第9章习题答案分析
袁艳红主编大学物理学第九章课后习题答案

----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-------------文档下载最佳的地方第9章 静电场习 题一 选择题9-1 两个带有电量为2q 等量异号电荷,形状相同的金属小球A 和B 相互作用力为f ,它们之间的距离R 远大于小球本身的直径,现在用一个带有绝缘柄的原来不带电的相同的金属小球C 去和小球A 接触,再和B 接触,然后移去,则球A 和球B 之间的作用力变为[ ](A)4f (B) 8f (C) 38f (D) 16f答案:B解析:经过碰撞后,球A 、B 带电量为2q,根据库伦定律12204q q F r πε=,可知球A 、B 间的作用力变为8f。
9-2关于电场强度定义式/F E =0q ,下列说法中哪个是正确的?[ ] (A) 电场场强E 的大小与试验电荷0q 的大小成反比 (B) 对场中某点,试验电荷受力F 与0q 的比值不因0q 而变 (C) 试验电荷受力F 的方向就是电场强度E 的方向 (D) 若场中某点不放试验电荷0q ,则0=F ,从而0=E 答案:B解析:根据电场强度的定义,E 的大小与试验电荷无关,方向为试验电荷为正电荷时的受力方向。
因而正确答案(B )习题9-3图(B) 穿过S 面的电场强度通量改变,O 点的场强大小改变 (C) 穿过S 面的电场强度通量不变,O 点的场强大小改变 (D) 穿过S 面的电场强度通量不变,O 点的场强大小不变 答案:D解析:根据高斯定理,穿过闭合曲面的电场强度通量正比于面内电荷量的代数和,曲面S 内电荷量没变,因而电场强度通量不变。
O 点电场强度大小与所有电荷有关,由点电荷电场强度大小的计算公式204q E rπε=,移动电荷后,由于OP =OT ,即r 没有变化,q 没有变化,因而电场强度大小不变。
因而正确答案(D )9-4 在边长为a 的正立方体中心有一个电量为q 的点电荷,则通过该立方体任一面的电场强度通量为 [ ](A) q /ε0 (B) q /2ε0 (C) q /4ε0 (D) q /6ε0 答案:D解析:根据电场的高斯定理,通过该立方体的电场强度通量为q /ε0,并且电荷位于正立方体中心,因此通过立方体六个面的电场强度通量大小相等。
第九章习题参考答案

(a)减小,增大 (b)减小,不变 (c)不变,增大 (d)不变,不变
9、转子电阻增大时,异步电动机最大转矩(c ) ;临界转差率( ) 。
(a)减小,增大 (b)减小,减小 (c)不变,增大 (d)不变,减小
10、异步电动机降压起动的目的是( a ) 。
(a)减小线路压降 (b)提高工作效率 (c)加快起动速度 (d)延长电机寿命
时,转子的转速 n 总要小于同步转速 n0 ,此时 0 < s < 1 ;当三相异步电动机处在再生制动
的情况下时, n > n0 ,这种情况下 s > 1,例如起重机吊重物下降,重物拖动电动机使其加
6
速;多速电动机换速(从高速转到低速)运行时,都产生再生制动。 5、在稳定运行情况下,当负载增加时,异步电动机的转矩为什么能相应增加?当负载转矩 大于电动机的最大电磁转矩时,电动机将发生什么情况?
