞生会带动相关产业和技术的迅速发展，甚至会催生新的产业和技术领域。
材料科学现已发展成为一门跨学科的综合性学科。
根据我国当前及未来发展的实际情况，新材料领域值得注意的新发展方向主要有半导体材料、结构材料、有机／高分子材料、敏感与传感转换材料、纳米材料、生物材料及复合材料。
1.半导体材料随着高科技发展的需要，半导体及其应用研究的中心正向直接影响市场的微型或低维量子器件、改善传输质量和效率、增大功率和距离等方向发展，半导体化合物（GaAs、InAs、GaN、SiC等）具有重要的应用前景。
半导体材料领域的重要研究主题有：（1）Si基积分电路设计，就材料物性而言涉及用于门（gates）电路控制的纳米尺寸电介质制造及特性研究。
（2）大能隙材料则在光电子学领域中具有关键的作用。
可以预期，Ⅲ―V族化合物材料具有重要应用前景。
（3）纳米电子学及纳米物理学研究是微电子及光电子材料和器件发展的基础，涉及半导体与有机或生物分子耦合，低维器件的量子尺寸效应，半导体与超导体或磁性材料界面以及原子或分子尺度的存储问题。
建立原子学模拟与连续介质力学及量子力学跨层次―跨尺度关联应是该领域中的一个重要的研究方向。
2.结构材料Fe基、Al基、Ti基以及Mg基合金作为力学材料的主体，构成了系列结构材料，其主要功能是承担负载（如火车、汽车、飞机）。
汽车用钢近年来已从一般钢铁发展为使用灿合金或特殊的高强Mg基合金，高强Ti合金在高强钢中有重要位置，不锈钢则有取代碳钢的趋势。
用于军用飞机的Al合金及一般钢材则被先进的Ti合金及高分子基复合材料所取代。
进一步还需要发展碳纤维增强复合材料或Al基复合材料。
结构材料的主体有：（1）钢铁：钢铁材料，特别是具有多相结构和复杂成分的优质钢具有重要的应用前景和潜在优势，需要开展相应的基础研究。
低维材料与器件的研究报告
低维材料与器件的研究报告研究报告：低维材料与器件摘要：本研究报告旨在探讨低维材料与器件的研究进展和应用前景。
低维材料，如二维材料和纳米线，具有独特的电子、光学和热学性质，因此在能源、电子学和光电子学等领域具有广泛的应用潜力。
本报告将首先介绍低维材料的基本概念和特性，然后探讨其在能源存储、传感器和光电器件等方面的应用，最后总结现有的挑战和未来发展方向。
1. 引言低维材料是指在至少一个维度上具有纳米尺度的材料，其典型代表包括二维材料（如石墨烯）和纳米线。
由于其特殊的结构和尺寸效应，低维材料表现出与体材料不同的物理和化学性质，因此在各种领域引起了广泛的研究兴趣。
2. 低维材料的特性2.1 二维材料二维材料是由单层原子组成的材料，具有高度可调控的电子结构和机械性能。
其中，石墨烯作为最早被发现的二维材料，具有优异的导电性和热导性，被广泛应用于电子器件和传感器等领域。
此外，类石墨烯材料（如二硫化钼）和过渡金属二硫化物等也展示出丰富的物理性质和应用潜力。
2.2 纳米线纳米线是一维材料，其直径通常在几纳米至几十纳米之间。
由于其长宽比高，纳米线表现出优异的电子输运性能和光学性质。
通过控制纳米线的尺寸、形貌和组分，可以实现对其电子结构和能带工程的调控，从而拓展其在能源存储和传感器等领域的应用。
3. 低维材料的应用3.1 能源存储低维材料在能源存储领域具有巨大的潜力。
例如，石墨烯被广泛应用于锂离子电池和超级电容器，因其高电导率和大比表面积。
此外，纳米线也被用作锂离子电池的电极材料，以提高能量密度和循环稳定性。
3.2 传感器低维材料在传感器领域的应用也备受关注。
二维材料的高灵敏度和快速响应速度使其成为理想的气体传感器和生物传感器材料。
纳米线的高比表面积和可调控的表面化学性质使其成为优异的化学传感器和生物传感器。
3.3 光电器件由于低维材料具有特殊的光学性质，如量子限域效应和表面等禁带调制效应，它们在光电器件中的应用也备受关注。
低维光电材料和器件的制备和研究
低维光电材料和器件的制备和研究引言：随着电子技术的飞速发展，人们对光电材料和器件的需求也越来越大。
低维光电材料和器件作为一类研究热点，由于其独特的结构和性质，在光电领域中具有重要的应用潜力。
本文将从材料和器件的制备角度介绍低维光电材料和器件的研究现状和挑战。
一、低维光电材料的制备1.生长低维结构材料低维光电材料主要包括二维材料和纳米线材料。
二维材料的制备方法可以是机械剥离法、化学气相沉积法和溶剂剥离法等，而纳米线材料的制备则包括气相法、溶胶凝胶法和电化学沉积法等。
这些方法在生长低维结构材料方面已经取得了一定的成功，但仍然存在一些问题，如生长条件的控制、材料表面质量的提高等。
2.封装和传输低维材料低维光电材料的性能和稳定性很大程度上取决于其环境。
为了保护低维材料的特殊性质，封装和传输技术是必不可少的。
目前已经发展出一些封装和传输低维材料的方法，如微纳尺度封装技术、高效传输线技术等。
这些方法在保护低维材料性能方面起到了积极的作用。
二、低维光电器件的研究1.微观结构调控低维光电器件的性能很大程度上取决于其微观结构的调控。
