士兰微IC资料
士兰微电子 SC7A20 说明书
±2G/±4G/±8G/±16G三轴微机械数字加速度计描述SC7A20是一款高精度12bit数字三轴加速度传感器芯片，内置功能更丰富，功耗更低，体积更小，测量更精确。
芯片通过I²C/SPI接口与MCU通信，加速度测量数据以中断方式或查询方式获取。
INT1和INT2中断管脚提供多种内部自动检测的中断信号，适应多种运动检测场合，中断源包括6D/4D方向检测中断信号、自由落体检测中断信号、睡眠和唤醒检测中断信号、单击和双击检测中断信号。
芯片内置高精度校准模块，对传感器的失调误差和增益误差进行精确补偿。
±2G、±4G、±8G和±16G四种可调整的全量程测量范围，灵活测量外部加速度，输出数据率1HZ和400HZ间可选。
芯片内置自测试功能允许客户系统测试时检测系统功能，省去复杂的转台测试。
芯片内置产品倾斜校准功能，对贴片和板卡安装导致的倾斜进行补偿，不占系统资源，系统文件升级不影响传感器参数。
主要特点♦宽电压范围1.71V-3.6V♦ 1.8V兼容数字IO口♦低功耗模式下电源电流低至2µA♦±2G/±4G/±8G/±16G动态全量程范围♦12bit有效数据(HR)♦I²C/SPI数字输出接口♦6D/4D方向检测♦自由落体检测♦单击双击检测及运动检测♦可编程中断生成电路♦内嵌自测试功能♦内嵌FIFO♦10000g高G抗击能力应用♦手机平板♦室内导航♦图像旋转♦运动激活用户接口♦游戏产品规格分类内部框图INT1INT2CSSCL/SPCSDA/SDO/SDISDO/SA0极限参数=25°C)机械参数(VDD=2.5V, TA注意：电路2.5V出厂校准。
电路实际工作电压1.71V-3.6V=25°C)电气参数(VDD=2.5V, TAI²C控制接口参数(=2.5V, TA=25°C)I²C从设备时序图SPI串行外围接口参数(VDD =2.5V, TA=25°C)注：10MHZ时钟速率SPI 从设备时序图管脚排列图7（仰视图）X（俯视图）可检加速度方向管脚描述注：I=输入，O=输出，OC=集电极开路输出，P=被动外部器件，S=电源供电功能描述1详细特点SC7A20是一款极小体积、超低功耗、数字输出的LGA封装的3轴线性加速度计。
士兰微电子 降压 升压 升降压模式的LED驱动芯片 SD42560 说明书
1. 输入电容选择 输入电容在功率管导通的时候提供脉冲电流，功率管截止的时候电源对电容充电，由此来保
持输入电压的稳定性。在开关频率处，输入电容阻抗要比输入源阻抗小，以避免高频开关电流从 输入源流入。输入电容建议使用大于 10μF 的电容，这样可以更好的减小从输入源抽出的峰值电流 并且减小输入开关噪声。布板时输入电容尽可能离输入脚近一些。
5. PCB 布版注意事项 合理的 PCB 布局 对于最大程度保证系统稳定性以及低噪声来说很重要。使用多层 PCB 板是
避免噪声干扰的一种很有效的办法。SW 端处在快速开关的节点，所以 PCB 走线应当尽可能的 短，另外芯片的 GND 端应保持尽量良好的接地。
布板时需要注意，电感应当距离 SW 管脚尽可能的近一些，否则会影响整个系统的效率。另 外一个需要注意的事项是尽量减小 RS 两端走线引起的寄生电阻，以保证采样电流的准确。
2. 输出电容选择 在 LED 两端并联一个电容可以减小输出电压纹波，从而减小 LED 的纹波电流，同时保证环路
稳定性。当然这个电容并不会影响工作频率和效率，但是通过减小 LED 上电压上升的速率，会增 加启动时间。输出电容越大，LED 上的电流纹波越小。在开关频率处，输出电容阻抗应该是个低 值。SD42560 应用中建议使用 2.2μF 或者更大的电容。
制在 2.5A 左右。
4. 抖频功能 SD42560 内置抖频功能，可以改善系统的 EMI 特性。内部振荡频率在一个很小的范围内进行
抖动，减小在单一频率的对外辐射，从而使得 EMI 设计简单化。
5. 输出过压保护 在升压或升降压模式下，如果LED开路，采样电阻RS上的压降为零，芯片会正常操作，并且
峰值电流接近限流值。此时如果不采取保护措施，SENSE+端电压会不断升高， 导致内部功率管 或外部元器件击穿损坏。芯片内部OVP模块监测SENSE+端电压，当其电压超过 40V，功率管关 断，芯片停止操作，保证了芯片的安全。
士兰微电子 SD02M50DAE DAS 说明书
智能功率模块(IPM)，500V/2A 三相全桥驱动描述SD02M50DAE/DAS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。
其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。
