LT芯片简单说明
LT1963 芯片手册
1963aff
1
LT1963A Series
Absolute Maximum Ratings
(Note 1)
IN Pin Voltage......................................................... ± 20V OUT Pin Voltage.......................................................±20V Input to Output Differential Voltage (Note 2)............±20V SENSE Pin Voltage ................................................ ± 20V ADJ Pin Voltage ....................................................... ±7V SHDN Pin Voltage .................................................. ±20V Output Short-Circuit Duration ......................... Indefinite
Output voltage range is from 1.21V to 20V. The LT1963A regulators are stable with output capacitors as low as 10µF. Internal protection circuitry includes reverse battery protection, current limiting, thermal limiting and reverse current protection. The devices are available in fixed output voltages of 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V and as an adjustable device with a 1.21V reference voltage. The LT1963A regulators are available in 5-lead TO-220, DD, 3‑lead SOT-223, 8-lead SO and 16-lead TSSOP packages.
LT1248中文资料
LT1248中文资料引言LT1248是凌特公司推出的一款功能较强大的PFC（power factor correct）控制芯片。
该芯片采用DIP16封装，具有以下特点：（1）能够适应宽范围内的负载变化。
（2）采用平均电流控制方法。
（3）输出驱动电流峰值达1.5A。
（4）低静态工作电流、高开关噪声抑制。
（5）内部集成了多重的保护。
（6）特有同步信号处理能力。
LT1248在开关电源的前级输入预调制器和UPS整流侧PFC电路等AC-DC变换场合，能够很好的控制输入功率因数，减少对电网的干扰，有着很高的应用价值。
LT1248的内部结构和工作原理LT1248的内部结构如图1所示，按功能的不同大体分为三个部分，基本运算单元（含电压误差放大器、乘法器、电流放大器）；图1 LT1248的内部结构图保护单元（含过压保护电路、过流保护电路、欠压保护电路、开机软启动电路和保护信号综合电路）；功能实现单元（含PWM比较器、RS触发器、同步信号发生器、振荡器、图腾柱和7.5V基准输出等）。
基本运算单元LT1248的11脚检测到的输出电压反馈信号与内部7.5V给定电压相减，经电压调节器后，与6脚检测到的输入电压反馈信号相乘，得到输入电流给定指令，再与4脚检测到的输入电流反馈相减，经电流调节器，形成控制量，该控制量与三角波比较，生成占空比可调的PWM驱动脉冲，驱动电路中的开关管的通断，最终实现APFC控制的目的。
常见的输入电流给定信号与输入电流反馈信号的比较策略有三种：峰值电流比较、滞环电流比较和平均电流比较。
前两种比较策略所用的器件较少，但是容易受噪声的干扰，使系统控制精度降低。
LT1248采用的是平均电流比较的策略，很好的提高了控制的精度。
同时，LT1248采用的是电压电流双环控制的方法，电压环的输出成为电流环的给定，这样即保证了输出电压的恒定，又保证了输入电流与输入电压的同相位，同时也提高了系统控制动态特性。
保护单元LT1248除了可以完成基本的驱动开关管功能之外，还集成了完善的过压、过流保护和欠压封锁等功能。
升压芯片LTQY使用手册
TOP VIEW
VIN 1 SW 2
GND 3