例如，在二维材料的器件中，通过调控层间距离和电极间距离，可以实现器件性能的优化。
在纳米线材料的器件中，通过调控纳米线的直径和长度，可以实现器件性能的控制。
因此，微观结构调控是低维光电器件研究中非常重要的一环。
2.界面工程界面性质对于低维光电器件的性能具有重要影响。
通过界面工程来调控器件的光学和电学性质已经成为研究的热点。
例如，在二维材料的器件中，通过调控外部介质和材料的界面特性，可以实现器件性能的优化。
在纳米线材料的器件中，通过调控纳米线和基底之间的界面特性，可以实现器件性能的控制。
3.耦合效应低维材料之间和低维材料与其他材料之间的耦合效应是低维光电器件研究中的一个重要议题。
通过调控不同维度材料之间的相互作用，可以实现不同材料性能的协同工作，从而提高光电器件的性能。
例如，在二维材料和纳米线材料的器件中，通过调控不同材料之间的耦合效应，可以实现器件性能的优化。
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单电子效应
量子点
n=3
单电子效应 e2 > kT 2C ｰ Vg
静电能量
+
n=2 n=1
单电子晶体管
电子数控制和超低耗电晶体管
存储器件发展情况
1012
电流控制
电子数控制
256G 64G 16G
109
4G 1G 64M 16M 4M 1M
1存储＝100e
200
100
106 1980 1990 2000 Year 2010 2020 2030
双异质结激光器
• 限制载流 子和光波 采用异质 结
单量子阱激光器
• Al0.4Ga0.6As/ Al0.2Ga0.8As/ GaAs分别限 制（SCH） 单量子阱激 光器 • 阱和垒作为 波导层
多量子阱激光器
• 激光器性能 提高：阈值 电流降低， 光增益谱变 窄效率提高， 积分增益增 大，温度性 能提高。
• 改变阱(GaInAs) 和垒(AlInAs)的厚 度，可miniband改 变间隔 • Miniband可承受 更高的电流和功 率 • 750毫瓦，7.6微米， 室温
斜跃迁结构
• 4.3微 米,8.4微米 • 30mW • 线宽 0.3cm-1 • 125K
垂直跃迁结构
• 4.8微米 • 30mW
量子霍尔效应
I,II,III型超晶格
2.5 2.0
AlP AlAs
EC2 EC1
GaAs AlAs 0.5 Wavelength (m)
EV1
type I
AlSb
EV2 EC2
Band Gap Energy (eV)
type I
1.5 1.0 0.5 0.0 0.54
GaAs InP
AlSb
EC1
量子限制效应在激光器的应用
波长 (m)
电流密度 (A/cm2)
A. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron 22 (1986) 1915.
量子阱激光器结构
1978年，第一 只 AlGaAs/GaAs 量子阱激光器 问世，量子阱 光电子时代到 来。
(a) Volmer-Weber mode
(b) Stranski-Krastanow mode
(c) Frank-van der Merve mode
InAs/GaAs量子点的生长
InAs wetting layer
da0/a07.2%
InAs dots
GaAs
GaAs基板 InAs = 0ML
异质结双极晶体管（HBT）
• 电子垂直渡 越，工作频 率最大 • 工作电压为 正 • 大电流密度 • 高跨导gm, 输入电压摆 幅降低
谐振隧道二极管
• 1973年 Tsu,Esaki （RTD） • 1974,Chang • 量子耦合器件 • 负微分电阻 （NDR）
量子线沟道MOSFET
• 硅中窄反型导电层必须出跨导振荡现象
单量子阱中的能级
量子阱能级与态密度的关系
超晶格的发光特征
量子阱的光致发光
18K
n=0
PL Intensity (arb. units)
pumping
n=2 n=1 n=0
n=1 40mW 20mW n=2 10mW 5mW
1.0 1.0
1.1 1.1
1.2 1.2
1.3 1.3
1.4 1.4
Cap layer WL QD i-GaAs
PL Intensity (arb.units)
5nm
Blue-shift of ground state QD peak in the 50nm sample
50nm
0.8
1
1.2 Photon Energy
1.4
1.6
小结
• 能带工程概念的提出对现代科学技术产 生了巨大的影响 • 对材料一维,二维和三维方向的限制,产 生了量子阱,量子线和量子点材料 • 低维结构MBE、MOCVD的制备技术 • 量子点的发光性质 • 低维量子结构器件的基础
光刻机系统
下一代光刻技术
• 130纳米技 术采用光 学光源 • 1纳米软X 光射线， 13纳米极 紫外 （EUVL）， 电子束
刻蚀再生长
