电子技术基础模拟部分复习题答案全解2
电子技术基础模拟部分复习题答案全解2
（c）图题5.7解：输出电压波形如图解 5.7所示。
图解5.75.9为了使图题5.9所示的电路实现除法运算: （1 ）标出集成运放的同相输入端和反相输入端。
（2）求出U o的表达式。
图题5.9U o-D(a) (b)5.8电路如图题5.8所示，求U o的表达式。
D解：（1）上面为同相端，下面为反相端对集成运放来说， w= u -= 0 所以：u u Hi i Hi i oR R R5.11电路如图5.11所示，双向稳压二极管为理想的， 画出传输特性, 明电路的功能，图题5.115.11所示，电路为一个带有限幅功能的过零比较器。
图解5.11（2）U o_2巴KU 25.10电路如图题5.10所示，试证明u 01 U i U 2K U 3证明: 化简可以得到u 01 u i1 u i2i3并说解：传输特性如图解 设乘法器5.12所示，U Z = 6V ,求门限电压值，画出传输解：U T 色—-6 2VR 2 15 R 11 5 6 、，U TLU Z 2VR 215传输特性如图解5.12所示。
图解5.12图题5.13图解5.135.14双限比较器可以检测输入电压是否在规定的两个电压之间。
某双限比 较器如图题5.14所示，4E F>4E F2,画出其传输特性。
5.12 一个比较器电路如图题 特性。
图题5.125.13电路如图题 5.13 ( a )所示，输出电压U o 的最大幅值为10V 。
输入波形如图题5.13(b )所示，画出输出电压的波形。
URUo~t _ r~U2 RC ———□—— +(a)解：输出电压的波形如图解5.13所示。
U 1J J 2 V图题5.14解：传输特性如图解 5.14所示。
图解5.145.15 在图题 5.14 中，已知"EFI = 3V,"EF F -3V ，输入信号为 U i = 5si n （3 t ）, 试画出输出波形。
解：如图解5.15所示。
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案
解：
Rvi v i 2 R R 2 R R2 R2 R v o 2 v o1 1 v o2 2 R1 R1 R1 R2 R1 4 2 v o1 v A v o2 v B
10Ω 10Ω 1V 6 1V 10 5 V 1MΩ 10Ω 10 Ω
在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示
2
Vi
Ri 1MΩ Vs 1V 0.5V Rs Ri 1MΩ 1MΩ RL 10Ω AvoVi 1 0.5V 0.25V RL Ro 10Ω 10Ω
扬声器上的电压 Vo
四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。用它可 以测量放大电路的哪些性能指标？ 答：因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时，信号中就不再含有任何未知信息。并且任何 信号都可以展开为傅里叶级数表达式，即正弦波信号各次谐波分量的组合。正因为如此，正弦波信号常作 为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响 应和非线性失真。 五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为 10μA 和 25mV，输出端接 4kΩ 电阻负载，测量到正弦电压信号的峰—峰值 1V。试计算该放大电路的电压增益 Av、电流增益 Ai、功率增益 Ap，并分别换算成 dB 数表示。 解：
8．设 计 一 反 相 放 大 器 ，电 路 如 图 所 示 ，要 求 电 压 增 益 A v = v o / v i =- 10 ，当 输 入 电 压 v i =- 1V 时 ， 流 过 R 1 和 R 2 的 电 流 小 于 2m A ， 求 R 1 和 R 2 的 最 小 值 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
电工电子技术基础与技能模拟习题(含参考答案)
电工电子技术基础与技能模拟习题（含参考答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1、三相芯式变压器的铁心必须接地，且只能有一点接地。
A、正确B、错误正确答案：A2、装用漏电保护器，是属于绝对保证安全技术措施。
A、正确B、错误正确答案：B3、译码是编码的逆过程。
A、正确B、错误正确答案：A4、通常万用表黑表笔所对应的是内电源的负极。
A、正确B、错误正确答案：B5、用万用表×10K档来判断二极管的极性。
A、正确B、错误正确答案：B6、二极管是线性元件。
A、正确B、错误正确答案：B7、要保持实验室环境整洁，做到地面、桌面、设备三整洁，减少安全隐患。
A、正确B、错误正确答案：A8、磁感线始于磁体的N极，终于S极。