• 负载运行时,转子绕组中有电流 流过,产生一个同步旋转磁势 ,为
了保持 不变,定子磁势 除了提供激磁磁势 外,还必须抵消转子磁
势 的影响,即: • 异步电动机的磁势平衡方程:
o
o
o
o 结论:空载运行时,转子电流为 0,定子电流等于激磁电流;负载 时,定子电流随负载增大而增大。
8、电源电压降低时,异步电动机最大转矩( b) ;临界转差率( ) 。
中产生旋转磁场;(2)、转子绕组自成回路。
异步电动机的转动原理是:定子三相对称绕组通入三相对称交流电流时,在气隙将产生圆形
旋转磁场。旋转磁场旋转时,与转子绕组有相对运动,因此将在转子绕组中产生感应电势。
由于转子绕组是闭合绕组,在感应电势的作用下将在绕组中流过三相短路电流。此电流与旋
转磁场相互作用,产生电磁转矩,从而产生电磁转矩使转子转动起来。这就是异步电动机的
第9章方差分析思考与练习带答案

第9章⽅差分析思考与练习带答案第九章⽅差分析【思考与练习】⼀、思考题1. ⽅差分析的基本思想及其应⽤条件是什么?2. 在完全随机设计⽅差分析中SS SS SS、、各表⽰什么含义?总组间组内3. 什么是交互效应?请举例说明。
4. 重复测量资料具有何种特点?5. 为什么总的⽅差分析的结果为拒绝原假设时,若想进⼀步了解两两之间的差别需要进⾏多重⽐较?⼆、最佳选择题1. ⽅差分析的基本思想为A. 组间均⽅⼤于组均⽅B. 误差均⽅必然⼩于组间均⽅C. 总变异及其⾃由度按设计可以分解成⼏种不同来源D. 组⽅差显著⼤于组间⽅差时,该因素对所考察指标的影响显著E. 组间⽅差显著⼤于组⽅差时,该因素对所考察指标的影响显著3. 完全随机设计的⽅差分析中,下列式⼦正确的是4. 总的⽅差分析结果有P<0.05,则结论应为 A. 各样本均数全相等 B. 各总体均数全相等 C. 各样本均数不全相等 D. 各总体均数全不相等 E. ⾄少有两个总体均数不等5. 对有k 个处理组,b 个随机区组的资料进⾏双因素⽅差分析,其误差的⾃由度为 A. kb k b -- B. 1kb k b --- C. 2kb k b --- D.1kb k b --+ E. 2kb k b --+6. 2×2析因设计资料的⽅差分析中,总变异可分解为 A. MS MS MS =+B A 总 B. MS MS MS =+B 总误差 C. SS SS SS =+B 总误差D. SS SS SS SS =++B A 总误差E. SS SS SS SS SS =+++B A AB 总误差7. 观察6只狗服药后不同时间点(2⼩时、4⼩时、8⼩时和24⼩时)⾎药浓度的变化,本试验应选⽤的统计分析⽅法是A. 析因设计的⽅差分析B. 随机区组设计的⽅差分析C. 完全随机设计的⽅差分析D. 重复测量设计的⽅差分析E. 两阶段交叉设计的⽅差分析8. 某研究者在4种不同温度下分别独⽴地重复10次试验,共测得某定量指标的数据40个,若采⽤完全随机设计⽅差分析进⾏统计处理,其组间⾃由度是A.39B.36C.26D.9E. 39. 采⽤单因素⽅差分析⽐较五个总体均数得0.05P ,若需进⼀步了解其中⼀个对照组和其它四个试验组总体均数有⽆差异,可选⽤的检验⽅法是A. Z检验B. t检验C. Dunnett–t检验D. SNK–q检验E. Levene检验三、综合分析题1. 某医⽣研究不同⽅案治疗缺铁性贫⾎的效果,将36名缺铁性贫⾎患者随机等分为3组,分别给予⼀般疗法、⼀般疗法+药物A 低剂量,⼀般疗法+药物A⾼剂量三种处理,测量⼀个⽉后患者红细胞的升⾼数(102/L),结果如表9-1所⽰。
结构化学课后答案第9章晶体的结构习题解答

第9章 晶体结构和性质习题解答【9.1】若平面周期性结构系按下列单位并置重复堆砌而成,试画出它们的点阵结构,并指出结构基元。
●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○解:用虚线画出点阵结构如下图,各结构基元中圈和黑点数如下表:1234567○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●图序号 1 2 3 4 5 6 7 结构基元数 1 1 1 1 1 1 1 黑点数 1 1 1 1 0 2 4 圈数1112313【评注】 从实际周期性结构中抽取出点阵的关键是理解点阵的含义,即抽取的点按连接其中任意两点的向量平移后必须能够复原。
如果不考虑格子单位的对称性,任何点阵均可划出素单位来,且素单位的形状并不是唯一的,但面积是确定不变的。
如果考虑到格子单位的对称形,必须选取正当单位,即在对称性尽量高的前提下,选取含点阵点数目尽量少的单位,也即保持格子形状不变的条件下,格子中点阵点数目要尽量少。
