设计示例1存储器设计
第六章 MOS电路版图设计讲解

VDD MP Vo MN
(2) 根据负载CL情况和速度 要求(tr和tf) 确定等效的 PMOS管和NMOS管的最小 W/L 。
o增大 Vi
0
V*
VDD
6.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 2. CMOS逻辑门电路(续) (3) 根据上述结果最终确定等效的 Vi PMOS管和NMOS管的最小W/L。 (4) 根据电路结构和等 效的W/L确定每个管 的W/L 。 无比电路VOL与o无关 nor2
选上升和下降时间都是300ns.
§6-2 版图的布局布线
思考题
1. 布局布线的策略是什么? 2. 复用单元设计有什么好处?
6.2.1 布局 1.布局的基本原则 芯片的布局设计是要解决电路图或逻辑 图中的每个元件、功能单元在版图中的位置 摆布、压焊点分布、电源线和地线以及主要 信号线的走向等。 首先确定电路中主要单元(元件)的位 置,再以主要单元为中心安置次主要单元和 次要单元。 相关单元(包括压点)要尽量靠近,以 主要单元为主调整单元(器件)的形状和位 置,方便布线,缩短布线。
6.2.1 布局 2.布局示例1 电子表芯片
液晶显示译码电路
定时电路
比较电路
走时电路
分频电路 振荡器
报 时 驱 动
调节控制电路
6.2.1 布局 2.布局示例2 存储器模块
读写 控制
输入输出
地址 译码
SRAM存储矩阵
6.2.2 布线 1. 布线基本原则 最常用的布线层有金属、多晶硅和扩 散区,其寄生电阻和寄生电容有所不同。 电源线、地线选择金属层布线,线宽要 考虑电流容量(一般1mA/m)。 长信号线一般选择金属层布线,应尽量 避免长距离平行走线。 多晶硅布线和扩散区布线不能交叉而 且要短。必须用多晶硅走长线时,应同时 用金属线在一定长度内进行短接。
六章CPU设计

下地址控制编码方式
一般情况下后继微指令旳地址有下列几种给出方式:顺序递增法:将µPC设置成可实现自动加1旳功能,每当完毕目前指令旳执行,就以µPC +1后旳值为地址在控制存储器中取下一条微指令。直接给出法:下一条微指令旳地址直接取自微指令中旳下地址字段。分支转移法:在包括分支转移旳微指令中常设置一种条件选择子区域,用于指出哪些鉴定条件被测试,与此同步转移地址被存储在下地址字段。当转移条件满足时,将下地址字段旳内容读入到µPC中,取下一条微指令,实现微程序转移。若转移条件不满足,微程序则顺序执行。微程序入口地址旳形成:每条机器指令所相应旳微程序旳入口地址(首地址),一般由指令旳操作码所决定。在机器加电后,第一条微指令旳地址一般是由专门旳逻辑电路生成,也能够采用由外部直接输入旳形式取得。
操作控制编码方式
在操作控制字段一般涉及一种或多种操作控制域,每个控制域可控制一种或一组控制信号旳生成,根据控制信号是直接生成于控制域还是译码生成控制信号旳不同可分为下列几种形式。直接控制法:操作控制字段旳每一位都与一种独立控制信号相相应。若目前微指令旳某一位ki=1,则与之相应ci控制信号有效,不然ci控制信号无效。分段编码控制法:在微程序级别,许多微操作是能够并行执行。一般采用将微指令旳操作控制字段提成k个相互独立旳控制域,每一种控制域存储一组微操作,每一种编码相应一种微操作,每一种微操作都能够与其他控制域所存储旳任意一种微操作并行执行,但在组内旳微操作之间是互斥旳,不允许在同一时间段内发生或有效。分段间接编码控制法:在微指令格式里,假如一种字段旳含义不只决定本字段编码,还兼由其他字段决定,则可采用分段间接编码控制法。此时一种字段兼有两层或两层以上旳含义。其他方式:在实际微指令中操作控制编码并不是只单独采用上述三种编码方式中旳一种,而是将上述三种混合使用,以确保能综合考虑指令旳字长、灵活性和执行微程序旳速度等方面旳要求。
vivado 差分信号类型

Vivado 差分信号类型1. 引言差分信号是一种常见的电信号传输方式,可以有效地抗干扰和提高传输速率。
Vivado是赛灵思(Xilinx)公司开发的集成电路设计工具,用于FPGA(Field-Programmable Gate Array)和SoC(System-on-Chip)设计。
在Vivado中,差分信号类型是设计中重要的一部分,本文将详细介绍Vivado中的差分信号类型及其相关知识。
2. 差分信号的定义和特点差分信号是指由两个相互反向的信号组成的信号对。
在差分信号中,一个信号被称为正信号(P),另一个信号被称为负信号(N)。
正负信号之间的差异是由于信号的相位相反而产生的。
