苏州大学2017年《半导体物理或集成电路设计原理》硕士考试大纲
831半导体物理考试大纲
831半导体物理考试大纲
对于半导体物理考试大纲，我们需要从多个角度来进行分析和
回答。
首先，我们可以从课程内容和重点知识点入手，其次可以探
讨考试形式和题型，最后可以谈论备考方法和建议。
从课程内容和重点知识点来看，半导体物理考试大纲通常涵盖
以下内容，半导体的基本概念、晶体结构与晶格常数、载流子的统
计物理、半导体的能带结构、半导体的导电性质、PN结与二极管、
场效应晶体管、光电子器件等。
学生需要掌握半导体物理的基本理
论知识，包括晶体结构、能带理论、载流子的行为以及半导体器件
的工作原理等内容。
在考试形式和题型方面，半导体物理考试大纲可能涵盖选择题、填空题、计算题和简答题等多种题型。
选择题考察学生对知识点的
掌握程度，填空题和计算题考察学生对公式和理论的运用能力，而
简答题则考察学生对概念的理解和分析能力。
针对备考方法和建议，学生可以通过系统地复习课本内容、做
大量的习题和模拟试卷来巩固知识，同时也可以结合实际应用场景，加深对知识的理解。
此外，建议学生多与老师和同学讨论，多加强
实验操作，以便更好地理解和掌握半导体物理的知识。
总的来说，半导体物理考试大纲涵盖了广泛的知识点和题型，
学生需要通过系统的复习和实践来全面准备，以取得理想的成绩。
希望以上回答能够帮助你对半导体物理考试大纲有一个全面的了解。
半导体物理_复习题共10页word资料
第七篇 题解-半导体表面与MIS 结构刘诺 编7-1、解：又因为 0V V V s G +=7-3、解：（1） 表面积累：当金属表面所加的电压使得半导体表面出现多子积累时，这就是表面积累，其能带图和电荷分布如图所示：（2） 表面耗尽：当金属表面所加的电压使得半导体表面载流子浓度几乎为零时，这就是表面耗尽，其能带图和电荷分布如图所示：（3）当金属表面所加的电压使得半导体表面的少子浓度比多子浓度多时，这就是表面反型，其能带图和电荷分布如图所示：7-3、解：理想MIS 结构的高频、低频电容-电压特性曲线如图所示； 其中AB 段对应表面积累，C 到D 段为表面耗尽，GH 和EF 对应表面反型。
7-4、解：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压。
这时半导体的表面势7-5、答：当MIS 结构的半导体能带平直时，在金属表面上所加的电压就叫平带电容。
平带电压是度量实际MIS 结构与理想MIS 结构之间的偏离程度的物理量，据此可以获得材料功函数、界面电荷及分布等材料特性参数。
7-6、解：影响MIS 结构平带电压的因素分为两种：（1）金属与半导体功函数差。
例如，当W m <W s 时，将导致C-V 特性向负栅压方向移动。
如图恢复平带在金属上所加的电压就是（2）界面电荷。
假设在SiO 2中距离金属- SiO 2界面x 处有一层正电荷，将导致C-V 特性向负栅压方向移动。
如图恢复平带在金属上所加的电压就是在实际半导体中，这两种因素都同时存在时，所以实际MIS 结构的平带电压为第六篇习题-金属和半导体接触刘诺 编6-1、什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ 6-2、什么是Schottky 势垒？影响其势垒高度的因数有哪些？6-3、什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。
6-4、什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？ 6-5、施主浓度为7.0×1016cm -3的n 型Si 与Al 形成金属与半导体接触，Al 的功函数为4.20eV ，Si 的电子亲和能为4.05eV ，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。
苏州大学2017年《半导体物理或集成电路设计原理》硕士考试大纲
