元器件应力降额规范
器件应力降额标准(全品类器件)
器件应力降额规范XXX电力系统技术有限公司修订信息表目录第一部分总则 (4)1 前言 (4)2 目的 (5)3 适用范围 (5)4 关键词 (5)5 引用/参考标准或资料 (5)6 产品等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 (6)6.1 产品等级的定义 (6)6.2 关于I、II工作区、产品额定工作点的定义 (6)7 偏离降额的说明 (9)第二部分降额规范内容 (10)第一章半导体分立器件 (10)1.1功率MOSFET降额规范 (10)1.2 IGBT降额规范 (13)1.3 晶闸管降额规范 (15)1.4 整流桥降额规范 (17)1.5 功率二极管降额规范 (18)1.6 信号二极管降额规范 (20)1.7 稳压二极管降额规范 (22)1.8 TVS器件降额规范 (24)1.9 发光二极管、数码管降额规范 (26)1.10 三极管降额规范 (28)第二章IC类器件 (31)2.1数字集成电路降额规范 (31)2.2 运放、比较器降额规范 (32)2.3 光耦，SSR降额规范 (34)2.4 脉宽调制控制器降额规范 (38)第三章阻容类器件 (44)3.1 非固体铝电解电容器降额规范 (44)3.2 固体钽电解电容器 (47)3.3 金属化薄膜电容器 (49)3.4 陶瓷电容器降额规范 (51)3.5 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额规范 (52)3.6 电位器降额规范 (54)3.7 陶瓷NTC热敏电阻器降额规范 (56)3.8 PTC热敏电阻器降额规范 (58)3.9 压敏电阻降额规范 (60)1)最大持续运行电压Maximum Continuous Operating Voltage ，U c (60)2) 1mA压敏电压Varistor V oltage，V1mA (60)3) 标称放电电流Nominal Discharge Current，I n (60)4) 最大放电电流（冲击通流容量）Maximum Discharge Current，I max (60)5) 残压Residual V oltage，U res (61)第四章低压电器类器件 (63)4.1 接触器降额规范 (63)4.2低压断路器降额规范 (66)4.3隔离器、刀开关降额规范 (68)4.4 电源小开关降额规范 (70)4.5 信号小开关降额规范 (71)4.6 保险管降额规范 (72)4.7 电连接器降额规范 (74)4.8 风扇降额规范 (75)4.9 温度继电器 (76)4.10 电磁继电器 (77)第五章电磁元件 (81)5.1电磁元件降额规范 (81)5.2霍尔传感器降额规范 (83)6.1电源模块降额规范 (85)6.2 液晶显示模块降额规范 (87)6.3 晶体谐振器降额规范 (89)6.4 晶体振荡器降额规范 (91)6.5 蜂鸣器降额规范 (93)第三部分器件降额系数速查表 (95)第一部分总则1 前言《器件应力降额规范》是本公司产品可靠性设计所必须依据的重要的基础规范之一。
器件应力降额总规范(艾默生)
器件应力降额总规范艾默生网络能源有限公司修订信息表目录前言 (2)1目的 (3)2 适用范围 (3)3 关键词 (3)4 引用/参考标准或资料 (4)5 规范内容 (4)5.0产品保修期等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 (4)5.1功率MOSFET降额规范 (6)5.2 IGBT降额规范 (11)5.3 晶闸管降额规范 (15)5.4 整流桥降额规范 (19)5.5 功率二极管降额规范 (22)5.6 信号二极管降额规范 (26)5.7 稳压二极管降额规范 (29)5.8 TVS器件降额规范 (32)5.9 发光二极管、数码管降额规范 (36)5.10 三极管降额规范 (38)5.11 光耦降额规范 (43)5.12 脉宽调制器降额规范 (46)5.13 数字集成电路降额规范 (49)5.14 运放比较器降额规范 (51)5.15电压调整器类降额规范 (52)5.16 二次电源模块(BMP)降额规范 (55)5.17 液晶显示模块降额规范 (57)5.18 晶体谐振器降额规范 (60)5.19 晶体振荡器降额规范 (62)5.20非固体铝电解电容降额规范 (64)5.21固体钽电解电容器降额规范 (73)5.22 薄膜电容器降额规范 (76)5.23 陶瓷电容器降额规范 (78)5.24 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额规范 (80)5.25 电位器降额规范 (83)5.26 陶瓷NTC热敏电阻器降额规范 (85)5.27 高分子PTC热敏电阻器降额规范 (87)5.28 电磁元件降额规范 (89)5.29 霍尔传感器降额规范 (91)5.30 温度继电器降额规范 (93)5.31 电磁继电器降额规范 (95)5.32 接触器降额规范 (99)5.33 断路器降额规范 (101)5.34 隔离器、刀开关和熔断器组合电器降额规范 (104)5.35 电源小开关降额规范 (106)5.36 信号小开关降额规范 (108)5.37保险管降额规范 (110)5.38 电连接器降额规范 (113)5.39 风扇降额规范 (115)5.40 蜂鸣器降额规范 (117)5.41 压敏电阻降额规范 (118)6 附录 (120)6.1低压电器有关降额要求说明 (120)6.2 偏离降额的处理流程 (122)6.3 器件工作应力与降额查检表（V2.1）填写使用说明 (149)前言本规范由艾默生网络能源有限公司研发部发布实施，适用于本公司的产品设计开发及相关活动。