差分信号的特点如下:•抗干扰能力强:差分信号可以通过比较正负信号的差异来识别和抵消噪声和干扰,因此具有较强的抗干扰能力。
•传输速率高:由于差分信号可以利用信号的相位差来传输信息,因此可以提高传输速率。
•电压幅度较小:差分信号的电压幅度通常较小,这有助于减少功耗和电磁辐射。
3. Vivado中的差分信号类型在Vivado中,差分信号类型主要有以下几种:3.1 差分输入/输出(Differential I/O)差分输入/输出(Differential I/O)是Vivado中常见的差分信号类型。
差分I/O接口通常用于高速数据传输和抗干扰设计。
在FPGA设计中,常使用差分I/O来连接外部器件,如DDR(Double Data Rate)存储器、高速ADC(Analog-to-Digital Converter)和DAC(Digital-to-Analog Converter)等。
差分I/O接口通常由两个引脚组成,分别为正引脚和负引脚。
在Vivado中,可以使用语法I和N来表示差分I/O引脚,例如<signal_name>_I和<signal_name>_N。
3.2 差分信号约束(Differential Constraint)在Vivado中,差分信号约束用于定义差分信号的时序和电气特性。
verilog fifo原理

verilog fifo原理FIFO(FirstInFirstOut)是一种常用的存储器结构,用于在数据传输过程中暂存数据。
在数字电路和系统设计中,FIFO被广泛应用于数据缓存、接口通信等领域。
本文将介绍VerilogFIFO的基本原理和设计方法。
一、FIFO的结构FIFO通常由输入端、输出端和存储器组成。
输入端和输出端分别对应数据的输入和输出,而存储器则用于暂存数据。
FIFO的读写操作遵循FIFO的先进先出(FIFO)原则,即最早进入FIFO的数据最先被读取。
在Verilog中,可以使用模块(module)和语句(statement)来实现FIFO。
常见的VerilogFIFO结构包括数据寄存器(dataregister)、读写指针(read/writepointer)、存储器单元(memorycell)和控制逻辑(controllogic)等部分。
二、FIFO的工作原理1.读写操作FIFO的读写操作遵循FIFO的基本原则。
在写操作时,新数据被写入存储器;在读操作时,最早进入FIFO的数据最先被读取。
控制逻辑负责管理读写指针,以确保正确的读写操作顺序。
2.缓冲作用FIFO的主要作用是缓冲数据,即在数据传输过程中,将输入端的数据存储到FIFO中,待FIFO满后再从输出端输出数据。
这样可以在一定程度上缓解数据传输的时序问题,提高数据传输的可靠性和效率。
3.溢出和欠流控制当FIFO满时,控制逻辑会停止新的写操作,以避免数据溢出。
同样地,当FIFO空时,控制逻辑会暂停新的读操作,以防止欠流(underflow)现象的发生。
这些控制逻辑的实现通常需要借助状态机(statemachine)和条件语句(conditionstatement)等Verilog语言特性。
以下是一个简单的VerilogFIFO设计示例:modulefifo(inputwireclk,reset,en_write,en_read,outputwire [7:0]data_out);reg[7:0]data_reg[15:0];//数据寄存器regread_pointer,write_pointer;//读写指针integeri;parameterSIZE=16;//FIFO容量//控制逻辑和状态机always@(posedgeclkorposedgereset)beginif(reset)beginread_pointer<=0;//复位时读写指针都归零write_pointer<=0;for(i=0;i<SIZE;i=i+1)begindata_reg[i]<=8'h00;//清空FIFOendendelseif(en_write)begindata_reg[write_pointer]<={data_reg[write_pointer],data_in };//新数据写入FIFOwrite_pointer<=write_pointer+1;//写指针加一if(write_pointer==SIZE)write_pointer<=0;//FIFO满时归零写指针endelseif(en_read)begindata_out<=data_reg[read_pointer];//读出最早进入FIFO的数据read_pointer<=read_pointer+1;//读指针加一if(read_pointer==SIZE)read_pointer<=0;//FIFO空时归零读指针endelsebegin//其他情况不做处理endendendmodule以上示例中,我们使用了一个16位的数据寄存器和两个指针(read_pointer和write_pointer)来管理FIFO的读写操作。