GND 4
8 SYNC
7 VC 6 FB
5 SHDN
MS8E PACKAGE 8-LEAD PLASTIC MSOP
GROUND PAD CONNECTED TO LARGE COPPER AREA
TJMAX = 125°C, θJA = 50°C/W
UW U ORDER I FOR ATIO
TYPICAL APPLICATIO
LT6101 touch key 触摸按键IC datasheet
低功耗触摸按键控制芯片 LT6101C 概述LT6101是一款具有极低功耗的自电容式触摸按键控制芯片。
该芯片采用本公司专利的电容式触摸按键信息检测技术，能够实现非常低的动态功耗和高的触摸信号检测精度，适合于对功耗要求苛刻的电子产品触摸按键应用。
LT6101可以作为外部控制器的从机运行，也可以作为主机独立运行。
作为从机时，芯片在SPI时钟信号同步下工作，以正常按键刷新速率，典型工作电流仅16uA。
作为主机独立运行时，LT6101在内部振荡器产生的时钟信号（也可选择使用外部时钟信号）同步下工作，循环查询各个触摸按键的状态，并在发现了指定触摸事件后，以中断方式激活外部控制器。
主机模式下，使用内部振荡器产生的时钟工作，典型芯片工作电流仅4.5uA；当使用外部时钟输入时，典型工作电流仅1.3uA。
LT6101的主机运行模式，使得触摸按键的查询无需外部控制器的干预，特定触摸事件的识别在芯片内部自动完成，无触摸事件时，外部控制器可进入深度休眠，从而大大节省整个系统功耗。
LT6101内部集成11位逐次逼近型电容量化电路，可以检测到最小9fF触摸按键电容变化量。
芯片支持直接数字化的电容量化结果输出和是否触摸的判定结果输出，主机模式下，支持内部按键信号多次测量滤波。
LT6101支持多种触摸模式中断信号产生，并可灵活调节按键触发的时间长度。
LT6101同时支持最多4按键二进制密码图形中断触发，可以大大减小系统误触发的概率。
LT6101采用QFNWB5X5-32L和QFNWB3X3-16L两种封装。
特点z极低的待机和工作电流（从机模式典型工作电流16uA，主机模式典型工作电流4.5uA和1.3uA）z同时支持主机工作模式和从机工作模式z极高的信号检测精度（最小9fF自电容变化量分辨率）z内置11位逐次逼近型电容量化器z多种方式的触摸事件自动识别及中断触发z支持最多4按键二进制密码图形中断触发z主机触摸事件自动循环查询z工作电压2.7V~5.5V.z可配置offset消除。
BAT54LT1 DBAT54L 快速切换型晶体管芯片说明书
BAT54LSchottky Barrier DiodesThese Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.•Extremely Fast Switching Speed•Low Forward V oltage − 0.35 V olts (Typ) @ I F = 10 mAdc •NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CompliantMAXIMUM RATINGS(T J = 125°C unless otherwise noted)Rating Symbol Value Unit Reverse Voltage V R30VoltsForward Power Dissipation @ T A = 25°CDerate above 25°C P F2002.0mWmW/°CForward Current (DC)I F200 MaxmANon−Repetitive Peak Forward Current t p < 10 msec I FSM600mARepetitive Peak Forward Current Pulse Wave = 1 sec,Duty Cycle = 66%I FRM300mAJunction Temperature T J−55 to +150°C Storage Temperature Range T stg−55 to +150°C Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.30 VOLTSSILICON HOT−CARRIER DETECTOR AND SWITCHINGDIODESMARKING DIAGRAM31SOT−23 (TO−236)CASE 318STYLE 8(Note: Microdot may be in either location)Device Package Shipping†ORDERING INFORMATION†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.BAT54LT1G