苏州大学2017年《半导体物理或集成电路设计原理》硕士考试大纲半导体物理部分（一）基本晶体结构与半导体能带理论1、掌握晶体的基本结构分类和半导体晶体结构2、掌握半导体基本能带结构3、半导体掺杂的基本方法4、掌握费米统计、费米能级、有效质量、态密度的基本概念5、掌握基本能带理论（二）固体的散射机制与半导体的导电理论1、掌握固体载流子迁移率的基本概念2、掌握固体载流子散射的基本理论3、掌握半导体导电率的基本概念3、掌握半导体热载流子、多能谷效应等的基本概念（三）非平衡载流子的运动、产生、复合1、载流子扩散运动与漂移运动的基本理论2、非平衡载流子的产生、复合（四）PN结1、空间电荷区、中性区的基本概念2、PN结基本电流特性3、PN结势垒电容与扩散电容的基本概念4、PN结雪崩击穿与隧道击穿的基本概念（五）金属半导体接触1、肖特基结的整流特性2、金属半导体欧姆接触特性（六）MOS结构1、MOS结构的电容特性2、表面缺陷与散射性质3、MOS结构的耗尽、积累和反型。
二、集成电路设计原理部分（一）MOS器件物理基础1、MOSFET的结构、符号2、MOS的IV特性3、二级效应4、MOS器件模型（二）单级放大器1、共源级2、源跟随器3、共栅级4、共源共栅级（三）差动放大器1、单端与差动的工作方式2、基本差动对3、共模响应4、MOS为负载的差动对5、吉尔伯特单元（四）无源与有源电流镜1、基本电流镜2、共源共栅电流镜3、有源电流镜（五）数字系统和VLSI设计基础1、了解VLSI和数字系统2、了解CMOS半导体技术3、了解集成电路设计技术的层次化设计、不同抽象层次设计和CAD技术（六）晶体管和版图1、掌握晶体管的结构、特性2、掌握版图的设计方法3、了解设计规则的制定原则及如何遵守（七）逻辑门1、掌握逻辑门的结构2、了解引线和负载3、开关逻辑4、其他的门逻辑（伪nMOS逻辑、DCVS逻辑、多米诺逻辑）（八）组合逻辑网络1、掌握组合逻辑网络的设计方法2、掌握开关逻辑网络的设计方法3、组合逻辑测试（九）时序机1、掌握设计时序机、了解时序系统设计的一般原则2、锁存器和触发器3、有限状态机设计4、时序系统的验证及测试文章来源：文彦考研。
苏州大学2017年《自动控制原理》硕士考试大纲
苏州大学2017年《自动控制原理》硕士考试大纲
二、自动控制系统的基本概念
1．自动控制的基本原理与基本结构
2．控制系统示例与分析
3．简单控制系统时域数学模型的建立
二、线性系统的时域分析
1．二阶及高阶系统的时域分析
2．线性系统的稳定性分析
3．线性系统的稳态误差分析
三、线性系统的根轨迹法
1．根轨迹法的基本概念
2．根轨迹法的基本绘制法则
3．系统性能的分析
四、线性系统的频域分析法
1．频率特性的基本概念
2．频率特性的几何表示法（幅相频率特性曲线、对数频率特性曲线、对数幅相频率特性曲线）3．频域的稳定判据和稳定裕度
五、线性系统的校正
1．控制系统的设计与校正
2．采用频域法或根轨迹法的串联校正
3．采用频域法的并联校正
六、线性离散系统的分析
1．离散系统的基本概念
2．离散系统的稳态分析
3．离散系统的动态分析
七、非线性控制系统分析
1．非线性控制系统的基本问题
2．描述函数法
3．相平面法
八、状态空间分析法
1．状态空间描述的基本概念与可控可观性
2．输出反馈、状态反馈与极点配置
3．状态观测器的基本概念和设计
文章来源：文彦考研。
半导体物理考试重点 (1)剖析
半导体物理考试重点题型：名词解释3*10=30分；简答题4*5=20分；证明题10*2=20分；计算题15*2=30分一．名词解释1、施主杂志：在半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。
2、受主杂志：在半导体中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心的杂质称为受主杂质。
3、本征半导体：完全不含缺陷且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。
实际半导体不可能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由本征激发决定的纯净半导体。
4、多子、少子（1）少子：指少数载流子，是相对于多子而言的。
如在半导体材料中某种载流子占少数，在导电中起到次要作用，则称它为少子。
（2）多子：指多数载流子，是相对于少子而言的。
如在半导体材料中某种载流子占多数，在导电中起到主要作用，则称它为多子。
5、禁带、导带、价带（1）禁带：能带结构中能量密度为0的能量区间。
常用来表示导带与价带之间能量密度为0的能量区间。
