《多晶硅清洗工艺》PPT课件
多晶硅生产工艺和反应原理讲解课件
多晶硅⽣产⼯艺和反应原理讲解课件多晶硅⽣产⼯艺和反应原理第⼀节重要的半导体材料，化学元素符号Si，电⼦⼯业上使⽤的硅应具有⾼纯度和优良的电学和机械等性能。
硅是产量最⼤、应⽤最⼴的半导体材料，它的产量和⽤量标志着⼀个国家的电⼦⼯业⽔平。
在研究和⽣产中，硅材料与硅器件相互促进。
在第⼆次世界⼤战中，开始⽤硅制作雷达的⾼频晶体检波器。
所⽤的硅纯度很低⼜⾮单晶体。
1950年制出第⼀只硅晶体管，提⾼了⼈们制备优质硅单晶的兴趣。
1952年⽤直拉法(CZ)培育硅单晶成功。
1953年⼜研究出⽆坩埚区域熔化法(FZ)，既可进⾏物理提纯⼜能拉制单晶。
1955年开始采⽤锌还原四氯化硅法⽣产纯硅，但不能满⾜制造晶体管的要求。
1956年研究成功氢还原三氯氢硅法。
对硅中微量杂质⼜经过⼀段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为⼀种主要的⽅法。
到1960年，⽤这种⽅法进⾏⼯业⽣产已具规模。
硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的⽣产⼀跃⽽居半导体材料的⾸位。
60年代硅外延⽣长单晶技术和硅平⾯⼯艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，⽽且促使集成电路迅速发展。
80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。
硅还是有前途的太阳电池材料之⼀。
⽤多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；⽆定形⾮晶硅膜的研究进展迅速；⾮晶硅太阳电池开始进⼊市场。
化学成分硅是元素半导体。
电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。
拉制单晶时要掺⼊⼀定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。
重⾦属铜、⾦、铁等和⾮⾦属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。
硅中碳含量较⾼，低于1ppm者可认为是低碳单晶。
碳含量超过3ppm时其有害作⽤已较显著。
硅中氧含量甚⾼。
氧的存在有益也有害。
直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。
硅的性质硅具有优良的半导体电学性质。
禁带宽度适中，为1.21电⼦伏。
载流⼦迁移率较⾼，电⼦迁移率为1350厘⽶2/伏?秒，空⽳迁移率为480厘⽶2/伏?秒。
多晶硅生产工艺ppt课件
硅及其硅的氯化物的简介
SiHCl3 用和S迅iH速C发l3还展原。制因备为超它纯容硅易的制方得法，，解在决生了产原中料被问广题泛，的容应易 还原呈单质硅，沉积速度快，解决了产量问题，它的沸点 低，化学结构的弱极性，使得容易提纯，产品质量高，利 用它对金属的稳定性，在生产中常用不锈钢作为材质。但 有较大的爆炸危险，因此在操作过程中应保持设备的干燥 和管道的密封性，如果发现微量漏气，而不知道在什么地 方时，可用浸有氨水的棉球接近待查处，若有浓厚白色烟 雾就可以断定漏气的地方。
系统吹扫、置换方案的培训
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内容提纲
多晶产业现状 硅及其硅的氯化物的简介 目前世界上几种主要的多晶硅生产工艺简介 改良西门子法介绍 改良西门子法的工艺流程 改良西门子法中的核心技术
多晶硅下游产品简介
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多太阳晶能产电池业市场现现状状
煤炭和石油是两大不可再生能源。上个世纪发生的两 次石油危机，一方面是对世界经济的极大冲击，但同时 也是一次机遇，再加上保护环境，开发绿色能源、替代 能源，已被人们预测为改变我们未来10年生活的十大新 科技之一。在未来10年内，风力、阳光、地热等替代能 源可望供应全世界所需能源的30%。
改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法
改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化 氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢 硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三 氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。 国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级 与太阳能级多晶硅。
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目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺
流化床法
以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流 化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯 氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生 成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化 床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产 品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大， 生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太 阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。 其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产 的使用。