A、正确B、错误9、三相对称负载作三角形联结，若每相负载的阻抗为38欧姆，接在线电压为380V的三相交流电路中，则线电流为17.3A。
A、正确B、错误正确答案：A10、纯电感正弦交流电路中，瞬时功率的最大值就是无功功率。
A、正确B、错误正确答案：A11、如果两正弦交流电的频率相同，则它们的相位差就等于初相之差。
A、正确B、错误正确答案：A12、电压互感器在运行中，其二次绕组不允许短路。
A、正确B、错误正确答案：A13、触电紧急救护法时，首先应进行触电解救，然后立即进行人工呼吸和胸外，心脏挤压法。
A、正确B、错误正确答案：A14、当三相负载越近于对称时，中线电流越小。
A、正确B、错误正确答案：A15、机械特性决定电机稳定运行、起动、制动以及转速调节的工作情况。
A、正确B、错误正确答案：A16、交流电路中，容抗体现了电容对交流电流的阻碍作用。
A、正确B、错误17、正弦交流电路中，无功功率表示感抗或者容抗与电源之间进行的能量交换。
A、正确B、错误正确答案：A18、用三根相线来供电的供电方式称三相三线制。
A、正确B、错误正确答案：A19、电线或电器起火后，可以用水灭火。
A、正确B、错误正确答案：B20、由于电度表的铝盘的转速与电路实际消耗的功率成正比，所以通过观察铝盘转速的高低就可以判断电路是负荷的大小。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
电子技术基础与技能模拟考试题含答案
电子技术基础与技能模拟考试题含答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、钟控同步RS触发器状态的翻转发生在CP脉冲的A、上升沿B、下降沿C、CP=1期间D、=正确答案：C2、若逻辑函数L=E+E+E+E，则L可简化为A、L=EB、L=2EC、L=4ED、L=3E正确答案：A3、下列关于低频功率放大器的各种叙述中，错误的是A、甲类功放电路只需一只功放管B、音响设备中肯定有功放电路C、乙类功放电路的最高效率可达78.5%D、功率放大器不允许有信号失真正确答案：D4、最能直观反映逻辑函数的值与输入变量取值之间的关系的是A、波形图B、逻辑函数表达式C、逻辑电路图D、真值表正确答案：D5、移位寄存器可能是A、双向移位寄存器B、左移寄存器C、都可能D、右移寄存器正确答案：C6、把射极输出器用作多级放大器的第一级，是利用它的A、有一定的电流和功率放大能力B、输入电阻高C、输出电阻低D、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好正确答案：B7、所谓并联型开关稳压电源，是指开关电源中( )并联连接。
A、取样比较电路与负载B、开关管与负载C、反馈网络与取样比较电路D、反馈网络与负载正确答案：B8、要七段共阳数码管要显示字母b，则abcdefg分别为A、0110000B、1101111C、0010000D、1010000正确答案：A9、移位寄存器具有的功能是A、存放数码B、数码移位C、A、B两者均可D、运算正确答案：C10、当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电容B、大电阻C、接通的开关D、断开的开关正确答案：C11、主从JK触发器的初态为0，JK=00时，经过2n+1个触发脉冲后，输出状态为A、在0、1间翻转，最后为1B、一直为1C、在0、1间翻转，最后为0D、一直为0正确答案：D12、放大电路设置偏置电路的目的是A、使放大器工作在截止区B、使放大器工作在饱和区C、使放大器工作在集电极最大允许电流状态下D、使放大器工作在线性放大区正确答案：D13、十进制数码18用8421BCD码表示为A、10010B、100010C、0001D、0111正确答案：C14、模13计数器的开始计数状态为0000，则它的最后计数状态是A、1011B、1100C、1111D、1101正确答案：B15、电子型半导体的形成是通过在本征半导体中掺入微量的A、六价元素B、五价元素C、四价元素D、三价元素正确答案：B16、将或非门电路的所有输入端连接在一起，可实现( )功能。
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ouoC(a)(b)（c）图题5.7解：输出电压波形如图解5.7所示。
图解5.75.8 电路如图题5.8所示，求u o的表达式。
oR图题5.8解：⎰-+-=dtuuuRCuiiio)(11325.9为了使图题5.9所示的电路实现除法运算：（1）标出集成运放的同相输入端和反相输入端。
（2）求出u o的表达式。
图题5.9解：（1）上面为同相端，下面为反相端（2）212i i o u u K u =5.10 电路如图题5.10所示，试证明32101u u u K u +-=Ku 1u 2ou图题5.10证明：设乘法器的输出为u '，则u '＝o i u Ku 3 对集成运放来说，u +＝u -＝0 所以：021=++'=-Ru R u R u u i i 化简可以得到32101i i i u u u K u +-=5.11 电路如图5.11所示，双向稳压二极管为理想的，画出传输特性，并说明电路的功能，图题5.11解：传输特性如图解5.11所示，电路为一个带有限幅功能的过零比较器。