（2）导带：对于被电子部分占满的能带，在外电场作用下，电子可以从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成电流，起导电作用，常称这种能带为导带（3）价带：电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为满带，最上面的一个满带称为价带6、杂质补偿施主杂质和受主杂质有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。
7、电离能：使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为电离能8、（1）费米能级:费米能级是绝对零度时电子的最高能级。
（2）受主能级：被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级（3）施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级9、功函数：功函数是指真空电子能级E0 与半导体的费米能级EF 之差。
10、电子亲和能：真空的自由电子能级与导带底能级之间的能量差，也就是把导带底的电子拿出到真空去而变成自由电子所需要的能量。
11、直/间接复合（1）直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的复合，称为直接复合。
2017年苏州大学 苏大 机电工程学院 硕士招生入学考试参考书目
电路原理（同等学力 《电路》 邱关源编 加试）
人因工程学（同等学 《人因工程学》2007版，郭伏，钱省三编，机械工业出版社。 力加试） 质量管理（同等学力加试） 《新编质量管理学》（第二版），张公绪编，高教出版社
基层招生单位（盖章）：
学院
机电工程学 院
复试
பைடு நூலகம்
机械设计基础（复 《机械设计基础》（第四版）杨可桢编，高教出版社。 试） 微型计算机原理及应 《新编32位微型计算机原理及应用》（第三版）李继灿，清华大学出版社。 用（复试） 基础工业工程(复 《基础工业工程》2011年版，易树平、郭伏主编，机械工业出版社 试）
材料力学（同等学力 加试） 机械制造技术基础 同等学 （同等学力加试） 力加试 计算机控制基础（同 等学力加试） 电机原理与电力拖动 系统（同等学力加 试）
《材料力学》（第三版）刘鸿文编，高教出版社。 《机械制造技术基础》2005版，卢秉恒编，机械工业出版社。 《计算机控制技术》姜学军编，清华大学出版社。 《电机原理与电力拖动系统》张茂青编，苏州大学出版社。 高教版
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附件：2
2017年苏州大学招收攻读硕士学位研究生参考书目
考试科目 理论力学 电子技术基础 初试 自动控制原理 生产计划与控制 参 考 书 目 《理论力学》(I)（第六版）哈工大编，高教出版社。 《电子技术基础》（第四版）康华光，高教出版社。 《自动控制原理》（第四版）胡寿松编，科学出版社。 《生产计划与控制》2011年版，潘尔顺编，上海交通大学出版社。
半导体器件物理复习指导纲要.doc
4•导出NPN缓变基区晶体管：
1）基区的缓变杂质分布引入的自建电场:
2）基区内电子分布（3-55）：
3）电流（3-56）：
4）基区输运因子（3-59）：
解:1•教材P112-113推导
2•学习指导
5.利用和Z间的关系证明：o
证明：
比较，有：
06.根据基区电荷控制方程导出：（3-98）。
解：详见学习指导
%1.《半导体器件物理学习指导》孟庆巨编 吉林大学国家精品课程 网站一半导体器件物理
四•学生作业
五…历年期末试题
六.历年吉林大学微电了学与固体电了学专业攻读硕士学位研究生入 学试题及复试试题
第二章PN结
一.基本概念与问题解释(37个)
PN结同质结异质结O同型结O异型结O高低结金属-半导体结 突变结线性缓变结单边突变结空间电荷区中性区耗尽区耗尽 近似势垒区少子扩散区扩散近似正向注入反向抽取正偏复合 电流反偏产牛电流隧道电流产纶隧道电流的条件隧道二极管的 主要特点过渡电容(耗尽层电容)扩散电容等效电路反向瞬变 电荷贮存贮存电荷隧道击穿雪崩击穿 临界电场雪崩倍增因子 雪崩击穿判据
※乞导出基区穿通电压
解：见学习指导
三重要图、表（8个）
1.画出图3.6并根据图3-6说明BJT的放大作用。
解:教材P98-99
2.画出BJT电流分量示意图3.7,写出各极电流及极电流之间关系公 式。（3T）~ （3-4）。