例如,对2号图像,如果原图是正方形,对应的正当格子单位应该与原图等价(并非现在的矩形素格子),此时结构基元包含两个黑点与两个圆圈。
【9.2】有一AB 型晶体,晶胞中A 和B 的坐标参数分别为(0,0,0)和(12,12,12)。
指明该晶体的空间点阵型式和结构基元。
解:晶胞中只有一个A 和一个B ,因此不论该晶体属于哪一个晶系,只能是简单点阵,结构基元为一个AB 。
【9.3】已知金刚石立方晶胞的晶胞参数a =356.7pm 。
请写出其中碳原子的分数坐标,并计算C —C 键的键长和晶胞密度。
解:金刚石立方晶胞中包含8个碳原子,其分数坐标为:(0,0,0),1(2,12,0),(12,0,1)2,(0,12,1)2,(14,14,1)4,3(4,34,1)4,(34,14,3)4,(14,34,3)4(0,0,0)与(14,14,14)两个原子间的距离即为C -C 键长,由两点间距离公式求得:C-C 356.7154.4pm r ====密度-13-10323-1812.0g mol 3.51 g cm (356.710cm)(6.022 10mol )A ZM D N V -⨯⋅==⋅⨯⨯⨯ 【9.4】立方晶系金属钨的粉末衍射线指标如下:110,200,211,220,310,222,321,400。
习题第9章企业营运能力分析答案

第九章企业营运能力分析习题一、单选题1.从资产流动性方面反映总资产效率的指标有()A.总资产产值率B.总资产收入率C.总资产周转率D.产品销售率答案:C 2.影响总资产收入率的因素除总资产产值率外,还有()A.总资产报酬率B.总资产周转率C.固定资产产值率D.产品销售率答案:D 3.流动资产占总资产的比重是影响()指标变动的重要因素。
A.总资产周转率B.总资产产值率C.总资产收入率D.总资产报酬率答案:A 4.反映资产占用收入之间关系的指标是(反映资产占用收入之间关系的指标是( )A.流动资产产值率.流动资产产值率B.流动资产周转率.流动资产周转率C.固定资产产值率.固定资产产值率D.总资产产值率.总资产产值率答案:B 5.影响流动资产周转率的因素是(影响流动资产周转率的因素是( )A.产出率.产出率B.销售率.销售率C.成本收入率.成本收入率D.收入成本率.收入成本率答案:C 6.当流动资产占用量不变时,流动资产周转加快会形成流动资金的()A.绝对浪费额.绝对浪费额B.相对浪费额.相对浪费额C.绝对节约额.绝对节约额D.相对节约额.相对节约额答案:D 7.当流动资产占用不变是,营业收入减少会形成流动资金的(当流动资产占用不变是,营业收入减少会形成流动资金的( )A.绝对浪费额.绝对浪费额B.相对浪费额.相对浪费额C.绝对节约额.绝对节约额D.相对节约额.相对节约额答案:B 8.提供固定资产产值率的关键在于(提供固定资产产值率的关键在于( )A.提供销售率.提供销售率B.增加生产设备.增加生产设备C.增加生产用固定资产.增加生产用固定资产D.提高生产设备产值率.提高生产设备产值率答案:D 二、多选题二、多选题1.反映企业营运能力的指标有(反映企业营运能力的指标有( )A.总资产收入率.总资产收入率B.固定资产收入率.固定资产收入率C.流动资产周转率.流动资产周转率D.存货周转率.存货周转率E.应收账款周转率.应收账款周转率答案:ABCDE 2.反映资产占用与总产值之间关系的指标有(反映资产占用与总产值之间关系的指标有( )A.固定资产产值率.固定资产产值率B.固定资产收入率固定资产收入率C.流动资产产值率.流动资产产值率D.总资产收入率总资产收入率E.总资产产值率.总资产产值率答案:ACE 3.影响存货周转率的因素有(影响存货周转率的因素有( )A.材料周转率.材料周转率B.在产品周转率在产品周转率C.总产值生产费.总产值生产费D.产品生产成本产品生产成本E.产成品周转率.产成品周转率答案:ABE 4.应收账款周转率越高越好,因为它表明(应收账款周转率越高越好,因为它表明( )A.收款迅速.收款迅速B.减少坏账损失减少坏账损失C.资产流动性高.资产流动性高D.营业收入增加营业收入增加E.利润增加.利润增加答案:ABC 5.存货周转率偏低的原因可能是(存货周转率偏低的原因可能是( )A.应收账款增加.应收账款增加B.降低销售降低销售C.产品滞销.产品滞销D.销售政策发生变化销售政策发生变化E.大量赊销.大量赊销答案:CD 6.以下属于流动资金相对节约额的情况有(以下属于流动资金相对节约额的情况有( )A.流动资产存量不变,营业收入增加.流动资产存量不变,营业收入增加B.流动资产存量不变,流转资产周转加速流动资产存量不变,流转资产周转加速C.营业收入增长速度超过流动资产增长速度.营业收入增长速度超过流动资产增长速度D.营业收人不变,流动资产存量减少营业收人不变,流动资产存量减少E.流动资产减少速度大于营业收入减少速度.流动资产减少速度大于营业收入减少速度答案:ABC 7.影响固定资产产值率的因素有(影响固定资产产值率的因素有( )A.生产设备产值率.生产设备产值率B.增加生产用固定资产的数量增加生产用固定资产的数量C.生产设备占生产用固定资产的比重.生产设备占生产用固定资产的比重D.增加生产设备的数量增加生产设备的数量E.生产用固定资产占全部固定资产的比重。