SOT−23(Pb−Free)3,000 /Tape & Reel *Date Code orientation and/or overbar mayvary depending upon manufacturing location.JV3= Device CodeM= Date CodeG= Pb−Free Package1JV3 M GGNSVBAT54LT1G SOT−23(Pb−Free)3,000 /Tape & ReelELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbol Min Typ Max Unit Reverse Breakdown Voltage (I R = 10 μA)V (BR)R 30−−VoltsTotal Capacitance(V R = 1.0 V, f = 1.0 MHz)C T −7.610pFReverse Leakage (V R = 25 V)I R −0.5 2.0μAdc Forward Voltage (I F = 0.1 mA)(I F = 1.0 mA)(I F= 10 mA)(I F = 30 mA)(I F = 100 mA)V F−−−−−0.220.290.350.410.520.240.320.400.500.80V Reverse Recovery Time(I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc, Figure 1)t rr−−5.0nsProduct parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.Notes: 1. A 2.0 k Ω variable resistor adjusted for a Forward Current (I F ) of 10 mA.2. Input pulse is adjusted so I R(peak) is equal to 10 mA.3. t p » t rrV Rt r10%90%I I OUTPUT PULSE(I F = I R = 10 mA; measuredat i R(REC) = 1 mA)INPUT SIGNALFigure 1. Recovery Time Equivalent Test CircuitTYPICAL CHARACTERISTICSC T , T O A T A L C A P A C I T A N C E (p F )100V F , FORWARD VOLTAGE (VOLTS)101.00.1V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)140V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)124205101530Figure 2. Forward VoltageFigure 3. Leakage CurrentFigure 4. Total Capacitance25206810I R , R E V E R S E C U R R E N T (μA )I F , F O R W A R D C U R R E N T (m A )PACKAGE DIMENSIONSSOT−23 (TO−236)CASE 318−08ISSUE ARNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH.MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF THE BASE MATERIAL.4.DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.SOLDERING FOOTPRINT*VIEW CDIM A MIN NOM MAX MINMILLIMETERS0.89 1.00 1.110.035INCHES A10.010.060.100.000b 0.370.440.500.015c 0.080.140.200.003D 2.80 2.90 3.040.110E 1.20 1.30 1.400.047e 1.78 1.90 2.040.070L 0.300.430.550.0120.0390.0440.0020.0040.0170.0200.0060.0080.1140.1200.0510.0550.0750.0800.0170.022NOM MAX L1 2.10 2.40 2.640.0830.0940.104H E 0.350.540.690.0140.0210.027c0−−−100−−−10T°°°°TOP VIEWEND VIEWDIMENSIONS: MILLIMETERS3X3XRECOMMENDED*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.STYLE 8:PIN 1.ANODE2.NO CONNECTION3.CATHODEON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage PUBLICATION ORDERING INFORMATION。