图解5.115.12 一个比较器电路如图题5.12所示，U Z ＝6V ，求门限电压值，画出传输特性。
图题5.12 解：V U R R U Z T 2156521=⨯==+ V U R R U Z T 2156521-=⨯-=-=- 传输特性如图解5.12所示。
图解5.125.13 电路如图题5.13（a ）所示，输出电压u o 的最大幅值为V 10±。
输入波形如图题5.13（b ）所示，画出输出电压的波形。
Vu u 21、Oo（a ）（b ）图题5.13解：输出电压的波形如图解5.13所示。
图解5.135.14 双限比较器可以检测输入电压是否在规定的两个电压之间。
某双限比较器如图题5.14所示，U REF1>U REF2，画出其传输特性。
o图题5.14解：传输特性如图解5.14所示。
图解5.145.15 在图题5.14中，已知U REF1＝3V ，U REF2＝-3V，输入信号为u i ＝5sin （ωt ），试画出输出波形。
解：如图解5.15所示。
O-5-3u iu o图解5.155.16 要对信号进行以下的处理，那么应该选用什么样的滤波器？ （1）信号频率为1KH Z 至2KH Z 为有用信号，其他的为干扰信号。
（2）低于50H Z 的信号是有用信号。
（3）高于200KH Z 的信号为有用信号。
（4）抑制50H Z 电源的干扰。
解：（1）带通滤波器（2）低通滤波器（3）高通滤波器（4）带阻滤波器5.17 在图题5.17所示的低通滤波电路中，试求其传递函数及截止角频率ω0。
图题5.17 解：传递函数为：=)(ωj A =)()(ωωj U j U i O RCj ω+11，截止角频率ω0＝1/RC第6章习题及答案6.1 分析判断下列说法是否正确，对的在括号打“√”，错的在括号打“×”。
（1）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（ ） （2）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ） （3）当OCL 电路的最大输出功率为1W 时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W 。
（ ） （4）功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是： 1）都是输出电压大于输入电压；（ ） 2）都是输出电流大于输入电流；（ ）3）都是输出功率大于信号源提供的输入功率。
（ ） （5）功率放大电路与电压放大电路的区别是： 1）前者比后者电源电压高；（ ） 2）前者比后者电压放大倍数数值大；（ ） 3）前者比后者效率高；（ ）解：（1）×（2）√（3）×（4）× × √（5）× × √6.2 已知电路如图题6.2所示，T 1和T 2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，U CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空。
o-图题 6.2（1）电路中D1和D2管的作用是消除。
A．饱和失真 B．截止失真 C．交越失真（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ。
A．＞0V B．＝0V C．＜0V（3）最大输出功率P OM。
A．≈28W B．＝18W C．＝9W（4）当输入为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压。
A．为正弦波 B．仅有正半波 C．仅有负半波（5）若D1虚焊，则T1管。
A．可能因功耗过大烧坏 B．始终饱和 C．始终截止解：（1）C （2）B （3）C （4）C （5）Au为6.3 一双电源互补对称电路如图题6.3所示，设已知U CC=12V，R L=8Ω，i正弦波。
试求：（1）在晶体管的饱和压降U CES可以忽略不计的条件下，负载可能得到的最大输出功率P om和效率η；（2）每个管子允许的管耗P CM至少是多少？u iu OCC图题6.3解：（1）212omO O O L U P U I R ===•当CC om U U =时，输出功率最大：2211129228CC om L U P W WR ==⨯=电压供给的功率：222221211.468CC om CC V L L U U U P W W R R πππ⨯==•===效率：%5.78==VomP P η （2）0.20.29 1.8CM om P P W>=⨯=6.4 在图题6.3中，设i u 为正弦波，R L =16Ω，要求最大输出功率P om =10W 。