技术研发部硅料清洗实验工艺
技术研发部硅料清洗实验工艺1、原生多晶清洗工艺实验：1.1 混酸清洗：1.1.1 将多晶硅装入花篮中，每个花篮装料量不能超过花篮的2/3高；1.1.2在酸洗槽中加入清洗时需要的酸液，酸液按照下面的比例用量杯加入，氢氟酸：硝酸 =1:6（氢氟酸2.5升，硝酸15升），待所有酸液添加完成后，用PP搅拌棒将混酸搅动均匀，静置2分钟后，完成配酸作业；1.1.3将装完原生多晶硅的花篮放入酸洗槽中进行清洗，清洗的具体操作为：将花篮缓缓放入酸洗槽中，静置10-15秒后将PP搅拌棒放入酸液中对原生多晶硅进行搅拌，先沿着花篮内圈用搅拌棒顺时针搅拌三圈，顺时针搅拌完成后再逆时针搅拌三圈，所有搅拌完成后，将装有硅料的花篮在酸洗槽中再静置10-15秒后拿出，完成混酸清洗作业。
1.1.4所有完成混酸清洗的原生多晶硅在从酸液中拿出后，需先在溢流水槽中静置15秒以去除表面的大部分残留酸及降低硅料表面温度；1.1.5将直接纯水清洗的原生多晶硅放入溢流水槽中进行清洗，将装有硅料的花篮进入溢流纯水中，沿着花篮内圈用搅拌棒顺时针搅拌三圈，顺时针搅拌完成后再逆时针搅拌三圈，所有搅拌完成后，将装有硅料的花篮在溢流水槽中再静置2分钟后取出，完成纯水清洗作业；1.1.6 超声清洗作业: 将清洗完成后的硅料从花篮中取出，放入网布加入超声波清洗机中进行超声清洗作业，每台超声波清洗机中装料不多于30-50公斤/台；超声清洗时间为30分钟，现场工艺以实际工艺流程卡为准，超声清洗过程中，每10分钟左右需提起网布抖动3次；超声作业完成后，应先将超声发生器主机电源关闭，将硅料连同网布直接放到烘车花篮中进行烘干后单独包装注明技术实验用料；2、单晶循环料2.1.1 混酸清洗:首先观察单晶边皮料、头尾料的表面，如果有明显的油性笔痕迹，需将物料用沾有酒精的百洁布将字迹擦净。
确保表面没有明显的字迹后，将硅料均匀的摆放到方形花篮中，确保每块硅料不能层叠摆放，每个花篮装料量为20-25公斤；）2.1.2在酸洗槽中加入清洗时需要的酸液，酸液按照下面的比例用量杯加入，氢氟酸：硝酸 =1:6（氢氟酸2.5升，硝酸15升），待所有酸液添加完成后，用PP搅拌棒将混酸搅动均匀，静置2分钟后，完成配酸作业；2.1.3将装完硅料的花篮放入酸洗槽中进行清洗，清洗的具体操作为：将花篮缓缓放入酸洗槽中，静置30-40秒后，用搅拌棒轻轻拨动硅料，确保每个表面都可以被酸液清洗到，完成上述操作后，将花篮在酸洗槽中再静置20-30秒后拿出，完成混酸清洗作业。
多晶硅清洗
多晶硅项目设备清洗建议书多晶硅清洗详细信息如下：多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。
生产工艺过程比较复杂。
尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。
为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。
在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。
避免开车质量事故的发生。
最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。
针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。
同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。
多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。
油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。
因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。
主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。
并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装.一、概述多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。
生产工艺过程比较复杂。
尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。
为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。
在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。
避免开车质量事故的发生。
最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。
针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。
同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。
多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。
多晶硅清包车间工艺流程