存储器概述

EEPROM芯片2864A
N13根地址线A12~A0 8 根 数 据 线 I/O7 ~
I/O0 片选CE*
读写OE*、WE*
A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 I/O0 11 I/O1 12 I/O2 13 GND 14
动态RAM DRAM 4116 DRAM 2164
1 静态RAM
SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵
SRAM芯片6264 NC 1 A12 2
A7 3
存储容量为8K×8
A6 4 A5 5
28个引脚:
A4 6
13根地址线A12~A0 8根数据线D7~D0
Infineon(英飞菱)的内存条结构剖析
1、PCB板 下图是Infineon原装256MB DDR266,采用单面8颗粒TSOP封装。
2、金手指 这一根根黄色的接触点是内存与主板内存槽接触的部分,数据就是靠它们来传输的,通
常称为金手指。
3、内存芯片(颗粒)内存的芯片就是内存的灵魂所在,内存的性能、速度、容量都是由内 存芯片决定的。
只读存储器ROM
掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改 PROM:允许一次编程,此后不可更改 EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;
并允许用户多次擦除和编程 EEPROM(E2PROM):采用加电方法在
线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash Memory(闪存):能够快速擦写的
EEPROM,但只能按块(Block)擦除
28 Vcc 27 A14 26 A13 25 A8
24 A9 23 A11 22 OE 21 A10 20 CE 19 D7 18 D6 17 D5 16 D4 15 D3
sram的设计与实现

sram的设计与实现
SRAM(静态随机存取存储器)是一种常见的计算机内存类型,它使用电容器来存储数据,并且不需要周期性地刷新数据。
SRAM的设计和实现是计算机硬件工程师必须掌握的技能。
本文将介绍SRAM的设计和实现的基本原理和过程,包括SRAM的存储单元、读写模式、地址解码和控制信号处理,以及SRAM的布局和布线技术。
我们将详细讨论SRAM的各个方面,并提供实现SRAM所需的基本电路和模块的示例。
此外,我们还将介绍一些SRAM的优化技术,如数据压缩、位线预充电和动态电源管理,以提高SRAM的性能和功率效率。
最后,我们将讨论SRAM的应用和未来发展趋势,包括SRAM在处理器、图形处理器、网络交换机和物联网设备中的应用。
本文旨在为读者提供SRAM设计和实现的全面指南,以帮助他们在硬件工程领域取得更好的成绩。
- 1 -。
一个异步FIFO的设计示例

一、异步FIFO 技术规范1. 总体描述1.1. 功能定义异步FIFO ( First In First Out)指的是在两个相互独立的时钟域下, 数据从一个时钟域写入FIFO 而另一个时钟域又从这个FIFO 中将数据读出。
本设计用8*256的RAM 实现异步FIFO 。
具体功能:1. 写使能有效,且FIFO 不为满时,在写时钟的上升沿向FIFO 中写入数据。
2. 读使能有效,且FIFO 不为空时,在读时钟的上升沿从FIFO 中读出数据。
3. 当FIFO 写满时产生满信号,当FIFO 读空时产生空信号。
1.2. 应用范围异步FIFO 是用来作为缓冲的存储器, 它能对数据进行快速、顺序的存储和发送, 主要用来解决不同速率器件间的速率匹配问题。
2. 引脚描述8*256异步FIFO rst r_clkr_en data_in[7:0]full empty w_clkw_endata_out[7:0]图12.1. 引脚功能描述 信号名输入/输出 功能描述r_clk输入 读数据时钟信号 w_clk 输入 写数据时钟信号data_in[7:0] 输入8位的输入数据r_en 输入读使能,高电平有效,在FIFO非空时,clk上升沿读入数据;w_en 输入写使能,高电平有效,在FIFO非满时,clk上升沿写入数据;rst 输入异步清零,低电平有效,低电平时读地址,写地址,计数器都清零。