LT8988 数据手册
芯片简介LT8988是一款低成本，高集成度的2.4GHZ 的无线收发芯片，片上集成发射机，接收机，频率综合器，GFSK 调制解调器。
发射机支持功率可调，接收机采用数字扩展通信机制，在复杂环境和强干扰条件下，可以达到优良的收发性能。
外围电路简单，只需搭配MCU 以及少数外围被动器件。
LT8988传输GFSK 信号，发射功率最大可以到10dBm 。
接收机采用低中频结构，接收灵敏度可以达到-98dBm@62.5Kbps 。
片上的发射接收FIFO 寄存器可以和MCU 进行通信，存储数据，然后在空中传输。
它内置了CRC ，重传机制，可以大大简化系统设计并优化性能。
数字基带支持2线I2C 接口。
为了提高电池使用寿命，芯片在各个环节都降低功耗，在保持寄存器值条件下，最低电流为10uA 。
芯片采用SOP8和SOT 23-6封装，符合RoHS 标准LT89882.4G 可变数据率射频芯片芯片特点●包括射频前端和数字基带的单芯片解决方案。
●超低成本、超小面积、超低价格。
●外围电路极为简单。
●最大发射功率10dBm ，支持可调。
●1Mbps 时同步位为32bits ，16bits ；250Kbps ，125Kbps ，62.5Kbps 时同步位为32bits ，16bits 。
推荐使用32bits ，容错1bits 。
●灵敏度-98dBm@62.5K ●支持免LDO 电容设计●支持2M 高速IIC 通讯。
●支持24M 单端晶体。
●支持跳频。
典型应用●遥控●无线键盘鼠标●无线组网●智能家居●工业和商用近距离通信●IP 电话，无绳电话●机器间相互通信Page 22019年2月1.极限值Table 1.极限值ParameterSymbolMINTYPMAXUnit工作温度.T OP 0+85ºC 存储温度.T STORAGE -55+125ºC 工作电压V IN_MAX 2.8V 3.3V+3.7VDC IO 电压V OTHER -0.3+3.7输入射频信号强度P IN+10dBmNotes:1.极限值表示芯片在超出此条件工作时，可能会损坏。
2.4G芯片 升级版LT8920 数据手册
LT8920 中文手册 1.0 LT8900 Datasheet Revision 1.2
LT8920
2.4G 可变数据率射频芯片
芯片特点
芯片简介
包括射频前端和数字基带的单芯片解决方案。 支持跳频 支持 SP I 和 I2C 接口 内置 auto_ack 功能 数据率 1Mbps，250K bps，125K bps，62.5K bps 1Mbps 时同步位为 64bits，48bits ，32bits， 16bits；250K bps ，125Kbps，62.5Kbps 时同步位 为 32bits，16bits。推荐使用 32bits，容错 1bits。 极低功耗 支持信号能量检测 单芯片传输距离 200 米 支持 SOP 16 和 TSSOP 16 的封装
Page 2
2013 年 6 月
LT8920 中文手册 1.0
9.22. Register 42................................ ........................ 25
lt电源芯片
lt电源芯片
LT电源芯片（Linear Technology）是一家全球知名的模拟电
源管理技术领导者，自1971年成立以来，一直致力于提供高
精度、高性能和高可靠性的模拟集成电路产品。
LT电源芯片
在多个领域得到广泛应用，包括航空航天、汽车、工业控制、通信系统等。
LT电源芯片以其独特的技术和创新设计而闻名，其产品具有
以下特点：
1. 高精度：LT电源芯片在输出端提供非常高的精度和稳定性，能够满足各种严苛的应用需求。
无论是电压稳定器、电流源还是放大器，LT电源芯片都能提供卓越的性能。
2. 高效率：LT电源芯片采用高效能的转换器架构，能够将输
入电能高效地转换为输出电能，提高系统的整体效率。
这对于依赖电池供电的应用尤为重要，可以延长电池寿命并减少能量消耗。
3. 宽输入电压范围：LT电源芯片具有宽广的输入电压范围，