多晶硅清包车间工艺流程1.原料清洗：将多晶硅原料进行清洗，去除杂质。
Material cleaning: Clean the polycrystalline silicon raw materials to remove impurities.2.熔化：将清洗后的多晶硅原料进行熔化，使其成为液态。
Melting: Melt the cleaned polycrystalline silicon raw materials to make it liquid.3.精炼：对熔化后的多晶硅进行精炼，去除残留的杂质。
Refining: Refine the melted polycrystalline silicon to remove remaining impurities.4.晶棒拉制：将精炼后的多晶硅液体进行晶棒拉制。
Crystal rod pulling: Pull the refined polycrystalline silicon liquid into crystal rods.5.切割：将晶棒切割成合适的尺寸，以便后续加工。
Cutting: Cut the crystal rods into appropriate sizes for further processing.6.晶棒清洗：清洗切割后的晶棒，确保表面干净。
Crystal rod cleaning: Clean the cut crystal rods to ensure a clean surface.7.反应磨：对晶棒进行表面处理，去除表面缺陷。
Etching: Surface treatment of crystal rods to remove surface defects.8.晶圆切割：将晶棒切割成晶圆，用于制作太阳能电池片。
Wafer cutting: Cut the crystal rods into wafers for making solar cell panels.9.晶圆清洗：清洗切割后的晶圆，去除切割产生的污物。
多晶硅工艺流程
多晶硅工艺流程简述（改良西门子法及氢化）氢气制备与净化工序在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。
电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。
除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。
净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。
电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。
出氧气贮罐的氧气送去装瓶。
气液分离器排放废吸附剂、氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放、干燥器有废吸附剂排放，均供货商回收再利用。
氯化氢合成工序从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。
出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。
从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。
氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。
出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。
为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。
该系统保持连续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。
为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。
必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。
该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。
三氯氢硅合成工序原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。
硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。
供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。
从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。
多晶硅的生产工艺图及车间工艺培训
还原氢化工序工艺讲义第一节工序划分及主要设备一、三氯氢硅还原的工序划分单元号工序名称T1100/T1101 三氯氢硅(TCS)蒸发T1200/T1201 四氯化硅(STC)蒸发T100/T101 还原T200/T201 氢化T300 硅芯拉制T400 硅芯腐蚀T500 破碎、分级T600 超纯水制取T700 实验室(分析检测中心)T800/801 钟罩清洗T900 冷却水循环系统T1000 HF洗涤二、主要原辅材料及质量要求物质纯度原料三氯氢硅TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb）四氯化硅STC≥98%氢气H2≥99.999%硅芯Si≥99.999%；电阻率≥50Ω·cm(暂定)；Φ5mm ；长2m石墨电极高纯辅料硝酸分析纯氢氟酸优纯级或分析纯洗涤剂氢氧化钠分析纯或化学纯酸洗剂氨基磺酸化学纯三、主要设备设备个数位号三氯氢硅(TCS)蒸发器 4 T1100AB001/002 T1201AB001/002四氯化硅(STC)蒸发器 4 T1200AB001/002 T1201AB001/002还原炉及氢化炉的静态混合器 2 AM100还原炉18 T100/T101AC001-009氢化炉9 T200AC001-005 T201AC001-004硅芯拉制炉 6 T300AC001-006区熔炉 1 T700AC001冷却水及冷却去离子水缓冲罐 4 T900/T901AB001-002 全自动硅块腐蚀清洗机 1 T400HF洗涤塔 1 T1000AK001A/B T1000AK002A/B第二节三氯氢硅氢还原工艺一、还原工艺描述H多晶硅图1 三氯氢硅氢还原工艺流程简图经提纯的三氯氢硅原料，按还原工艺条件的要求，经管道连续加入蒸发器中。