解：教材P100
3.解释图3.13中的电流增益随集电极电流的变化。
解答：1•学习指导
2.学生作业
2-19（补）解答:学生作业。
五更高能力考察问题（3个）
1.利用少子分布示意图2-22定性解释PN结反向瞬变现象。
2017年硕士研究生入学考试自命题科目考试大纲
2017年硕士研究生入学考试自命题科目考试大纲
科目代码：871 科目名称：光电技术
一. 考试要求
主要考查学生对光电技术的理论基础、常用光电器件的原理与应用技术以及光电信号的变换与处理技术等基础知识的理解与掌握，考查学生对典型光电系统的分析能力和对简单光电系统的设计能力。
二、考试内容
1．光辐射源
光辐射源工作的理论基础，包括辐射度学与光度学基础、半导体基础、黑体辐射等知识，热辐射源、黑体辐射器、激光二极管和发光二极管等典型光源结构、特性及应用。
其中，辐射度学和半导体等内容侧重考查基本概念，黑体辐射知识侧重考查基本概念及在光电工程的应用。
2．光电探测器
光电探测器的分类、工作原理，光电导探测器、光伏探测器、光电倍增管、热电偶、测辐射热计、热释电探测器等常见探测器的结构、原理、特性及应用。
光电成像器件的工作原理，MCP像增强器、CCD/CMOS摄像器件和红外焦平面阵列器件的结构、原理、特性及应用。
3．光电信号的变换与处理
光电信号的变换的概念、分类、意义和作用，光学信号调制的概念和方法，直接探测和相干探测原理及应用，检测电路带宽与低噪声设计、相关检测等电学信号处理方法。
4．典型光电系统的分析与设计
光电系统概念，测量检查、控制跟踪、图像测量等功能的典型光电系统的分析方法，简单光电测量系统设计的基本方法。
其中，光电系统限制在参考书目（或相近光电类书目）中的应用实例。
三、考试形式
考试形式为闭卷、笔试，考试时间为3小时，满分150分。
题型包括：选择题、简答题、分析计算题和系统设计题等。
四、参考书目
1．《光电技术》．江文杰，施建华等编著．科学出版社，2014.1, 第二版。
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苏州大学2017年《半导体物理或集成电路设计原理》硕士考试大纲半导体物理部分
（一）基本晶体结构与半导体能带理论
1、掌握晶体的基本结构分类和半导体晶体结构
2、掌握半导体基本能带结构
3、半导体掺杂的基本方法
4、掌握费米统计、费米能级、有效质量、态密度的基本概念
5、掌握基本能带理论
（二）固体的散射机制与半导体的导电理论
1、掌握固体载流子迁移率的基本概念
2、掌握固体载流子散射的基本理论
3、掌握半导体导电率的基本概念
3、掌握半导体热载流子、多能谷效应等的基本概念
（三）非平衡载流子的运动、产生、复合
1、载流子扩散运动与漂移运动的基本理论
2、非平衡载流子的产生、复合
（四）PN结
1、空间电荷区、中性区的基本概念
2、PN结基本电流特性
3、PN结势垒电容与扩散电容的基本概念
4、PN结雪崩击穿与隧道击穿的基本概念
（五）金属半导体接触
1、肖特基结的整流特性
2、金属半导体欧姆接触特性
（六）MOS结构
1、MOS结构的电容特性
2、表面缺陷与散射性质
3、MOS结构的耗尽、积累和反型。
二、集成电路设计原理部分
（一）MOS器件物理基础
1、MOSFET的结构、符号
2、MOS的IV特性
3、二级效应
4、MOS器件模型
（二）单级放大器
1、共源级
2、源跟随器
3、共栅级
4、共源共栅级
（三）差动放大器
1、单端与差动的工作方式
2、基本差动对
3、共模响应
4、MOS为负载的差动对
5、吉尔伯特单元
（四）无源与有源电流镜
1、基本电流镜
2、共源共栅电流镜
3、有源电流镜
（五）数字系统和VLSI设计基础
1、了解VLSI和数字系统
2、了解CMOS半导体技术
3、了解集成电路设计技术的层次化设计、不同抽象层次设计和CAD技术
（六）晶体管和版图
1、掌握晶体管的结构、特性
2、掌握版图的设计方法
3、了解设计规则的制定原则及如何遵守
（七）逻辑门
1、掌握逻辑门的结构
2、了解引线和负载
3、开关逻辑
4、其他的门逻辑（伪nMOS逻辑、DCVS逻辑、多米诺逻辑）
（八）组合逻辑网络
1、掌握组合逻辑网络的设计方法
2、掌握开关逻辑网络的设计方法
3、组合逻辑测试
（九）时序机
1、掌握设计时序机、了解时序系统设计的一般原则
2、锁存器和触发器
3、有限状态机设计
4、时序系统的验证及测试
文章来源：文彦考研。