第9章时序逻辑电路习题解答

第九章习题参考答案9-1对应于图9-la 逻辑图,若输入波形如图9-54所示,试分别画出原态为0和原 态为1对应时刻得Q 和◎波形。
3D 八图9-54逆9-1图解得到的波形如题9-1解图所示。
9-2逻辑图如图9-55所示,试分析它们的逻辑功能,分别画出逻辑符号,列出逻辑 真值表,说明它们是什么类型的触发器。
解 对于(a ):由图可写出该触发器的输出与输入的逻辑关系式为:(9-1)原态为•丿京态为a) b)图9-55题9-2图下面按输入的不同组合,分析该触发器的逻辑功能。
(1) R n =1、S D =0若触发器原状态为0,由式(9-1)可得Q=0、Q =1 ;若触发器原状态为1,由式(9-1) 同样可得Q =0、Q = 1。
即不论触发器原状态如何,只要R D =1、S° =0,触发器将置成0态。
(2) R D=0、S°=l用同样分析可得知,无论触发器原状态是什么 > 新状态总为:Q =1・Q=0,即触发器被置成1态。
(3) R[)=Sj)=0按类似分析可知,触发器将保持原状态不变。
⑷= s° = 1两个“与非”门的输出端Q和Q全为0,这破坏了触发器的逻辑关系,在两个输入信号同时消失后,由于“或非”门延迟时间不可能完全相等,故不能确定触发器处于何种状态。
因此这种情况是不允许出现的。
逻辑真值表如表9-1所示,这是一类用或非门实现的基本RS触发器,逻辑符号如題9-2(a) 的逻辑符号所示。
对于(b):此图与(a)图相比,只是多加了一个时钟脉冲信号,所以该逻辑电路在CP =1时的功能与(a)相同,真值表与表9-1相同;而在CP=0时相当于(a)中(3)的情况,触发器保持原状态不变。
逻辑符号见趣9-2 (b)逻辑符号。
这是一类同步RS触发器。
Q1000]表9」題9・2 (a)真值表00不变1 1 不定题9・2 (a)的逻辑符号9-3同步RS 触发器的原状态为1,R 、S 和CP 端的输入波形如图9-56所示,试画出 对应的Q 和。
计算机操作系统课后答案第9章习题解答

第9章习题解答一、填空1.MS-DOS操作系统由BOOT、IO.SYS、MSDOS.SYS以及 所组成。
2.MS-DOS的一个进程,由程序(包括代码、数据和堆栈)、程序段前缀以及环境块三部分组成。
3.MS-DOS向用户提供了两种控制作业运行的方式,一种是批处理方式,一种是命令处理方式。
4.MS-DOS存储管理规定,从地址0开始每16个字节为一个“节”,它是进行存储分配的单位。
5.MS-DOS在每个内存分区的前面都开辟一个16个字节的区域,在它里面存放该分区的尺寸和使用信息。
这个区域被称为是一个内存分区所对应的内存控制块。
6.MS-DOS有4个存储区域,它们是:常规内存区、上位内存区、高端内存区和扩充内存区。
7.“簇”是MS-DOS进行磁盘存储空间分配的单位,它所含扇区数必须是2的整数次方。
8.当一个目录表里仅包含“.”和“..”时,意味该目录表为空。
9.在MS-DOS里,用文件名打开文件,随后就通过句柄来访问该文件了。
10.在MS-DOS里,把字符设备视为设备文件。
二、选择1.下面对DOS的说法中,B 是正确的。
A.内、外部命令都常驻内存B.内部命令常驻内存,外部命令非常驻内存C.内、外部命令都非常驻内存D.内部命令非常驻内存,外部命令常驻内存2.DOS进程的程序,在内存里 D 存放在一起。
A.总是和程序段前缀以及环境块B.和谁都不C.总是和进程的环境块D.总是和程序段前缀3.MS-DOS启动时能够自动执行的批处理文件名是: C 。
A.CONFIG.SYS B.MSDOS.SYSC.AUTOEXEC.BAT D.4.下面所列的内存分配算法, D 不是MS-DOS采用的。
A.最佳适应法B.最先适应法C.最后适应法D.最坏适应法5.在MS-DOS里,从1024K到1088K的存储区域被称为 D 区。
A.上位内存B.扩展内存C.扩充内存D.高端内存6.MS-DOS的存储管理是对A的管理。
A.常规内存B.常规内存和上位内存C.常规内存和扩展内存D.常规内存和扩充内存7.在下面给出的MS-DOS常用扩展名中,B 不表示一个可执行文件。
统计学习题答案 第9章 时间序列分析