SD02M50DAE/DAS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD02M50DAE/DAS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。
主要特点♦ 内置6个500V/2A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护 ♦ 内置自举二极管♦ 内置负温度系数电阻用于温度检测♦ 完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效 ♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦ 绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类备注1：壳温测试点，请看图5所示。
推荐工作条件电气特性参数（除非特殊说明，Tamb=25︒C，VCC =VBS=15V）逆变器部分(除非特殊说明，特指每个快恢复MOSFET)(a)开启(b) 关断图1. 开关时间定义控制部分 (除非特殊说明，特指每个HVIC)备注2：BV DSS 是指加在每个功率MOSFET 源漏之间的极限最高电压，实际应用的时候，考虑到导线杂散电感的影响，V PN 必须足够小于BV DSS 这个值，以保证在任何时候加到MOSFET 上的V DS 都不会超过B VDSS 。
备注3：t ON 和t OFF 包括内部的驱动IC 的传输延迟时间。
列出的值是在实验室的测试条件，会随着应用现场不同的印刷电路板和电线的效果而不同。
请参阅图1的开关时间定义和图6的开关测试电路图。
士兰微电子 3VD235600YL 高压MOSFET芯片 说明书
3VD235600YL高压MOSFET芯片描述Ø3VD235600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；Ø先进的高压分压终止环结构；Ø较高的雪崩能量；Ø漏源二极管恢复时间快；Ø该芯片可采用TO-251型式封装，典型的成品规格为2N60；Ø封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动；芯片简图芯片介绍项目描述圆片尺寸6Inch管芯尺寸2060μm *2720μm管芯数量2815 dice/wafer芯片厚度300±20µm.正面金属 /厚度Al(1%Si) : 3µm.背面金属 /厚度Ti/Ni/Ag:0.1/0.3/0.4μm栅极压点尺寸（PAD1）454.2μm *536μm划片道宽度80μm *80μm极限参数(T amb=25°C)参数名称符号额定值单位漏源电压V DS600V 栅源电压V GS±30V 漏极电流I D 2.0A 耗散功率(TO-251封装)P D44W 工作结温T J150°C 贮存温度T stg-55～+150°C电参数(T amb=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V， I D=250µA600--V 栅极开启电压V TH V GS= V DS，I D=250µA 2.0- 4.0V 漏源漏电流I DSS V DS=600V，V GS=0V-- 1.0µA 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=1.0A-- 4.6Ω栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V--±100nA 漏源寄生二极管正V FSD I S=2.0A, V GS=0V-- 1.4V 向导通压降声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微电子 内置MOSFET的单节锂电池保护芯片SC8821 说明书
SC8821
过充电状态→负载放电→正常状态
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.2 2009.05.05 共10页 第5页
过放电状态→充电器正常充电→正常状态
SC8821
过放电状态→充电器异常充电→正常状态
杭州士兰微电子股份有限公司
充电器时， VDD电压大于VOCU，且延迟时间超过TOC，则电池电压进入到过充电状态，VBAT端电流为0，停止对电池充电。
杭州士兰电子股份有限公司
版本号：1.2 2009.05.05 共10页 第3页
SC8821
释放过充电状态 进入过充电状态后，要解除过充电状态，返回正常状态，有两种方法。 • 如果电池自我放电，并且VDD<VOCR ，返回到正常状态。 • 在移去充电器，连接负载后，如果VOCR<VDD<VOCU且VCSI>VOI1，返回到正常状态。