量子线的制备
自组织量子线生长
胶体化学制备的量子点
• 胶体量子 点 (colloidal quantum dots) • CdSe-CdS 量子点
外延生长的三种模式
边和垂直发射激光器
• 为了达到 受激发射， 结构加上 谐振腔， 使放大的 工作获得 正反馈形 成激光振 荡
分布反馈式（DFB）和分布布拉 格反射式（DBR）半导体激光器
• 实现动态单纵模工作 • 更宽温度和电流，抑制模式跳变，改善噪音特性 • 单色性和稳定性更好
大功率无铝激光器
串极半导体激光器
光电子低维结构材料 和器件的发展
目录
• 光电子材料和器件及其发展简史 • 光电子低维结构 低维结构基础 光电子材料制备技术 （MBE，MOCVD） • 光电子低维结构器件 光电子器件（激光器，探测器等） 电学器件（MOSFET，量子点存储器件 等） 光学器件（光子晶体）
IT
电学器件 光电子器件 光子器件
0.01 0 5 10 15 -1 1000/T (K ) 20
光致发光谱
GaAs
PL Intensity (arb. units)
60K
WL EX QD1 2 34
20K
700
800
900 1000 1100 1200 1300 Wavelength (nm)
CAP层变化的光致发光
2DEG recombination in 5nm sample
• 线宽 0.3cm-1 • 200K
氮化镓半导体激光器
• 1996年， CW@T233K • 1997年 InGaN,CW@ 300小时，现 在 LD@10000 小时
长波长氮化物VCSEL
• 室温 1310 纳米
室温自组织量子线激光器
• 833－ 868纳 米 • （775 ）B
H. Shoji et al., semiconductures and semimetals, Vol.60 (1999) 241.
低维物理系
（量子阱，超晶格等）
器件物理
异质界面物理 工程的结构
器件
材料科学 （MBE，MOCVD等）
（MQW激光器， APD等）
1946年计算机的发明
1948年晶体管的发明 1951年半导体异质结理论的提出 1954年太阳能电池发明
光电子器件发展简史
1955年发光二极管发明
结晶生长技术迅速发展 1958年集成电路开发 1962年红色发光二极管产品化 1970年室温半导体激光器（贝尔） 1970年低损耗光纤（康宁） 1973年液晶显示器发明 1980年高速晶体管发明（富士通） 1985年CD－ROM商品化 1987年光纤放大器成功 1993年蓝色发光二极管（日亚）
材料界面
第一布里源区的能带折叠
量子阱,量子线,量子点材料
(a) bulk
(b) quantum (c) quantum (d) quantum well wire box or dot
Energy
Density of State
能带工程的提出
江崎和朱兆祥 提出 人工剪裁,能 带工程 量子阱小于德 布洛意波长 二维电子气 （2DEG）
1.5 1.5
1.6 1.6
Photon Energy (eV)
低维半导体材料的制备技术
• • • • • • 分子束外延（MBE） MOCVD生长 CBE生长 液相外延生长（LPE） 量子线、量子点的制备 自组织量子点的发光性质
分子束外延生长技术
MBE
MBE生长机制
As分子
Ga原子 As分子
GaAs
GaAs基板 InAs < 1.7ML
GaAs
GaAs基板 InAs 1.7ML
RHEED在位监测外延生长
电子束 荧光屏
RHEED Intensity (arb. units)
specular spot bulk spot
InAs growth
二维生长
[011]
before growth
超晶格的分类
• • • • 组份超晶格 掺杂超晶格 应变超晶格 I,II,III超晶格
掺杂超晶格
应变超晶格
• 1986年应变 量子阱，开 拓了量子阱 材料选择的 自由度，展 现优异的新 功能。
二维电子气结构2DEG
• 1980年Klizing发现量子 霍尔效应1985年获奖Si 反型层@GaAs/AlGaAs， 测量精细结构常数 • 1982年 Laughlin,Stoermer,Tsui 发现分数量子霍尔效应 1998年获奖 GaAs/AlGaAs • 1999Lilly郎道能级半添 充GaAs/AlGaAs纵向 Rxx各向异性
1996年DVD商品化
低维材料结构
• • • • • 半导体材料的分类 半导体物理几个概念 二维电子气结构（2DEG） 量子阱,量子线和量子点材料 超晶格的分类 组份超晶格,掺杂超晶格,应变超晶 格,I.II.III型超晶格等 • 低维材料的发光性质
半导体带隙能量与晶格常数
II－IV族宽禁带半导体
[01ห้องสมุดไป่ตู้]
三维生长
In on In off
[011]
50 60
[011]
0
10
20
30
40
after 2.4 ML growth