可以适应不同电源的输入电压变化。
无论是直流输入还是交流输入，LT电源芯片都能提供稳定的输出电压。
4. 可编程性：LT电源芯片提供了多种可编程功能，可以根据
具体需求进行设置和调整。
这使得设计人员可以根据系统的要求来调整电源输出的电压、电流和保护功能等，提高了系统的灵活性和可扩展性。
5. 高可靠性：LT电源芯片以其高品质和可靠性而备受推崇。
LT电源芯片在设计和制造过程中注重细节和严格的质量控制，以确保产品的可靠性和长寿命。
总之，LT电源芯片作为模拟电源管理领域的领导者，不仅在
性能和可靠性方面表现出众，而且在创新和技术上也保持着领先优势。
无论是用于航空航天、汽车、工业控制还是通信系统，LT电源芯片都能提供满足各种严苛需求的解决方案。
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车电池、工业电源、分布式电源和墙上变压器均为宽范围高
电压输入电源。
对这些可变电源进行降压的一种最为简单的方法是采用能够直接接受一个宽输入范围并提供一个良好调节输出的单片式降压型稳压器。
凌特公司拥有一组不断成长的高电压DC/DC 转换器系列，可接受3.6V 至36V(或更高)的输入，并提供了超卓的电压和负载调节以及动态响应性能。
尽管如此，这些中等电压范围的转换器仍然可被各种应用所接受；不过，我们也提供了更高电压的产品(输入高达80V)。
在许多汽车应用中，需要采用这些器件来满足被称为“冷车发动”的最小输入电压要求，在该场合中，汽车电池电压有可能降至4V ，而输出端仍然需要一个已调3.3V 电压。
同样，在负载突降期间，DC/DC 转换器的输入端上将会出现36V 和更高的瞬态电压，这需要在一个恒定电压条件下进行调节。
凌特公司的器件均可在一个宽负载范围内提供高效解决方案和良好调节的输出。
LT ®3481能够提供高达2A 的输出电流，并具备突发
V OUT 3.3V 2A
LOAD CURRENT (A)
E F F I C I E N C Y (%)
POWER LOSS (mW)403060509080700.10.0
101.010*******
100I L
0.5A/DIV
V SW 5V/DIV
V OUT 10mV/DIV
图1：LT3481 800kHz 、DC/DC 转换器可在3.3V 输出条件下提供2A 电流
图2：效率与负载电流的关系曲线(对于图1所示电路)图3：10mA 负载电流和V IN = 12V 条件下的LT3481突发模式操作(对于图1所示电路)
图4：LT3493演示电路板的占板面积 < 50mm 2
由凌特公司提供的高性能模拟解决方案
36V 输入 DC/DC 转换器
汽
模式(Burst Mode ®)操作功能，在该操作模式中，静态电流仅为50µA ；而LT3493和LT3505则可在解决方案占板面积非常小的情况下提供高达1.2A 的电流，而且使用的外部元件极少。
请参见图8，了解一下我们的高电压单片式降压型稳压器产品库。
36V 、2A 降压仅需50μA 的静态电流
LT3481采用10引脚3mm x 3mm DFN (或MSOP)封装，并具有一个集成3.8A 电源开关和外部补偿电路，旨在实现设计灵活性。
开关频率可由用户来设置(范围为300kHz 至2.8MHz)。
图1示出了一款LT3481原理图，它可从一个4.5V 至36V 输入产生3.3V/2A 输出，图2则示出了该电路的最终效率(当采用V IN = 12V 标称值)。
LT3481利用了一种独特的低纹波突发模式操作，该工作模式可在轻负载条件下保持高效率，同时把输出电压纹波抑制在15mV PK-PK 以下(图3)。
如果附近存在任何对噪声敏感的电路(例如：无线收发器)，则低噪声操作将会是至关重要。
在
突发模式操作期间，LT3481向输出电容器提供单周期电流脉冲，随后将是睡眠周期，在该周期中，由输出电容器向负载提供输出功率。
在脉冲之间，所有与输出开关控制有关的电路都将被关断，从而把输入电源电流减小至50µA 。
图3示出了从12V 输入至3.3V 输出转换时，在单脉冲突发模式操作条件下的电感器电流和输出电压纹波。
当负载电流减小至无负载状态时，LT3481工作于睡眠模式的时间百分比将增加，而平均输入电流则大幅度地减小，从而实现了高效率。
LT3481还具有一个非常低的停机电流(小于1µA)，因而显著地延长了那些长时间处于睡眠或停机模式应用中的电池使用寿命。
此外，LT3481的高压侧自举升压二极管被集成在IC 之内，以最大限度地缩减解决方案的外形尺寸和成本。
当输出电压至少为2.8V 时，升压二极管的正极可被连接至输出端。
对于低于2.5V 的输出电压，则可把升压二极管连接至输入端。