向蒸发器夹套通入蒸汽使三氯氢硅鼓泡蒸发并达到10bar，三氯氢硅的汽体和一路一定压力的高纯氢气（包括干法分离工序返回的循环氢气）在混合器AM100中以1：3的比例混合，经三层套管换热器加热后经进气管喷头喷入还原炉内。
清洗工艺培训教材1
16.边宽尺寸 125/156±0. 5mm
分检标准（配图说明） 分检标准（配图说明）
17. 单 晶 对 角 线 尺 寸 150/195/200/201/203 ±0.5mm
18.多晶硅片对角线尺寸 176.03±1.3mm /219.47±1.4mm
清洗工序
7、定位：把空清洗提篮轻放5S指定位置，以免损伤地面。无片 洗时，手推车停放在5S指定位置且摆放整齐。
8、清洗机不洗片时，溢流槽应关闭电脑补水开关至OFF档。
清洗区各工序主要工艺参数参照表
托板硅片预泡时间：1～2分钟，水温控制：35℃左右 预清洗准备 第1、2喷淋槽 第3、4、5、6槽 第3、4槽 日本脱胶机 第5、6槽 第7、8槽 第9槽
第3槽 单晶工艺
纯水；30℃～50℃、3-5分钟
Hale Waihona Puke 第4槽纯水+9kg柠檬酸；70℃～75℃；4-5分钟
第5、6、7槽
同多晶工艺（若第5槽为独立槽，也可第3槽加药同第2槽，第4槽取代第3槽，第5槽 取代第4槽，第6、7槽保持不变，此为加强工艺）
清洗区各工序主要工艺参数参照表
深圳捷佳创机
第1、2槽
纯水，常温，3-5分钟
分检标准（配图说明） 分检标准（配图说明）
7. 硅 落 （≤两处，深 度≤0.5mm,长 度≤1.0mm）
8. 缺 角 (≤ 两 处 ， 深 度≤0.5mm,长 度≤0.5mm）
分检标准（配图说明） 分检标准（配图说明）
9. 黑 斑 (表面无目视 黑斑)
10. 崩 边 （≤两处，深 度 ≤ 0.5mm, 长 度≤1.0mm，无 “V”形缺口）
预清洗
第1槽 喷淋 第2槽 预洗 RAC脱胶机 第3槽 预泡 第4槽 脱胶 第5槽 脱胶
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干燥2 dry 2
图8 一次精清选课洗件工pp艺t 流程
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2.4一次清洗各槽位腐蚀原理
一次清洗
刻蚀槽：HF-HNO3溶液，去除表面油污、切割损伤层以及制 备绒面；反应如下：
Si+2HNO3+6HF = H2[SiF6]+2HNO2+2H2O
3Si+4HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF =5H2[SiF6]+2NO2+4NO+10H2O+3H2
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一次清洗设备的主要组成：
一次清洗
清洗主体、传送滚轮、抽风系统、冷却系统和PLC电控及操作系 统。 设备所需动力及其他：
电源：380/220V，60Hz 控制电压：24V 直流电源 额定电流：29 A 冷却功率：10KW DI水：压力4 bar 工水：压力3 bar 压缩空气：压力4-6kg/cm2，流量50m3/h。 环境要求：空气温度5-40℃，相对湿度：＜80%。 满足的工艺节拍要求： 正常速度（0.8m/min)且标准间距(15mm)：1400片/小时。
所以去磷ห้องสมุดไป่ตู้玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2。
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二次清洗
在二次清洗过程中，HF对二氧化硅的腐蚀发生如下反应：
SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O
HNO3主要是用来刻蚀硅片边缘处的P-N结的，相当于等离 子刻蚀。
溶液中加入H2SO4的目的是增大溶液的黏度，使溶液与硅 片更好的接触。
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二次清洗设备的主要组成：
二次清洗
清洗主体、传送滚轮、抽风系统、冷却系统和PLC电控及操 作系统。 设备所需动力及其他：
电源：230/400V，50Hz 控制电压：24V 直流电源 额定电流：28 A 冷却功率：2KW DI水：压力4 bar 工水：压力3 bar 压缩空气：压力6 bar，流量20m3/hr。 环境要求：空气温度5-40℃，相对湿度：＜80%。 满足的工艺节拍要求： 正常速度（1m/min)且标准间距（15mm)：2600片/小时。
M NaOH×V NaOH ： M HF×V HF
40M V NaOH
NaOH
20 M V
HF
HF
其中M NaOH = 80克/升，V HF = 10 毫升，V NaOH通过测量可知，则未知的氢氟酸溶液 浓度M HF可以由计算得到。
M HF = 50 × M NaOH ×VNaOH