器件应力降额及关键用法规范
器件应力降额及关键用法规范(V3.0)艾默生网络能源有限公司修订信息表目录第一部分总则 (6)1 前言 (6)2 目的 (6)3 适用范围 (6)4 关键词 (7)5 引用/参考标准或资料 (7)6 产品典型工作区、短时稳态工作区、极限瞬态工作区定义 (8)7 偏离降额的说明 (11)第二部分应力降额及关键用法规范内容 (12)第一章半导体分立器件 (12)1.1 功率MOSFET降额及关键用法规范 (12)1.2 IGBT降额及关键用法规范 (16)1.3 晶闸管降额及关键用法规范 (22)1.4 整流桥降额及关键用法规范 (26)1.5 功率二极管降额及关键用法规范 (28)1.6 信号二极管降额及关键用法规范 (32)1.7 稳压二极管降额及关键用法规范 (35)1.8 TVS器件降额及关键用法规范 (38)1.9 发光二极管、数码管降额及关键用法规范 (41)1.10 三极管降额及关键用法规范 (44)1.11 霍尔传感器降额及关键用法规范 (48)第二章 IC类器件 (50)2.1 数字集成电路降额与关键用法规范 (50)2.2 运放、比较器降额及关键用法规范 (54)2.3 光耦、SSR降额及关键用法规范 (58)2.4 电源管理器件降额及关键用法规范 (65)第三章阻容类器件 (70)3.1 铝电解电容器降额及关键用法规范 (71)3.2 固体钽电解电容器降额及关键用法规范 (78)3.3 薄膜电容器降额及关键用法规范 (81)3.4 陶瓷电容器降额及关键用法规范 (88)3.5 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额及关键用法规范 (93)3.6 电位器降额及关键用法规范 (98)3.7 NTC热敏电阻降额与关键用法规范 (102)3.8 PTC热敏电阻降额与关键用法规范 (106)3.9 压敏电阻降额及关键用法规范 (109)第四章低压电器类器件 (112)4.1 接触器降额与关键用法规范 (112)4.2 低压断路器降额与关键用法规范 (117)4.3 刀开关降额与关键用法规范 (123)4.4 电源小开关降额及关键用法规范 (126)4.5 信号小开关降额及关键用法规范 (128)4.6 熔断器降额及关键用法规范 (130)4.7 电连接器降额及关键用法规范 (134)4.8 风扇降额及关键用法规范 (137)4.9 温度继电器降额及关键用法规范 (140)4.10 电磁继电器降额及关键用法规范 (141)第五章电磁元件 (146)5.1电磁元件降额规范 (146)第六章其它 (149)6.1 电源模块降额及关键用法规范 (149)6.2 液晶显示模块降额及关键用法规范 (152)6.3 晶体谐振器降额与关键用法规范 (155)6.4 晶体振荡器降额与关键用法规范 (158)6.5 蜂鸣器降额及关键用法规范 (161)第三部分附录1：器件降额系数速查总表 (164)第四部分附录2：关键用法速查总表 (176)第一部分总则1 前言《器件应力降额及关键用法规范》是本公司产品可靠性设计所必须依据的重要的基础规范之一。
元器件降额指南
可供参考。但研究了它们的结构和材料，作出降额的工程判断 (表 C5-1 中的 C 类)。
表 C5-1 降额量值研究的基础
降额工作基础分类 A B C
元器件类别
集成电路，半导体分立器件，电阻器，电位器，电容器 电感元件，继电器，开关，旋转电器，电连接器，线缆，灯泡，电路断路器， 保险丝 电真空器件，晶体，声表面波器件，激光器件，纤维光学器件
降额可以有效地提高元器件的使用可靠性，但降额是有限度的。通常，超过最佳范围的 更大降额，元器件可靠性改善的相对效益下降，见附录 C_A。而设备的重量、体积和成本 却会有较快的增加。有时过度的降额会使元器件的正常特性发生变化，甚至有可能找不到满 足设备或电路功能要求的元器件，过度的降额还可能引入元器件新的失效机理，或导致元器 件数量不必要的增加，结果反而会使设备的可靠性下降。
附 64
C6.2.1 晶体管反向电压、电流、功耗的降额准则 晶体管反向电压、电流、功耗的降额准则见表 C6-5。其中： a. 反向电压从额定反向电压降额； b. 电流从额定值降额； c. 功率从额定功率降额。
表 C6-5 晶体管反向电压、电流、功率降额准则
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
反向电压 1）
0.60 0.502）
线性集成电路及数字集成电路的降额计算示例见附录 C_B 中 C_B1 条。
C6.2 晶体管降额准则
晶体管按结构可分为双极型晶体管、场效应晶体管、单结晶体管等类型；按工作频率可 分低频晶体管、高频晶体管和微波晶体管；按耗散功率可为小功率晶体管和大功率晶体管（简 称功率晶体管）。所有晶体管的降额参数是基本相同的，它们是电压、电流和功率。但对 MOS 型场效应晶体管、功率晶体管和微波晶体管的降额又有特殊的要求。
元器件降额规范
Max-20℃
Max-20℃
Max-20℃
注：Max为器件最高工作温度