empty 输出空信号,高电平有效,当FIFO读空时其值为1full 输出满信号,高电平有效,当FIFO写满时其值为1 data_out[7:0] 输出8位的输出数据2.2.引脚时序描述当写满时full由低变高,当读空时empty由低变高。
只要不为满full就为低,不为空empty就为低。
3.顶层模块划分。
微机原理2-1:8088CPU内部结构、寄存器组、存储器组织

栈段和附加段。
段寄存器即是存放各个逻辑段段首地址的寄 存器。
23
存储器的分段管理
8088有20条地址线, 20=1MB, 最大可寻址空间为 2 可寻址的地址范围为 00000H~FFFFFH 该地址称物理地址 硬件用 20位的物理地址来对存储单元进行寻 址
24
存储器的分段管理
由于 8088 中的地址寄存器都是 16 位的,用 户不能直接使用20位的物理地址,编程时需 要使用逻辑地址来寻址存储单元。 物理地址 14700H 逻辑地址由两个16位数构成,其形式为: 逻辑地址 1460H:100H 段的起始地址 : 段内的偏移地址 (16位段地址) :( 16位偏移量)
分隔符
7
②指针和变址寄存器 共BP、SP、SI、DI四个 BP:基址指针寄存器Base Pointer ,默认表示
堆栈段基地址;
SP:堆栈指针寄存器Stack Pointer,指示栈顶 SI:源变址寄存器Source Index DI:目的变址寄存器Destination Index
8
2、标志寄存器 标志寄存器( FR )是 一个 十六位的 寄存器,但只利用了其中的9位:六个条 件标志和三个控制标志。
CLI 指令复位中断标志:IF=0
STI 指令置位中断标志:IF=1
20
陷阱标志TF(Trap Flag)
用于控制处理器是否进入单步执行方式: 设置TF=0,处理器正常工作; 设置 TF=1,处理器每执行一条指令就中断一次, 中断编号为 1 (称单步中断), TF 也被称为单 步标志。 单步执行和单步调试
注意: PF 标志仅反映最低 8 位中“ 1 ”的个数
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
设计示例1:存储器设计
1、 存储器模块定义:
存储器用于存放CPU 运算的程序指令和数据等,采用单端口存储器设计,设计最大为64个存储单元,每个存储单元数据宽度为32bit 。
下图为指令存储器的模块框图。
module ExtMem
图1 模块框图
2、 结构框图:
3、 接口说明:
表1: 存储器接口信号说明表
4、 时序说明:
ExtMem_CLK ExtMem_WR ExtMem_RD ExtMem_Adr Valid
Valid
ExtMem_Din
ExtMem_CS
图2 存储器接口读时序框图
ExtMem_CLK ExtMem_WR ExtMem_RD ExtMem_Adr Valid Valid
ExtMem_Dout
ExtMem_CS
图3 存储器接口写时序框图
Valid ExtMem_Dout
ExtMem_CLK ExtMem_WR ExtMem_RD ExtMem_Adr
Valid Valid
ExtMem_Din ExtMem_CS Valid
图4 存储器接口读写时序框图
5、 设计电路源代码
Module Mem ( input CLK,
input CSn, input [5:0] Addr, input WRn, input RDn, input [31:0] Din, output [31:0] Dout );
reg [31:0] Memory [0: 63] ; //---存储器写操作
always @( posedge CLK) begin
if (~CSn & ~WRn ) Memory[Addr]<= Din; end
//---存储器读操作方式1 always @( posedge CLK )
begin
if (~CSn & ~RDn ) Dout<= Memory[Addr];
end
//---存储器读操作方式2
always @( * )
begin
if (~CSn & ~RDn ) Dout<= Memory[Addr];
end
endmodule
问题讨论:
//------方式1与方式2的区别?