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多晶硅清洗工艺
江苏林洋新能源有限公司
2007年8月15日
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摘要
1 概述 2 一次清洗（扩散前清洗） 3二次清洗（去磷硅玻璃清洗） 4 各溶液的浓度检测 5 安全注意事项
2
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概述
1 太阳能电池片生产工艺流程：
一次清洗 印刷电极
烧结
扩散 PECVD 分选测试
刻蚀 二次清洗 检验入库
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2.3一次清洗工艺流程：
硅片检验
上料 input
碱洗槽 alkaline bath
漂洗槽1 rinse 1
漂洗2 rinse 2
酸洗槽 acidic bath
检验
下料 output
一次清洗
刻蚀槽 etch bath
干燥1： dry 1
4.3 KOH浓度的检测：
溶液浓度检测
KOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5
M KOH×V KOH ： M HCl×V HCl
40 MKOHVKOH 36.5 MHClVHCl
其中M HCl已知，V KOH=10毫升，V HCl通过测量 可知，则未知的氢氧化钠溶液浓度M KOH可以由 计算得到。
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4 各溶液的浓度检测
4.1 检测设备
溶液浓度检测
生产过程中使用的各种溶液的浓度，是根据 酸碱滴定原理自动进行检测的。我们使用的检测 设备，是由德国生产的Metrohm检测仪。它可以 根据我们的需要，对各种溶液进行实时监控。
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4.2 HF浓度的检测：
溶液浓度检测
NaOH + HF = NaF + H2O 40 ： 20
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一次清洗
制备绒面的目的及机理：
减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终 提高电池的光电转换效率。
解释机理： 当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面，光会 反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从 而增加吸收率。
图5 绒面减少反射的机理
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2.2 一次清洗设备
一次清洗
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3.1 二次清洗的目的：
二次清洗
在形成PN结的扩散过程中，在硅片表面生长了 一层一定厚度的磷硅玻璃，磷硅玻璃不导电，为 了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积 减反射膜之前，必须把磷硅玻璃腐蚀掉。
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3.2 二次清洗设备
二次清洗
二次清洗设备与一次清洗基本相同，都是由德国 RENA公司研制生产。
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一次清洗
碱洗槽：KOH溶液，主要中和残留在硅片表面的酸，也可能 发生下列化学反应：
Si+2KOH+H2O =K2SiO3+2H2
酸洗槽：HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层，反 应如下：
SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O
HCl去除硅表面金属杂质，盐酸具有酸和络合剂的 双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、 Cu+、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的 络合物。
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3.3二次清洗的工艺流程：
二二次次清清洗洗
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3.4二次清洗腐蚀原理：
二次清洗
刻蚀槽：扩散中磷硅玻璃的形成：
4 POCl3 + 3 O2 = 2 P2O5 + 6 Cl2 在较高的温度的时候， P2O5作为磷源与Si发生了如下反 应：
2 P2O5 +5 Si = 5 SiO2 + 4 P
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3
2.1一次清洗的目的：
一次清洗
a.清除硅片表面的油类分子及金属杂质。 b.去除切片时在硅片表面产生的损伤层。
硅片
机械损伤层（10微米）
图2 多晶硅表面损伤层去除
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4
c 形成孔状绒面
图3a 单晶硅片表面的 金字塔状绒面
图3b 多晶硅片表面的 孔状绒面
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图3b 多晶硅片表面的孔状绒面