5.4电位器
表4电位器降额表
元器件种类
降额参数
降额度
Ⅰ
Ⅱ
A
B
A,B
非线绕电位器
电压
0.85
0.85
0.85
功率
合成、薄膜微调
0．5
0．7
0．8
精密塑料型
0．5
0．7
0．8
温度
Max-10℃
Max-10℃
Max-10℃
5.5电容器表
图目录
图1电源工作状态示意图.....................................................................2
1目的
为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。
2适用范围
本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。
纹波电流
0.85
0.85
0.85
1目的....................................................................................2
2适用范围................................................................................2
（d）对环境条件而言，温度和湿度将在额定最大值以内。
状态Ⅱ：
如图中阴影之外的部分均表示电源工作在状态II，例如输入欠压、OCP过流保护、OVP过压
保护等情况，由于电源工作在II状态的时间一般来说很短，因此在此状态下器件的降额百分
元器件降额规范分析
页码第1/9页目录1 目的 (2)2 适用范围 (2)3 引用标准 (2)4 质量等级及工作状态定义 (2)4.1 质量等级 (2)4.2 工作状态 (2)5 各类器件降额度要求 (3)5.1 集成电路 (2)5.2 分立半导体器件 (4)5.3 固定电阻器、保险丝、热敏电阻 (5)5.4 电位器 (5)5.5 电容器 (6)5.6 磁性器件 (7)5.7 机电元件 (8)5.8 连接器、电缆 (8)5.9 风扇、PCB (9)6 应用说明 (9)6.1 半导体器件结温Tj 确定 (9)表目录表1 集成电路降额表 (3)表2 分立半导体降额表 (4)表3 固定电阻降额表 (5)表4 电位器降额表 (5)表5 电容器降额表 (6)表6 磁性器件降额表 (7)表7 机电元件降额表 (8)表8 连接器及电缆降额表 (8)图目录图1 电源工作状态示意图 (2)修订次修订内容修订日期制定审核核准A/0 初次发布2010-5-13陈超A/1 更新优化2011-5-17页码第2/9页1 目的为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。
2 适用范围本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。
3 引用标准GJB/Z35-93 元器件降额准则4 质量等级及工作状态定义4.1 质量等级A：免费维护期（保修期）为大于3 年。
B：免费维护期（保修期）为小于等于3 年。
注：默认情况下，本公司的ＬＥＤ电源质量等级为Ａ级，消费类电源质量等级为B级，特别地，当客户有要求时，按客户的要求执行。
4.2 工作状态图1 电源工作状态示意图状态I：如图中的阴影部分，为电源的正常工作区，绝大部分时间电源工作在此区域，因此在此状态下，器件的降额使用更加严格。
工作在状态 I 的电源满足如下条件：（a）按操作手册或目录使用或安装。
（b）在输出额定电压变化范围内，输出功率在额定最小值到最大值间。
（c）输入在规定的电压和频率范围内。
元器件降额准则GJBZ 35-1993
元器件降额准则编号：WI-TE-006版次：V01编制：审核：批准：目录1.0目的--------------------------------------------------------------------------------42.0适用范围--------------------------------------------------------------------------43.0引用文件--------------------------------------------------------------------------44.0一般要求--------------------------------------------------------------------------45.0详细要求--------------------------------------------------------------------------56.0应用指南-------------------------------------------------------------------------131.0目的为了满足客户对产品可靠性和使用寿命的要求，本标准规定了电子、电气元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值，同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。
2.0适用范围本准则适用于我司研发的所有电源产品3.0引用文件GJB/Z 35-1993元器件降额准则4.0一般要求4.1降额等级的划分我司降额等级分别从两方面来划分，一个主要从产品性能方面来考虑，另一个主要从产品经济效益方面来考虑。