在晶体管的饱和压降U CES 可以忽略不计的条件下，试求： （1）正、负电源U CC 的最小值（计算结果取整数）；（2）根据所求U CC 的最小值，计算相应的I CM 、CEO BR U )(的最小值；（3）输出功率最大时，电源供给的功率P V；（4）每个管子允许的管耗P CM的最小值；（5）当输出功率最大时的输入电压有效值。
解：（1）212CComLUPR=，所以得到17.89CCU V≥≈取18CCU V=（2）181.12516om CComL LU UI A AR R=≈==故1.125CM omI I A≥=()236CCBR CEOU U V≥=0.22CM omP P W≥=（3）2212.89CCVLUP WRπ=≈（4）根据射极输出器的跟随特性，求得输出功率最大时：12.7i oU U V≈==6.5 估算图题6.5所示电路T2和T4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗。
Iu o)V )图题6.5解：功放管的最大集电极电流、最大管压降、最大功耗分别为W122.0V 342A5.0L2CCTmaxCES CC max CE LCESCC max C ≈⨯≈=-==-=R V P U V U R U V I6.6 在图题6.6所示电路中，已知U CC ＝15V ，T 1和T 2管的饱和管压降│U CES │＝2V ，输入电压足够大。
求解：（1）最大不失真输出电压的有效值； （2）负载电阻R L 上电流的最大值； （3）最大输出功率P om 和效率η。
u o图题6.6解：（1）最大不失真输出电压有效值V U U R R R U CES CC LLom 65.82)(4≈-+=（2）负载电流最大值 A R R U U i LCESCC L 53.14max ≈+-=（3）最大输出功率和效率分别为W R U P Lomom 35.922≈=，%64≈η6.7 在图题6.6所示电路中，R 4和R 5可起短路保护作用。
试问：当输出因故障而短路时，晶体管的最大集电极电流和功耗各为多少？解：当输出短路时，功放管的最大集电极电流和功耗分别为W46πA 26422CCTmax 4CESCC Cmax ≈=≈-=R V P R U V i6.8 OTL 电路如图题6.11所示。
u o)-图题6.11（1）为了使得最大不失真输出电压幅值最大，静态时T 2和T 4管的发射极电位应为多少？若不合适，则一般应调节哪个元件参数？（2）若T 2和T 4管的饱和管压降│U C E S │＝3V ，输入电压足够大，则电路的最大输出功率P o m 和效率η各为多少？ （3）T 2和T 4管的I C M 、U （B R ）C E O 和P C M 应如何选择？ 解：（1）射极电位U E ＝U CC /2＝12V ；若不合适，则应调节R 2。
（2）最大输出功率和效率分别为W R U U P LCES CCom 06.52)2(2≈-=%9.58≈η（3）T 2和T 4管I CM 、U （BR ）CEO 和P CM 的选择原则分别为A R U I LCCCM 5.12=>V U U CC CEO BR 24)(=>W R U PCM LCC 82.1)2(22≈>π第7章习题及答案 7.1 选择题：1、自激振荡是电路在___ （b ）___的情况下，产生了有规则的、持续存在的输出波形的现象。
（a ） 外加输入激励 （b ） 没有输入信号 （c ） 没有反馈信号 2、正反馈是放大电路产生自激振荡的___（a ）___。
（a ） 必要条件 （b ）充分条件 （c ） 充要条件3、根椐输出波形的特点，振荡器分为___ （c ）___两种类型。
（a ） 矩形波和锯齿波（b ） 锯齿波和正弦波（c ） 正弦波和非正弦波 4、在正弦波振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是___（a ）___。
（a ） 1=F A &&（b ） 1>F A && （c ） 1<FA && 5、在正弦波振荡电路中，能产生振荡的相位条件是___（c ）___。
（a ）πϕϕn F A =+ （b ）()πϕϕ12+=+n F A （c ）πϕϕn F A 2=+ 6、正弦波振荡电路的起振条件是___（b ）___。
（a ） 1=F A &&（b ） 1>F A && （c ） 1<FA && 7、能产生正弦波振荡的必要条件是___（c ）___。
（a ）1=F A && （b ） 1>FA && （c ）πn F A 2arctan =&& 8、正弦波振荡器通常由基本放大电路、反馈电路、___（c ）___组成。
（a ）稳幅电路和保护电路（b ）检波电路（c ）选频网络和稳幅电路 9、振荡电路的振荡频率，通常是由___（c ）___决定的。
（a ） 放大倍数 （b ） 反馈系数 （c ） 选频网络参数10、根据___（c ）___的元器件类型不同，将正弦波振荡器分为RC 型、LC 型和石英晶体振荡器。