第9章 时间序列分析——练习题●1. 某汽车制造厂2003年产量为30万辆。
(1)若规定2004—2006年年递增率不低于6%,其后年递增率不低于5%,2008年该厂汽车产量将达到多少?(2)若规定2013年汽车产量在2003年的基础上翻一番,而2004年的增长速度可望达到7.8%,问以后9年应以怎样的速度增长才能达到预定目标?(3)若规定2013年汽车产量在2003年的基础上翻一番,并要求每年保持7.4%的增长速度,问能提前多少时间达到预定目标?解:设i 年的环比发展水平为x i ,则由已知得:x 2003=30, (1)又知:320042005200620032004200516%x x x x x x ≥+(),2200720082006200715%x x x x ≥+(),求x 2008由上得32200820072008200320032007(16%)(15%)x x x x x x =≥++ 即为3220081.061.0530x ≥,从而2008年该厂汽车产量将达到 得 x 2008≥30× 31.06×21.05= 30×1.3131 = 39.393(万辆) 从而按假定计算,2008年该厂汽车产量将达到39.393万辆以上。
(2)规定201320032x x =,20042003x x =1+7.8%由上得=107.11%==可知,2004年以后9年应以7.11%的速度增长,才能达到2013年汽车产量在2003年的基础上翻一番的目标。
(3)设:按每年7.4%的增长速度n 年可翻一番, 则有 201320031.0742na a == 所以 1.074log 20.30103log 29.70939log1.0740.031004n ====(年)可知,按每年保持7.4%的增长速度,约9.71年汽车产量可达到在2003年基础上翻一番的预定目标。
原规定翻一番的时间从2003年到2013年为10年,故按每年保持7.4%的增长速度,能提前0.29年即3个月另14天达到翻一番的预定目标。
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棒表面为零电势,求空间电势分布并画出电势分布曲线.
解 无限长均匀带电细棒电荷分布呈轴对称,其电场和电势的分布也呈轴对称分布.取高度为
l ,半径为 r 且与带电棒同轴的圆柱面为高斯面,由高斯定理知
当r R时
E 2 rl r 2l / 0
得
E(r) r
V
2 0
当r R时
E 2 rl R2l / 0
(3)已知电势分布,利用场强与电势的微分关系 E = - V gradV 来计算。
2 电势的计算方法 (1)根据点电荷的电势公式,利用叠加原理,求和(场源为点电荷系)或积分(场源为带 电体)。 (2)利用电势的定义式来计算。 3 电容的计算:先假定电容器上带有电荷,再求其场强和电势差,最后代入电容的定 义式。 4 介质中场强的计算: (1)确定带电体和电介质是否具有对称性. (2)根据场的对称性,选取合适的高斯面.
例 2 一带电细线弯成半径为 R 的半圆形,其电荷线密度为 0 sin ,式中 为半径 R 与
x 轴所成的夹角, 0 为一常数,如图所示,试求环心 O
场强度。
y dq
处的电
dEx
o
x
dE dEy
例2图
解 在 处取电荷元,其电量为
dq dl 0Rsind
它在 O 点处产生的场强为
dE
dq 4 0 R2
EP
dE cos
1 4 0
l
2 l
2
dx (x2 a2
)
(x2
a
a2
)
1 2
l
2a
l 2
dx
a
x
2
40 0 (x2 a2 )3/ 2
2 0
a2 (a2 x2 )1/ 2 0
l
1
40a a2
l
2
2
1
2
方向沿 y 轴正方向。
当导线 l 为无限长时,由上式可求得场强为 E /(20a) 。
0 sind 4 0R
在 x、y 轴上的两个分量
dEx dE cos , dEy dE sin
Ex
0 4 0 R
sin cos d 0
0
Ey
0 4 0 R
sin2 d 0
0
8 0 R
所以
E
Exi
Ey
j
λ0 8 0 R
j
例 3 一半径为 R 的无限长带电细棒,其内部的电荷均匀分布,电荷体密度为 .现取
3 了解导体的静电平衡条件,了解介质的极化现象及其微观解释。了解各向同性介质
中D和E之间的关系。了解介质中的高斯定理。
4 了解电容和电能密度的概念。
9.2 基本概念
1 电场强度 E
:试验电荷
q0
所受到的电场力
F
与
q0
之比,即
E
F q0
2 电位移 D :电位移矢量是描述电场性质的辅助量。
在各向同性介质中,它与场强成正比,即 D E
(3) 利用介质中的高斯定理求出 D 的分布.