则返回到正常状态。
异常充电检测 当电池在正常状态时，VBAT+与VBAT-之间接充电器，若VCSI<VCH ，延迟时间超过TOC，
则VBAT-端电流为0，停止对电池充电。
过电流/短路电流检测 在正常状态下，VBAT+与VBAT-之间接负载，当放电电流太大时，检测到CSI端电压大于
VOIX(VIO1或VIO2)，并且延迟时间大于TOIX (TIO1或TIO2)，则代表过电流（短路）状态，CSI端 通过内部电阻RCSIS拉到VSS，VBAT-端电流为0，VBAT-端电压由于负载的原因而拉到VDD。
SC8821
内置MOSFET的单节锂电池保护芯片
描述
SC8821是内置MOSFET的单节锂电池保护芯片，为避 免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或 电池被损坏而设计的。SC8821具有高精确度的电压检测与 时间延迟功能。
士兰微电子 SC46208 1.25MHz 600mA 高效率同步降压型 DC-DC 转换器 说明书
参
数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
输入电压范围
VIN
2.5
5.5 V
反馈电压
FB 仅对于输出电压可调版
0.585 0.6 0.615 V
静态电流（轻载省电模式） Iswitch off FB=0.62V，或者VOUT=103％
20 30 μA
静态电流（关机状态模式） Ist 静态电流（PWM工作模式） Iq
减，从而防止失控；当输出电压上升后，振荡器的频率逐渐上升到1.25MHz。
过压检测 过压检测电路检测到输出电压超过设定值的6％时，通过关断PMOS开关管防止输出电压的瞬
态过冲，直至电压值降到设定值。
限流及过热保护 限流通过一个内部比较器实现，将PMOS管每个周期的电流值限制在1.5A（典型值），从而使
SC46208 自动检测负载电流的大小，当负载电流降低至某一门限值（该门限值同输入、输出 电压以及电感值有关），系统启动省电模式，此时系统仅消耗 20μA 的电流，从而大大提高了轻负 载时的转换效率。需要注意的是此时输出电压纹波通常会增加，可在 VOUT 和 FB 之间增加一个 相位超前电容（通常在 pF 量级）减小省电模式的纹波。
条件下的效率，从而进一步延长了便携式系统中电池的使用 应用
寿命。
SC46208具备输出电压可调型和固定型版本。
* 蜂窝电话
* 个人数字助理
主要特点
* 无线通讯装置
* 效率高达95％ * 轻负载自动进入省电模式，仅需20μA静态电流。 * 宽输入电压范围：+2. 5V~+5.5V
* MP3播放机 * 数码相机 * 便携式仪器
版本号：1.1 2008.09.10 共11页 第1页
士兰微电子 SD6800 说明书
带PFC的原边控制模式LED驱动控制芯片SD6800是集成PFC功能的原边控制模式的LED驱动控制芯片。
它采用固定导通时间控制和谷底开通技术，提供精确的恒流控制，具有非常高的平均效率。
采用SD6800设计系统，可以省去光耦、次级反馈控制、环内部框图FB CS GND NCVCC COMP DRNC管脚说明2.驱动电路驱动电路直接由VCC供电。
当DR＝1，MOSFET导通；当DR＝0，MOSFET关断。
为了消除MOSFET导通瞬间的可能引起误触发的毛刺，设置前沿消隐时间T LEB＝0.30μs。
3. 峰值电流检测和采样保持当功率MOSFET 导通，通过采样电阻检测初级线圈电流，该电流呈线性增大，当超过电流限制值0.6V ，限流比较器动作，DR ＝0，功率MOSFET 关断。
正常工作时，由CS 端检测到原边峰值电流I pk ，由FB 端检测到副边整流二极管导通时间T off1。
而输出电流表达式为：T I n 0.5I off1pk out ⋅⋅⋅=其中n 是变压器原副边的匝比，T 是开关周期。
4.5.6.当电路处于过温保护状态，输出驱动电路被关断，以防止电路由于过热而导致的损坏。
过温保护有迟滞特性。
在过温保护以后，要恢复电路正常工作，需要电路的温度降到比过温保护温度约低20°C 。
这样，可以防止过温保护与正常工作状态的反复来回变化。
7.LED 短路保护当LED 短路时，持续512个开关周期，会发生短路保护。
保护后电路自动重启。
应用电路图MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微电子 SC65D02P40 预置型多功能遥控器发射电路(OTP型) 说明书
杭州士兰微电子股份有限公司
Http:
版本号：1.2 2008.07.21 共17页 第8页
SC65D02P40