对于那些依赖良好调节电源的系统，LT3481提供了一个电源良好标记功能，可在V OUT 达到编程输出电压的90%时发出指示信号。
最后，RUN/SS 引脚上的一个电阻器和电容器负责设置LT3481的软起动，以减小启动期间的最大浪涌电流。
64 電子工程專輯 I 2006年7月16日-31日 I
LOAD CURRENT (A)
E F F I C I E N C Y (%)
708060500.4
1.2
0.2
0.6
90657555
8572V
24V
0.5A
1A
1.5A
2.5A
3A
3.5A
2A
36V
40V 60V
MAXIMUM OUTPUT CURRENT
M A X I M U M I N P U T V O L T A G E
V IN
7V TO 40V
V OUT 5V 200mA
图8
：高电压单片式降压型转换器系列显示了输入电压与输出电流的关系
LOAD CURRENT (mA)
30E F F I C I E N C Y (%)
POWER LOSS (mW)
4060809020
7050101
1000
100
10
0.1
图7：用于40V 输入至5V/200mA 输出转换的LT3470电路
图5：LT3493效率与输出电流的关系曲线图6：LT3470效率和功耗与负载电流的关系曲线
占板面积为50mm 2的36V 降压型DC/DC 转换器可提供1.2A 电流
LT3493和LT3505均包括一个1.75A 、36V 的内部电源开关，可承受40V 的瞬态电压。
这两款器件在采用12V 输入的情况下均提供了高达85%的效率。
其0.78V 基准电压使得它们能够在输出电压低至0.8V 的条件下正常运作。
两款器件都具有逐周期电流限制功能，从而提供了免受输出短路影响的保护，同时，软起动功能消除了启动期间的输入浪涌电流。
低电流(<2µA)停机模式提供了输出断接功能，因而在电池供电系统中实现了简易的电源管理。
LT3493的工作开关频率为750kHz ，采用6引脚DFN 封装(2mm x 3mm)。
其内部环路补偿功能免除了增设外部补偿元件的需要，从而把PC 板级空间缩小至不足50mm 2。
图4示出了LT3493解决方案占板面积的实际尺寸。
这种独特的电路可从一个12V 输入产生3.3V 输出电压，并提供高达1.2A 的输出电流。
LT3505的工作开关频率可由用户来设置，范围为250kHz 至3MHz 。
这使得设计师能够阻止开关噪声进入对噪声敏感的关键电路，同时采用尽可能小的外部元件。
它采用3mm x 3mm DFN-8封装，因而提供了一种非常紧凑且能够接受36V 输入的解决方案。
采用ThinSOT 封装的40V 降压型转换器可提供高达200mA 的电流LT ®3470是一款40V 降压型转换器，它把电源开关、箝位二极管和升压二极管集成在一个纤巧型ThinSOT TM 封装或 2mm x 3mm DFN 封装之内。
升压NPN 功率级提供了高电压能力、高功
率密度和高开关速度，而不存在由于采用外部二极管而造成的成本和占用空间的增加。
LT3470可接受一个4V 至40V 的输入电压，并提供高达200mA 的负载电流(图7)。
微功率偏置电流和突发模式操作使其能够在无负载和采用一个12V 输入的情况下仅消耗26µA 的电流。
迟滞电流模式控制和单周期脉冲可在采用小陶瓷电容器的情况下实现非常低的输出纹波和稳定的运作。
小电路尺寸、低静态电流和40V 输入使LT3470成为汽车和工业应用的理想选择。
LT3470采用一种迟滞的电流控制方式和突发模式操作，以在使用一个纤巧型电感器和陶瓷电容器的情况下提供低输出纹波和低静态电流。
开关将处于接通状态，直到电流斜坡上升至上端电流比较器的水平为止，然后，开关被断开，电感器电流将通过箝位二极管斜坡下降，直到下端电流比较器发生跳变且最小关断时间要求得到满足为止。
在连续模式中，上端和下端电流比较器水平之差约为150mA 。
由于开关仅在箝位二极管电流降至门限以下时才接通，因此开关频率下降，从而使得开关电流在启动或短路条件下处于受控状态。
如果负载很轻，则IC 将在微功率和开关状态之间交替变化，以把输出保持在调节状态。
迟滞模式允许IC 提供单开关周期脉冲，旨在于12V 至3.3V 转换和零负载条件下实现尽可能低的轻负载输出电压纹波(<20mV PK-PK )。
在电流水平较高的连续开关模式中，输出电
压纹波会更小(<10mV PK-PK )。
对于那些要求高达40V 输入和小于200mA 负载电流的降压应用而言，具有高集成度、宽输入电压范围和非常紧凑的解决方案占板面积的LT3470堪称理注：LT 、LTC 、 和Burst Mode 是凌特公司的注册
商标。
ThinSOT 是凌特公司的商标。
所有其他商标均
为其各自拥有者的产权。
I 2006年7月16日-31日 I 電子工程專輯 65。