(4) 由 D E ,求出 E 的分布.
5 电场能量的计算:先要弄清场强的空间分布,找出电能密度的表达式,再代入公式求
积分。
以上仅为一般情况,实际问题尚需根据具体情况灵活处理。
例 1 长 l 米的直导线 AB 均匀地分布着线密度为 的电荷。求:在导线的垂直平分线上与
O
R
r
得
E(r) R2
2 0 r
取棒表面为零电势,空间电势的分布为
第 9 章静电场
9.1 基本要求
第 4 篇电磁学
1 掌握静电场的电场强度和电势的概念以及电场强度叠加原理和电势叠加原理。掌
握电势与电场强度的积分关系。能计算一些简单问题中的电场强度和电势。了解电场强度
与电势的微分关系。
2 理解静电场的规律:高斯定理和环路定理。理解用高斯定理计算电场强度的条件和
方法。
3
电场强度通量 e : e
E dS
S
电位移通量: D
D dS
S
4 电势能 E pa : Epa a q0 E dl (设 Ep 0 )
5
电势Va :Va
Epa q0
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
a E dl (设V 0 )
电势差Uab :Uab Va Vb
6 场强与电势的关系
(1)积分关系 Va a E dl
导线中点相距 a 处 P 点的场强。
解 以导线 AB 中心为坐标原点,如图所示建立坐
y
标系。 dx 线元在 P 点产生的电场强度为 dE 1 dx (方向如图所示) 40 (x2 a2 )
dE
dx
P
a
A
o
l
Bx
由于对称性,其叠加场强沿 y 轴正方向,水平方
例1图
向场强相互抵消。在 P 点的场强为
E dS 1
S
0
qi
内
在有电介质的静电场中,通过任意闭合曲面的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷 的代数和.
D dS S
内
q0
( q0 为闭合曲面S内的自由电荷)
高斯定理表明静电场是有源场,电荷是产生静电场的源。
4 环路定理: E dl 0 ,说明静电场是保守场。 l
5 导体的静电平衡条件 (1)导体内部的场强处处为零;(2)导体表面的场强处处与导体表面垂直。 6 静电平衡时导体上的电荷分布规律:电荷只分布在导体的表面,体内净电荷为零。 7 静电平衡时导体的电势分布规律:导体为等势体,其表面为等势面。 9.4 学习指导 1 电场强度的计算方法 (1)根据点电荷的场强公式,利用叠加原理,求和(场源为点电荷系)或积分(场源为带 电体)。在应用此法时,应尽量采用投影式,将矢量运算化成标量运算。 (2)利用高斯定理来计算。这种方法只有当场源的电荷分布具有某种对称性时才较为 简便。因此,利用此法时,首先要判别场源电场是否具有某种对称性,其次是要选好高斯面: (a)要使待求的场点位于高斯面上;(b)要使高斯面上的E处处相等,或使高斯面上某 些部分的E为零,另一些部分的E相等。
(2)微分关系 E = - V gradV
7 电容C:描述导体或导体组(电容器)容纳电荷能力的物理量。
孤立导体的电容: C Q ;电容器的电容: C Q
V
U
8 静电场的能量:静电场中所贮存的能量。
电容器所贮存的电能:W CU 2 Q2 QU 2 2C 2
电场能量密度
we
:单位体积的电场中所贮存的能量,即
we
E2 2
9.3 基本规律
1
库仑定律: F
q1q2 40r 2
er
2 叠加原理
(1)电场强度叠加原理:在点电荷系产生的电场中任一点的场强等于每个点电荷单独
存在时在该点产生的场强的矢量和。
(2)电势叠加原理:在点电荷系产生的电场中,某点的电势等于每个点电荷单独存在时
在该点产生的电势的代数和。
3 高斯定理:真空中静电场内,通过任意闭合曲面的电场强度通量等于该曲面所包围 的电量的代数和的 1/ 0 倍。