中断向量值为 MCU 核响应中断后 PC 的初始值，即中断服务程序的入口地址，其中，高字 节放在 FFF9H 中，低字节放在 FFF8H 中。例如：FFF8H 中存放内容为 00H，FFF9H 中存放内 容为 80H，则中断入口地址为 8000H。
9.8
CYOUT
9.8
P0/P1/P2 9.8
VOL=0.3V P30
9.8
CYOUT
9.8
--
2.0
典型值 --4.5 12 10 10 12 10 2.2
最大值 --
0.1VDD 4.6 12.3 10.2 10.2 12.3 10.2 2.3
单位 V V mA mA mA mA mA mA MΩ
SC65D02P40
预置型多功能遥控器发射电路（OTP型）
描述
SC65D02P40 是一款预置型多功能遥控器发射电路。
该芯片采用士兰的 8 位 MCU 核 SC65X，内嵌 8K 字节
ROM 和 32K 字节 OTP 存储器，集成了独有的硬件发码模
0-0.65 SOP-24-375-1.27
测试模式下的复位向量值和测试模式下的中断向量值在生产测试时有用，用户可不必关心， 不过应在程序中将 FFF0H 单元置为 00H、FFF1H 单元置为 60H，FFF2H 单元置为 04H、 FFF3H 单元置为 60H，以保证程序编程下载正确，如在程序中的适当位置加入如下代码：
ORG FFF0H DW 6000H DW 6004H OTP 保密字节缺省值为 FFH，此时可通过士兰提供的 OTP 编程器或仿真器读取 OTP 存储 器的内容。若将 OTP 保密字节设为 00H，则任何方式都无法读取该 OTP 存储器中的内容，从 而能够保护用户的软件著作权。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
一 SD690X合封系列产品简介
1, 主要特点:
非隔离降压式电路结构（BUCK） 内置高压MOS管(600V) 有源功率因数校正功能（APFC） 较高的电源转换效率(>92% 典型值) 超低IC启动电流，系统快速启动 VCC过压保护，VCC欠压保护 LED开路保护，LED短路保护 内置过热保护
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子
3. COMP脚设计
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
（1）COMP脚为内部跨导放大器输出端，外接电容器作补偿。建议在LAY 板时，在空间许可的前提下，采用下图所示电路结构，可以消除由于 LAY板不合理带来的高频噪声影响。 若空间较小，可将C9去掉。 COMP （2）电容C2取值，一般建议在1uF~4.7uF 之间；电容C9取值，一般建议在47pF ~1nF之间;电阻R8取值，一般建议在 0~2.2K之间。
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
二 SD6902D/04D/6D典型应用
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
三 系统设计应用笔记
1. VCC设计
（1）R1,R2为启动之前给C3充电电阻，取值越小，启动时间越短; 一般取200K到500K（每颗），取值过小会影响系统效率 （2）C3为VCC电容，它起到滤波和储能两个作用。一般取10uF~22uF, 取值越大，启动时间越长; LAY板时注意尽量靠近IC放置 （3）当VCC达到16V时,系统开始工作;当VCC下降到8V时，系统停止工作; VCC过压保护点为22V(注意VCC电压纹波)。正常工作时，建议把VCC 电压设定在16V左右 （4）VCC可由电感辅助绕组供电，也可由输出端直接供电; 辅助绕组供电时，系统启动较快，且输出电压变化范围较宽;由输出 直接供电，系统设计简单，但效率有所下降且输出电压变化范围不宽 （5）VCC辅助绕组供电回路中，建议增加一颗电阻，可以减小辅助 源二极管正向峰值电流，同时可以防止由开关噪声引起的VCC过高
Silan 士兰微电子
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
根据最大峰值电流(Ipk)，磁芯有效面积(Ae)以及最大磁通密度Bmax， 可以确定输出电感线圈匝数：
NP LO I PK Ae Bmax
根据前面计算得到的数据，以及按VCC=16V来设计的话，电感辅助绕组 匝数可按下面公式计算：
Enthusiasm
（1）CS为电感电流采样输入脚，用于控制输出LED电流，典型输出电流 计算公式，参考下面：
Io
0 .17 Rs
若输出电流值已经确定，同样可以根据公式求出需要的采样电阻值（Rs). 采样电阻在选择时,建议采用+/-!%精度.