//------ altera公司的FPGA芯片,使用其内部存储器IP必须采用方式1设计
//------ xilinx公司的FPGA芯片,使用其内部存储器IP可以采用方式1或方式2设计
6、指令存储器初始化值设计
在仿真环境下,在设计电路中添加如下初始化存储器值电路:
initial
begin
#0 Memory[6'h0]<=32'h10; Memory[1]=32'h11; Memory[2]=32'h12;
Memory[63]=32'h63;
end
问题讨论:在硬件设计实现方式下,如何给存储器赋初值?
7、设计电路仿真
所设计的存储器模块电路,采用xxxx仿真器工具进行了设计仿真验证,如图5所示。
验证结果表明存储器功能以及接口时序完全正确。
附件1是仿真激励源代码。
图5 存储器电路读写仿真波形图
8、存在问题及解决方式方法,设计讨论等
XXXXXXXXX YYYY ZZZZZZZZZZZ
附件1:
//----------------------------------------------------------//
//Desc:
//----------------------------------------------------------//
//
`timescale 10ps/10ps
module Mem_testbench ( );
//---测试信号定义
reg fpga_clk, mem_cs, mem_wr, men_rd;
reg [5:0] mem_addr;
reg [31:0] mem_din;
wire [31:0] mem_dout;
//---存储器模块实例化调用
Mem mem_inst( .CLK(fpga_clk),
.CSn(mem_cs),
.Addr(mem_addr),
.WRn(mem_wr),
.RDn(men_rd),
.Din(mem_din),
.Dout(mem_dout) );
//-------------------------------
always #50 fpga_clk<= ~fpga_clk;
initial
begin
#0 fpga_clk=1'h0; mem_cs=1'h1; mem_wr=1'h1; men_rd=1'h1;
mem_addr=6'h00; mem_din=32'h00;
end
initial
begin
#510 mem_cs=1'h0; mem_wr=1'h0; mem_addr=6'h01; mem_din=32'h01;
#100 mem_addr=6'h02; mem_din=32'h02;
#100 mem_cs=1'h1; mem_wr=1'h1;
#100 mem_addr=6'h03; mem_din=32'h03;
#100 mem_cs=1'h0; mem_wr=1'h0;
#100 mem_cs=1'h1; mem_wr=1'h1; mem_addr=6'h04; mem_din=32'h04;
#200 mem_cs=1'h0; men_rd=1'h0; mem_addr=6'h02; mem_din=32'hzz;
#100 mem_addr=6'h03;
#100 mem_cs=1'h1; men_rd=1'h1;
#200 mem_cs=1'h0; men_rd=1'h0; mem_addr=6'h01;
#200 mem_cs=1'h1; men_rd=1'h1;
#100 mem_addr=6'hzz;
end
//----------------------------------------------------//
endmodule。