首先，为适合我司对产品工作应力从稳态与瞬态两方面来进行要求和评估，从而制定两个降额等级：S—稳态应力降额，T—瞬态应力降额。
稳态应力是指在产品规格书中所规定的全电压输入范围、各种输出条件及环境条件下，产品稳定工作时，器件在某种组合条件下所承受的最大应力。
元器件降额规范
页码第1/9页目录1 目的 (2)2 适用范围 (2)3 引用标准 (2)4 质量等级及工作状态定义 (2)4.1 质量等级 (2)4.2 工作状态 (2)5 各类器件降额度要求 (3)5.1 集成电路 (2)5.2 分立半导体器件 (4)5.3 固定电阻器、保险丝、热敏电阻 (5)5.4 电位器 (5)5.5 电容器 (6)5.6 磁性器件 (7)5.7 机电元件 (8)5.8 连接器、电缆 (8)5.9 风扇、PCB (9)6 应用说明 (9)6.1 半导体器件结温Tj 确定 (9)表目录表1 集成电路降额表 (3)表2 分立半导体降额表 (4)表3 固定电阻降额表 (5)表4 电位器降额表 (5)表5 电容器降额表 (6)表6 磁性器件降额表 (7)表7 机电元件降额表 (8)表8 连接器及电缆降额表 (8)图目录图1 电源工作状态示意图 (2)修订次修订内容修订日期制定审核核准A/0 初次发布2010-5-13陈超A/1 更新优化2011-5-17页码第2/9页1 目的为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。
2 适用范围本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。
3 引用标准GJB/Z35-93 元器件降额准则4 质量等级及工作状态定义4.1 质量等级A：免费维护期（保修期）为大于3 年。
B：免费维护期（保修期）为小于等于3 年。
注：默认情况下，本公司的ＬＥＤ电源质量等级为Ａ级，消费类电源质量等级为B级，特别地，当客户有要求时，按客户的要求执行。
4.2 工作状态图1 电源工作状态示意图状态I：如图中的阴影部分，为电源的正常工作区，绝大部分时间电源工作在此区域，因此在此状态下，器件的降额使用更加严格。
工作在状态 I 的电源满足如下条件：（a）按操作手册或目录使用或安装。
（b）在输出额定电压变化范围内，输出功率在额定最小值到最大值间。
（c）输入在规定的电压和频率范围内。
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崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0
元器件应力降额规范
版本更新
版本号更新日期更新者审核批准
A0 2013-4-23
尹小朝
目的
为了满足客户对我司电源产品可靠性及电源寿命的要求，本规范规定了电
子元器件在不同使用情况下的降额标准。
使用范围
本规范适用我司研发中心研发的所有电源产品。
1.电容
类型参数稳态瞬态
陶瓷电容Voltage 85% 95%
Temperature
NA
90%
电解电容Voltage 90% 100%
NA Temperature
85%
NA
95%
Ripple
Current
薄膜电容Voltage 90% 95%
90%
NA Temperature
2.晶体管
类型参数稳态瞬态
整流桥Reverse Voltage 90% 95%
Average Forward Current70% NA
NA Junction
80%
Temperature
肖特基Reverse Voltage 90% 95%
崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0
Average Forward Current70% NA
NA
80%
Temperature
Junction
普通二极管Reverse Voltage 90% 95%
70%
NA
Current
Average
NA
80%
Junction
Temperature
稳压二极管Power Dissipation 80% 100%
NA Junction
80%
Temperature
MOS管Breakdown Voltage 90% 95%
Junction Temperature 80% NA
Current 80% 150%
三极管Voltage (V ce) 80% 90%
80%
Temperature
Junction
NA
3.电阻器
类型参数稳态瞬态
贴片电阻Power 70% 100%
NA Temperature
80%
95% Voltage
90%
插件电阻Power 70% 100%
NA Temperature
90%
95% Voltage
90%
4.电感变压器
类型参数稳态瞬态
电感变压器Temperature 90% NA
崧欣电子科技有限公司研发中心元器件应力降额规范版本号：A0 5.IC
类型参数稳态瞬态
IC Fixed Supply Voltage
Vcc Manufacturers
recommended
Manufacturers
Recommended
Junction
Temperature
80%
NA 光耦Junction Temperature 80% NA
注：以上为公司内部规范，若客户另有要求，则按客户之规定。