5. GND脚设计
（1）GND为芯片内部控制地和MOS的源极连接端，应用时接到整流二极管 的阴极。走线要尽可能的短且粗。
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子 8. 系统调试常见问题小结
■ 提高PF值方法
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
（A）减小AC输入总容值,包括整流桥前面的差模电容（CX1)和后面的滤 波电容（C1),在输出功率固定前提下,容值总和越大,系统PF值就越低; 总和越小,PF越高.但过小,低压输入会不稳定. （B）补偿网络,包括C2,C9和R8,C9在多数系统中可以省去,而且它也不会 影响PF值; C2取值越大,PF越高; R8取值越小,PF越高.过大的C2,,可能会 引起低压启动困难. （C）由于系统为BUCK架构且具有APFC功能,所以,当然输入电压低于输 出电压期间内(输入电压谷底),输入是没有电流的.所以,在低压输入时, 特别在全电压输入的系统中,90V输入时,系统PF值偏低(>0.9).系统最高 PF值会出现在输入电压的中间点. （D）对于低压输出系统（例如Vo<30V)，高压输入时PF会降低，低压输 入时PF会升高.
SD6902D/04D/06D
名称 GND VCC CS COMP ZCD DRAIN 功能描述 IC接地 IC供电脚 电流采样输入 跨导放大器输出，外接补偿网络 过零检测输入 内置MOS管漏极(D)
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子 3,SD690X系列选型表
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
典型应用
典型效率
封装
Non-isolated BUCK SD6901S SD6902S SD6904S SD6902D SD6904D SD6906D SD6900 90-265 90-265 90-265 90-265 90-265 90-265 90-265 48V/160mA 30V/320mA 76V/240mA 76V/200mA 76V/240mA 76V/300mA 76V/240mA 90% 88% 92.5% 92% 92% 93% 92% SOP-7 SOP-7 SOP-7 DIP8 DIP8 DIP8 SOT23-6
NS VCC N P VO
或
NS
16 N P VO
1) 若输出电压范围要增宽，可以适当增大VCC最高工作电压值，但建议 不要超过18V,或在VCC加稳压管 2) 在输出电压较低的应用场合,建议将VCC设定在14V左右,以提高空载输出电压
Company Confidential, don’t copy
C2
SD690X
R8
C9
GND
（3）所有补偿电路元件都要靠近IC的COMP脚放置，不可距离太远，否则 有可能会造成系统不稳定等现象。
Company Confidential,计
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Silan 士兰微电子
7. PCB LAYOUT及EMI注意事项
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
（1）CS采样电阻要靠近IC采样脚，同时采样路径要尽可能的短 （2）芯片COMP脚附件或下面尽量不要走高频高压线 （3）MOS管源极与整流二极管阴极连接端（Floating Ground)面积要小 （4）主功率回路(Loop1&Loop2)路径要尽可能短，LAY板时，可以将整流 桥后电容(C1)靠近MOS管及二极管侧放置
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子
■ 启动时LED电流过冲改善方法
1) 2) 3) 增大补偿电阻R8阻值 增大补偿电容C2容值 增大输出电解容值
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Silan 士兰微电子
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
SD690X 使用手册
Silan Power Group Jan 2013 V0.1
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子
诚信
Faith
忍耐
Endurance
Ipk P o 2 V ac V o
2 2 V ac V o cos ( ) V o 2
asin
（公式1）
Po Vo _ max I o
Company Confidential, don’t copy
P/N 输入电压 内置MOS 规格 1A / 600V 2A / 600V 4A / 600V 2A / 600V 4A / 600V 6A / 600V EX MOS导 通电阻 10Ω 4Ω 1.3Ω 4Ω 2Ω 1.3Ω 功率因 数 >0.9 >0.9 >0.9 >0.9 >0.9 >0.9 >0.9
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子
6. 输出滤波电感设计
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
输出滤波电感的设计，请参考下面简单设计流程： 已知条件： 输入电压范围：Vin_min, Vin_max 输出电压范围：Vo_min, Vo_max 输出电流：Io 效率： 最低开关频率：fs_min 电感最大峰值电流（MOS管最大峰值电流，二极管最大正向电流）， 可表示为：
f S _ min Po 2 90